JPS61181102A - 正特性サ−ミスタ素子の構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は正特性サーミスタ素子の構造に関するものであ
る。

従来の技術 従来、この種の正特性サーミスタ素子の構造は、第３図
に示すようにサーミスタ７無電解ニツケルメツキ３を施
した後に銀４を塗布した、部分電極膜の構成であった。

発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、正特性サーミスタ素子に通
電及び非通電のオン・オフ動作を長期間にわたって寿命
試験をすることにより、電極面の焼損及び正特性サーミ
スタ素子が破壊するという問題があった。

本発明はこのような問題点を解決するもので、従来の部
分電極膜を全面電極膜として、通電及び非通電の繰り返
しにも耐え得るようにした正特性サーミスタ素子の構造
を提供することを目的とするものである。

問題点を解決するだめの手段 この問題点を解決するために本発明は、正特性サーミス
タ素子の電極全面に銀の薄膜を施したものである。

作用 正特性サーミスタ素子の電極全面に銀の薄膜を施した全
面電極の構成により、従来の部分電極では無電解ニッケ
ルメッキ部分と鎖部分とでは、電流密度、熱膨張係数の
違いにより歪が生じて、電極面の焼損及び正特性サーミ
スタ素子が破壊するという問題があったが全面電極では
、銀と端子の全面密着により上記の歪が起こらないもの
となり、上記の問題が解決される。

実施例 以下本発明ので実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の一実施例による正特性サーミ
スタ素子の構造図で第３図とは銀４を無電解ニッケルメ
ッキ３全面に形成する点で異なる。第２図は２素子タイ
プの正特性サーミスタの配置図で、同図１，２はそれぞ
れＰ、Ｔ、Ｃ素子である。素子１，２とも正特性サーミ
スタ素子であるが、素子１，２はヒータの役割をするた
め熱結合し、電流減少機能を早めている。本実施例では
素子１，２の電極形式を第３図から第１図のようにする
ことにより、オン・オフ動作寿命及び直接耐圧レベルを
向上させることが得られる。これは２方のＰ、Ｔ、Ｃ素
子の共通端子６に素子全面が密着するために、無電解ニ
ッケルメッキ３と銀４とでは電流密度及び熱膨張係数の
違いにより、歪が起きているのが第３図の部分電極であ
シ、第１図の全面電極では銀と共通端子５の密着により
上記の歪が起らないものと考える。尚、第２図で６は共
通端子、６は端子である。

次に第２図のような構成のもとで、オン・オフ動作寿命
試験及び突入耐圧試験について説明する。

先ず、第１図の電極形式のＰ、Ｔ、Ｃ素子と第３図の電
極形式のＰ、Ｔ、Ｃ素子を用意し、電極膜を２水準取υ
入れ、各々１０個用意し、抵抗Ｒ１とスイッチＳＷとと
もに２２０ｖの交流電源に接続し、オン１０秒間オフ５
分間動作を１サイクルとし、１ｏｏｏ〜５ｏｏｏサイク
ルにおけルＰ、Ｔ、Ｃ素子の抵抗値変化及び破壊モード
を測定したところ次の表に示す結果が得られた。

実施した具体例とその結果 上記表からもわかるように、部分電極を施したＰ、Ｔ、
Ｃ素子は両方どちらかが信頼性に欠けるという結果が得
られた。又、電極膜に関しては突入耐圧に関して１０μ
ｍ〜１２μｍの膜厚の方が破壊電圧が高いという結果が
得られた。

発明の効果 以上のように本発明は、Ｐ、Ｔ、Ｃ素子の電極全面に銀
の薄膜を施し電極の膜厚及び電極形式を改善することに
よシ、長期間にわたる通電及び非通電のオン・オフ動作
にも耐えることができ、突入　、耐圧も大巾に向上する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるＰ、Ｔ、Ｃ素子の構
造図、第２図は２素子タイプの正特性サーミスタの構造
図、第３図は従来のＰ、Ｔ、Ｃ素子の構造図である。 １・・・・・・Ｐ、Ｔ、Ｃ素子、２・・・・・・Ｐ、Ｔ
、Ｃ素子、３・・・・・・無電解ニッケルメッキ、４・
・・・・・銀、５・・・・・・共通端子、６・・・・・
・端子。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名宵１
図 第２１１１ 篤　３　図 ３−一昂電解二ヅケｌＬメッキ 十−一タ長、 ７−−−亨づスフ ｆｉ＝ｉｉ！＋）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 正特性サーミスタ素子の電極膜に端子をバネ圧で接触さ
   せて上記電極膜を端子に導通させるようにした正特性サ
   ーミスタにおいて、前記素子の電極全面に銀の薄膜を施
   したことを特徴とする正特性サーミスタ素子の構造。