JPS61178499A - スタ−サフアイヤの製造方法 - Google Patents
スタ−サフアイヤの製造方法Info
- Publication number
- JPS61178499A JPS61178499A JP60020268A JP2026885A JPS61178499A JP S61178499 A JPS61178499 A JP S61178499A JP 60020268 A JP60020268 A JP 60020268A JP 2026885 A JP2026885 A JP 2026885A JP S61178499 A JPS61178499 A JP S61178499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sapphire
- titanium dioxide
- star
- blue
- degrees
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスターサファイヤの製造方法に関する。
従来のスターサファイヤの製造方法は、赤外線集光加熱
単結晶製造方法(以下IF7法と略す)によって製造し
たブルーサファイヤを、熱処理することにより二酸化チ
タンを析出させて、星形効果を得るものであった。
単結晶製造方法(以下IF7法と略す)によって製造し
たブルーサファイヤを、熱処理することにより二酸化チ
タンを析出させて、星形効果を得るものであった。
しかし、前述の従来技術ではブルーサファイヤの成長方
向には均一に二酸化チタンの固溶を示すが、径方向には
均一に固溶せず表面には固溶しなめために二酸化チタン
が析出せず6本のすしのうち何本かが欠けるなど星形効
果に偏りを生ずるという問題点を有する。そこで本発明
はこのような問題点を解決するもので、その目的とする
ところはブルーサファイヤの結晶全体に均一に二酸化チ
タンを固溶させ、それにより全体く二酸化チタンを析出
させ偏りのない屋形効果を示すスターサファイヤの製造
方法を提供するところにある。
向には均一に二酸化チタンの固溶を示すが、径方向には
均一に固溶せず表面には固溶しなめために二酸化チタン
が析出せず6本のすしのうち何本かが欠けるなど星形効
果に偏りを生ずるという問題点を有する。そこで本発明
はこのような問題点を解決するもので、その目的とする
ところはブルーサファイヤの結晶全体に均一に二酸化チ
タンを固溶させ、それにより全体く二酸化チタンを析出
させ偏りのない屋形効果を示すスターサファイヤの製造
方法を提供するところにある。
本発明のスターサファイヤの製造方法は%FZ法により
製造したブルーサファイヤを二酸化チタン粉末中で加熱
して、二酸化チタンを結晶表面に固溶させる。その後熱
処理することにより結晶全体に二酸化チタンを析出させ
ることを特徴とする。
製造したブルーサファイヤを二酸化チタン粉末中で加熱
して、二酸化チタンを結晶表面に固溶させる。その後熱
処理することにより結晶全体に二酸化チタンを析出させ
ることを特徴とする。
加熱保持の温度が800度より低くなると、もとのブル
ーサファイヤに対して変化が認められず、1600度よ
り高い温度では明らかな脱色を起むすため不適である。
ーサファイヤに対して変化が認められず、1600度よ
り高い温度では明らかな脱色を起むすため不適である。
また、熱処理による降温速度が5度より小さい場合には
結晶中に二酸化チタンが大量に析出するため白濁してし
まい不適であり、加変より大きい場合には、もとのブル
ーサファイヤに対して変化が認められず不適であった。
結晶中に二酸化チタンが大量に析出するため白濁してし
まい不適であり、加変より大きい場合には、もとのブル
ーサファイヤに対して変化が認められず不適であった。
アルミナを主成分として、酸化鉄0.4〜1.0重量%
二酸化チタン0.7〜1.5重量%を添加し原料棒を作
りラバープレス(8t/ctprりで加圧成形を行い、
成形体を170°′O度で8時間焼結し原料棒とする。
二酸化チタン0.7〜1.5重量%を添加し原料棒を作
りラバープレス(8t/ctprりで加圧成形を行い、
成形体を170°′O度で8時間焼結し原料棒とする。
第1図は本実施例で使用した’!rZ@匿であり、1は
回転楕円面鏡%2は原料棒、8は溶融帯、4は種結晶、
5は下゛部シャフト、6は上部シャフト、7は石英管、
8はハロゲンランプ、9はガス導入口、 10はガス排
気口である。上部シャフトに上記の原料棒をセットし、
下部シャ7)K種結晶をセットする。ハロゲンランプに
パワーを投入し、原料棒、種結晶に集光させ溶融し、時
間当り0.2〜1uの成長速度で育成し、ブルーサファ
イヤを製造する。その結晶を白金ルツボの中の二酸化チ
タンの粉末に埋め込み、800度、1000度、180
0度、1500度の4条件で12時間加熱保持し、その
後時間当り6度、15度、30度の降温速度で熱処理を
行った結果を表IK示す。
回転楕円面鏡%2は原料棒、8は溶融帯、4は種結晶、
5は下゛部シャフト、6は上部シャフト、7は石英管、
8はハロゲンランプ、9はガス導入口、 10はガス排
気口である。上部シャフトに上記の原料棒をセットし、
下部シャ7)K種結晶をセットする。ハロゲンランプに
パワーを投入し、原料棒、種結晶に集光させ溶融し、時
間当り0.2〜1uの成長速度で育成し、ブルーサファ
イヤを製造する。その結晶を白金ルツボの中の二酸化チ
タンの粉末に埋め込み、800度、1000度、180
0度、1500度の4条件で12時間加熱保持し、その
後時間当り6度、15度、30度の降温速度で熱処理を
行った結果を表IK示す。
表 1
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、FZ法によって製造
したブルーサファイヤを、二酸化チタン粉末中で800
−1500度で加熱保持し、その後、時間当り6〜30
度の降温速度で熱処理することにより、結晶全体に二酸
化チタンを固溶・析出させることができる。二酸化チタ
ンが結晶全体く析出することにより、従来熱処理だけで
二酸化チタンを析出させたスターサファイヤに比べ%6
本のスターを途中で欠けることなく均一に認められるス
ターサファイヤを製造することができるという効果を有
する。
したブルーサファイヤを、二酸化チタン粉末中で800
−1500度で加熱保持し、その後、時間当り6〜30
度の降温速度で熱処理することにより、結晶全体に二酸
化チタンを固溶・析出させることができる。二酸化チタ
ンが結晶全体く析出することにより、従来熱処理だけで
二酸化チタンを析出させたスターサファイヤに比べ%6
本のスターを途中で欠けることなく均一に認められるス
ターサファイヤを製造することができるという効果を有
する。
第1図はν2装置の主要断面図。
以 上
Claims (1)
- 赤外線集光加熱単結晶製造装置により製造したブルーサ
フアイヤを、二酸化チタン粉末中で800度〜1500
度で加熱し、その後、時間当り5度〜30度の降温速度
で熱処理することを特徴とするスターサフアイヤの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60020268A JPS61178499A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | スタ−サフアイヤの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60020268A JPS61178499A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | スタ−サフアイヤの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61178499A true JPS61178499A (ja) | 1986-08-11 |
Family
ID=12022441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60020268A Pending JPS61178499A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | スタ−サフアイヤの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61178499A (ja) |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP60020268A patent/JPS61178499A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5551999A (en) | Cyclic recovery heat treatment | |
JPS61178499A (ja) | スタ−サフアイヤの製造方法 | |
CA2202331A1 (en) | Heat treatment process for material bodies made of nickel base superalloys | |
JPS61178498A (ja) | スタ−ルビ−の製造方法 | |
JPS6027684A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JPS61261299A (ja) | スタ−サフアイアの製造方法 | |
JPS61191600A (ja) | ブル−サフアイヤの製造方法 | |
KR950000045A (ko) | 죽염제조방법 | |
JP3941454B2 (ja) | ルチル単結晶の製造方法 | |
JPS58115092A (ja) | F・z法によるベリル結晶合成法 | |
JPS6148498A (ja) | タンタル酸アルカリ単結晶の製造方法及びそのためのルツボ | |
JPH0312397A (ja) | ルチル単結晶の製造法 | |
JPS59152289A (ja) | スタ−ブル−サフアイヤの製造方法 | |
JPS59137390A (ja) | ゾイサイト鉱物 | |
JPH042683A (ja) | ルチル単結晶の製造方法 | |
JPS6149280B2 (ja) | ||
JPS60226497A (ja) | スタ−サフアイヤ単結晶製造法 | |
JPH0361635B2 (ja) | ||
CN1052154A (zh) | 彩色水晶的生长方法 | |
CN1195717A (zh) | 金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置 | |
JPS5895700A (ja) | 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 | |
JPS62270499A (ja) | ルチル単結晶の合成方法 | |
JPS57175792A (en) | Growing method of crystal | |
JPS61168542A (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
JPS6121997A (ja) | アレキサンドライト単結晶製造法 |