JPS61189637A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPS61189637A
JPS61189637A JP60029458A JP2945885A JPS61189637A JP S61189637 A JPS61189637 A JP S61189637A JP 60029458 A JP60029458 A JP 60029458A JP 2945885 A JP2945885 A JP 2945885A JP S61189637 A JPS61189637 A JP S61189637A
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JP
Japan
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mask
temperature
cooling plate
cooling
exposure
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JP60029458A
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English (en)
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JPH0521332B2 (ja
Inventor
Masato Muraki
真人 村木
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS61189637A publication Critical patent/JPS61189637A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、露光室が真空排気された露光装置に関し、特
にマスクを真空中で効果的に冷却するこてが可能な露光
装置に関する。
[従来の技術] 最近のICパターン等の微細化に伴なうリソグラフィー
の重要な問題の一つに位置合わせズレが挙げられる。
位置合わせズレは、通常、並進モード、回転モード及び
伸縮モードに分解する事ができる。このうち並進モード
と回転モードは位置合わせ時に修正が可能である。しか
し、伸縮モードについては位置合わせたけでは修正が困
難である。
この伸縮モードの位置合わせズレが発生する原因の一つ
として、露光時にマスクに照射される露光ビーム例えば
X線がマスクの温度を上昇させて位置合わせ時と露光時
とで温度差を生じる事に伴なうマスクの熱膨張による伸
縮が考えられる。
この露光時におけるマスクの温度上昇を軽減するために
、従来の露光装置については、マスク表面上に冷却した
ヘリウムを流す事が提案されている〔ジャーナル オブ
 バキューム サイエン21983年第4号(J ou
rnal  of  V acum  S cienc
e丁echnology  B (1) 4 0ct−
Oec。1352゜1983) )。しかし、ウェハに
照射されるXa最を増加するために露光室を真空排気さ
れるX線露光装置では、ヘリウムを流す事によってマス
クを冷却する方法を採用する事は不可能である。
[発明の目的] 本発明は、真空排気された露光室内のマスクの温度上昇
を軽減させかつその温調する事を目的とするものである
「実施例の説明」 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係るxI!露光装置の構
成を示す。この装置は、真空排気された露光空白に、露
光時のマスクの温度上昇を軽減し、かつ温調する事を目
的とした冷却装置を具備している。同図において、1は
マスク、2はウェハ、3はステージ、4は冷却板、5A
は冷却板4を冷却する冷却流体の導入管、5Bはその冷
却流体の引き出し管1,6はX線源から発生し、拡がり
角を制限されたX線である。
第1図の装置においては、露光時、ステージ3上にウェ
ハ2が装着されていてウェハ2上に所定の間隔をもって
マスク1が保持されている。そして、マスク1の上方に
位置合わせ時のマスク温度T1より低い温度T2に保た
れている冷却板4が設置されている。この冷部板4は、
その中に流体が循環できる管が埋め込まれていて冷却流
体導入管5Aから温度T2の冷却流体が冷却板4の中を
循環し、冷却板4の温度をT2にして冷却流体取り出し
管5Bから出ていく。また、冷却板4の中央には照射用
のX線6をさえぎらない程度の穴7があけられている。
X線6がマスク1に照射されるとマスク1はX線6のエ
ネルギーを吸収し、そのエネルギーが熱となり、マスク
1の温度が上昇する。それと同時に、真空排気された露
光空中では、マスク1の熱は、2つの伝熱方法によって
マスク1外に伝熱される。1つはマスクを保持する部材
に伝熱する伝導伝熱であり、もう1つはマスクを囲む物
体に放射される輻射伝熱である。マスク1の温度上昇を
軽減するにはこのマスク1外に伝熱される熱を多くする
事が必要である。ここでは、上述の様に冷却板4をマス
ク1上方に設置する事により、輻射伝熱mを増加する事
ができる事になり、マスク1の温度上昇を軽減する事が
できる。また、冷却流体の温度を変える事によりマスク
1の温度調節を行なう事も可能である。
なお、上記実施例の冷却板において、マスク側の而の材
質をセラミックスのような輻射率の高いものとする事に
よって更に輻射伝熱量を増やすことができ、これにより
、マスクの温度上昇がより軽減され、マスクの温度調節
のレスポンスもよくなる。
また上記実施例では冷却流体の温度を調節して、マスク
の温調をしていたが、冷却板の温度が一定でもマスクと
冷却板の輻射伝熱かは距離に灰化例するから、マスクと
冷却板の距離を可変にする事によりマスクの温度調節を
行なうことも可能である。
また、上記実施例においては、X線露光装置に本発明を
適用した例ついて説明したが、本発明は他のビーム例え
ば可視、紫外もしくは遠紫外等の光線、または電子線等
の粒子線等を用いる露光装置についても適用可能である
ことは勿論である。
また、上記実施例においては、ビームを遮らな  −い
様に冷却板4の中央に穴7を設けているが、使用するビ
ームに対して透過性の冷却板の場合、この穴7は設けな
くてもよい。
[効果の説明] 以上説明したように本発明によると、真空排気された露
光室内においてマスクの線源側に冷却板を設置している
ため、ビーム露光時のマスクの温度上昇が軽減され、か
つマスクの温度調節が可能となった。
【図面の簡単な説明】
第7図は、本発明の一実施例に係るX線露光装置の概略
の構成図である。 1・・・マスク、2・・・ウェハ、3・・・ステージ、
4・・・冷却板、5A・・・冷却流体導入管、5B・・
・冷却流体取り出し管、6・・・X線、7・・・穴。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空排気された露光室内にマスクとウェハとを対向
    配置し、マスク側に配置された線源からのビームにより
    マスク上のパターン像をウェハ上に転写する露光装置に
    おいて、冷却板をマスクに対向して線源側に配置した事
    を特徴とする露光装置。 2、前記冷却板は、前記ビームを妨害しないための開口
    部を有するとともに、冷却流体を循環させるための管が
    埋め込まれている特許請求の範囲第1項記載の露光装置
    。 3、前記冷却板とマスクとの間隔が可変である特許請求
    の範囲第1または2項記載の露光装置。
JP60029458A 1985-02-19 1985-02-19 露光装置 Granted JPS61189637A (ja)

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JP60029458A JPS61189637A (ja) 1985-02-19 1985-02-19 露光装置

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JP60029458A JPS61189637A (ja) 1985-02-19 1985-02-19 露光装置

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Publication Number Publication Date
JPS61189637A true JPS61189637A (ja) 1986-08-23
JPH0521332B2 JPH0521332B2 (ja) 1993-03-24

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ID=12276657

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JP60029458A Granted JPS61189637A (ja) 1985-02-19 1985-02-19 露光装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63312640A (ja) * 1987-06-15 1988-12-21 Canon Inc 露光装置
EP1064713A2 (en) * 1998-07-09 2001-01-03 Nikon Corporation Exposure device having a planar motor
US6954258B2 (en) 2001-08-20 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus

Cited By (4)

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EP1064713A2 (en) * 1998-07-09 2001-01-03 Nikon Corporation Exposure device having a planar motor
EP1064713A4 (en) * 1998-07-09 2005-07-20 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE WITH PLANAR MOTOR
US6954258B2 (en) 2001-08-20 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0521332B2 (ja) 1993-03-24

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