JPS6117386B2

JPS6117386B2 -

Info

Publication number: JPS6117386B2
Application number: JP53021558A
Authority: JP
Inventors: Fumihiro Ogasawara
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1978-02-28
Filing date: 1978-02-28
Publication date: 1986-05-07
Also published as: JPS54114918A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、画情報読取装置の線密度切替方式に
係り、特にフアクシミリ装置等の画情報読取装置
において、副走査方向に自己走査型受光素子の配
列された読取ヘツドを用いて、原稿を走査して画
情報を読取る際の走査線密度の切替方式に関す
る。

フアクシミリ装置等の読取装置は、従来周知の
如く、原稿を主走査方向に電気的或は機械的に走
査する一方、副走査方向には原稿或は読取ヘツド
を所定量づつ移動させることにより、原稿の読み
取りを行うものである。この時、原稿に記載され
ている文字、図形、記号等の記録体の大きさによ
つては、走査線密度を適宜変換して読み取り走査
を行つた方が好都合な場合がある。

例えば、原稿に記載されている文字、図形、記
号等の記録体が大きい場合、走査線密度を粗くし
て読み取り走査を行つても良い。受信側では送ら
れてくる画情報に基づいてこれを再現した時、情
報内容を伝達するに充分な原稿のコピーが得られ
る。従つて、この場合には走査線密度を粗くして
読み取り走査を行つた方が受信側に送る情報量が
少なくて済み、送信するための信号処理時間、送
信時間が短縮される。また、受信側においては記
録時間が短縮される。従つて、その分だけフアク
シミリ装置等の高速化につながる。しかも、電話
回線等を利用して遠方へ伝送する場合には送信費
用の低減化が計られる等、画情報走査線密度を切
替ることによつて種々の利点がもたらされる。

ところで、上記のような理由で、走査線密度の
切替えを実施しようとする場合、読取装置におけ
る読取ヘツドの構成及び読み取り走査の方式によ
つては、簡単に実施し得るものと、そうでないも
のとがある。

例えば、受光素子が一ライン分主走査方向に配
列された読取ヘツドを用いて主走査方向の読み取
りを行い、副走査方向には、ステツプモータ、サ
ーボモータ等の駆動力を利用して、原稿紙を所定
量づつ送ることにより情報の読み取りを行う読取
装置がある。この装置では、原稿紙の送り量を調
整することによつて、副走査方向の線密度を簡単
に切替えることができる。

また、原稿紙をドラムに巻き付けておき、この
ドラムを回転させることにより、読取ヘツドで主
走査を行う一方、その読取ヘツドをドラム軸方向
にステツプモータ等の駆動力で所定量づつ移動さ
せて副走査を行う読取装置がある。この装置の場
合は、読取ヘツドの移動量を調節することによ
り、副走査方向の線密度を簡単に調節することが
できる。

しかし、副走査方向に自己走査型受光素子の配
列された読取ヘツドを用いて、副走査方向に複数
ライン分づつまとめて画情報を取り出す一方、こ
の読取ヘツドを主走査方向に機械的に移動させて
情報の読み取りを行うタイプの読取装置では、走
査線密度、特に副走査線密度の切替えが、上記の
例のように簡単にはいかない。その理由は、読取
ヘツドの主走査方向における所定位置毎に、副走
査方向の画情報が、読取装置に与えられるシフト
パルスに応じて、順次直列的に発生するためであ
る。

そこで、このような副走査方向に自己走査型受
光素子の配列される読取ヘツドを用いた読取装置
の副走査線密度を切替えるための一つの方法とし
ては、多数の受光素子を奇数群と偶数群のグルー
プに分け、これらの奇数群および偶数群から抽出
される画情報を論理処理を行なうことにより実行
することが考えられる。

これを第１図乃至第３図を用いて説明する。

第１図は、その読取ヘツドのブロツク図で、多
数の受光素子が一列に配列されて成る受光素子ア
レイ３の奇数番目の受光素子はシフトレジスタ１
に、また偶数番目の受光素子はシフトレジスタ２
に接続されている。クロツクパルス発生装置４か
ら夫々位相がずれて発生する２つのクロツクパル
スCLK１，CLK２に応じてシフトレジスタ１及
び２は夫々奇数番目の受光素子及び偶数番目の受
光素子に順次シフトするパルスが印加される。こ
の結果、受光素子アレイ３の端子Ｓ_Oからは奇数
番目の受光素子に対応する画情報が順次直列的に
発生する。また、端子Ｓ_Eからは偶数番目の受光
素子に対応する画情報が順次直列的に発生する。
この読取ヘツドを受光素子の配列方向が副走査方
向になるように配置し、主走査方向に移動させな
がら画情報の読み取りを行う。

このような読取装置で副走査線密度の切替を行
うには、受光素子アレイ３の端子Ｓ_O，Ｓ_Eから発
生する奇数群画情報及び偶数群画情報を、出願人
が提案する第２図の走査線密度切替装置の入力端
子Ｓ_O1，Ｓ_E1或は第３図の走査線密度切替装置の
入力端子Ｓ_O2，Ｓ_E2に印加する。

最初に、読取ヘツドからの奇数群情報及び偶数
群情報を第２図の装置の入力端子Ｓ_O1，Ｓ_E1に印
加した場合について説明する。

先づ、副走査線密度選択端子a₁を選択した場合
は、オアゲートＯを介して、電界効果トランジス
タFET等で構成されるアナログゲートG₁が開か
れる。従つて、奇数群画情報のみがアナログゲー
トG₁を通して増副器Ａに入力し、装置の出力端
子S₁からは奇数群画情報に対応して順次直列的に
発生する画信号を得る。この画信号は読取ヘツド
に配列された多数の受光素子を一つ置きに選択し
て取り出されたものであるから、副走査線密度が
1/2の粗に切替つたことになる。

次に、副走査線密度選択端子b₁を選択した場合
は、アナログゲートG₁，G₂が共に開かれる。従
つて、奇数群画情報、偶数群画情報が共に増幅器
Ａに入力する。出力端子S₁からは、それらの画情
報に対応して、奇数画情報、偶数画情報が交互に
配列された画信号を順次直列的に発生する。この
画信号は読取ヘツドに配列された全ての受光素子
から得られる画情報に対応したものであるから、
副走査線密度が密に切替つたことになる。

上記のように、第１図に示すような、奇数群画
情報、偶数群画情報が夫々別個の端子Ｓ_O，Ｓ_Eか
ら取出すことのできる特殊構造の自己走査型受光
素子アレイから成る読取ヘツドを用いれば、第２
図の如き線密度切替装置によつて、線密度１或は
1/2の２通りの切替えはできる。

ところで、読取ヘツドに配列されている各受光
素子は、その特性にバラツキがあり、しかも受光
素子から得られる信号レベルは小さい。従つて、
読取ヘツドから得られた画情報をそのまま上記第
２図の装置に印加すると、アナログゲートG₁，
G₂を通過した信号のＳ／Ｎ比が悪く、またFET
のON抵抗等のバラツキにより画信号のbitバラツ
キが生じるため、正確な画情報が得られなくなる
恐れがある。

そこで第３図に示すように、第２図のアナログ
ゲートG₁，G₂の前にもう一度増幅器A₁，A₂を設
けて、アナログゲートG₁，G₂を通す前の信号の
Ｓ／Ｎ比を改善することも考えられる。

従つて、第３図の如き線密度切替装置を用いた
場合には、第２図の装置に比べて、信号のＳ／Ｎ
比は改善されるが、今度はA₁，A₂で出力される
夫々の信号レベルを揃えなければならない問題が
生じる。このため増幅器A₁，A₂の出力レベルの
調整がめんどうとなる。更に第３図の装置の場合
には、増幅器を余分に使用しなければならないの
で装置の構成が高価なものになる。

以上の通り、自己走査型受光素子の配列された
読取ヘツドを用いて走査線密度の切替えを行う場
合、第１図に示したような特殊構造の読取ヘツド
を用いれば、第２図或は第３図に示した装置を使
つて、走査線密度切替えを行うことも可能となる
が、この場合、走査線密度の切替えは線密度が１
か1/2の切替えしかできず、しかも構成される装
置自体が前記した種々の問題点を包含する欠点が
ある。

本発明は、以上の点を考慮してなされたもので
あつて、副走査方向に自己走査型受光素子の配列
された読取ヘツドを用いて、回路構成が簡単にし
て、しかも何種類かの走査線密度の切替選択を自
由に行うことのできる画情報読取装置の線密度切
替方式を提供することを目的とする。

このため、本発明は、少なくとも、副走査方向
に配列された自己走査型受光素子から成る読取ヘ
ツドと、該読取ヘツドを主走査方向に往復させる
手段と、この読取ヘツドから順次直列的に画信号
出力を抽出するために上記読取ヘツドに印加する
読取パルスを発生する読取ヘツド駆動回路と、抽
出された画信号出力を２値化してビデオ信号を発
生させるビデオ信号発生手段とを備えた画情報読
取装置において、上記読取パルスに同期し、且つ
その読取パルス周波数の逓減周波数のサンプリン
グパルスで、上記ビデオ信号から所定の画信号を
抽出することにより、逓減された走査線密度の画
信号が得られるようにしたことを特徴とするもの
である。

以下、本発明の一実施例を第４図乃至第８図を
用いて説明する。

読取ヘツド５は、副走査方向の所定長さ、例え
ば８mmに複数個、例えば、64bit相当分の受光素
子が一列に配列されており、その受光素子アレイ
に画情報読み取り用のクロツクパルスが印加され
ると、そのクロツクパルスに応じて、副走査方向
に64ライン分相当即ち、64bitの画情報を直列的
に発生する。画情報の読み取りを行うには、この
読取ヘツド５を主走査方向に機械的に駆動する一
方、副走査方向には原稿紙６を一回の主走査が終
る毎に所定量づつ移動させる。このようにして原
稿の読み取りを行う読取装置において、副走査方
向の走査線密度を切替える方式、例えば、走査線
密度を１から1/2に切替える方式について説明す
る。

走査線密度を1/2にして、画情報の読み取り走
査を行う場合は、受光素子64bit分の抽出された
画信号出力のうちから奇数番目或は偶数番目の画
情報のみ32bit分を抽出して、得られた画信号を
後の送信処理のためバツフアメモリへ記憶させ
る。

この時、読取装置の光学係を第６図のように倍
率１に構成しておけば、原稿紙６の副走査方向８
mm分が受光素子64bit分に相当する。それ故、受
光素子1bit分は原稿紙0.125mm分に対応する。
尚、ここでｌは読み取り用の光源、Ｌはレンズで
ある。

読取ヘツド５は、原稿紙の主走査方向の所定の
位置毎に発生するエレメントクロツクＥに応じ
て、副走査方向1bit置きに32bit分の画情報を次々
と読み取る結果、１回の主走査で、副走査方向32
ライン分の画情報の読み取りを行う。即ち、４ラ
イン／mmの走査線密度の読み取りが行われる。

２回目の主走査を行うため、読取ヘツド５をス
タート位置に戻す際、第４図のように原稿紙６を
実線矢印方向に８mm移動する。読取ヘツド５は点
線矢印の軌跡を描いて点線スタート位置に戻る。

次に、走査線密度を１にした場合、即ち、８ラ
イン／mmの走査線密度にした場合は、64bit分の
受光素子から連続して画情報を取り出す。この
時、後の送信処理のため、読取ヘツドから得られ
た画信号を一時記憶しておくバツフアメモリの記
憶容量が先の1/2線密度の場合に合せて、32ライ
ン分しか用意されていない場合は、読取ヘツドか
ら得られる画情報を1bitから32bit分で打ち切り、
次々と主走査方向に読取ヘツドを移動させる。

この場合には、第５図に示すように、一回の主
走査が終つた時点で、原稿紙６を実線矢印方向に
４mmだけ送る。読取ヘツドは点線矢印の軌跡を描
いて、読取開始位置まで戻る。

このようにして、副走査線密度を８ライン／mm
及び４ライン／mmに切替えて、画情報の読み取り
を行うための走査線密度切替方式を第７図及び第
８図を参照して説明する。

第７図は、本発明に適用される副走査線密度切
替装置の一実施例に係るブロツク図である。

１１はクロツクパルス発生装置で、基準周波数
のクロツクパルスハ及び逓減周波数、例えば1/
２のクロツクパルスニを発生する。１２は受光
素子アレイから成る読取ヘツド１３を駆動するた
めの駆動回路で、端子Ｃから入力されるエレメン
トクロツクＥに応じて、自己走査型受光素子の配
列された読取ヘツド１３に画情報の読み取りを開
始するための信号O₁及び読み取り用のクロツク
ハを印加する。このエレメントクロツクは、先に
第４図で説明した通り、読取ヘツドが主走査方向
の所定位置に達す毎に、読取装置に設けられたス
ケール等から得られる画情報読み取りのためのク
ロツクパルスＥである。受光素子アレイ１３から
読み取り用クロツクに応じて、発生する副走査方
向64bit分の画情報は増幅器１４及び２値化回路
１５を経て、ビデオ信号イとしてビデオ信号抽出
回路１６へ入力される。端子ａ或はｂを指定する
ことによつて、ビデオ信号抽出回路１６ではアン
ドゲートAND₁、オアゲートORを介して入力さ
れる基準周波数のクロツクパルスハ或はアンド
ゲートAND₂、オアゲートORを介して入力され
る逓減周波数1/2のクロツクパルスニのサンプ
リングパルスに応じて、ビデオ信号イからビデオ
信号ホ或はホ′が抽出される。１７は有効ビツト
信号発生回路で、ビデオ信号抽出回路１６で得ら
れる有効bit数を監視するための回路である。

以上の如く構成された副走査線密度切替装置の
動作を第８図のタイムチャートを用いて説明す
る。

最初に端子ｂを指定して、副走査線密度４ライ
ン／mmを選択した場合について説明する。

クロツクパルス発生装置１１からは、第８図ハ
及びニに示す如き基準周波数及び逓減周波数1/
２のクロツクパルスを常時発生している。自己
走査型受光素子の配列された読取ヘツド駆動回路
１２では、端子ＣからエレメントクロツクＥが入
力されるまでブランキング信号ロ、（即ち、読取
ヘツド１３が主走査方向所定位置に於ける副走査
方向64bit分の読み取りを終了して、次の主走査
方向所定位置で読み取りを開始するまでの空き時
間に対応する信号）を発生している。読取ヘツド
駆動回路１２は、そこにエレメントクロツクＥが
入力されると、基準周波数クロツクハの立下り
に同期して、読み取り開始信号O₁を読取ヘツド
１３に印加する。これと同時に読取ヘツド駆動回
路１２はブランキング信号ロの発生を停止する。
同時に、入力するクロツクハの立下りに同期し
て、読取ヘツド１３の各受光素子から画情報に応
じた信号が取り出される。これを増幅器１４で増
幅した後、２値化回路で２値化して取り出した信
号が、第８図の１〜64bitの信号で表わしたビデ
オ信号イの波形である。

このビデオ信号イは、ビデオ信号抽出回路１６
に印加される。一方、端子ｂが指定されているこ
とにより、アンドゲートAND₂、アオゲートOR
を介して1/2クロツクニのサンプリングパルス
が画信号抽出回路１６に印加される。この結果、
ビデオ信号抽出回路１６は、クロツクニの立上り
に同期してビデオ信号イから、最終的出力として
ビデオ信号ホを抽出する。

この時、有効ビツト信号発生回路１７には、端
子ｂから４ライン／mm指定信号、基準周波クロ
ツクハ及び読取ヘツド駆動回路１２からブランキ
ング信号ロが印加されている。有効ビツト信号発
生回路１７は、ブランキング信号ロが印加されて
いる間、カウントを停止し、出力信号ヘを発生し
ているが、読み取り開始信号O₁の発生と同時に
ブランキング信号ロは停止するので、クロツク
ハの立上りに同期して、その出力ヘを停止する。
同時に、端子ｂからの信号に基づいて、基準周波
数クロツクを64bit分計数する。そして64bit分計
数したとき再び出力信号へを発生する。

有効ビツト信号発生回路１７が出力を停止して
いる間、ビデオ信号抽出回路１６から出力される
ビデオ信号ホの32bit分を有効ビツト信号とし
て、後の送信の信号処理のため、図示されていな
いバツフアメモリへ一時記憶する。

このようにして、端子ｂを指定した場合には、
最終出力として64bit分のビデオ信号イから一個
置きに選択した32bit分のビデオ信号ホを取り出
すことができる。

次に、端子ａを指定して、副走査密度８ライ
ン／mmを選択した場合について説明する。

この場合にはアンドゲートAND₁、オアゲート
ORを介して、基準周波数クロツクハのサンプ
リングパルスを画信号抽出回路１６に印加する。
このため、先の端子ｂを指定した場合と同様にし
て、発生するビデオ信号イは、クロツクで抽出
される結果、最終出力としてビデオ信号ホ′を抽
出する。

一方、有効ビツト信号発生回路１７は、読み取
り開始信号O₁と同時にブランキング信号が発生
を停止することにより、出力ヘ′を停止する。同
時に端子ａからの信号に基づいてクロツクを
32bit分計数する。32bit分計数後、再び出力ヘ′を
発生する。その結果、有効ビツト信号発生回路１
７の出力は第８図ヘ′のようになり、画信号抽出
回路１６からの出力を32bit分だけバツフアメモ
リへ一時記憶する。

このようにして、端子ａを指定した場合には、
最終出力として、64bit分の受光素子から連続し
て、32bit分のビデオ信号ホ′を取り出すことがで
きる。

読取ヘツド１３が64bit分の画情報の読み取り
を終ると、読み取り完了信号O₂が、読取ヘツド
駆動回路１２に与えられて、再びブランキング信
号ロを発生する。

以上の動作を繰り返すことにより、順次、主走
査線方向の所定の位置で発生するエレメントクロ
ツクＥに応じて、所定の位置毎の画情報の読み取
りを行うことにより、端子ａを指定した場合には
副走査方向に線密度８ライン／mmの読み取りを、
また、端子ｂを指定した場合には、副走査密度４
ライン／mmの読み取りを行うことができる。

以上は、副走査方向の線密度の切替えについて
のみ説明したが、主走査方向の線密度の切替え
は、読み取り開始信号O₁の発生時期を変えるだ
けで簡単に行うことができる。

例えば、読取ヘツド駆動回路に入力するエレメ
ントクロツクＥは最大線密度（本願実施例の場合
は８ライン／mm）に対応するクロツクであるか
ら、線密度を小さくする場合には、エレメントク
ロツクを分周（４ライン／mmに対応させるには1/
２周波数に落したクロツクに）すればよい。

尚、上記実施例の説明では、読取ヘツド上に配
列される受光素子数を64bit分として説明した
が、これは一例に過ぎず、読取ヘツド上に配列す
る受光素子の数は任意に設計し得る。

また、その受光素子の配列は主走査方向とは必
ずしも直角に配列する必要はなく、全ての素子が
主走査方向の同一位置で画情報の読み取りを行う
ためには、読み取りクロツクの周期に応じて多少
傾斜させて副走査方向に配列する必要がある。

更にまた、前記実施例では、線密度を８ライ
ン／mmと４ライン／mmの場合について説明した
が、クロツクパルス発生装置から基準クロツク周
波数を逓減する等して、任意の周波数クロツクを
多数発生させ、それをアンドゲート等によつて選
択してサンプリングパルスとして画信号抽出回路
に印加すれば、任意の線密度を有する画信号を得
ることができる。

尚、上述の実施例においては副走査方向に受光
素子を配列した読取ヘツドを用いて、原稿を静止
させた状態で、画情報を読取るようにしている
が、原稿を間欠或は連続的に移動させながら画情
報を読み取るようにしてもよい。

以上本発明によれば、少なくとも副走査方向に
配列された自己走査型受光素子から成る読取ヘツ
ドと、読取ヘツドから順次直列的に画信号出力を
抽出するために上記読取ヘツドに印加する読取パ
ルスを発生する読取ヘツド駆動回路と、抽出され
た画信号出力を２値化してビデオ信号を発生させ
るビデオ信号発生手段とを備えた画情報読取装置
において、上記読取パルスに同期し、且つその読
取パルス周波数の逓減周波数のサンプリングパル
スで、上記ビデオ信号から所定の線密度を有する
ビデオ信号を抽出するようにしたので、格別特殊
構成の読取ヘツドを使用しなくとも、自己走査型
受光素子をほぼ副走査方向に配置した読取ヘツド
を用いて、回路構成が簡単にして、しかも何種類
かの密度の切替選択を自由に行うことができる等
の秀れた作用効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、読取ヘツドの構成図、第２図及び第
３図は、第１図の読取ヘツドを使用した場合の走
査線密度切替装置の構成図、第４図及び第５図は
本発明の読取装置の線密度切替方式を説明するた
め、読取ヘツドと原稿紙との相対位置関係を示し
た配置図、第６図は読取ヘツドの光学系を示す構
成図、第７図は本発明の一実施例に係る走査線密
度切替装置の構成図、第８図は第７図の動作を説
明するためのタイムチャートである。１１……クロツクパルス発生装置、１２……読
取ヘツド駆動回路、１３……読取ヘツド、１５…
…２値化回路、１６……画信号抽出回路、１７…
…有効ビツト信号発生装置。

Claims

【特許請求の範囲】

１少なくとも、副走査方向に配列された複数個
の自己走査型受光素子から成る読取ヘツドと、該
読取ヘツドを主走査方向に往復させる手段と、上
記読取ヘツドから順次直列的に画信号出力を抽出
するために上記読取ヘツドに印加する読取パルス
を発生する読取ヘツド駆動回路と、抽出された画
信号を２値化してビデオ信号を発生させるビデオ
信号発生手段とを備えた画情報読取装置におい
て、上記読取パルスに同期し、且つ上記読取パル
スの周波数を所望の線密度に応じて所定の周波数
に逓減したサンプリングパルスを発生するサンプ
リングパルス発生手段と、上記ビデオ信号発生手
段からの２値化したビデオ信号を上記サンプリン
グパルスによつてサンプリングするビデオ信号抽
出手段とを設け、所望の線密度を有するビデオ信
号を抽出することを特徴とする画情報読取装置の
線密度切替方式。