JPH02240913A - ウェハへのマスクパターン転写装置 - Google Patents
ウェハへのマスクパターン転写装置Info
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- JPH02240913A JPH02240913A JP1060921A JP6092189A JPH02240913A JP H02240913 A JPH02240913 A JP H02240913A JP 1060921 A JP1060921 A JP 1060921A JP 6092189 A JP6092189 A JP 6092189A JP H02240913 A JPH02240913 A JP H02240913A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軟X@、SORX線または露光光を用いて、
マスクに形成された微細なパターンをウェハに転写する
ウェハへのマスクパターン転写装置に関するものである
。
マスクに形成された微細なパターンをウェハに転写する
ウェハへのマスクパターン転写装置に関するものである
。
従来のマスクパターン転写装置、特にX@転写装置とし
ては、第5図に示すように、軟X線発生装置1のX線取
出窓8側に、内部にX線透過率が大気に比べて十分高い
気体(例えは、ヘリウムガス)を満たした雰囲気チャン
バ2を接続し、この雰囲気チャンバ2のX線取出窓8と
対向する一端面に形成された穴を覆うように、所要のパ
ターンを形成したマスク3を取り付け、雰囲気チャンバ
2外でマスク3と微小すきまを隔てて対向するようにウ
ェハ4を保持しかつ移動させるステージ5と、雰囲気チ
ャンバ2内でマスク3とウェハ4の位置合わせな行う観
察光学系9とを設け、大気中にウェハ4を置いて露光す
るようにしたものかある。この軟X線発生装置1では多
量の熱を発生するため、そのターゲット6および真空容
器7に冷却水を循環させることにより冷却している。
ては、第5図に示すように、軟X線発生装置1のX線取
出窓8側に、内部にX線透過率が大気に比べて十分高い
気体(例えは、ヘリウムガス)を満たした雰囲気チャン
バ2を接続し、この雰囲気チャンバ2のX線取出窓8と
対向する一端面に形成された穴を覆うように、所要のパ
ターンを形成したマスク3を取り付け、雰囲気チャンバ
2外でマスク3と微小すきまを隔てて対向するようにウ
ェハ4を保持しかつ移動させるステージ5と、雰囲気チ
ャンバ2内でマスク3とウェハ4の位置合わせな行う観
察光学系9とを設け、大気中にウェハ4を置いて露光す
るようにしたものかある。この軟X線発生装置1では多
量の熱を発生するため、そのターゲット6および真空容
器7に冷却水を循環させることにより冷却している。
なお、この種のX線転写装置に関連する技術としては、
例えは特開昭57−169242号公報が挙げられる。
例えは特開昭57−169242号公報が挙げられる。
前記従来技術では、軟X線発生装fllilの温度制御
について配慮されておらず、軟X@を発生させていない
ときには冷却水により1A1111温度が低下し軟X@
発生時には徐々に装置温度か上昇する。それに伴い、軟
X線発生装置IK@接する雰囲気チャンバ2の温度も変
化するため、内部に8tIILシた観察光学系9に熱変
形を生じて、マスク3とウェハ4の位置合わせ精度が低
下し、また雰囲気チャンバ2とステージ5とを連結して
いる架台(図示せず)に熱変形を生じて、マスク3とウ
ェハ4の間隔に誤差を生じることKなる。
について配慮されておらず、軟X@を発生させていない
ときには冷却水により1A1111温度が低下し軟X@
発生時には徐々に装置温度か上昇する。それに伴い、軟
X線発生装置IK@接する雰囲気チャンバ2の温度も変
化するため、内部に8tIILシた観察光学系9に熱変
形を生じて、マスク3とウェハ4の位置合わせ精度が低
下し、また雰囲気チャンバ2とステージ5とを連結して
いる架台(図示せず)に熱変形を生じて、マスク3とウ
ェハ4の間隔に誤差を生じることKなる。
また、軟X縁を放出してマスク3に形成された微細なパ
ターンをウェハ4に転写している時には。
ターンをウェハ4に転写している時には。
X線取出窓8からは軟X@および熱線が放出され。
これらかマスク3に照射され、そのエネルギーによりマ
スク3の温度を上昇させる。一方、軟X縁を放出しない
時には、X@取出窓8から軟X@および熱線が放出され
ないため、マスク3の温度は下降ブる。 ilJ記マス
ク温度の変化により、マスク3のパターンが掌形する。
スク3の温度を上昇させる。一方、軟X縁を放出しない
時には、X@取出窓8から軟X@および熱線が放出され
ないため、マスク3の温度は下降ブる。 ilJ記マス
ク温度の変化により、マスク3のパターンが掌形する。
これらの現象は、マスク3とウェハ4の相対的な位置決
めに超高@度か要求されるxIjMllに光においては
1重大な障害となる。
めに超高@度か要求されるxIjMllに光においては
1重大な障害となる。
なお、riJ述のごとき問題は、従来のSORX@発生
装置mまたは光学式の露光光源を用いたマスクパターン
転写装置においても存在していた。
装置mまたは光学式の露光光源を用いたマスクパターン
転写装置においても存在していた。
本発明の目的は、1ilIJ記従来技術の問題を解決し
。
。
転写g&置の゛使用中、軟X@装置、 SORX線装置
または光学式の露光光臨がON、OFF制御され、軟X
線、SORX@または露光光のエネルギーが変化しても
、マスクや光学系が熱変形せず、マスクに形成された微
細なパターンをウェハに正蓚に転写可能なウェハへのマ
スクパターン転写vj装置を提供することKある。
または光学式の露光光臨がON、OFF制御され、軟X
線、SORX@または露光光のエネルギーが変化しても
、マスクや光学系が熱変形せず、マスクに形成された微
細なパターンをウェハに正蓚に転写可能なウェハへのマ
スクパターン転写vj装置を提供することKある。
本発明の他の目的は、光学式の露光光源を用いたものに
おいて、ホトレジストに感光する短い波長の光および会
費以上に長い波長の光を遮断しつつマスクパターンを転
写可能なウェハへのマスクパターン転写装置を提供する
ことにある。
おいて、ホトレジストに感光する短い波長の光および会
費以上に長い波長の光を遮断しつつマスクパターンを転
写可能なウェハへのマスクパターン転写装置を提供する
ことにある。
前記目的は、軟X線発生装置を用いたマスクパターン転
写装置では、軟X縁を透過するマスクに向かって熱線を
放射する熱線放射装置を設けるとともに、繭記軟x#!
発生装置がONの時は熱線放射装置なoppに、軟X線
発生装置がOFFの時は熱線放射装置をONに制御する
制御手段を設けたことにより、達成される。
写装置では、軟X縁を透過するマスクに向かって熱線を
放射する熱線放射装置を設けるとともに、繭記軟x#!
発生装置がONの時は熱線放射装置なoppに、軟X線
発生装置がOFFの時は熱線放射装置をONに制御する
制御手段を設けたことにより、達成される。
また、 iIl記目的は、SORX線発生装置を用いた
マスクパターン転写装置では、前記マスクに熱線を放射
する熱線放射装置を設けるとともに、前記SORX線発
生装置がONの時は熱線放射装置をOFFに、 SOR
X@発生装置がOFFの時は熱線放射装置をONに制御
する制御手段を設けたことにより、達成される。
マスクパターン転写装置では、前記マスクに熱線を放射
する熱線放射装置を設けるとともに、前記SORX線発
生装置がONの時は熱線放射装置をOFFに、 SOR
X@発生装置がOFFの時は熱線放射装置をONに制御
する制御手段を設けたことにより、達成される。
さらに、前記目的は、軟X線発生装置またはSORX線
発生装置を用いたマスクパターン転写装置において、前
記熱線放射装置を、恒温水を循環させることによって一
定温度に保持された温度制御板に取り付けたことKより
ヤ、さらに良好に達成される。
発生装置を用いたマスクパターン転写装置において、前
記熱線放射装置を、恒温水を循環させることによって一
定温度に保持された温度制御板に取り付けたことKより
ヤ、さらに良好に達成される。
さらにまた、前記目的は、光学式の無光光源を用いたマ
スクパターン転写装置では、ミラー、マスクおよび投影
レンズに対して熱線を放射する熱線放射装置を設けると
ともに、前記露光光源がONの時は熱線放射装置をOF
Fに、露光光源がOFFの時は熱線放射装置をONK制
御する制御手段を設けたことにより、達成される。
スクパターン転写装置では、ミラー、マスクおよび投影
レンズに対して熱線を放射する熱線放射装置を設けると
ともに、前記露光光源がONの時は熱線放射装置をOF
Fに、露光光源がOFFの時は熱線放射装置をONK制
御する制御手段を設けたことにより、達成される。
そして、帥記他の目的は、前記熱線放射装置における熱
線の出口に、ホトレジストに感光する短い波長の光およ
び必要以上に長い波長の光を遮断するバンドパスフィル
タを配置したことにより、達成される。
線の出口に、ホトレジストに感光する短い波長の光およ
び必要以上に長い波長の光を遮断するバンドパスフィル
タを配置したことにより、達成される。
軟X線発生装置から放出される軟X線をマスクに照射し
、マスクに形成されたパターンをウエノ1に転写するマ
スクパターン転写装置に適用した本発明では、制御手段
により、軟X線発生装置をONとし、マスクに軟X線を
照射している時は熱線放射装置をOFFとする。そして
、軟X線発生装置をOFFとした時は熱線放射装置をO
Nとし、熱線放射装置からマスクに熱線を放射する。
、マスクに形成されたパターンをウエノ1に転写するマ
スクパターン転写装置に適用した本発明では、制御手段
により、軟X線発生装置をONとし、マスクに軟X線を
照射している時は熱線放射装置をOFFとする。そして
、軟X線発生装置をOFFとした時は熱線放射装置をO
Nとし、熱線放射装置からマスクに熱線を放射する。
これにより、マスクには常に同じ大きさのエネルギーが
放射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの
温度変化を防止することができ、したがってマスクパタ
ーンの変形を防止することができる。
放射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの
温度変化を防止することができ、したがってマスクパタ
ーンの変形を防止することができる。
その結果、マスクとウェハの位置合わせ精度が向上し、
間隔誤差も軟X線露光の障害とならない程度に小さくす
ることができる。
間隔誤差も軟X線露光の障害とならない程度に小さくす
ることができる。
えた、SORX線発生装置から放出されるX線をマスク
に照射し、マスクに形成されたパターンをウェハに転写
するマスクパターン転写装置に適用した本発明では、制
御手段により、SORX ii発生装置をONとし、マ
スクにSORX線を照射している時は、熱線放射装置を
OFFとする。ついで、制御装置により、SORX線発
生装置をOFFとした時は熱線放射装置をONとし、熱
線放射からマスクに熱線を放射する。
に照射し、マスクに形成されたパターンをウェハに転写
するマスクパターン転写装置に適用した本発明では、制
御手段により、SORX ii発生装置をONとし、マ
スクにSORX線を照射している時は、熱線放射装置を
OFFとする。ついで、制御装置により、SORX線発
生装置をOFFとした時は熱線放射装置をONとし、熱
線放射からマスクに熱線を放射する。
したかって、マスクには常に同じ大きさのエネルギーが
放射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの
温度変化を防止することができ、マスクパターンの変形
を防止することができる結果、マスクとウェハの位置合
わせ精度が向上し、間隔誤差もSORX線露光の障害と
ならない程度に小さくすることができる。
放射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの
温度変化を防止することができ、マスクパターンの変形
を防止することができる結果、マスクとウェハの位置合
わせ精度が向上し、間隔誤差もSORX線露光の障害と
ならない程度に小さくすることができる。
また、本発明では軟X線発生装置またはSORX線発生
装置を用いるマスクパターン転写装置において、熱線放
射装置を、恒温水を循環させることによりて一定温度に
保持された温度制御板に取り付けているので、熱線放射
装置から放射される熱線のエネルギーを、制御手段によ
り軟X線発生装置から発せられる軟xImのエネルギー
やSORX 線発生装置から発せられるSORX@のエ
ネルギーと同一になるように、容易にillyMするこ
とが可能となり、軟X線発生装置やSORX線発生装置
のON。
装置を用いるマスクパターン転写装置において、熱線放
射装置を、恒温水を循環させることによりて一定温度に
保持された温度制御板に取り付けているので、熱線放射
装置から放射される熱線のエネルギーを、制御手段によ
り軟X線発生装置から発せられる軟xImのエネルギー
やSORX 線発生装置から発せられるSORX@のエ
ネルギーと同一になるように、容易にillyMするこ
とが可能となり、軟X線発生装置やSORX線発生装置
のON。
OFF時のマスクに加わるエネルギー差を極めて小さく
することができ、マスクパターンの変形を殆どなくすこ
とが可能となる。
することができ、マスクパターンの変形を殆どなくすこ
とが可能となる。
さらに、光学式の露光光源から発射される露光光をマス
クに照射し、マスクに形成されたパターンをウェハに転
写するマスクパターン転写装置に適用した本発明では、
制御手段により、露光光源をONとし、マスクKm光光
を照射している時は熱線放射装置をOFFとする。つい
で、無光光源をOFFとした時は熱線放射装置をONと
し、熱線放射装置からマスクに熱線を照射する。
クに照射し、マスクに形成されたパターンをウェハに転
写するマスクパターン転写装置に適用した本発明では、
制御手段により、露光光源をONとし、マスクKm光光
を照射している時は熱線放射装置をOFFとする。つい
で、無光光源をOFFとした時は熱線放射装置をONと
し、熱線放射装置からマスクに熱線を照射する。
これにより、マスクには常に同じ大きさのエネルギーが
放射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの
温度変化を防止することができ、したがってヤスクパタ
ーンの変形を防止することができる結果、マスクとウェ
ハの位置合わせ精度が向上し1間隔誤差を光学式の露光
光による露光の障害とならない程度に小さくすることが
できる。
放射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの
温度変化を防止することができ、したがってヤスクパタ
ーンの変形を防止することができる結果、マスクとウェ
ハの位置合わせ精度が向上し1間隔誤差を光学式の露光
光による露光の障害とならない程度に小さくすることが
できる。
そして、本発明では熱線放射装置における熱線の出口に
配置されたバンドパスフィルタにより、ホトレジストに
感光する短い波長の光および必要以上に長い波長の光を
遮断することができる。
配置されたバンドパスフィルタにより、ホトレジストに
感光する短い波長の光および必要以上に長い波長の光を
遮断することができる。
以下1本発明の実施例を図面により説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は熱
線放射装置部分の拡大断面図である。
線放射装置部分の拡大断面図である。
その第1図に示す実施例のマスクパターン転写装置では
、軟X線取出窓fii1と、雰囲気チャンノ(2と、前
記軟X線発生装置1と雰囲気チャンバ2間に取り付けら
れた温度制御板11と、これに接続された恒温水循環装
置14と、前記雰囲気チャンバ2内に設置された観察光
学系9と、前記雰囲気チャンバ2の一端部に取り付けら
れたマスク3と、ウェハ4を載置するステージ5と、前
記温度制御板11に取り付けられた熱線放射装置15と
、前記軟X線発生装置1や熱線放射装置15を制御する
制御手段(図示せず)とを備えて構成されている。
、軟X線取出窓fii1と、雰囲気チャンノ(2と、前
記軟X線発生装置1と雰囲気チャンバ2間に取り付けら
れた温度制御板11と、これに接続された恒温水循環装
置14と、前記雰囲気チャンバ2内に設置された観察光
学系9と、前記雰囲気チャンバ2の一端部に取り付けら
れたマスク3と、ウェハ4を載置するステージ5と、前
記温度制御板11に取り付けられた熱線放射装置15と
、前記軟X線発生装置1や熱線放射装置15を制御する
制御手段(図示せず)とを備えて構成されている。
前記軟X線発生装置1は、真空容器7と、これの内部に
設置されたターゲット6とを備え、前記真空容器7にお
ける雰囲気チャンバ2側には、軟X線取出窓8が設けら
れている。前記軟X線発生装置1は、発生熱量が大きい
ので、真空容器7およびターゲット6に冷却水を循環さ
せて冷却しているが、軟X線を発生させていhい時は、
冷却水により装置温度が低下し1.軟X線発生時には徐
々に軟X線発生装置1の温度が上昇する。
設置されたターゲット6とを備え、前記真空容器7にお
ける雰囲気チャンバ2側には、軟X線取出窓8が設けら
れている。前記軟X線発生装置1は、発生熱量が大きい
ので、真空容器7およびターゲット6に冷却水を循環さ
せて冷却しているが、軟X線を発生させていhい時は、
冷却水により装置温度が低下し1.軟X線発生時には徐
々に軟X線発生装置1の温度が上昇する。
前記温度制御板11は、前記真空容器7における軟X線
取出窓8側に、断熱材10をはさんで取り付けられてい
る。この温度制御板11iCは、内部水路12と、軟X
線照射用の窓13とが設けられている。
取出窓8側に、断熱材10をはさんで取り付けられてい
る。この温度制御板11iCは、内部水路12と、軟X
線照射用の窓13とが設けられている。
前記温度制御板11の内部水路12には、前記恒温水循
環装置14より一定温度に制御された恒温水を循環させ
、前記温度制御板11を奢1ぼ一定の温度に保つように
している。
環装置14より一定温度に制御された恒温水を循環させ
、前記温度制御板11を奢1ぼ一定の温度に保つように
している。
前記雰囲気チャンバ2の内部には、ヘリウムガス等の軟
X線透過率の高い気体が満たされている。
X線透過率の高い気体が満たされている。
肋記熱線放射装置15は、第2図に示すように。
筐体16と、電球17とを有している。前記筺体16は
。
。
銅等の熱の良導体で形成され、内部には反射防止処理が
施され、底部には熱線透過用の窓1Bが設けられている
。前記電球17には、主にタングステン電球が用いられ
ており、後述の制御手段により。
施され、底部には熱線透過用の窓1Bが設けられている
。前記電球17には、主にタングステン電球が用いられ
ており、後述の制御手段により。
放射する熱線のエネルギーが調整されるようになってい
る。前記筺体16と電球17とは、前記温度制御板11
に設けられた軟X線照射用の窓15の周辺に複数個取り
付けられていて、マスク5に対して熱線を放射するよう
になっている。
る。前記筺体16と電球17とは、前記温度制御板11
に設けられた軟X線照射用の窓15の周辺に複数個取り
付けられていて、マスク5に対して熱線を放射するよう
になっている。
前記制御手段は、このマスクパターン転写itの運転時
、軟xIi!発生装置1がONで軟X線を照射している
時は熱線放射装置15をOFFとし、軟X線発生装置1
がOFFの時は熱線放射装置15をONとし、熱線を放
射させるように制御する。また、この制御手段は熱線放
射装置15の1球17からマスク6に放射される熱線の
エネルギーか、軟X線発生装置1からマスク6に照射さ
れる軟X線のエネルギーに等しくなるように調整し、さ
らに前記第1図に示す実施例のマスクパターン転写装置
では、雰囲気チャンバ2の一端に取り付けたマスク3と
これに対向させてステージ5に載置したウェハ4の位置
合わせをし、雰囲気チャンバ2の内部に満たしたヘリウ
ムガス等のX線透過率の高い気体を通してX線露光を行
い、マスク3に形成されたパターンをウェハ4に転写す
る。
、軟xIi!発生装置1がONで軟X線を照射している
時は熱線放射装置15をOFFとし、軟X線発生装置1
がOFFの時は熱線放射装置15をONとし、熱線を放
射させるように制御する。また、この制御手段は熱線放
射装置15の1球17からマスク6に放射される熱線の
エネルギーか、軟X線発生装置1からマスク6に照射さ
れる軟X線のエネルギーに等しくなるように調整し、さ
らに前記第1図に示す実施例のマスクパターン転写装置
では、雰囲気チャンバ2の一端に取り付けたマスク3と
これに対向させてステージ5に載置したウェハ4の位置
合わせをし、雰囲気チャンバ2の内部に満たしたヘリウ
ムガス等のX線透過率の高い気体を通してX線露光を行
い、マスク3に形成されたパターンをウェハ4に転写す
る。
軟X線発生装置1は、発生熱量が大きいので、ターゲッ
ト6および真空容器7に冷却水を循環させて冷却してい
るが、軟xIIiIを発生させていない時は冷却水によ
り装置温度が低下し、軟X線発生時には徐々に装置温度
が上昇する。そこで、本実施例では恒温水循環装置14
から温度制御板11に設けられた内部水路12に一定温
度に制御された恒温水を循環させ、温度制御板11を一
定温度に保持する。そして、この温度制御板11に前記
雰囲気チャンバ2を接続し、前記温度制御板11の中央
部に設けた軟X線照射用の窓16を通して軟X線を雰囲
気チャンバ2内に照射する。
ト6および真空容器7に冷却水を循環させて冷却してい
るが、軟xIIiIを発生させていない時は冷却水によ
り装置温度が低下し、軟X線発生時には徐々に装置温度
が上昇する。そこで、本実施例では恒温水循環装置14
から温度制御板11に設けられた内部水路12に一定温
度に制御された恒温水を循環させ、温度制御板11を一
定温度に保持する。そして、この温度制御板11に前記
雰囲気チャンバ2を接続し、前記温度制御板11の中央
部に設けた軟X線照射用の窓16を通して軟X線を雰囲
気チャンバ2内に照射する。
また、制御手段により、軟X線発生装置1のシャッタ(
図示せず)を開けてマスク3に形成されたパターンをウ
ェハ4に露光する時は熱線放射装置15の電球17.を
OFFにし、前記シャッタを閉じる時は熱線放射装置1
5の電球17をONにする。さらに、制御手段により、
軟X線発生装置1からマスク3に対して照射される軟x
1mのエネルギーと、熱線放射装置15からマスク3に
対して放射される熱線のエネルギーとが等しくなるよう
に、IE球17に供給する電力を調整する。
図示せず)を開けてマスク3に形成されたパターンをウ
ェハ4に露光する時は熱線放射装置15の電球17.を
OFFにし、前記シャッタを閉じる時は熱線放射装置1
5の電球17をONにする。さらに、制御手段により、
軟X線発生装置1からマスク3に対して照射される軟x
1mのエネルギーと、熱線放射装置15からマスク3に
対して放射される熱線のエネルギーとが等しくなるよう
に、IE球17に供給する電力を調整する。
その結果、マスク3に対して放射されるエネルギーは露
光中も、露光停止中も変わらないので。
光中も、露光停止中も変わらないので。
マスク3の温度上昇は容易に飽和して一定となり。
マスク3の温度変化による変形を生じないので、マスク
3の位置合わせ誤差を生じることが無い。
3の位置合わせ誤差を生じることが無い。
しかも、本実施例では一定温度に保持されている温度制
御板11に、前記熱線放射装置15を取り付けているの
で、制御手段により、熱線放射装置15からマスク3に
放射される熱線のエネルギーが軟X線発生装置1からマ
スク3に照射される軟X線のエネルギーと同一になるよ
うk、容易に調整することができる。
御板11に、前記熱線放射装置15を取り付けているの
で、制御手段により、熱線放射装置15からマスク3に
放射される熱線のエネルギーが軟X線発生装置1からマ
スク3に照射される軟X線のエネルギーと同一になるよ
うk、容易に調整することができる。
次に、第3図は本発明の他の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
この第3図に示す実施例のマスクパターン転写装置で゛
は、SORX線発生装置19と、X線取出口に設けられ
たシャッタ20とを備え、前記シャッタ200近くに熱
線放射装置15が取り付けられている外は、前記第1図
に示す実施例と同様である。熱線放射装置15も前記第
2図に示すものと同様である。
は、SORX線発生装置19と、X線取出口に設けられ
たシャッタ20とを備え、前記シャッタ200近くに熱
線放射装置15が取り付けられている外は、前記第1図
に示す実施例と同様である。熱線放射装置15も前記第
2図に示すものと同様である。
ついで、第4図は本発明の他の実施例を示す系統図であ
る。
る。
この第4図に示す実施例のマスクパターン転写装置では
、光学式の露光光源21と、その露光光をマスク3の方
向に反射するミラー23と、マスクSのパターンをステ
ージ5に載置されたウエノS4に投影する投影レンズ2
2と、前記ミラー23におけるマスク3の反対側に設置
された熱線放射装置15と、この熱線放射装置15の熱
線の出口に配置されたバンドパスフィルタ24と、制御
手段(図示せず)とを備えて構成されている。
、光学式の露光光源21と、その露光光をマスク3の方
向に反射するミラー23と、マスクSのパターンをステ
ージ5に載置されたウエノS4に投影する投影レンズ2
2と、前記ミラー23におけるマスク3の反対側に設置
された熱線放射装置15と、この熱線放射装置15の熱
線の出口に配置されたバンドパスフィルタ24と、制御
手段(図示せず)とを備えて構成されている。
前記ミラー23には、露光波長を反射し、庫光波長より
波長か長く、ホトレジストに感光しない波長を透過する
ものが用いられている。
波長か長く、ホトレジストに感光しない波長を透過する
ものが用いられている。
前記熱線放射装置[15は、繭記i@2図に示すものと
同様である。そして、この熱線放射装置15はバンドパ
スフィルタ24を通して、ミラー23.マスク3および
投影レンズ22に露光光源21から照射される露光光の
エネルギーと同一のエネルギーを与えるようになってい
る。
同様である。そして、この熱線放射装置15はバンドパ
スフィルタ24を通して、ミラー23.マスク3および
投影レンズ22に露光光源21から照射される露光光の
エネルギーと同一のエネルギーを与えるようになってい
る。
M Ht2バンドパスフィルタ24は、熱線放射装TI
jL15かも発せられる熱線の、ホトレジストに感光す
る短い波長の光と、必要以上に長い波長の光を遮断する
ようになっている。
jL15かも発せられる熱線の、ホトレジストに感光す
る短い波長の光と、必要以上に長い波長の光を遮断する
ようになっている。
前記制御手段は、lI光光源21かONで露光光を照射
している時は熱線放射装置15をOFFとし、高光光源
21がOFFの時は熱線放射装置15をONとしてミラ
ー23.マスク5および投影レンズ22に熱線を放射す
るように制御する。また、制御手段は熱線放射装置15
からミラー23.マスク3および投影レンズ22に放射
された熱線のエネルギーが、露光光源21からミラー2
3.マスク3および投影レンズ22に照射される露光光
源のエネルギーと同一になるように調整する。
している時は熱線放射装置15をOFFとし、高光光源
21がOFFの時は熱線放射装置15をONとしてミラ
ー23.マスク5および投影レンズ22に熱線を放射す
るように制御する。また、制御手段は熱線放射装置15
からミラー23.マスク3および投影レンズ22に放射
された熱線のエネルギーが、露光光源21からミラー2
3.マスク3および投影レンズ22に照射される露光光
源のエネルギーと同一になるように調整する。
このように、本実施例では制御手段により、露光光源2
1より露光光が照射されない時には熱線放射装置15を
動作させ、熱線のエネルギーをミラー25、マスク3お
よび投影レンズ22に吸収させ、露光光と同じようにミ
ラー23.マスク3および投影レンズ22の温度が上昇
するように、その調整をする。また、熱線放射装置15
の熱線の出口にバンドパスフィルタ24を設け、熱線放
射装置15より必要以上に長い波長の光が出ないように
して、マスク3に対する熱線の透過率が、露光光と比べ
て著しく異なることがないようにしているので、ミラー
23.マスク5および・投影レンズ22の温度上昇がア
ンバランスになることが殆どない、したがって、ミラー
23.マスク3および投影レンズ22には、露光光また
は熱線により常に温度を上昇させるエネルギーが供給さ
れており、エネルギー供給が継続的に行われるので、一
定の温度上昇に飽和させることができ、その結果温度変
化を防止でき、マスク3とつ蔓ハ4の位置合わせ精度を
向上させることができる。
1より露光光が照射されない時には熱線放射装置15を
動作させ、熱線のエネルギーをミラー25、マスク3お
よび投影レンズ22に吸収させ、露光光と同じようにミ
ラー23.マスク3および投影レンズ22の温度が上昇
するように、その調整をする。また、熱線放射装置15
の熱線の出口にバンドパスフィルタ24を設け、熱線放
射装置15より必要以上に長い波長の光が出ないように
して、マスク3に対する熱線の透過率が、露光光と比べ
て著しく異なることがないようにしているので、ミラー
23.マスク5および・投影レンズ22の温度上昇がア
ンバランスになることが殆どない、したがって、ミラー
23.マスク3および投影レンズ22には、露光光また
は熱線により常に温度を上昇させるエネルギーが供給さ
れており、エネルギー供給が継続的に行われるので、一
定の温度上昇に飽和させることができ、その結果温度変
化を防止でき、マスク3とつ蔓ハ4の位置合わせ精度を
向上させることができる。
なお、本実施例では露光光源としてエキシマレーザ等の
、特に波長の短い光源を使用し、使用するホトレジスト
が波長の長い紫外線に感光しないものであれば、熱線放
射装置15の電球には水銀灯を用いるのが良い。
、特に波長の短い光源を使用し、使用するホトレジスト
が波長の長い紫外線に感光しないものであれば、熱線放
射装置15の電球には水銀灯を用いるのが良い。
以上説明した本発明の請求項1記載の発明によれば、軟
X線発生装置から放出される軟X線をマスクに照射し、
マスクに形成されたパターンをウェハに転写するマスク
パターン転写装置において。
X線発生装置から放出される軟X線をマスクに照射し、
マスクに形成されたパターンをウェハに転写するマスク
パターン転写装置において。
制御手段により、軟X線発生装置をONとし、マスクに
軟X線を照射している時は熱線放射装置をOFFとし、
軟X線発生装置をOFFとした時は熱線放射装置をON
とし、熱線放射装置からマスクに熱線を放射するように
しており、マスクには常に同じ大きさのエネルギーが放
射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの温
度変化を防止することかでき、したがってマスクパター
ンの変形が防止することができる結果、マスクとウエノ
為の位置合わせ精度が向上し、間隔誤差も軟X@露光の
障害とならない程度に小さくなし得る効果がある。
軟X線を照射している時は熱線放射装置をOFFとし、
軟X線発生装置をOFFとした時は熱線放射装置をON
とし、熱線放射装置からマスクに熱線を放射するように
しており、マスクには常に同じ大きさのエネルギーが放
射されるので、マスクの温度上昇が飽和し、マスクの温
度変化を防止することかでき、したがってマスクパター
ンの変形が防止することができる結果、マスクとウエノ
為の位置合わせ精度が向上し、間隔誤差も軟X@露光の
障害とならない程度に小さくなし得る効果がある。
また、本発明の請求項2記載の発明によれは、SORX
線発生装置から放出されるX線をマスクに照射し、マス
クに形成されたパターンをウェハに転写するマスクパタ
ーン転写装置において、制御手段により、SORX線発
生装置をONとし、マスクにSORX線を照射している
時は熱線放射装置をOFFとし、SORX線発生装置を
OFFとした時は熱線放射装置をONとし、熱線放射装
置からマスクに熱線を放射するようにしており、マスク
には常に同じ大きさのエネルギーが放射されるので、マ
スクや温度上昇が飽和し、マスクの温度変化を防止する
ことができ、マスクパターンの変形を防止することがで
きる結果、マスクとウエノ・の位置合わせ精度が向上し
、間隔誤差もSORX線露光の障害とならない程度に小
さくなし得る効果がある。
線発生装置から放出されるX線をマスクに照射し、マス
クに形成されたパターンをウェハに転写するマスクパタ
ーン転写装置において、制御手段により、SORX線発
生装置をONとし、マスクにSORX線を照射している
時は熱線放射装置をOFFとし、SORX線発生装置を
OFFとした時は熱線放射装置をONとし、熱線放射装
置からマスクに熱線を放射するようにしており、マスク
には常に同じ大きさのエネルギーが放射されるので、マ
スクや温度上昇が飽和し、マスクの温度変化を防止する
ことができ、マスクパターンの変形を防止することがで
きる結果、マスクとウエノ・の位置合わせ精度が向上し
、間隔誤差もSORX線露光の障害とならない程度に小
さくなし得る効果がある。
さらに1本発明の請求項3記載の発明によれば軟X線発
生装置またはSORX@発生装置を用いるマスクパター
ン転写装置において、熱線放射装置を、恒温水を循環さ
せることによって一定温度に保持された温度制御板に取
り付けているので、熱線放射装置から放射される熱線の
エネルギーを。
生装置またはSORX@発生装置を用いるマスクパター
ン転写装置において、熱線放射装置を、恒温水を循環さ
せることによって一定温度に保持された温度制御板に取
り付けているので、熱線放射装置から放射される熱線の
エネルギーを。
制御手段により軟X線発生装置から発せられる軟X線の
エネルギーやSORX線発生装置から発せられるSOR
X線のエネルギーと同一になるように、容易に調整する
ことが可能となり、軟X線発生装置やSORX線発生装
置のON、011時のマスクに加わるエネルギー差を極
めて小さくすることができ。
エネルギーやSORX線発生装置から発せられるSOR
X線のエネルギーと同一になるように、容易に調整する
ことが可能となり、軟X線発生装置やSORX線発生装
置のON、011時のマスクに加わるエネルギー差を極
めて小さくすることができ。
寸スクパターンの変形の殆どなくすことができるという
効果がある。
効果がある。
さらにまた、本発明の請求項4記載の発明によれば、光
学式の露光光源から発射される露光光をマスクに照射し
、マスクに形成されたパターンをウェハに転写するマス
クパターン転写装置において、制御手段により、露光光
源をONとし、マスクに露光光を照射している時は熱線
放射装置をOFFとし、露光光源をOFFとした時は熱
線放射装置をONとし、熱線放射装置からマスクに熱線
を放射するようにしており、マスクには常に同じ大きさ
のエネルギーが放射されるので、マスクの温度上昇が飽
和し、マスクの温度変化を防止することができ、したが
ってマスクパターンの変形を防止することができる結果
、マスクとウェハの位置合わせ精度が向上し、間隔誤差
を光学式の露光光による露光の障害とならない程度に小
さくなし得る効果がある。
学式の露光光源から発射される露光光をマスクに照射し
、マスクに形成されたパターンをウェハに転写するマス
クパターン転写装置において、制御手段により、露光光
源をONとし、マスクに露光光を照射している時は熱線
放射装置をOFFとし、露光光源をOFFとした時は熱
線放射装置をONとし、熱線放射装置からマスクに熱線
を放射するようにしており、マスクには常に同じ大きさ
のエネルギーが放射されるので、マスクの温度上昇が飽
和し、マスクの温度変化を防止することができ、したが
ってマスクパターンの変形を防止することができる結果
、マスクとウェハの位置合わせ精度が向上し、間隔誤差
を光学式の露光光による露光の障害とならない程度に小
さくなし得る効果がある。
そして、本発明の請求項5記載の発明によれば。
光学式の露光光源から発射される露光光をマスクに照射
し、マスクに形成されたパターンをウエノ島に転写する
マスクパターン転写装置において、熱線放射装置におけ
る熱線の出口に配置されたバンドフィルタにより、ホト
レジストに感光する短い波長の光および必要以上に長い
波長の光を遮断し得る効果がある。
し、マスクに形成されたパターンをウエノ島に転写する
マスクパターン転写装置において、熱線放射装置におけ
る熱線の出口に配置されたバンドフィルタにより、ホト
レジストに感光する短い波長の光および必要以上に長い
波長の光を遮断し得る効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は熱
線放射装置部分の拡大断面図、第6図は本発明の他の実
施例を示す縦断面図、第4図は本発明の他の実施例を示
す系統図、第5図は従来技術における軟X線によるマス
クパターン転写装置を示す縦断面図である。 1・・・・・・・・・・・・軟X線発生装置2・・・・
・・・・・・・・雰囲気チャンバ3・・・・・・・・・
・・・マスク 4・・・・・・・・・・・・ウェ
ハ5・・・・・・・・・・・・ステージ 9・・・
・・・・・・・・・観察光学系11・・・・・・・・・
温度制御板 12・・・・・・・・・内部水路14・
・・・・・・・・恒温水循環装置15・・・・・・・・
・熱線放射装置 16・・・・・・・・・熱線放射装置の筐体17・・・
・・・・・・同電球 19・・・・・・・・・SORX線発生装置21・・・
・・・・・・露光光源 22・・・・・・・・・投
影レンズ23・・・・・・・・・ミラー 24・・・…・・・)(ンドバスフィルタ3・マスク 12・P1節水1番
線放射装置部分の拡大断面図、第6図は本発明の他の実
施例を示す縦断面図、第4図は本発明の他の実施例を示
す系統図、第5図は従来技術における軟X線によるマス
クパターン転写装置を示す縦断面図である。 1・・・・・・・・・・・・軟X線発生装置2・・・・
・・・・・・・・雰囲気チャンバ3・・・・・・・・・
・・・マスク 4・・・・・・・・・・・・ウェ
ハ5・・・・・・・・・・・・ステージ 9・・・
・・・・・・・・・観察光学系11・・・・・・・・・
温度制御板 12・・・・・・・・・内部水路14・
・・・・・・・・恒温水循環装置15・・・・・・・・
・熱線放射装置 16・・・・・・・・・熱線放射装置の筐体17・・・
・・・・・・同電球 19・・・・・・・・・SORX線発生装置21・・・
・・・・・・露光光源 22・・・・・・・・・投
影レンズ23・・・・・・・・・ミラー 24・・・…・・・)(ンドバスフィルタ3・マスク 12・P1節水1番
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、軟X線発生装置から放出された軟X線を、窓を通じ
てマスクに照射し、このマスクに形成されたパターンを
ウェハに転写するマスクパターン転写装置において、前
記マスクに向かって熱線を放射する熱線放射装置を設け
るとともに、前記軟X線発生装置がONの時は熱線放射
装置をOFFに、軟X線発生装置がOFFの時は熱線放
射装置をONに制御する制御手段を設けたことを特徴と
するウェハへのマスクパターン転写装置。 2、SORX線発生装置から放出されSORX線を窓を
通じてマスクに照射し、このマスクに形成されたパター
ンをウェハに転写するマスクパターン転写装置において
、前記マスクに熱線を放射する熱線放射装置を設けると
ともに、前記SORX線発生装置がONの時は熱線放射
装置をOFFに、SORX線発生装置がOFFの時は熱
線放射装置をONに制御する制御手段を設けたことを特
徴とするウェハへのマスクパターン転写装置。 3、前記熱線放射装置を、恒温水を循環させることによ
って一定温度に保持された温度制御板に取り付けたこと
を特徴とする請求項1または2記載のウェハへのマスク
パターン転写装置。 4、光学式の露光光源と、ミラーおよび投影レンズとを
備え、前記露光光源から発射された露光光をミラーでマ
スクに向かって反射させ、その露光光をマスクに透過し
、このマスクに形成されたパターンを前記投影レンズに
よりウェハに転写するマスクパターン転写装置において
、前記ミラー、マスクおよび投影レンズに対して熱線を
放射する熱線放射装置を設けるとともに、前記露光光源
がONの時は熱線放射装置をOFFに、露光光源がOF
Fの時は熱線放射装置をONに制御する制御手段を設け
たことを特徴とするウェハへのマスクパターン転写装置
。 5、前記熱線放射装置における熱線の出口に、ホトレジ
ストに感光する短い波長の光および必要以上に長い波長
の光を遮断するバンドパスフィルタを配置したことを特
徴とする請求項4記載のウェハへのマスクパターン転写
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060921A JPH02240913A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | ウェハへのマスクパターン転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060921A JPH02240913A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | ウェハへのマスクパターン転写装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02240913A true JPH02240913A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13156335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1060921A Pending JPH02240913A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | ウェハへのマスクパターン転写装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02240913A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5428203A (en) * | 1992-10-12 | 1995-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposing apparatus with a stencil mask kept at a constant temperature |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060921A patent/JPH02240913A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5428203A (en) * | 1992-10-12 | 1995-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposing apparatus with a stencil mask kept at a constant temperature |
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