JPH0215090B2 - - Google Patents

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JPH0215090B2
JPH0215090B2 JP58061145A JP6114583A JPH0215090B2 JP H0215090 B2 JPH0215090 B2 JP H0215090B2 JP 58061145 A JP58061145 A JP 58061145A JP 6114583 A JP6114583 A JP 6114583A JP H0215090 B2 JPH0215090 B2 JP H0215090B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
data
circuit
write
address
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58061145A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS59186016A (en
Inventor
Masaaki Yano
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP58061145A priority Critical patent/JPS59186016A/en
Publication of JPS59186016A publication Critical patent/JPS59186016A/en
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は論理装置の検査診断に有用な記憶回路
に関する。 従来の記憶回路は、書込み番地指定信号、読出
し番地指定信号、書込みデータ、読出しデータ出
力および書込みのタイミングを規定するクロツク
信号を備え、書込み番地指定信号で指定される番
地に与えられた書込みデータをクロツク信号の供
給に同期して書込み、また読出し番地指定信号で
指定される番地の記憶内容を読出しデータとして
読み出すように構成されている。この記憶回路は
論理装置内において処理すべきデータ等を一時保
持する目的で用いられている。 一般に、ゲート回路およびレジスタで構成され
ている順序論理回路装置の機能試験は、試験時に
対象順序論理回路を擬似的な組み合せ回路に変換
することにより容易にできることが知られてい
る。すなわち、この方式では試験対象回路内の各
レジスタに関して本来の機能の他に、制御信号に
基づいて全レジスタがシフトレジスタになるよう
な構成を採用し、試験時にはシフトレジスタ径路
を介して全レジスタに任意の値が設定され、回路
の通常動作後再び制御信号によりシフトレジスタ
径路を介して全レジスタの内容が読み出される。
これにより対象順序回路の全レジスタを回路の入
力端子および回路の出力端子と同等に扱うことが
可能となる。 しかし前述の記憶回路を含む従来の論理装置に
この試験方式を適用するには、記憶回路の全ビツ
トをシフトレジスタ径路に組み込むことが必要で
あるが、記憶回路の全記憶セルにシフト動作を行
なう様な回路を付加することは、その付加量が膨
大であることおよびこの付加回路が記憶回路本来
の性能を著しく低下させることで採用され難い。
このため試験時に第1図に示すように、第1の論
理回路11(ゲートおよびレジスタを含む)と第
2の論理回路12(ゲートおよびレジスタを含
む)との間に存在する記憶回路13を迂回するよ
うな方式が採られている。この方式においては状
態指定信号14によりデータ切換回路15を動作
させ、記憶回路からのデータ16と迂回路17か
らのデータとを切り換えることが必要である。こ
の方式は、シフトレジスタ径路を用いる試験時に
おいては記憶回路が試験されていないため別途試
験を行なわなければならず試験が繁雑になるこ
と、さらにこの記憶回路のデータ出力が、その径
路に他のレジスタ回路を含まないで第2の論理回
路12および第1の論理回路11を介して再び記
憶回路13の入力となる場合には論理信号のルー
プが発生し論理状態が確定しない場合があること
などの欠点を有している。 次に、装置の電源投入時にはそれに組込まれた
記憶回路の各記憶セルの状態はまちまちであり、
記憶内容を特定できない。このため電源投入時に
は記憶回路に格納されているデータと、これらの
パリテイチエツクビツトとの対応関係もまちまち
となつているので、この記憶回路の使用に先立ち
一定の初期設定すなわちイニシヤライズを行なう
必要がある。従来のイニシヤライズにおいては、
通常のリード/ライト動作により一定のデータを
書き込んでいるが、当該記憶回路の周辺の論理回
路を介して行なうためその制御が容易でなく、且
記憶回路のアドレスの数に相当する回数の書込み
動作を行なう必要があり、また周辺論理回路に異
常がある場合には正しくイニシヤライズできない
という欠点がある。また書込み手段を操作して全
アドレスに同時に同一データを書き込むことによ
り、画一的にイニシヤライズする方法もあるが全
記憶セルが同時に動作するため一時に電源電流の
大きな変化を招き、回路の安定動作上好ましくな
いという欠点がある。 本発明の目的は上述の従来装置の欠点を除去し
イニシヤライズが容易で且検査診断に有効な記憶
回路を提供することにある。 本発明の回路は、データを記憶する記憶手段
と、前記記憶手段を通常状態で使用すべきかシフ
ト状態で使用すべきかイニシヤライズ状態で使用
すべきかを指定する状態指定手段と、前記状態指
定手段によりシフト状態およびイニシヤライズ状
態のいずれか一つの状態に指定されたときにクロ
ツク信号に同期してその内容を歩進するアドレス
カウンタと、前記状態指定手段により通常状態と
指定されたときには外部より与えられる書込み番
地信号によりまたシフト状態およびイニシヤライ
ズ状態のいずれか一つの状態に指定されたときに
は前記アドレスカウンタの出力信号により決定さ
れる前記記憶手段の記憶位置に書込みデータを書
き込む書込み手段と、前記状態指定手段により通
常状態を指定されたときには外部より与えられる
読出し番地信号によりまたシフト状態を指定され
たときには前記アドレスカウンタの出力信号によ
り決定される前記記憶状態の対応する記憶位置か
らデータを読み出す読出し手段と、前記状態指定
手段により通常状態が指定されたときには外部よ
り与えられるデータをまたシフト状態が指定され
たときには前記読出し手段により読み出され1ビ
ツトシフトしたデータおよび外部よりの1ビツト
シフト入力データをまたイニシヤライズ状態が指
定されたときには予め定めたデータを前記記憶手
段の書込みデータとして供給する書込みデータ供
給手段とを含む。 次に本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。 第2図には本発明の記憶回路の一実施例が示さ
れており、状態指定信号入力100、クロツク信
号入力22、アドレスカウンタ23、書込み回路
24、読出し回路25、書込みデータ供給回路2
6が構成されている。 状態指定信号100は2ビツトにより下表のよ
うに状態を指定する信号である。
The present invention relates to a memory circuit useful for testing and diagnosing logic devices. Conventional memory circuits include a write address designation signal, a read address designation signal, write data, a read data output, and a clock signal that defines the write timing, and write data given to an address designated by the write address designation signal. It is configured to write in synchronization with the supply of a clock signal, and to read out the stored contents at an address designated by a read address designation signal as read data. This storage circuit is used for the purpose of temporarily holding data to be processed within the logic device. It is generally known that a functional test of a sequential logic circuit device composed of gate circuits and registers can be easily performed by converting the target sequential logic circuit into a pseudo combinational circuit at the time of testing. In other words, in this method, in addition to the original function of each register in the circuit under test, a configuration is adopted in which all registers function as shift registers based on control signals, and during testing, all registers are configured to function as shift registers via the shift register path. An arbitrary value is set, and after normal operation of the circuit, the contents of all registers are read out again via the shift register path by a control signal.
This makes it possible to treat all registers of the target sequential circuit equally as circuit input terminals and circuit output terminals. However, in order to apply this test method to a conventional logic device including the aforementioned memory circuit, it is necessary to incorporate all the bits of the memory circuit into the shift register path, but it is necessary to perform a shift operation on all the memory cells of the memory circuit. It is difficult to add such circuits because the amount of addition is enormous and the additional circuits significantly degrade the original performance of the memory circuit.
For this reason, during testing, as shown in FIG. A method has been adopted to do so. In this method, it is necessary to operate the data switching circuit 15 using the state designation signal 14 to switch between the data 16 from the storage circuit and the data from the detour 17. In this method, when testing using a shift register path, the memory circuit is not tested, so a separate test must be performed, which complicates the test.Furthermore, the data output of this memory circuit is If the signal does not include a register circuit and is again input to the memory circuit 13 via the second logic circuit 12 and the first logic circuit 11, a logic signal loop may occur and the logic state may not be determined. It has the following disadvantages. Next, when the device is powered on, the states of each memory cell in the memory circuit built into it vary.
Memory contents cannot be determined. Therefore, when the power is turned on, the correspondence between the data stored in the memory circuit and these parity check bits is different, so it is necessary to perform certain initial settings, or initialization, before using this memory circuit. be. In conventional initialization,
A certain amount of data is written through normal read/write operations, but it is difficult to control because it is performed via logic circuits surrounding the memory circuit, and the number of write operations is equivalent to the number of addresses in the memory circuit. Further, if there is an abnormality in the peripheral logic circuit, initialization cannot be performed correctly. There is also a method of uniform initialization by manipulating the writing means to simultaneously write the same data to all addresses, but since all memory cells operate at the same time, this causes a large change in the power supply current at once, resulting in stable operation of the circuit. It has the disadvantage of being undesirable. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a memory circuit which eliminates the drawbacks of the conventional apparatus described above, is easy to initialize, and is effective for inspection and diagnosis. The circuit of the present invention includes a memory means for storing data, a state specifying means for specifying whether the memory means should be used in a normal state, a shifted state, or an initialized state, and a shift state by the state specifying means. an address counter whose contents are incremented in synchronization with a clock signal when one of the states and the initialization state is specified; and a write address given from the outside when the normal state is specified by the state specifying means. writing means for writing write data into a storage location of the storage means determined by the output signal of the address counter when either one of the shift state and the initialization state is specified by the signal; reading means for reading data from a storage location corresponding to the storage state determined by a read address signal externally applied when a state is designated and by an output signal of the address counter when a shift state is designated; When the normal state is designated by the designation means, the data given from the outside is designated, and when the shift state is designated, the data read out by the reading means and shifted by 1 bit, and the data shifted by 1 bit from the outside are designated, and the initialization state is designated. and write data supply means for supplying predetermined data as write data to the storage means when the storage means is written. Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows an embodiment of the memory circuit of the present invention, including a state designation signal input 100, a clock signal input 22, an address counter 23, a write circuit 24, a read circuit 25, and a write data supply circuit 2.
6 are configured. The state designation signal 100 is a 2-bit signal that designates the state as shown in the table below.

【表】 アドレスカウンタ23は、状態指定信号100
がシフト状態およびイニシヤライズ状態(信号1
00−1が論理値“1”)のときクロツク信号2
22の前縁(論理値“0”から論理値“1”への
変化時)においてのみプラス1されるものであ
り、状態指定信号100が通常状態(信号100
−1が論理値“0”)ときは、クロツクの変化に
関係なくその出力状態を保持するものであり、ま
たリセツト信号27はこのアドレスカウンタ23
をあらかじめ定められた初期状態に設定する機能
を有している。 書込み回路24は、書込み番地選択回路28、
書込み番地格納回路29、書込み番地解読回路3
0、アンド回路31とから構成されている。ここ
でいう格納回路は、与えられたクロツク信号が論
理値“0”のとき入力をそのまま出力し、論理値
“1”のとき出力を保持する回路である。論理値
状態指定信号100が通常状態(信号100−1
が論理値“0”)のとき書込み番地選択回路28
は外部よりの書込み番地指定信号32を選択しシ
フト状態及びイニシヤライズ状態(信号100−
1が論理値“1”)のときはアドレスカウンタ2
3の出力信号を選択するものである。選択された
書込み番地指定信号は信号み番地格納回路29に
入力され、書込み番地格納回路29の出力は書込
み番地解読回路30へ入力されている。書込み番
地解読回路30の解読結果とクロツク信号22と
はアンド回路31に供給されている。書込み番地
解読回路30からの解読結果は、書込み番地格納
回路29の出力に応じて唯一の出力信号のみが論
理値“1”となり、その他はすべて論理値“0”
となる。従つて書込み番地解読回路30の論理値
“0”である出力信号を与えられたアンド回路3
1の出力は、クロツク信号22の状態に関係なく
論理値“0”となり、書込み番地解読回路30の
唯一の論理値“1”である出力が与えられたアン
ド回路31の出力は、クロツク信号が論理値
“1”のとき論理値“1”、論理値“0”のとき論
理値“0”となる。アンド回路31の各出力信号
と書込みデータ供給回路26の出力信号33とは
行列状に配列された各交点にある記憶セル34に
与えられる。この記憶セル34の状態の変更動作
は書込み番地解読回路30で唯一の論理値“1”
状態により選択されたアンド回路31からの出力
をクロツク信号22により論理値“1”とし、こ
の出力に接続された記憶セル34のデータを保持
機能を一時的に喪失せしめビツト線(書込みデー
タ供給回路の出力)の状態に対応した状態とする
ことにより実行される。 次に読出し回路25においては読出し番地選択
回路35によつて状態指定信号100が通常状態
のとき外部よりの読出し番地指定信号36を、ま
たシフト状態のときアドレスカウンタ23の出力
信号を選択している。読出し動作は、読出し番地
選択回路35の出力が読出し番地解読回路37に
より解読され、その唯一の論理値“1”となる出
力で活性化された番地の記憶セルの内容がセンス
線38を介して出力バツフア回路39で読み出さ
れ、データ出力端子40に出力されることにより
実行される。さらに書込みデータ供給回路26
は、書込みデータ選択回路41と書込みデータ格
納回路42とから成つている。書込みデータ選択
回路41は状態指定信号100が通常外部のとき
(信号100−1が論理値“0”で記憶100−
2が論理値“1”)外部よりの書込みデータ信号
43を、シフト状態のとき(信号100−1が論
理値“1”で信号100−2が論理値“0”)は
出力バツフア回路39のデータを1ビツト・シフ
トしたデータを、イニシヤライズ状態のとき(記
憶100−1と信号100−2とが共に論理値
“1”)は固定データ信号80を選択している。シ
フト状態のとき1ビツトシフトしたために欠ける
ビツト位置には外部よりのシフト入力データ44
を供給している。書込みデータ選択回路41の出
力は、書込みデータ格納回路42に入力され、ク
ロツク信号22が論理値“0”の時には入力がそ
のまま出力され、論理値“1”のとき出力を保持
する状態となる。なお1ビツトシフトしたため書
込みデータ選択回路41に接続されないデータ出
力(右端の40)はシフト状態ではシフト出力と
して扱われる。 さて、状態指定信号100が通常状態でクロツ
ク信号22が論理値“0”のとき、書込み番地選
択回路28、読出し番地選択回路35、書込みデ
ータ選択回路41はそれぞれ外部よりの書込み番
地指定信号32、読出し番地指定信号36、書込
みデータ入力43を選択しており、書込み番地格
納回路29および書込みデータ格納回路42はそ
の入力をそのまま出力する状態となつている。こ
のときクロツク信号22が論理値“0”であるた
めアンド回路31の出力信号がすべて論理値
“0”となつており、すべての記憶セルは何らの
影響も受けない。クロツク信号22が論理値
“0”から論理値“1”に変化することにより両
格納回路29および42は出力保持状態に移行す
るとともに、書込み番地格納回路29で指定され
る番地の記憶セル34は書込みデータ格納回路4
2の状態をそのまま出力する状態に移行する。そ
の以後の書込み番地指定信号32および書込みデ
ータ入力43の状態の変化は、両格納回路29お
よび42が保持状態にあるため内部の記憶セル3
4には何ら影響を及ぼさない。すなわち書込み動
作はクロツク信号22が論理値“0”から論理値
“1”に変化する時点の書込み番地指定信号と、
書込みデータにより行なわれる。またデータ出力
端子40には読み出し番地指定信号36で指定さ
れる記憶番地の内容が読み出されている。 次に状態指定信号100がシフト状態を指定し
た場合書込み番地選択回路28と読出し番地選択
回路35とはともにアドレスカウンタ23の出力
を選択し、書込みデータ選択回路41は出力バツ
フア回路39のデータを1ビツトシフトしたデー
タおよびシフト入力データ44とを選択しアドレ
スカウンタ23はクロツク信号22に同期して歩
進できる状態になつている。この状態においてク
ロツク信号22が論理値“0”である場合書込み
番地格納回路29および書込みデータ格納回路4
2はその入力をそのまま出力する状態であるが、
アンド回路31の出力信号がすべて論理値“0”
であるためすべての記憶セルは何らの影響も受け
ない。このとき両番地解読回路30および37
は、その入力である番地指定信号がともにアドレ
スカウンタ23の出力であるところから同一の番
地を指定している。したがつて、この時点で読み
出されている番地が次に書き込まれる番地であ
り、しかも書込みデータはその時点で読み出され
ているデータを1ビツトシフトしたものとシフト
入力データとを組み合せたものである。クロツク
信号22が論理値“0”から論理値“1”に変化
することにより両格納回路29および42は出力
保持状態に移行するとともに、書込み番地格納回
路29で指定される記憶セル34は書込みデータ
格納回路42の状態をそのまま出力する状態に移
行する。このときアドレスカウンタ23も歩進が
行なわれ内容がプラス1される。このため読出し
番地解読回路37の出力が変化し、次番地の内容
が読み出されるが、両格納回路29および42が
保持状態にあるため内部の記憶セル34には何ら
影響をも及ぼさない。これによつて1つの番地の
内容が1ビツトシフトされて再書込みが行なわれ
たことになる。なお、この時にシフトされて欠け
るビツト位置には外部よりのシフト入力データが
書き込まれている。 シフト状態におけるシフト動作について4語×
4ビツトの記憶回路を例にとつてさらに説明す
る。第3図Aではこの記憶回路の16ビツトの記憶
セルの状態をA、B……O、P(各文字は論理値
“1”または論理値“0”を表わす)とし、シフ
ト入力データ端子(左上)と、シフト出力(右
下:再書き込みされない出力データ)、アドレス
カウンタの指定する番地(右辺の矢印)だけが示
されている。この状態でクロツク信号が論理値
“0”から論理値“1”に変化すると第3図Bに
示す様に番地0の内容のうち3ビツトが1ビツト
右へシフトした状態で書き込まれると同時にシフ
ト入力データQが左端のビツト位置に書き込まれ
ている。またこの時アドレスカウンタの内容がプ
ラス1されたため番地1の内容が出力端子に読み
出されている。同様にクロツク信号が論理値
“0”が論理値“1”に変化する毎の記憶回路の
変化の様子が第3図Cから第3図Hに示されてい
る。さらにクロツクを変化させていくと、シフト
入力端子から入力されたデータが、入力されたと
きと同じ順序で出力されてくることが容易にわか
る。次にこの様な記憶回路を複数個シフト径路に
関して従属接続した様子を第4図に示す。この図
において第1の記憶回路50のシフト出力51は
第2の記憶回路52のシフト入力データ端子53
に接続され、第2の記憶回路52のシフト出力5
4は第3の記憶回路55のシフト入力データ端子
56に接続されている。これによつて、状態指定
信号によつてシフト状態が指定されたときシフト
入力データ端子57からシフト出力端子58の間
に記憶回路の全ビツトをその径路に含む様なシフ
トレジスタが形成される。 したがつて本実施例の記憶回路を用いる論理回
路装置においては、状態指定信号によつて装置内
の全記憶素子(レジスタおよび記憶回路)の状態
をシフトレジスタ径路を介して任意の値に設定で
き、さらに通常動作後再び状態指定信号によりシ
フトレジスタ径路を介して全記憶素子の内容を読
み出すことができる。これにより記憶素子を含む
論理回路装置の全記憶素子を装置の入力端子およ
び出力端子と同等に扱うことが可能になる。 次に状態指定信号100がイニシヤライズ状態
を指定した場合書込み番地選択回路28はアドレ
スカウンタ23の出力を選択し、書込みデータ選
択回路41は固定データ信号80を選択しアドレ
スカウンタ23はクロツク信号22に同期して歩
進できる状態になつている。この状態においてク
ロツク信号22が論理値“0”である場合書込み
番地格納回路29および書込みデータ格納回路4
2はその入力をそのまま出力する状態であるが、
アンド回路31の出力信号がすべて論理値“0”
であるためすべての記憶セルは何らの影響も受け
ない。クロツク信号22が論理値“0”から論理
値“1”に変化することにより両格納回路29お
よび42は出力保持状態に移行するとともに、書
込み番地格納回路29で指定される記憶セル34
は書込みデータ格納回路42の状態をそのまま出
力する状態に移行する。このときアドレスカウン
タ23も歩進が行なわれ内容がプラス1される。
しかし、両格納回路29および42が保持状態に
あるため、内部の記憶セル34には何ら影響を及
ぼさない。論理値“1”のクロツクにより1つの
番地に所属する記憶セル34に固定データ信号8
0が書込まれたことになる。以後アドルスカウン
タ23の歩進とともに次々に固定データ信号80
が各番地の記憶セル34に書込まれ、かくして電
源投入時における各記憶セルの記憶状態の無秩序
さが整理されて一定の状態に設定することができ
る。 このような記憶回路を単位として大容量の記憶
回路を構成した場合には、上述のイニシヤライズ
方法は更に威力を発揮する。すなわち、通常状態
で外部よりの書込み番地指定信号32および外部
よりの書込みデータ信号43を利用すれば1つの
クロツクでは1つの番地にのみ書込めるだけであ
り、全番地をイニシヤライズするには番地の数だ
けのクロツク数を必要とする。しかし、本実施例
ではイニシヤライズは大容量記憶回路を構成する
単位記憶回路毎に並列的にイニシヤライズが可能
であり、如何に大容量の記憶回路でも1個の単位
記憶回路をイニシヤライズするに要するクロツク
数ですむこととなる。換言すれば、単位記憶回路
のm倍の語数を有する大容量記憶回路のイニシヤ
ライズに要る時間は、従来の記憶回路の構成にく
らべ本実施例では1/mに短縮できることとな
る。 なお、本実施例では固定データ信号供給は、説
明の便宜上外部からの書込みデータ信号供給と別
に取扱つているが本発明はこれに限定されるもの
ではなく、外部からの書込みデータ信号と同様に
固定データ信号も外部から供給でき、供給線を同
一とするることができる。この場合には、書込み
データ選択回路41における選択は信号100−
1の論理値の如何に拘らず信号100−2が論理
値“1”の場合には外部からの書込みデータ信号
を、論理値“0”のときには出力バツフア回路3
9のデータを1ビツトシフトしたデータとシフト
入力データ44とを選択するように構成する。 さらに、本実施例においては外部よりの書込み
番地指定信号と、外部よりの読出し番地指定信号
が独立な例を示したが、これを共用する構成につ
いても本発明を適用することができる。この場合
番地解読回路およびビツト線とセンス線などの共
用が可能であるが、通常状態においては書込み動
作と、読取り動作を独立に実行できなくなる。し
かしシフト状態およびイニシヤライズ状態におい
ては何ら支障にはならない。 以上のように本発明には状態指定信号により記
憶回路の全ビツトをシフトレジスタ径路に組み込
む様に構成しまた状態指定信号により固定データ
を書き込みイニシヤライズすることによりイニシ
ヤライズ時間を短縮できかつ記憶回路の検査診断
が容易にできるという効果がある。
[Table] The address counter 23 receives the state designation signal 100.
is in the shifted state and initialized state (signal 1
Clock signal 2 when 00-1 is logical value “1”)
It is incremented by 1 only at the leading edge of 22 (when changing from logical value "0" to logical value "1"), and the state designation signal 100 is in the normal state (signal 100
-1 is the logical value "0"), the output state is held regardless of changes in the clock, and the reset signal 27 is set to the address counter 23.
It has a function to set the data to a predetermined initial state. The write circuit 24 includes a write address selection circuit 28,
Write address storage circuit 29, write address decoding circuit 3
0 and an AND circuit 31. The storage circuit referred to here is a circuit that outputs the input as is when the applied clock signal has a logical value of "0", and holds the output when the applied clock signal has a logical value of "1". Logic value state designation signal 100 is in normal state (signal 100-1
is the logical value “0”), the write address selection circuit 28
selects the write address designation signal 32 from the outside and puts it in the shift state and initialize state (signal 100-
1 is logical value “1”), address counter 2
3 output signals are selected. The selected write address designation signal is input to the signal only address storage circuit 29, and the output of the write address storage circuit 29 is input to the write address decoding circuit 30. The decoding result of the write address decoding circuit 30 and the clock signal 22 are supplied to an AND circuit 31. As a result of the decoding from the write address decoding circuit 30, only one output signal has a logic value "1" according to the output of the write address storage circuit 29, and all others have a logic value "0".
becomes. Therefore, the AND circuit 3 given the output signal of the logic value "0" of the write address decoding circuit 30
The output of the AND circuit 31, which is given the only output of the write address decoding circuit 30 with the logic value "1", has a logic value of "0" regardless of the state of the clock signal 22. When the logical value is "1", the logical value is "1", and when the logical value is "0", the logical value is "0". Each output signal of the AND circuit 31 and the output signal 33 of the write data supply circuit 26 are applied to a memory cell 34 at each intersection arranged in a matrix. This operation of changing the state of the memory cell 34 is performed by the write address decoding circuit 30 with the only logical value "1".
The output from the AND circuit 31 selected depending on the state is set to a logic value "1" by the clock signal 22, and the data holding function of the memory cell 34 connected to this output is temporarily lost. This is executed by setting the state corresponding to the state of the output). Next, in the readout circuit 25, a readout address selection circuit 35 selects the external readout address designation signal 36 when the state designation signal 100 is in the normal state, and selects the output signal of the address counter 23 when the state designation signal 100 is in the shift state. . In the read operation, the output of the read address selection circuit 35 is decoded by the read address decoding circuit 37, and the content of the memory cell at the activated address is transmitted via the sense line 38 by the output having the only logic value "1". The data is read out by the output buffer circuit 39 and executed by being output to the data output terminal 40. Furthermore, the write data supply circuit 26
consists of a write data selection circuit 41 and a write data storage circuit 42. When the state designation signal 100 is normally external (signal 100-1 is logic value "0" and memory 100-
When the external write data signal 43 is in the shifted state (the signal 100-1 is the logic value "1" and the signal 100-2 is the logic value "0"), the output buffer circuit 39 When the data obtained by shifting the data by one bit is in the initialized state (both the memory 100-1 and the signal 100-2 have a logical value of "1"), the fixed data signal 80 is selected. In the shift state, the missing bit position due to a 1-bit shift is filled with external shift input data 44.
is supplied. The output of the write data selection circuit 41 is input to the write data storage circuit 42, and when the clock signal 22 has a logic value of "0", the input is output as is, and when the clock signal 22 has a logic value of "1", the output is held. Note that the data output (40 at the right end) which is not connected to the write data selection circuit 41 due to the 1-bit shift is treated as a shifted output in the shifted state. Now, when the state designation signal 100 is in the normal state and the clock signal 22 has a logical value of "0", the write address selection circuit 28, the read address selection circuit 35, and the write data selection circuit 41 receive the write address designation signal 32 from the outside, respectively. The read address designation signal 36 and the write data input 43 are selected, and the write address storage circuit 29 and the write data storage circuit 42 are in a state of outputting the inputs as they are. At this time, since the clock signal 22 has a logic value of "0", all output signals of the AND circuit 31 have a logic value of "0", and all memory cells are not affected in any way. As the clock signal 22 changes from the logic value "0" to the logic value "1", both storage circuits 29 and 42 shift to the output holding state, and the memory cell 34 at the address specified by the write address storage circuit 29 is Write data storage circuit 4
Transition to a state where the state of 2 is output as is. Subsequent changes in the state of the write address designation signal 32 and the write data input 43 are caused by the internal storage cell 3 because both storage circuits 29 and 42 are in the holding state.
4 has no effect. In other words, the write operation is performed using the write address designation signal at the time when the clock signal 22 changes from the logical value "0" to the logical value "1";
This is done using write data. Further, the contents of the storage address designated by the read address designation signal 36 are read out to the data output terminal 40. Next, when the state designation signal 100 designates the shift state, the write address selection circuit 28 and the read address selection circuit 35 both select the output of the address counter 23, and the write data selection circuit 41 selects the data of the output buffer circuit 39 by 1. The bit-shifted data and the shift input data 44 are selected, and the address counter 23 is in a state where it can step in synchronization with the clock signal 22. In this state, if the clock signal 22 has a logical value of "0", the write address storage circuit 29 and the write data storage circuit 4
2 is a state where the input is output as is,
All the output signals of the AND circuit 31 are logical “0”
Therefore, all storage cells are not affected in any way. At this time, both address decoding circuits 30 and 37
both designate the same address because their input address designation signals are the outputs of the address counter 23. Therefore, the address being read at this point is the address to be written next, and the write data is a combination of the data being read at that point shifted by 1 bit and the shifted input data. be. As the clock signal 22 changes from the logical value "0" to the logical value "1", both storage circuits 29 and 42 shift to the output holding state, and the memory cell 34 designated by the write address storage circuit 29 receives the write data. The state shifts to a state where the state of the storage circuit 42 is output as is. At this time, the address counter 23 is also incremented and its contents are incremented by one. Therefore, the output of the read address decoding circuit 37 changes and the contents of the next address are read, but since both storage circuits 29 and 42 are in the holding state, the internal memory cell 34 is not affected at all. As a result, the contents of one address are shifted by one bit and rewritten. Note that shift input data from the outside is written in the bit positions that are shifted and missing at this time. 4 words about shift operation in shift state ×
Further explanation will be given by taking a 4-bit memory circuit as an example. In FIG. 3A, the states of the 16-bit memory cells of this memory circuit are A, B...O, P (each character represents a logic value "1" or a logic value "0"), and the shift input data terminal ( Only the shift output (lower right: output data that is not rewritten), and the address specified by the address counter (arrow on the right side) are shown. When the clock signal changes from the logical value "0" to the logical value "1" in this state, as shown in Figure 3B, 3 bits of the contents of address 0 are written in a state shifted by 1 bit to the right and shifted at the same time. Input data Q is written to the leftmost bit position. Also, at this time, since the contents of the address counter are incremented by 1, the contents of address 1 are read out to the output terminal. Similarly, FIGS. 3C to 3H show how the memory circuit changes each time the clock signal changes from logic value "0" to logic value "1". As the clock is further changed, it is easy to see that the data input from the shift input terminal is output in the same order as when it was input. Next, FIG. 4 shows how a plurality of such memory circuits are cascaded with respect to the shift path. In this figure, the shift output 51 of the first storage circuit 50 is connected to the shift input data terminal 53 of the second storage circuit 52.
and the shift output 5 of the second storage circuit 52
4 is connected to the shift input data terminal 56 of the third storage circuit 55. Thereby, a shift register is formed which includes all the bits of the storage circuit in its path between the shift input data terminal 57 and the shift output terminal 58 when the shift state is designated by the state designation signal. Therefore, in the logic circuit device using the memory circuit of this embodiment, the state of all memory elements (registers and memory circuits) in the device can be set to any value via the shift register path using the state designation signal. Furthermore, after normal operation, the contents of all storage elements can be read out again via the shift register path in response to a state designation signal. This makes it possible to treat all memory elements of the logic circuit device including memory elements equally as input terminals and output terminals of the device. Next, when the state designation signal 100 designates the initialized state, the write address selection circuit 28 selects the output of the address counter 23, the write data selection circuit 41 selects the fixed data signal 80, and the address counter 23 is synchronized with the clock signal 22. He is now in a position where he can make progress. In this state, if the clock signal 22 has a logical value of "0", the write address storage circuit 29 and the write data storage circuit 4
2 is a state where the input is output as is,
All the output signals of the AND circuit 31 are logical “0”
Therefore, all storage cells are not affected in any way. When the clock signal 22 changes from the logical value "0" to the logical value "1", both storage circuits 29 and 42 shift to the output holding state, and the storage cell 34 specified by the write address storage circuit 29
The state shifts to a state where the state of the write data storage circuit 42 is output as is. At this time, the address counter 23 is also incremented and its contents are incremented by one.
However, since both storage circuits 29 and 42 are in the holding state, there is no effect on the internal storage cell 34. A fixed data signal 8 is sent to the memory cell 34 belonging to one address by a clock with a logical value of "1".
This means that 0 has been written. Thereafter, as the address counter 23 increments, the fixed data signal 80 is
is written in the memory cell 34 at each address, and thus the randomness of the memory state of each memory cell when the power is turned on can be sorted out and set to a constant state. When a large-capacity storage circuit is configured using such a storage circuit as a unit, the above-described initialization method is even more effective. In other words, in a normal state, if you use the external write address designation signal 32 and the external write data signal 43, you can write to only one address with one clock, and it takes several addresses to initialize all addresses. number of clocks required. However, in this embodiment, initialization can be performed in parallel for each unit storage circuit that constitutes a large-capacity storage circuit, and no matter how large the storage circuit is, the number of clocks required to initialize one unit storage circuit is limited. It will be fine. In other words, the time required to initialize a large capacity storage circuit having m times the number of words of a unit storage circuit can be reduced to 1/m in this embodiment compared to the conventional storage circuit configuration. Note that in this embodiment, the fixed data signal supply is treated separately from the external write data signal supply for convenience of explanation, but the present invention is not limited to this, and the fixed data signal supply is handled separately from the external write data signal supply. Data signals can also be supplied externally, and the supply lines can be the same. In this case, the selection in the write data selection circuit 41 is made by the signal 100-
Regardless of the logical value of 1, when the signal 100-2 has a logical value of "1", it receives a write data signal from the outside, and when it has a logical value of "0", it outputs the write data signal from the output buffer circuit 3.
The data obtained by shifting the data of 9 by 1 bit and the shift input data 44 are selected. Furthermore, although this embodiment has shown an example in which the external write address designation signal and the external read address designation signal are independent, the present invention can also be applied to a configuration in which they are shared. In this case, it is possible to share the address decoding circuit, the bit line, the sense line, etc., but in the normal state, the write operation and the read operation cannot be executed independently. However, this does not pose any problem in the shift state and initialization state. As described above, the present invention is configured so that all bits of the storage circuit are incorporated into the shift register path by the state designation signal, and by initializing by writing fixed data by the state designation signal, the initialization time can be shortened and the storage circuit can be inspected. This has the effect of making diagnosis easier.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の記憶回路を含む論理装置を示す
ブロツク図、第2図は本発明の一実施例を示す
図、第3図A乃至第3図Hは本発明の実施例の動
作を説明する図、第4図は本発明の記憶回路をシ
フト径路に関して従属接続した状態を示した図で
ある。 尚、図において、11,12…論理回路、1
3,50,52,55…記憶回路、14,15…
データ切換回路、22…クロツク信号、23…ア
ドレスカウンタ、24…書込み回路、25…読出
し回路、26…書込みデータ供給回路、28…書
込み番地選択回路、29…書込み番地格納回路、
30…書込み番地解読回路、31…アンド回路、
32…外部よりの書込み番地指定信号、34…記
憶セル、35…読出し番地選択回路、36…外部
よりの読出し番地指定信号、37…読出し番地解
読回路、39…出力バツフア回路、40…データ
出力端子、41…書込みデータ選択回路、42…
書込みデータ格納回路、43…外部よりの書込み
データ信号、44,53,56,57…シフト入
力データ、51,54,58…シフト出力、80
…固定データ信号、100…状態指定信号であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing a logic device including a conventional memory circuit, FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A to 3H explain the operation of the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a state in which the memory circuits of the present invention are connected in cascade with respect to the shift path. In the figure, 11, 12...logic circuit, 1
3, 50, 52, 55...memory circuit, 14, 15...
Data switching circuit, 22... Clock signal, 23... Address counter, 24... Write circuit, 25... Read circuit, 26... Write data supply circuit, 28... Write address selection circuit, 29... Write address storage circuit,
30...Write address decoding circuit, 31...AND circuit,
32... External write address designation signal, 34... Memory cell, 35... Read address selection circuit, 36... External read address designation signal, 37... Read address decoding circuit, 39... Output buffer circuit, 40... Data output terminal , 41...Write data selection circuit, 42...
Write data storage circuit, 43... External write data signal, 44, 53, 56, 57... Shift input data, 51, 54, 58... Shift output, 80
. . . fixed data signal; 100 . . . state designation signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 データを記憶する記憶手段と、 前記記憶手段を通常状態で使用すべきかシフト
状態で使用すべきかイニシヤライズ状態で使用す
べきかを指定する状態指定手段と、 前記状態指定手段によりシフト状態およびイニ
シヤライズ状態のいずれか一つの状態に指定され
たときにクロツク信号に同期してその内容を歩進
するアドレスカウンタと、 前記状態指定手段により通常状態と指定された
ときには外部より与えられる書込み番地信号によ
りまたシフト状態およびイニシヤライズ状態のい
ずれか一つの状態に指定されるときには前記アド
レスカウンタの出力信号により決定される前記記
憶手段の記憶位置に書込みデータを書き込む書込
み手段と、 前記状態指定手段により通常状態を指定された
ときには外部より与えられる読出し番地信号によ
りまたシフト状態を指定されたときには前記アド
レスカウンタの出力信号により決定される前記記
憶手段の対応する記憶位置からデータを読み出す
読出し手段と、 前記状態指定手段により通常手段が指定された
ときには外部より与えられるデータをまたシフト
状態が指定されたときには前記読出し手段により
読み出され1ビツトシフトしたデータおよび外部
よりの1ビツトシフト入力データをまたイニシヤ
ライズ状態が指定されたときには予め定めたデー
タを前記記憶手段の書込みデータとして供給する
書込みデータ供給手段とを含むことを特徴とする
記憶回路。 2 状態指定手段により通常状態およびイニシヤ
ライズ状態のいずれか一つの状態が指定されたと
きには外部より与えられるデータをまたシフト状
態が指定されたときには読出し手段により読み出
され1ビツトシフトしたデータおよび外部よりの
1ビツトシフト入力データを記憶手段に書込みデ
ータとして供給する書込みデータ供給手段を含む
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載
の記憶回路。
[Scope of Claims] 1. Storage means for storing data; State specification means for specifying whether the storage means should be used in a normal state, a shifted state, or an initialized state; and the state specification means. an address counter whose contents are incremented in synchronization with a clock signal when either one of the shift state and the initialization state is designated, and a write provided externally when the normal state is designated by the state designation means. writing means for writing write data into a storage location of the storage means determined by an output signal of the address counter when one of the shift state and the initialization state is designated by the address signal; and the state designation means. reading means for reading data from a corresponding storage location of the storage means determined by a read address signal externally applied when a normal state is designated and by an output signal of the address counter when a shift state is designated; When the normal means is specified by the state specifying means, the data given from the outside is specified, and when the shift state is specified, the data read out by the reading means and shifted by 1 bit and the input data shifted by 1 bit from the outside are also specified to the initialize state. write data supply means for supplying predetermined data as write data to the storage means when the write data is written to the storage means. 2. When either the normal state or the initialized state is specified by the state specifying means, the data given from the outside is used, and when the shift state is specified, the data read out by the reading means and shifted by 1 bit and the 1 bit from the outside are used. 2. The storage circuit according to claim 1, further comprising write data supply means for supplying bit shift input data to the storage means as write data.
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