JPS61176605A - 半導体高分子材料の製造方法 - Google Patents

半導体高分子材料の製造方法

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JPS61176605A
JPS61176605A JP60016605A JP1660585A JPS61176605A JP S61176605 A JPS61176605 A JP S61176605A JP 60016605 A JP60016605 A JP 60016605A JP 1660585 A JP1660585 A JP 1660585A JP S61176605 A JPS61176605 A JP S61176605A
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JP
Japan
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polymer
halogen
transfer catalyst
functionalizer
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP60016605A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasumitsu Uno
宇野 泰光
Shinichi Suzuki
慎一 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Petrochemical Co Ltd filed Critical Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Publication of JPS61176605A publication Critical patent/JPS61176605A/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ハロゲン含有重合体に機能付与剤と相間移動
触媒とを添加溶融混線後(このとき機能付与剤、相間移
動触媒の両方の性質をもつものなら、一種でもよい。)
、成形体とし、この成形体をアルカリ溶液#液で処理す
ることによって成形体のハロゲン含有重合体は脱ハロゲ
ン化水素化されポリエン構造を形成する。このとき予め
混入しである機能付与剤によって半導体の特性が付与さ
れる、新規な半導体高分子材料の製造方法に関する。
〔発明の背景〕
半導体高分子材料は、ポリアセチレン、ポリピロール、
ポリチェニレン、ホリパラフエニレン、ポリパラフェニ
レンビニレン、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリパ
ラフェニレンオキシドなど多くの材料が提案されている
。一般にはこれらの材料単体では、その機能は充分でな
くドーパントをドーピング処理して機能を付与して半導
体高分子材料としている。
これらの材料に機能付与する際には成形が困難なものが
多い為、重合過程で薄膜状にするなど種々の方法により
薄膜状、シート状にした後ドーピング処理するのが一般
的である。ドーピング処理方法としては、■気相浸漬法
、■溶液浸漬法、■電気化学的方法、■イオンインプラ
ンテーション法、など種々の検討がなされている。これ
らの手法では、ドーパントが気散しやすい、装置が大が
かりである等の欠点を有する。さらにそれぞれのドーピ
ング手法に限られたドーパントを選ぶ必要がちりドーパ
ントの自由な選択かで亀ない為半導停機能の付与には限
界がある。
さらにこれらの材料は一般にもろく、不溶不融性である
為高分子材料の特徴である易成形性、可撓性を持たない
材料である。
従って半導体高分子材料の有用性が言われているにもか
かわらず実用化に至っているものはほとんど見当らない
本発明者らは、高分子材料の特徴である、易成形性、可
撓性を持った半導体高分子材料を提供すべく鋭意検討し
た結果、きわめて容易にしかも半導体の機能を自由に付
与できる半導体高分子材料の製造方法を発明した。
〔発明の概要〕
本発明は、−ロゲン含有重合体に機能付与剤と相間移動
触媒とを混合し溶融混練し、押出し成形、プレス成形等
により、シート、薄膜等の成形物を形成し、該成形物を
アルカリ溶液で処理することによってハロゲン含有重合
体は脱ハロゲン化水素化されポリエン構造重合体となり
予め混合しである機能付与剤によって半導体特性を有す
る高分子材料となる新規な半導体高分子材料の製造方法
を提供する。
ここで言う半導体特性とは、例えば電気抵抗の半導電性
、接合による整流特性、光照射による光導電特性、光照
射による起電力の発生等の半導体が有する機能を総称す
るものである。
〔発明の詳細な説明〕
本発明に使用されるハロゲン含有重合体は、炭素に結合
したハロゲンと水素を有する高分子重合体で、具体的に
は、塩化ビニル、臭化ビニル、フッ化ビニル、塩化ビニ
リデン、臭化ビニリデン、フッ化ビニリデン、3塩化エ
チレン、3臭化エチレン、3フツイビエチレン、などの
−ログント水素を含有した単量体の単独重合体、又は、
これ等の共重合体の他に、これらと共重合可能なこれら
以外の単量体との共重合体、あるいは、これらの重合体
もしくは共重合体をボI) エン形成を阻害しない範囲
で変性したもの(例えば塩素化物)を含むものが用いら
れる。これら重合体又は共重合体は単独で使用される他
、2種以上の混合物として用いても良い。
前記のハロゲンと水素を含有した単量体と共重合される
単量体としては、アクリロニトリル、ヘキサフルオロシ
クロブテン、エチレン、クロロ゛エチレン、クロロトリ
フルオロエチレン、ビニルアセテート、フルオロエチレ
ン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロペン
、ペンタフルオロシスプロペン等を用いることができる
機能付与剤とは、ハロゲン含有型°合体が脱ハロゲン化
水素化されポリエン構造を生成した時半導体の機能を付
与するものであればよく、1種類以上の機能付与剤を同
時に用いることができる。
機能付与剤としては、例えば、ハロゲン(塩素、臭素、
ヨウ素、−塩化ヨウ素、三塩化ヨウ素、−臭化ヨウ素)
、五フッ化ヒ素、過塩素酸銀、テトラフルオロホウ酸銀
、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、硫酸、過塩素酸、ヘキ
サフルオロアンチモン酸ニトロシル、ヘキサフルオロア
ンチモン酸ニトロイル、テトラフルオロホウ酸ニトロシ
ル、三酸化硫黄、硝酸、フルオロ硫酸、臭化テトラメチ
ルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、ヨウ
化テトラメチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テ
トラメチルアンモニウム、臭化テトラ−n−ブチルアン
モニウム、塩化テトラ−n−ブチルアンモニウム、硫酸
水素テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラ−n−ブ
チルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム
、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化テトラフェニル
ホスホニウム、臭化テトラフェニルアンモニウム、など
P型の半導体を形成するドーパントが用いられ、また、
アルカリ金属(Li、 NaXK)などのn型の半導体
を形成するドーパントも用いられる。
機能付与剤としては、電子受容体、電子供与体も用いら
れる。即ちテトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、ヘキサシアノブタジェン、ヘキサシアノトリメ
チレンシクロプロパンジイミド、フルオレノン、テトラ
ニトロフルオレノン、ベンゾキノン、ナフトキノン、ジ
フェノキノン、11−11−12−12−テトラシアノ
−2,6−ナツタキノジメタン、α−α−α′−α′−
テトラシアノジフェノキノジメタンなどの電子受容体が
あり、テトラチアフルバレン、テトラメチルテトラチア
フルバレン、ヘキサメチレンテトラチアフルバレン、テ
トラセレナフルバレン、テトラメチルテトラセレナフル
バレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレン、テト
ラチオトラセン、テトラセレノトラセンなどの電子供与
体がある。
また、光導電性、光起電力の発生等の光電子機能を有す
る材料でフタロシアニン色素、メロシアニン色素、スク
アリウム色素、アントラセン、クロロフィル、ピレン、
ポリビニルカルバゾール、ポリチアジル、ポリピロール
、ポリチェニレン、ポリパラフェニレンサルファイド、
ポリパラフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリパ
ラフェニレン、ポリジアセチレンなどの有機材料や、シ
リコン、ケルマニウム、セレン、炭化ケイ素、ヒ化ガリ
ウム、アンチモン化インジウム、酸化亜鉛、セレン化亜
鉛、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化カ
ドミウム、硫化鉛、セレン化鉛、テルル化鉛、酸化銅な
どの無機材料がある。
機能付与剤の使用量は、特に制限はされない。
機能付与剤の使用量をコントロールすることによって半
導体特性を自由にコントロールすることができ目的に合
った特性を確保する為にその使用量及び稽類が選択され
る。通常は1重量%から80重量%が使用される。好ま
しくは、ドーパント、電子受容体、電子供与体では5〜
20重量%であり、光電子機能を持つ材料では、40〜
80重量%である。また、機能付与剤の穫類は通常1〜
3種類程度用いられる。
相間移動触媒は、ハロゲン含有重合体とアルカリ溶液相
間の反応を円滑に進行せしめる触媒である。具体的には
、4級アンモニウム塩(例:テトラブチルアンモニウム
の臭化物、塩化物、テトラフルオロホウ酸物など)、4
級ホスホニウム塩(例:テトラブチルホスホニウム臭化
物)、クラウンエーテル(例ニジベン/−18−クラウ
ン6)、クリプタンド(例:(k+2)−ジアザビ7ク
ロ(k、z−+m )アルカン)、グライム(例;テト
ラグライム)等がある。
前述の如く相間移動触媒は機能付与剤としての性質を持
つもの■ある。例えば4級アンモニウム塩、4級ホスホ
ニウム塩などがある。
本発明においては、これ等の化合物が使用されたときは
、その化合物単独で機能付与剤と相間移動触媒の双方を
添加したものとする。
相間移動触媒の使用量は、特に制限されない。
機能付与剤として性質を併用するものであれば、通常は
脱ハロゲン化水素化するに要する量よりも過剰に使用す
る為、特に脱ハロゲン化水素化を考慮しなくとも良い。
相間移動触媒のみの目的で使用する場合は、安価な材料
を供給することを考えれば可及的少量であることが望ま
しく、一般に脱ハロゲン化水素量に対して、0.001
〜0.5グラム当量、好ましくは0.01〜0.1グラ
ム当量更に好ましくは、0.01〜0.02グラム当量
が用いられる。
以上の、ハロゲン含有重合体と機能付与剤と相間移動触
媒とを混合し、押し出し成形、射出成形、プレス成形、
ロール成形等の溶融成形により、フィルム状、シート状
、中空状その他の形状に賦形される。このとき着色剤、
無機又は有機質の粉体、ガラス繊維等の添加材を添加す
ることも可能である。またアルカリに不溶な電極、端子
等を埋め込んだ9融着しておくと、脱ハロゲン化水素化
した成形体をそのまま半導体部品として使用することが
でき、後加工による端子取付けの必要がなくなる。
脱ハロゲン化水素化剤として使用されるアルカリとして
は、Na0HX KOH,LiOH,CsOH。
Rb0HXCa(OR)2、Mg(OK)z、Ba (
OH)2.5r(OH)z、NazCOs、 KsCO
s、NaHCOa、KHCOaなどの無機のアルカリ又
は、水溶性の有機アミン、4級アンモニウム水酸化物(
例コリン、ベンジルトリメチルアンモニウム水酸化物な
ど)などを用いることができる。
アルカリ溶液の濃度は、0.1重量%程度から飽和溶液
まで使用することができるがNaOHのように易溶性の
アルカリの場合には10〜50重量%が適当である。ア
ルカリの使用量は、除去されるべきハロゲン化水素と等
ダラム当量以上とされる。
処理条件は、重合体の種類、脱ハロゲン化水素化度、脱
ハロゲン化水素化剤の種類、濃度などに依存するが、そ
の範囲は、一般に、数秒〜数十時間、好ましくは、数分
〜数十時間である。処理温度は、アルカリ水溶液及び使
用される溶媒の沸点以下で行なわれるのが普通であり、
一般に室温から100℃の範囲で行なわれる。
生成した重合物成形体は、水、アルコールなどで洗浄し
て、成形体上のアルカリを取除く。
以上の処理により、機能付与剤と相間移動触媒とを含有
したハロゲン含有重合体の成形物は、アルカリと相間移
動触媒とによって脱ハロゲン化水素化され、ポリエン構
造の重合体となる。このとき予め混合しである機能付与
剤の効果によって、生成した重合物は半導体としての特
性を有する物質となる。
次に実施例を用いて説明する。
〔実施例1〕 ポリフッ化ビニリデンパウダー(呉羽、KF−100G
)6t)IFに機能付与剤として1202の鋼フタロシ
アニンパウダー(東京化成工業株式会社製)と相間移動
触媒として8fのテトラブチルアンモニウムブロマイド
(東京化成工業株式会社製)を添加し、160℃で溶融
混線を行なった。
これを200℃でプレス成形することによって膜厚が2
0μmのフィルム状成形物を得た。
次に水酸化す) I)ラム20重量%の水溶液中に、こ
のフィルム状成形物を浸漬し、80℃で3時間脱ハロゲ
ン化水素化処理を行ったところ成形物は黒色を呈した。
ざらに純水にて充分洗浄し真空乾燥を行った。得られた
フィルム状成形物の表面及び裏面にそれぞれアルミニウ
ム、金の異種金属を半透明に真空蒸着し、金属/フィル
ム状成形物/金属型サンドイッチ素子を作製した。
素子の光起電力特性、光導電性を150Wのキセノンラ
ンプ光を用いて測定した。光起電力特性では開放端電圧
O,S V、短絡電流6.4 X 10−’ Aの特性
が得られた。光導電性も光を照射することにより導電率
が2ケタ増大し、このフィルム状成形物の光応答性が確
認された。
〔実施例2〕 ポリフッ化ビニリデンパウダー(呉羽、KF−1000
)60fに機能付与剤として硫化カドミウムパウダー1
20 f、相間移動触媒としてテトラブチルアンモニウ
ムブロマイド8fを添加し、160℃で溶融混線を行な
った。これを200℃でプレス成形することによって膜
厚が20μmのフィルム状成形物を得九。
次に水酸化ナトリウム20重量シの水溶液中に、このフ
ィルム状成形物を浸漬し、80℃で2時間脱ハロゲン化
水素化処理を行った。さらに純水及びメタノールを用い
て充分洗浄後真空乾燥を行いフィルム状成形物を得た。
このフィルム状成形物の表裏にそれぞれアルミニウム、
金の異種金属を半透明に真空蒸着しサンドイッチ素子を
作製した。
150Wのキセノンランプ光を用いて光起電力特性、光
導電性の測定を行った所、光起電力特性では開放端電圧
o、sv、短絡電流2X10−’Aの特性が得られ、光
導電性も導電率の2ケタの増大が確認された。
〔実施例3〕 ポリフッ化ビニリデンパウダー(呉羽、KF−1000
)90Fに機能付与剤としてテトラシアノキノジメタン
23t1相間移動触媒としてテトラブチルアンモニウム
ブロマイド12fを添加し、160℃で溶融混線を行な
った。これを200℃でプレス成形することにより20
μm厚のフィルム状成形物を得た。
次に水酸化ナトリウム20重量%の水溶液中に、このフ
ィルム状成形物を浸漬し、80℃で2時間、脱ハロゲン
化水素化処理を行った。さらに洗浄後真空乾燥を行いフ
ィルム状成形物を得た。
このフィルム状成形物にアルミニウムと金の異種金属を
真空蒸着しサンドイッチ素子を作製した。
15 GWのキセノンランプ光を用いて光起電力特性、
光導電性の測定を行った所、光起電力特性では開放端電
圧o 、s 7 V%短絡電流1.5 X 10−’A
の特性が得られた。光導電性は光の照射によシ導電率が
40倍に増大した。
〔実施例4〕 相間移動触媒が機能付与剤としての性質を合せ持つ場合
の実施例を示す。相間移動触媒、機能付与剤としてテト
ラフルオロホウ酸テトラエチルアンモニウムを用いた。
ポリフッ化ビニリデンパウダー(呉羽、KF−1000
)80fにテトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモニ
ウム20fを添加し、160℃で溶融混線を行ない20
0℃でプレス成形することによって膜厚20μのフィル
ム状成形物を得た。
次に水酸化す) IJウム20重量%の水溶液中に、こ
のフィルム状成形物を浸漬し、80℃で3時間脱ハロゲ
ン化水素化処理を行った。さらに洗浄、真空乾燥しフィ
ルム状成形物を得た。
このようにして得られたフィルム状成形物表面及び裏面
にそれぞれアルミニウム、金の異種金属を半透明に真空
蒸着し、金属/フィルム状成形物/金属型サンドインチ
素子を作製した。
素子の光起電力特性、光導電性を150Wのキセノンラ
ンプ光を用いて測定した。光起電力特性では開放端電圧
0.55V、短絡電流2.OX 10−’Aの特性が得
られた。光導電性も光を照射することにより導電率が2
ケタ増大し、応答速度も10ミリ秒以内であった。
特許出願人  三菱油化株式会社 代理人 弁理士 古 川 秀 利 (ほか1名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ハロゲン含有重合体、機能付与剤、相間移動触媒とを
    、溶融混練し成形体を形成した後、該成形体をアルカリ
    溶液を用いて処理することにより、ハロゲン含有重合体
    を脱ハロゲン化水素化することを特徴とする半導体高分
    子材料の製造方法。
JP60016605A 1985-02-01 1985-02-01 半導体高分子材料の製造方法 Pending JPS61176605A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993021272A1 (en) * 1992-04-10 1993-10-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fluoroelastomer-containing resin composition
JP2009503202A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 ランクセス・インコーポレーテッド ハロブチルエラストマー

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993021272A1 (en) * 1992-04-10 1993-10-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fluoroelastomer-containing resin composition
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