JPS61180431A - 感放射線樹脂膜の除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、パターン形成後、不要となった同放射線樹脂
膜の除去方法に係る。特にフェノール系樹脂を高分子成
分とするポジ型、ネガ型レジストの除去に好適なレジス
ト膜除去方法に関する。

なお、以下、感放射線樹脂膜の意味を含めて。

代表的用途としての「レジスト膜」　「レジスト」等の
用語を適宜用いる。

〔発明の背景〕

従来、不要となったレジスト膜の除去には、含液製有機
溶媒とフェノール、界面活性剤とからなる組成物が広く
用いられている。その他、酸素プラズマによる灰化を利
用した方法も用いられている。最近、半導体基板材料、
製造プロセス、レジスト等の多様化に伴ない、従来のレ
ジスト膜の除去法では、除去が不十分であるという問題
が発生している。これに関連し、以下の特許が提案され
ているが、基板を損ねることなく、レジスト膜を完全に
除去する事は困難である。レジスト除去に関する代表的
な刊行物は特開昭５３−５６０２３、特開昭５４−１５
３５７７等である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ノボラック樹脂、ポリビニル゛　　フ
ェノールなどのフェノール樹脂で代表されるフェノール
系樹脂を高分子成分とする感放射線樹脂を、使用後、除
去する際にレジスト残査、毒性。

危険性に問題がある市販のレジスト剥離剤（例えば長潮
化成社製Ｊ−１００）にかわり、レジストが完全に除去
でき、かつ低い毒性、低い危険性のレジスト除去法を提
供することにある。

七なお、本明細書における感放射線樹脂には光、（？＋ 高子線、Ｘ線等に感応性を示すものを含む。

〔発明の概要〕

フェノール系樹脂、および光、電子等により反応した後
のホトレジスト膜に親和性のある溶媒と、膜と基板との
間への溶媒等の浸透性を増す為の界面活性剤とを組み合
わせることにより、基板への損傷が無く、完全にレジス
ト膜が除去可能な方法が実現される。溶媒として、カル
ボニル基を含むの 化合物を用いるちりである。より具体的にはカルボニル
基を含む化合物のうちアセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジ−ｎ−プ
ロピルケトン、ジイソブチルケトン、アセチルアセトン
、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等
のケトン類、あるいはメチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート等のアセテート類が望ましい
。

界面活性剤としては、非イオン性、イオン性界面活性剤
の中より選ぶことが可能である。非イオン性界面活性剤
としては市販されている以下に記すものが使用可能であ
る。すなわち、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピ
レン縮金物（例えば旭電化製プルロニック）、ポリエー
テル型（例えば旭電化製アデカノール、花王アトラス製
エマルゲン）、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル（例えば花王アトラス製レオドール）等である。

又イオン性界面活性剤としては、市販試薬であるドブキ
シルベンゼンスルホン酸、あるいは第４級アンモニウム
塩型（例えば、旭電化製アデヵミン、花王アトラス裏コ
ータミン）などがある。

有機溶媒に対する界面活性剤の添加量は、界面活性剤の
種類によって異なるが、０．０１〜５０％の範囲が望ま
しい、上記値の下限は除去能力効果によって限定され、
上限は、除去液の粘性、発泡性等、処理の容易性等によ
り限定される。

上記の感放射線樹脂膜の除去に際し、通常行なっている
様に超音波による振動を併用しても良い。

又除去用の組成液をその有機溶媒の沸点以下で加熱しな
がら除去を行っても勿論有用である。

〔発明の実施例〕

実施例１ 基板１．２μｍの厚さでネガ型ホトレジストＲＤ−２０
０ＯＮを塗布し、遠紫外光でマスクを介し、該レジスト
にパターンを焼きつけた。続いて、定法通り、現像、ベ
ータ処理を行なった後、イオン打込みを行なった。該レ
ジスト膜の付いた基板を、アセトンに非イオン性活面活
剤アデカノールＢ７２２をアセトンに対し０．５％添加
し、１０分間超音波洗浄槽中で処理した。水洗、乾燥後
、基板を顕微鏡にて観察したところ、全くレジスト残査
は存在しなかった。

実施例２ 実施域ｌと同様にしてパターン形成したレジスト膜の付
いた基板をｎ−メチル−２−ピロリジノンとこれに０．
７５％の割合でアデヵノールＣｌ０Ｌを添加し、１２０
”Ｃに加温した溶液中で５分間処理し、引き続きアセト
ン洗浄、流水洗浄を行なった。処理後の基板にはレジス
ト残査は全く発見できなかった。

実施例３ 実施例２と同様の試料および同様のレジスト除去溶液を
用い、加温せず室温（２５℃）にて１゜分間処理し、ア
セトン、流水洗浄を引き続き行なった。処理後の基板上
にはレジストは全く存在しないことがわかった。

実施例４ 基板１．２μｍの厚さのネガ型ホトレジストＲＵ−１１
００Ｎのパターンを形成後、遠紫外光を１０分照射し、
所定のプロセス処理を行なった。

このレジスト膜を実施例２と同様のレジスト除去処理を
行なったところ、レジスト残査は見当らなかった。

実施例５ 実施例４と同様の処理を、東京応化製のポジ型ホトレジ
スト０ＦＰＲ−８００について行なったところ、従来の
除去剤使用の場合と同様、レジスト残査は無かった。

実施例６ 実施例１と同様にしてパターン形成したレジスト膜の付
いている基板を、表１に示す組成の除去液で室温下で処
理し、引き続き、アセトン洗浄、流水洗浄を行なった６
その結果、処理後の全ての基板には、レジスト残査は発
見できなかった。

表　　１ 実施例７ 実施例１と同様にしたパターン形成したレジスト膜の付
いている基板を表２に示す組成の除去液で沸点以下に加
熱処理し、引き続きアセトン洗浄。

流水洗浄を行なった。その結果、処理後の全ての基板に
は、レジスト残査は発見できなかった。

五２ 〔発明の効果〕 本発明によれば、市販のレジスト除去剤に比し毒性が約
１桁低い溶媒系を使用するので、取り扱いが比較的容易
となる。更に、室温下における処に 理が可能であることから、安全性の語感おいても従来法
に優る。又本発明はＧ　ａ　Ａ　ｓ等、スパッタダメー
ジ等に弱い基板を処理する際に、従来法のアッシングを
必要としない為に基板損傷を受けず。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、カルボニル基を含む化合物の少なくとも１種からな
   る有機溶媒と、少なくとも１種の界面活性剤とからなる
   組成物を用い、感放射線樹脂膜を除去することを特徴と
   する感放射線樹脂膜の除去方法。 ２、感放射線樹脂膜の除去に際して、上記有機溶媒の沸
   点以下で加熱しながら、除去することを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の感放射線樹脂膜の除去方法。 ３、カルボニル基を含む化合物としてケトン類を用いる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記
   載の感放射線樹脂膜の除去方法。 ４、カルボニル基を含む化合物としてアセテート類を用
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
   に記載の感放射線樹脂膜の除去方法。