JPS6118785B2 - - Google Patents

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JPS6118785B2
JPS6118785B2 JP53150896A JP15089678A JPS6118785B2 JP S6118785 B2 JPS6118785 B2 JP S6118785B2 JP 53150896 A JP53150896 A JP 53150896A JP 15089678 A JP15089678 A JP 15089678A JP S6118785 B2 JPS6118785 B2 JP S6118785B2
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JP
Japan
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state
circuit
data
address
shift
Prior art date
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Application number
JP53150896A
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Japanese (ja)
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JPS5576452A (en
Inventor
Masaaki Yano
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CHO ERU ESU AI GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Original Assignee
CHO ERU ESU AI GIJUTSU KENKYU KUMIAI
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Publication date
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Priority to JP15089678A priority Critical patent/JPS5576452A/en
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Publication of JPS6118785B2 publication Critical patent/JPS6118785B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は論理装置の検査診断に有用な記憶回路
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a memory circuit useful for testing and diagnosing logic devices.

従来の記憶回路は、書込み番地指定信号、読み
出し番地指定信号、書き込みデータ、読み出しデ
ータ出力および書き込みのタイミングを規定する
クロツク信号を備え、書き込み番地指定入力で指
定される番地に与えられた書き込みデータをクロ
ツク信号の供給に同期して書き込み、また読み出
し番地指定信号で指定される番地の記憶内容を読
み出しデータとして読み出すように構成されてい
る。この記憶回路は論理装置内において処理すべ
きデータ等を一時保持する目的で用いられてい
る。
Conventional memory circuits include a write address designation signal, a read address designation signal, write data, a read data output, and a clock signal that defines the write timing, and write data given to the address specified by the write address designation input. It is configured to write in synchronization with the supply of a clock signal, and to read out the stored contents at an address designated by a read address designation signal as read data. This storage circuit is used for the purpose of temporarily holding data to be processed within the logic device.

一般に、ゲート回路およびレジスタで構成され
ている順序論理回路装置の機能試験は、試験時に
対象順序論理回路を擬似的な組み合せ回路に変換
することにより容易にできることが知られてい
る。すなわち、この方式では試験対象回路内の各
レジスタに関して本来の機能の他に、制御信号に
基づいて全レジスタがシフト・レジスタになるよ
うな構成を採用し、試験時にはシフト・レジスタ
径路を介して全レジスタに任意の値が設定され、
回路の通常動作後再び制御信号によりシフト・レ
ジスタ径路を介して全レジスタの内容が読み出さ
れるこれにより対象順序回路の全レジスタを回路
の入力端子および回路の出力端子と同等に扱うこ
とが可能となる。
It is generally known that a functional test of a sequential logic circuit device composed of gate circuits and registers can be easily performed by converting the target sequential logic circuit into a pseudo combinational circuit at the time of testing. In other words, in this method, in addition to the original function of each register in the circuit under test, a configuration is adopted in which all registers function as shift registers based on control signals, and during testing, all registers are transferred via the shift register path. An arbitrary value is set in the register,
After normal operation of the circuit, the contents of all registers are read out again via the shift register path by the control signal.This allows all registers of the target sequential circuit to be treated equally as input terminals and output terminals of the circuit. .

しかし前述の記憶回路を含む従来の論理装置に
この試験方式を適用するには、記憶回路の全ビツ
トをシフト・レジスタ径路に組み込むことが必要
であるが、記憶回路の全記憶セルにシフト動作を
行なう様な回路を付加することは、その付加量が
膨大であることおよびこの付加回路が記憶回路本
来の性能を著しく低下させることで採用され難い
このため試験時に第1図に示すように、第1の論
理回路11(ゲートおよびレジスタを含む)と第
2の論理回路12(ゲートおよびレジスタを含
む)との間に存在する記憶回路13を迅回するよ
うな方式が採られている。この方式においては状
態指定手段14によりデータ切換回路15を動作
させ、記憶回路からのデータ16を迅回路17か
らのデータとを切り換えることが必要である。こ
の方式は、シフト・レジスタ径路を用いる試験時
においては記憶回路が試験されていないため別途
試験を行なわなければならず試験が繁雑になるこ
とさらにこの記憶回路のデータ出力が、その径路
に他のレジスタ回路を含まないで第2の論理回路
12第1の論理回路11を介して再び記憶回路1
3の入力となる場合には論理信号のループが発生
し論理状態が確定しない場合があることなどの欠
点を有している。
However, in order to apply this test method to a conventional logic device containing the aforementioned memory circuit, it is necessary to incorporate all the bits of the memory circuit into the shift register path; It is difficult to add a circuit like this because the amount of addition is enormous and this additional circuit significantly degrades the original performance of the memory circuit. Therefore, during testing, as shown in Figure 1, A method is adopted in which a memory circuit 13 existing between a first logic circuit 11 (including gates and registers) and a second logic circuit 12 (including gates and registers) is quickly routed. In this system, it is necessary to operate the data switching circuit 15 by the state specifying means 14 to switch the data 16 from the storage circuit and the data from the switching circuit 17. In this method, when testing using a shift register path, the memory circuit is not tested, so a separate test must be performed, which complicates the test. The memory circuit 1 is transferred again via the second logic circuit 12 and the first logic circuit 11 without including a register circuit.
In the case of 3 inputs, a loop of logic signals occurs and the logic state may not be determined.

本発明の目的は機能試験が容易にできるように
した記憶回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a memory circuit that allows easy functional testing.

本発明の記憶回路は、データを記憶する記憶手
段と、この記憶手段を通常状態で使用すべきかシ
フト状態で使用すべきかを指定する状態指定手段
と、この状態指定手段でシフト状態が指定された
ときのみ歩進するアドレス・カウンタと、通常状
態においては外部より与えられた書き込み番地信
号により、またシフト状態においてはアドレス・
カウンタの出力信号により決定される記憶手段の
記憶位置に書き込みデータを書き込む書き込み手
段と、通常状態においては外部より与えられた読
み出し番地信号により、またシフト状態において
はアドレス・カウンタの出力信号により決定され
る記憶手段の記憶位置を読み出す読み出し手段
と、通常状態においては外部より与えられたデー
タをまたシフト状態においては読み出し手段によ
り読み出し1ビツト・シフトしたデータおよび外
部よりの1ビツト・シフト入力データを記憶手段
の書き込みデータとして供給する書き込みデータ
供給手段とから構成されている。
The memory circuit of the present invention includes a memory means for storing data, a state specifying means for specifying whether the memory means should be used in a normal state or a shifted state, and a shift state is specified by the state specifying means. An address counter that increments only when the
A write means writes write data to a storage location of the storage means determined by the output signal of the counter, and a write address determined by the read address signal given from the outside in the normal state and by the output signal of the address counter in the shift state. In the normal state, data given from the outside is read out by the reading means, and in the shift state, data shifted by 1 bit and data shifted by 1 bit from the outside are stored. and a write data supply means for supplying write data to the means.

次に本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図には本発明の記憶回路の一実施例のが示
されており、状態指定信号入力21、クロツク信
号入力22、アドレス・カウンタ23、書き込み
回路24、読み出し手段25、書き込みデータ供
給回路26が構成されている。アドレス・カウン
タ23は、状態指定信号21がシフト状態(論理
値“1”とする)のときクロツク信号22の前縁
(論理値“0”から論理値“1”への変化時)に
おいてのみプラス1されるものであり、状態指定
信号21が通常状態(論理値“0”)のときは、
クロツクの変化に関係なくその出力状態を保持す
るものである。またリセツト信号27はこのアド
レス・カウンタ23をあらかじめ定められた初期
状態に設定する機能を有している。
FIG. 2 shows an embodiment of the memory circuit of the present invention, including a state designation signal input 21, a clock signal input 22, an address counter 23, a write circuit 24, a read means 25, and a write data supply circuit 26. is configured. The address counter 23 is positive only at the leading edge of the clock signal 22 (when changing from a logic value "0" to a logic value "1") when the state designation signal 21 is in a shift state (logical value "1"). 1, and when the state designation signal 21 is in the normal state (logical value "0"),
The output state is maintained regardless of changes in the clock. Further, the reset signal 27 has the function of setting the address counter 23 to a predetermined initial state.

書き込み回路24は、書き込み番地選択回路2
8、書き込み番地格納回路29、書き込み番地解
読回路30、AND回路31とから構成されてい
る。ここでいう格納回路は、与えられたクロツク
信号が論理値“0”のとき入力をそのまま出力
し、論理値“1”のとき出力を保持する回路であ
る。状態指定信号21が論理値“0”(通常状
態)のとき書き込み番地選択回路28は外部より
の書き込み番地指定信号32を選択し論理値
“1”(シフト状態)のときはアドレス・カウンタ
23の出力信号を選択するものである。選択され
た書き込み番地指定信号は書き込み番地格納回路
29に入力され、書き込み番地格納回路29の出
力は書き込み番地解読回路30へ入力されてい
る。書き込み番地解読回路30の解読結果とクロ
ツク信号22はAND回路31に供給されてい
る。書き込み番地解読回路30からの解読結果
は、書き込み番地格納回路29の出力に応じて唯
一の出力信号のみが論理値“1”となり、その他
はすべて論理値“0”となる。従つて書き込み番
地解読回路30の論理値“0”である出力信号を
与えられたAND回路31の出力は、クロツク信
号22の状態に関係なく論理値“0”となり、書
き込み番地解読回路30の唯一の論理値“1”で
ある出力が与えられたAND回路31の出力は、
クロツク信号が論理値“1”のとき論理値“1”
論理値“0”のとき論理値“0”となる。AND
回路31の各出力信号と、書き込みデータ供給回
路21の出力信号33は行列状に配列された各交
点にある記憶セル34に与えられる。この記憶セ
ル34の状態の変更動作は書き込み番地解読回路
30で唯一の論理値“1”状態により選択された
AND回路31からの出力をクロツク信号22に
より論理値“1”とし、この出力に接続された記
憶セル34のデータ保持機能を一時的に喪失せし
めビツト線(書き込みデータ供給回路の出力)の
状態に対応した状態とすることにより実行され
る。
The write circuit 24 is a write address selection circuit 2
8, a write address storage circuit 29, a write address decoding circuit 30, and an AND circuit 31. The storage circuit referred to here is a circuit that outputs the input as is when the applied clock signal has a logical value of "0", and holds the output when the applied clock signal has a logical value of "1". When the state designation signal 21 has a logic value of "0" (normal state), the write address selection circuit 28 selects the external write address designation signal 32, and when the state designation signal 21 has a logic value of "1" (shift state), it selects the write address designation signal 32 of the address counter 23. This selects the output signal. The selected write address designation signal is input to the write address storage circuit 29, and the output of the write address storage circuit 29 is input to the write address decoding circuit 30. The decoding result of the write address decoding circuit 30 and the clock signal 22 are supplied to an AND circuit 31. As a decoding result from the write address decoding circuit 30, only one output signal has a logic value of "1" in accordance with the output of the write address storage circuit 29, and all others have a logic value of "0". Therefore, the output of the AND circuit 31 to which the output signal of the write address decoding circuit 30 is given the logical value "0" becomes a logical value "0" regardless of the state of the clock signal 22, and the output signal of the write address decoding circuit 30 becomes the logical value "0". The output of the AND circuit 31, which is given an output with the logical value "1", is:
Logical value “1” when the clock signal is logical value “1”
When the logic value is "0", the logic value becomes "0". AND
Each output signal of the circuit 31 and the output signal 33 of the write data supply circuit 21 are applied to a memory cell 34 at each intersection arranged in a matrix. This operation of changing the state of the memory cell 34 was selected by the write address decoding circuit 30 in the state of only logical value "1".
The output from the AND circuit 31 is set to a logic value "1" by the clock signal 22, and the data holding function of the memory cell 34 connected to this output is temporarily lost, resulting in a bit line (output of the write data supply circuit) state. This is executed by setting the corresponding state.

次に読み出し回路25においては読み出し番地
選択回路35によつて状態指定信号21が論理値
“0”(通常状態)のとき外部よりの読み出し番地
指定信号36を、また論理値“1”(シフト状
態)のときアドレス・カウンタ23の出力信号を
選択している。読み出し動作は、読み出し選択回
路35の出力が読み出し番地解読回路37により
解読され、その唯一の論理値“1”となる出力で
活性化された番地の記憶セルの内容がセンス線3
8を介して出力バツフア回路39で読み出され、
データ出力端子40に出力されることにより実行
される。さらに書き込みデータ供給回路26は、
書き込みデータ選択回路41を書き込みデータ格
納回路42とから成つている。書き込みデータ選
択回路41は状態指定信号21が論理値“0”
(通常状態)のとき外部よりの書き込みデータ信
号43を、また論理値“1”(シフト状態)のと
きは出力バツフア回路39のデータを1ビツト・
シフトしたデータを選択している。このとき1ビ
ツトシフトしたために欠けるビツト位置には外部
よりのシフト入力データ44を供給している。書
き込みデータ選択回路41の出力は、書き込みデ
ータ格納回路42に入力され、クロツク信号22
が論理値“0”の時には入力がそのまま出力さ
れ、論理値“1”のとき出力保持する状態とな
る。なお1ビツトシフトしたため書き込みデータ
選択回路に接続されないデータ出力(右端の4
0)はシフト状態ではシフト出力として扱われ
る。さて、状態指定信号21が論理値“0”(通
常使用状態)でクロツク信号22が論理値“0”
のとき、書き込み番地選択回路28、読み出し番
地選択回路35、書き込みデータ選択回路41は
それぞれ外部よりの書き込み番地指定信号32、
読み出し番地指定信号36、書き込みデータ入力
43を選択しており、書き込み番地格納回路29
および書き込みデータ格納回路42はその入力を
そのまま出力する状態となつている。このときク
ロツク信号22が論理値“0”であるためAND
回路31の出力信号がすべて論理値“0”となつ
ており、すべての記憶セルは何らの影響も受けな
い。クロツク信号22が論理値“0”から論理値
“1”に変化することにより両格納回路29およ
び42は出力保持状態に移行するとともに、書き
込み番地格納回路29で指定される番地の記憶セ
ル34は書き込みデータ格納回路42の状態をそ
のまま出力する状態に移行する。それ以後の書き
込み番地指定信号32および書き込みデータ入力
43の状態の変化は、両格納回路29および42
が保持状態にあるため内部の記憶セル34には何
ら影響を及ぼさない。すなわち書き込み動作はク
ロツク信号22が論理値“0”から論理値“1”
に変化する時点の書き込み番地指定信号と、書き
込みデータにより行なわれる。またデータ出力端
子40には読み出し番地指定信号36で指定され
る記憶番地の内容が読み出されている次に状態指
定信号21が論理値“1”(シフト状態)を指定
した場合書き込み番地選択回路28と読み出し番
地選択35はともにアドレス・カウンタ23の出
力を選択し、書き込みデータ選択回路41は出力
バツフア回路39のデータを1ビツト・シフトし
たデータおよびシフト入力データ43を選択しア
ドレス・カウンタ23はクロツク信号22に同期
して歩進できる状態になつている。この状態にお
いてクロツク信号22が論理値“0”である場合
書き込み番地格納回路29および書き込みデータ
格納回路42はその入力をそのまま出力する状態
であるが、AND回路31の出力信号がすべて論
理値“0”であるためすべての記憶セルは何らの
影響も受けない。このとき両番地解読回路30お
よび37は、その入力である番地指定信号がとも
にアドレス・カウンタ23の出力であるところか
ら同一の番地を指定している。したがつて、この
時点で読み出されている番地が次に書き込まれる
番地であり、しかも書き込みデータはこの時点で
読み出されているデータを1ビツト・シフトした
ものとシフト入力データを組み合せたものであ
る。クロツク信号22が論理値“0”から論理値
“1”に変化することにより両格納回路29およ
び42は出力保持状態に移行するとともに、書き
込み番地格納回路29で指定される記憶セル34
は書き込みデータ格納回路42の状態をそのまま
出力する状態に移行する。このときアドレス・カ
ウンタ23も歩進が行なわれ内容がプラス1され
る。このため読み出し番地解読回路37の出力が
変化し、次番地の内容が読み出されるが、両格納
回路29および42が保持状態にあるため内部の
記憶セル34には何ら影響を及ぼさない。これに
よつて1つの番地の内容が1ビツト・シフトされ
て再書き込みが行なわれたことになる。なお、こ
の時にシフトされて欠けるビツト位置には外部よ
りのシフト入力データが書き込まれている。
Next, in the readout circuit 25, the readout address selection circuit 35 selects a readout address designation signal 36 from the outside when the state designation signal 21 has a logic value of "0" (normal state) and a logic value of "1" (shift state). ), the output signal of the address counter 23 is selected. In the read operation, the output of the read selection circuit 35 is decoded by the read address decoding circuit 37, and the content of the memory cell at the activated address is transferred to the sense line 3 by the output having the only logic value "1".
8 and is read out by the output buffer circuit 39,
It is executed by being output to the data output terminal 40. Furthermore, the write data supply circuit 26
It consists of a write data selection circuit 41 and a write data storage circuit 42. The write data selection circuit 41 has a state designation signal 21 of logical value “0”.
When the logic value is "1" (shift state), the data from the output buffer circuit 39 is input as 1 bit.
Shifted data is selected. At this time, shift input data 44 from the outside is supplied to the missing bit positions due to the one-bit shift. The output of the write data selection circuit 41 is input to the write data storage circuit 42 and the clock signal 22
When the logic value is "0", the input is output as is, and when the logic value is "1", the output is held. Note that the data output (the rightmost 4
0) is treated as a shift output in the shift state. Now, the state designation signal 21 has a logic value of "0" (normal use state), and the clock signal 22 has a logic value of "0".
At this time, the write address selection circuit 28, the read address selection circuit 35, and the write data selection circuit 41 receive the write address designation signal 32 from the outside, respectively.
The read address designation signal 36 and the write data input 43 are selected, and the write address storage circuit 29
The write data storage circuit 42 is in a state where its input is output as is. At this time, since the clock signal 22 has a logical value of "0", the AND
All output signals of the circuit 31 have a logical value of "0", and all memory cells are not affected in any way. As the clock signal 22 changes from the logic value "0" to the logic value "1", both storage circuits 29 and 42 shift to the output holding state, and the memory cell 34 at the address specified by the write address storage circuit 29 is The state of the write data storage circuit 42 is shifted to a state where it is output as is. Subsequent changes in the states of the write address designation signal 32 and the write data input 43 will occur in both storage circuits 29 and 42.
Since it is in a holding state, it does not affect the internal memory cell 34 in any way. In other words, in the write operation, the clock signal 22 changes from the logical value "0" to the logical value "1".
This is performed using the write address designation signal and the write data at the time when the change occurs. Further, the contents of the memory address specified by the read address designation signal 36 are read out to the data output terminal 40. Next, when the state designation signal 21 designates the logical value "1" (shift state), the write address selection circuit 28 and read address selection 35 both select the output of the address counter 23, the write data selection circuit 41 selects the data obtained by shifting the data of the output buffer circuit 39 by 1 bit and the shift input data 43, and the address counter 23 selects the output of the address counter 23. It is in a state where it can step in synchronization with the clock signal 22. In this state, when the clock signal 22 has a logic value of "0", the write address storage circuit 29 and the write data storage circuit 42 output their inputs as they are, but the output signals of the AND circuit 31 all have a logic value of "0". ”, so all memory cells are not affected in any way. At this time, both address decoding circuits 30 and 37 designate the same address because their input address designation signals are both outputs of the address counter 23. Therefore, the address being read at this point is the address to be written next, and the write data is a combination of the data being read out at this point shifted by 1 bit and the shifted input data. It is. When the clock signal 22 changes from the logical value "0" to the logical value "1", both storage circuits 29 and 42 shift to the output holding state, and the storage cell 34 specified by the write address storage circuit 29
The state shifts to a state where the state of the write data storage circuit 42 is output as is. At this time, the address counter 23 is also incremented and its contents are incremented by one. Therefore, the output of the read address decoding circuit 37 changes and the contents of the next address are read, but since both storage circuits 29 and 42 are in the holding state, the internal memory cell 34 is not affected at all. As a result, the contents of one address are shifted by one bit and rewritten. Note that shift input data from the outside is written in the bit positions that are shifted and missing at this time.

シフト状態におけるシフト動作について4語×
4ビツトの記憶回路を例にとつてさらに説明する
第3図Aではこの記憶回路の16ビツトの記憶セル
の状態をA,B……O,P(各文字は論理値
“1”または論理値“1”を表わす)とし、シフ
ト入力データ端子(左上)と、シフト出力(右
下:再書き込みされない出力データ)、アドレ
ス・カウンタの指定する番地(右辺の矢印)だけ
が示されている。この状態でクロツク信号が論理
値“0”から論理値“1”に変化すると第3図B
に示す様に番地0の内容のうち3ビツトが1ビツ
ト右へシフトした状態で書き込まれると同時にシ
フト入力データQが左端のビツト位置に書き込ま
れている。またこの時アドレス・カウンタの内容
がプラス1されたため番地1の内容が出力端子に
読み出されている。同様にクロツク信号が論理値
“0”が論理値“1”に変化する毎の記憶回路の
変化の様子が第3図Cから第3図Hに示されてい
る。さらにクロツク信号を変化させていくと、シ
フト入力端子から入力されたデータが、入力され
たときと同じ順序で出力されてくることが容易に
わかる。次にこの様な記憶回路を複数個シフト径
路に関して従属接続した様子を第4図に示す。こ
の図において第1の記憶回路50のシフト出力5
1は第2の記憶回路52のシフト入力データ端子
53に接続され、第2の記憶回路52のシフト出
力54は第3の記憶回路55のシフト入力データ
端子56に接続されている。これによつて、状態
指定信号によつてシフト状態が指定されたときシ
フト入力データ端子57からシフト出力端子58
の間に記憶回路の全ビツトをその径路に含む様な
シフト・レジスタが形成される。
4 words about shift operation in shift state ×
Taking a 4-bit memory circuit as an example for further explanation, FIG. Only the shift input data terminal (upper left), shift output (lower right: output data that is not rewritten), and the address specified by the address counter (arrow on the right side) are shown. In this state, when the clock signal changes from the logic value "0" to the logic value "1", the clock signal shown in Fig. 3B
As shown in the figure, three bits of the contents of address 0 are written in a state shifted by one bit to the right, and at the same time, shift input data Q is written to the leftmost bit position. Also, at this time, the contents of the address counter are incremented by 1, so the contents of address 1 are read out to the output terminal. Similarly, FIGS. 3C to 3H show how the memory circuit changes each time the clock signal changes from logic value "0" to logic value "1". As the clock signal is further changed, it is easy to see that the data input from the shift input terminal is output in the same order as when it was input. Next, FIG. 4 shows how a plurality of such memory circuits are cascaded with respect to the shift path. In this figure, the shift output 5 of the first storage circuit 50
1 is connected to the shift input data terminal 53 of the second memory circuit 52, and the shift output 54 of the second memory circuit 52 is connected to the shift input data terminal 56 of the third memory circuit 55. As a result, when the shift state is designated by the state designation signal, the shift input data terminal 57 is changed to the shift output terminal 58.
In between, a shift register is formed which includes in its path all the bits of the storage circuit.

したがつて本実施例の記憶回路を用いる論理回
路装置においては、状態指定信号によつて装置内
の全記憶素子(レジスタおよび記憶回路)の状態
をシフト・レジスタ径路を介して任意の値に設定
でき、さらに通常動作後再び状態指定信号により
シフト・レジスタ径路を介して全記憶素子の内容
を読み出すことができる。これにより記憶素子を
含む論理回路装置の全記憶素子を装置の入力端子
および出力端子と同等に扱うことが可能になる。
Therefore, in the logic circuit device using the memory circuit of this embodiment, the state of all memory elements (registers and memory circuits) in the device can be set to any value via the shift register path by the state designation signal. Furthermore, after normal operation, the contents of all storage elements can be read out again via the shift register path by a state designation signal. This makes it possible to treat all memory elements of the logic circuit device including memory elements equally as input terminals and output terminals of the device.

なお、本実施例においては外部よりの書き込み
番地指定信号と、外部よりの読み出し番地指定信
号が独立な例を示したが、これを共用する構成に
ついても本発明を適用することができる。この場
合番地解読回路およびビツト線とセンス線などの
共用が可能であるが、通常状態においては書き込
み動作と、読み取り動作を独立に実行できなくな
る。しかしシフト状態においては何ら支障にはな
らない。
Although this embodiment shows an example in which the external write address designation signal and the external read address designation signal are independent, the present invention can also be applied to a configuration in which they are shared. In this case, it is possible to share the address decoding circuit, the bit line, the sense line, etc., but in the normal state, it becomes impossible to independently execute the write operation and the read operation. However, there is no problem in the shift state.

本発明には以上説明したように状態指定入力に
より、記憶回路の全ビツトをシフト・レジスタ径
路に組み込む様に構成することにより、検査診断
に有効な記憶回路を提供できるという効果があ
る。
As explained above, the present invention has the advantage that it can provide a memory circuit that is effective for inspection and diagnosis by configuring all bits of the memory circuit to be incorporated into the shift register path based on the state designation input.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の記憶回路を含む論理装置を示す
ブロツク図、第2図は本発明の一実施例を示す
図、第3図A乃至第3図Hは本発明の実施例の動
作を説明する図、第4図は本発明の記憶回路をシ
フト径路に関して従属接続した状態を示した図で
ある。 尚、図において、11,12……論理回路、1
3,50,52,55……記憶回路、14,21
……状態指定信号、15……データ切換回路、2
2……クロツク信号、23……アドレス・カウン
タ、24……書き込み回路、25……読み出し回
路、26……書き込みデータ供給回路、28……
書き込み番地選択回路、29……書き込み番地格
納回路、30……書き込み番地解読回路、32…
…外部よりの書き込み番地指定信号、34……記
憶セル、35……読み出し番地選択回路、36…
…外部よりの読み出し番地指定信号、37……読
み出し番地解読回路、39……出力バツフア回
路、40……データ出力端子、41……書き込み
データ選択回路、42……書き込みデータ格納回
路、43……外部よりの書き込みデータ信号、4
4,53,56,57……シフト入力データ、5
1,54,58……シフト出力である。
FIG. 1 is a block diagram showing a logic device including a conventional memory circuit, FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A to 3H explain the operation of the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a state in which the memory circuits of the present invention are connected in cascade with respect to the shift path. In the figure, 11, 12...logic circuit, 1
3, 50, 52, 55...Memory circuit, 14, 21
...State designation signal, 15...Data switching circuit, 2
2... Clock signal, 23... Address counter, 24... Write circuit, 25... Read circuit, 26... Write data supply circuit, 28...
Write address selection circuit, 29...Write address storage circuit, 30...Write address decoding circuit, 32...
...Write address designation signal from outside, 34...Storage cell, 35...Read address selection circuit, 36...
... Read address designation signal from outside, 37 ... Read address decoding circuit, 39 ... Output buffer circuit, 40 ... Data output terminal, 41 ... Write data selection circuit, 42 ... Write data storage circuit, 43 ... External write data signal, 4
4, 53, 56, 57...Shift input data, 5
1, 54, 58... are shift outputs.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 データを記憶する記憶手段と、この記憶手段
を通常状態で使用すべきかシフト状態で使用すで
きかを指定する状態指定手段と、前記状態指定手
段によりシフト状態に指定された場合のみクロツ
ク信号に同期してその内容を歩進するアドレス・
カウンタと、前記状態指定手段により通常状態と
指定されたときには外部より与えられた書き込み
番地信号により、またシフト状態を指定されたと
きには前記アドレス・カウンタの出力信号により
決定される前記記憶手段の記憶位置に書き込みデ
ータを書き込む書込み手段と、前記状態指定手段
により通常状態を指定されたときには、外部より
与えられる読み出し番地信号により、またシフト
状態を指定されたときには前記アドレス・カウン
タの出力信号により決定される前記記憶手段の対
応する記憶位置からデータを読み出す読み出し手
段と前記状態指定手段により通常状態が指定され
たときには外部より与えられるデータを、またシ
フト状態が指定されたときには前記読み出し手段
により読み出され1ビツト・シフトしたデータお
よび外部よりの1ビツトシフト入力データを前記
記憶手段の書き込みデータとして供給する書き込
みデータ供給手段とを具備する記憶回路であつ
て、シフト状態においては記憶回路の全ビツトを
シフト・レジスタ径路に組み込むことを可能とす
ることを特徴とする記憶回路。
1 A storage means for storing data, a state specifying means for specifying whether the memory means should be used in the normal state or in the shifted state, and a clock signal is provided only when the shifted state is specified by the state specifying means. The address whose contents are to be advanced synchronously.
a counter, and a storage position of the storage means determined by a write address signal given from the outside when the normal state is designated by the state designation means, and by an output signal of the address counter when the shift state is designated. writing means for writing write data into the memory; and when the normal state is designated by the state designation means, the determination is made by a read address signal applied from the outside, and when the shift state is designated, the output signal of the address counter is determined. A readout means reads data from a corresponding storage location of the storage means; and when a normal state is designated by the state designation means, the data given from the outside is read out; and when a shift state is designated, the readout means reads out the data. A memory circuit comprising write data supply means for supplying bit-shifted data and external 1-bit shifted input data as write data of the memory means, wherein in a shift state, all bits of the memory circuit are transferred to the shift register. A memory circuit characterized in that it can be incorporated into a path.
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