JPS61178499A - スタ−サフアイヤの製造方法 - Google Patents

スタ−サフアイヤの製造方法

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JPS61178499A
JPS61178499A JP60020268A JP2026885A JPS61178499A JP S61178499 A JPS61178499 A JP S61178499A JP 60020268 A JP60020268 A JP 60020268A JP 2026885 A JP2026885 A JP 2026885A JP S61178499 A JPS61178499 A JP S61178499A
Authority
JP
Japan
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sapphire
titanium dioxide
star
blue
degrees
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Pending
Application number
JP60020268A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Kato
加藤　栄司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS61178499A publication Critical patent/JPS61178499A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はスターサファイヤの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来のスターサファイヤの製造方法は、赤外線集光加熱
単結晶製造方法（以下ＩＦ７法と略す）によって製造し
たブルーサファイヤを、熱処理することにより二酸化チ
タンを析出させて、星形効果を得るものであった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術ではブルーサファイヤの成長方
向には均一に二酸化チタンの固溶を示すが、径方向には
均一に固溶せず表面には固溶しなめために二酸化チタン
が析出せず６本のすしのうち何本かが欠けるなど星形効
果に偏りを生ずるという問題点を有する。そこで本発明
はこのような問題点を解決するもので、その目的とする
ところはブルーサファイヤの結晶全体に均一に二酸化チ
タンを固溶させ、それにより全体く二酸化チタンを析出
させ偏りのない屋形効果を示すスターサファイヤの製造
方法を提供するところにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のスターサファイヤの製造方法は％ＦＺ法により
製造したブルーサファイヤを二酸化チタン粉末中で加熱
して、二酸化チタンを結晶表面に固溶させる。その後熱
処理することにより結晶全体に二酸化チタンを析出させ
ることを特徴とする。
加熱保持の温度が８００度より低くなると、もとのブル
ーサファイヤに対して変化が認められず、１６００度よ
り高い温度では明らかな脱色を起むすため不適である。
また、熱処理による降温速度が５度より小さい場合には
結晶中に二酸化チタンが大量に析出するため白濁してし
まい不適であり、加変より大きい場合には、もとのブル
ーサファイヤに対して変化が認められず不適であった。
〔実施例〕
アルミナを主成分として、酸化鉄０．４〜１．０重量％
二酸化チタン０．７〜１．５重量％を添加し原料棒を作
りラバープレス（８ｔ／ｃｔｐｒりで加圧成形を行い、
成形体を１７０°′Ｏ度で８時間焼結し原料棒とする。
第１図は本実施例で使用した’！ｒＺ＠匿であり、１は
回転楕円面鏡％２は原料棒、８は溶融帯、４は種結晶、
５は下゛部シャフト、６は上部シャフト、７は石英管、
８はハロゲンランプ、９はガス導入口、　１０はガス排
気口である。上部シャフトに上記の原料棒をセットし、
下部シャ７）Ｋ種結晶をセットする。ハロゲンランプに
パワーを投入し、原料棒、種結晶に集光させ溶融し、時
間当り０．２〜１ｕの成長速度で育成し、ブルーサファ
イヤを製造する。その結晶を白金ルツボの中の二酸化チ
タンの粉末に埋め込み、８００度、１０００度、１８０
０度、１５００度の４条件で１２時間加熱保持し、その
後時間当り６度、１５度、３０度の降温速度で熱処理を
行った結果を表ＩＫ示す。
表　　　１ 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、ＦＺ法によって製造
したブルーサファイヤを、二酸化チタン粉末中で８００
−１５００度で加熱保持し、その後、時間当り６〜３０
度の降温速度で熱処理することにより、結晶全体に二酸
化チタンを固溶・析出させることができる。二酸化チタ
ンが結晶全体く析出することにより、従来熱処理だけで
二酸化チタンを析出させたスターサファイヤに比べ％６
本のスターを途中で欠けることなく均一に認められるス
ターサファイヤを製造することができるという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
第１図はν２装置の主要断面図。 以　　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 赤外線集光加熱単結晶製造装置により製造したブルーサ
    フアイヤを、二酸化チタン粉末中で８００度〜１５００
    度で加熱し、その後、時間当り５度〜３０度の降温速度
    で熱処理することを特徴とするスターサフアイヤの製造
    方法。
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