JPS61172378A - 圧力センサ - Google Patents
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- JPS61172378A JPS61172378A JP60013773A JP1377385A JPS61172378A JP S61172378 A JPS61172378 A JP S61172378A JP 60013773 A JP60013773 A JP 60013773A JP 1377385 A JP1377385 A JP 1377385A JP S61172378 A JPS61172378 A JP S61172378A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 23
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241001648319 Toronia toru Species 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
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-
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- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は圧力センサに関し、特に感度ばらつきのない圧
力センサに関するものである。
力センサに関するものである。
従来、圧力センサの分野では圧力感度に関して製品間の
ばらつきを低減することが大きな課題でめった。当該圧
力感度のばらつきの原因として、（１）ダイアフラムの
膜厚の違い、（２）不純物濃度のばらつき等による各感
圧素子の感度の違い、（３）ダイアフラム上の感圧素子
の位置ずれ等の要因があげられる。近年、電気化学工、
チング等によりダイア７ラムの膜厚制御が可能となシ、
これが上記（１）の要因による圧力感度ばらつきの低減
化に利用されている。また、半導体製造装置の進歩によ
）上記（２）の不純物濃度のばらつきを少なくすること
も可能となった。
ばらつきを低減することが大きな課題でめった。当該圧
力感度のばらつきの原因として、（１）ダイアフラムの
膜厚の違い、（２）不純物濃度のばらつき等による各感
圧素子の感度の違い、（３）ダイアフラム上の感圧素子
の位置ずれ等の要因があげられる。近年、電気化学工、
チング等によりダイア７ラムの膜厚制御が可能となシ、
これが上記（１）の要因による圧力感度ばらつきの低減
化に利用されている。また、半導体製造装置の進歩によ
）上記（２）の不純物濃度のばらつきを少なくすること
も可能となった。
一方、通常、感圧素子の位置決めは、顕微鏡を用いて、
技術者が予め刻まれた目印に従りて目合せを行なりてい
た。従りて、多少の位置ずれはこれを避けることができ
ない。以下、従来例を図をあげて説明し、同時にその欠
点について述べる。
技術者が予め刻まれた目印に従りて目合せを行なりてい
た。従りて、多少の位置ずれはこれを避けることができ
ない。以下、従来例を図をあげて説明し、同時にその欠
点について述べる。
第１３図は従来の圧力変換器の構成例でおシ、又、第１
４図は従来のダイアフラムを上から見た図である。第１
３図において、拡散型ひずみゲージ抵抗１の置かれる厚
さ均一のダイア７ラムエ３と台座１４とにより構成され
るダイア７ラム型圧力セ／す３は、該圧力セン？３の線
膨張係数に極めて近い線膨張係数を有する。ｆ７２ス４
（例えばコーニング社製７７４０パイレ、クスガラス）
に静電デンディングによって接着されている。
４図は従来のダイアフラムを上から見た図である。第１
３図において、拡散型ひずみゲージ抵抗１の置かれる厚
さ均一のダイア７ラムエ３と台座１４とにより構成され
るダイア７ラム型圧力セ／す３は、該圧力セン？３の線
膨張係数に極めて近い線膨張係数を有する。ｆ７２ス４
（例えばコーニング社製７７４０パイレ、クスガラス）
に静電デンディングによって接着されている。
さらにガラス４はノｆツケージ６に金、シリコンあるい
は金、スズの共晶合金５によって接着されている。また
、パッケージ６は、キャップ９によって封止されている
。以下に前記圧力変換器の動作原理を記す。圧力の測定
される気体１０が導通管８を通して供給され、一方キャ
ップ９につけられた導通管１２を通して参照となる気体
１１が供給される。１２は大気中に開放される場合もあ
る。圧力センサ３のダイアフラム１３には、上面と下面
の気体の圧力の差によりひずみが生じ、ダイアフラム１
３上につくられ、ゲージ抵抗により構成されたホイート
ストンブリッジ回路において、当該ブリッジ回路の出力
電圧変化が検出される。当該ブリッジ回路の励起電圧及
び出力電圧は、金属細線２を介してリード７より入出力
される。
は金、スズの共晶合金５によって接着されている。また
、パッケージ６は、キャップ９によって封止されている
。以下に前記圧力変換器の動作原理を記す。圧力の測定
される気体１０が導通管８を通して供給され、一方キャ
ップ９につけられた導通管１２を通して参照となる気体
１１が供給される。１２は大気中に開放される場合もあ
る。圧力センサ３のダイアフラム１３には、上面と下面
の気体の圧力の差によりひずみが生じ、ダイアフラム１
３上につくられ、ゲージ抵抗により構成されたホイート
ストンブリッジ回路において、当該ブリッジ回路の出力
電圧変化が検出される。当該ブリッジ回路の励起電圧及
び出力電圧は、金属細線２を介してリード７より入出力
される。
第１４図のダイアフラム１３は通常シリコンの（Ｚｏｏ
）面を利用しておシ、当該ダイアフラムの周辺（１１０
）方向に向けられている。かかる場合には、ゲージ抵抗
１は感度は大きくとる目的で、ダイアフラム１３０周辺
近くに位置決めされる。第１５図は、圧力が印加された
際にダイアフラム中心線上（第１４図Ａ−Ａ′）に生じ
た同方向−軸応力の分布を示したものである。図中、３
０はゲージ抵抗１の置かれる位置を示している。
）面を利用しておシ、当該ダイアフラムの周辺（１１０
）方向に向けられている。かかる場合には、ゲージ抵抗
１は感度は大きくとる目的で、ダイアフラム１３０周辺
近くに位置決めされる。第１５図は、圧力が印加された
際にダイアフラム中心線上（第１４図Ａ−Ａ′）に生じ
た同方向−軸応力の分布を示したものである。図中、３
０はゲージ抵抗１の置かれる位置を示している。
ところが、同図に明らかなように、従来、ゲージ抵抗１
の置かれる位置は応力の急激に変化する所でもあるため
、上記構造を持つ圧力センサでは、先に述べたように、
ｒ−ジ抵抗の位置決めの際に不可避的に生ずるわずかの
ずれに対しても、感度の大きな変動が起こシ、結局、圧
力センサの感度ばらつきを避けることができないという
欠点がありたＯ 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去し、感度ば
らつきのない圧力センサを提供することにある。
の置かれる位置は応力の急激に変化する所でもあるため
、上記構造を持つ圧力センサでは、先に述べたように、
ｒ−ジ抵抗の位置決めの際に不可避的に生ずるわずかの
ずれに対しても、感度の大きな変動が起こシ、結局、圧
力センサの感度ばらつきを避けることができないという
欠点がありたＯ 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去し、感度ば
らつきのない圧力センサを提供することにある。
本発明はツリ、ジを構成し、印加された圧力に応答する
感圧素子と、該感圧素子の置かれるダイアクラムと、該
ダイアフラムの周囲を固定する台座とより構成される圧
力センサにおいて、前記ダイアフラムの周辺部の少くと
も一部を中央部より厚くシ、当該周辺部に前記感圧素子
の一部のみを配置したことを特徴とする圧力センサであ
る。
感圧素子と、該感圧素子の置かれるダイアクラムと、該
ダイアフラムの周囲を固定する台座とより構成される圧
力センサにおいて、前記ダイアフラムの周辺部の少くと
も一部を中央部より厚くシ、当該周辺部に前記感圧素子
の一部のみを配置したことを特徴とする圧力センサであ
る。
本発明の圧力センサは感圧素子の置かれるダイアフラム
が従来のように均一の厚さでなく、周辺部の少くとも一
部が中央部より厚く構成されておシ、この中央部より厚
い周辺部の位置に感圧素子の一部が置かれる構成をとっ
ている。また、残シの感圧素子はダイアプラムの中央部
あるいは残りの薄い周辺部の最適位置に配置され、ダイ
アフラムを不必要に厚くして感度が悪くならないように
構成されている。このダイアフラムの中心線上に生じた
応力を同方向−軸応力について示すと例えば第３図の関
係が得られ、当該ダイアフラムの厚肉周辺部の感圧素子
の置かれる位置での応力の変化が著しく小さいことが明
らかになりた。従りて本発明では感圧素子を置くダイア
フラム・を中央部よル周辺部の一部を厚くシ、応力変化
のすくない位置゛に感圧素子の一部を設置したので感圧
素子の設置位置のわずかの変化に対し圧力センサの感度
ばらつきを大幅に低減することができた。
が従来のように均一の厚さでなく、周辺部の少くとも一
部が中央部より厚く構成されておシ、この中央部より厚
い周辺部の位置に感圧素子の一部が置かれる構成をとっ
ている。また、残シの感圧素子はダイアプラムの中央部
あるいは残りの薄い周辺部の最適位置に配置され、ダイ
アフラムを不必要に厚くして感度が悪くならないように
構成されている。このダイアフラムの中心線上に生じた
応力を同方向−軸応力について示すと例えば第３図の関
係が得られ、当該ダイアフラムの厚肉周辺部の感圧素子
の置かれる位置での応力の変化が著しく小さいことが明
らかになりた。従りて本発明では感圧素子を置くダイア
フラム・を中央部よル周辺部の一部を厚くシ、応力変化
のすくない位置゛に感圧素子の一部を設置したので感圧
素子の設置位置のわずかの変化に対し圧力センサの感度
ばらつきを大幅に低減することができた。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図および第２図は、本発明の一実施例を示す図で、
第１図は断面図、第２図は第１図のダイアフラムを上か
ら見た図である。図において、従来例として示した第１
３図および第１４図と同一番号は同一構成要素を示して
いる。第１図と従来例の第１３図とはダイアフラムの構
造と感圧素子の配置の違いを除いて同一構成でらシ、以
下当該ダイアクラムと感圧素子の配置について説明を行
ない、他の要素についてはこれを省く。
第１図は断面図、第２図は第１図のダイアフラムを上か
ら見た図である。図において、従来例として示した第１
３図および第１４図と同一番号は同一構成要素を示して
いる。第１図と従来例の第１３図とはダイアフラムの構
造と感圧素子の配置の違いを除いて同一構成でらシ、以
下当該ダイアクラムと感圧素子の配置について説明を行
ない、他の要素についてはこれを省く。
当該ダイアフラム４０ａでは、一対の相対する周辺部４
１が中央部４２よりも厚く、−組のｒ−ジ抵抗１はこの
周辺部４１に置かれている。また、他の−組のゲージ抵
抗１００は中央部４２の位置に置かれている。ダイアフ
ラム４０凰を作製するには、例えば第一段のマスクを台
座１４の下面に用いてこれを保護した後、エツチングに
より厚肉の周辺部４１を作シ、続いて、第二段のマスク
を台座１４および周辺部４１の下面に用いて中央部４２
等を作製するという方法を用いると良い。なお、当該エ
ツチングを行なう際には、ダイアフラム４０＆の上面を
常に保護してエツチングを受けないようにしなければな
らない。また、エツチングの技術として、化学エツチン
グ、放電加工等を用いることができる。
１が中央部４２よりも厚く、−組のｒ−ジ抵抗１はこの
周辺部４１に置かれている。また、他の−組のゲージ抵
抗１００は中央部４２の位置に置かれている。ダイアフ
ラム４０凰を作製するには、例えば第一段のマスクを台
座１４の下面に用いてこれを保護した後、エツチングに
より厚肉の周辺部４１を作シ、続いて、第二段のマスク
を台座１４および周辺部４１の下面に用いて中央部４２
等を作製するという方法を用いると良い。なお、当該エ
ツチングを行なう際には、ダイアフラム４０＆の上面を
常に保護してエツチングを受けないようにしなければな
らない。また、エツチングの技術として、化学エツチン
グ、放電加工等を用いることができる。
第３図は、圧力が印加された際にダイアフラム４０＆の
中心線上（第２図Ｂ−Ｂ’）に生じた応力を同一方向一
軸応力について示したものである。図中６０は、感圧素
子例えばゲージ抵抗１の置かれる位置を示している。同
図は、従来例の第１５図と異なシ、当該感圧素子の置か
れる位置で応力の変化が著しく小さい。また、図中１１
０は、他の感圧素子例えばｒ−ジ抵抗１００の置かれる
位置を示しておシ、やはシ、ここでも当該感圧素子の置
かれる位置で応力の変化は小さい。従って、本実施例の
構造をもつ圧力センサでは、感圧素子の位置ずれにより
生ずる感度ばらつきを低減することが可能である。
中心線上（第２図Ｂ−Ｂ’）に生じた応力を同一方向一
軸応力について示したものである。図中６０は、感圧素
子例えばゲージ抵抗１の置かれる位置を示している。同
図は、従来例の第１５図と異なシ、当該感圧素子の置か
れる位置で応力の変化が著しく小さい。また、図中１１
０は、他の感圧素子例えばｒ−ジ抵抗１００の置かれる
位置を示しておシ、やはシ、ここでも当該感圧素子の置
かれる位置で応力の変化は小さい。従って、本実施例の
構造をもつ圧力センサでは、感圧素子の位置ずれにより
生ずる感度ばらつきを低減することが可能である。
第４図乃至第７図は本発明の他の実施例である。
図において、第１図と同一番号は同一構成要素を示して
いる。これらの実施例において、ダイアフラムの一対の
相対する周辺部４１の形状が、第４図ではダイアフラム
４０ｂが周辺に厚いチーΔに、第５図では！イアフラム
４０ｅが内側に厚いチーΔ形状になりている。また、第
６図では、Ｉイアフラム４０ｄが周辺部４１が二段のス
テップにより形成されている。第７図では、中央部４２
より漸次周辺に厚いテーパによりダイアフラム４０・が
形成されている。上記の実施例の他に、周辺部４１が、
二段以上のステｙ ７’ ＴｏるいはチーΔからなる構
成を持っても良い。また、上記ステ、ｆとチーΔおよび
第７図等を任意に組み合せた構成も本発明に含まれる。
いる。これらの実施例において、ダイアフラムの一対の
相対する周辺部４１の形状が、第４図ではダイアフラム
４０ｂが周辺に厚いチーΔに、第５図では！イアフラム
４０ｅが内側に厚いチーΔ形状になりている。また、第
６図では、Ｉイアフラム４０ｄが周辺部４１が二段のス
テップにより形成されている。第７図では、中央部４２
より漸次周辺に厚いテーパによりダイアフラム４０・が
形成されている。上記の実施例の他に、周辺部４１が、
二段以上のステｙ ７’ ＴｏるいはチーΔからなる構
成を持っても良い。また、上記ステ、ｆとチーΔおよび
第７図等を任意に組み合せた構成も本発明に含まれる。
第８図は本発明のその他の一実施例を示す図である。図
において、第１図と同一番号は同一構成要素を示してい
る。本実施例は、第２図の実施例の周辺部４１にくびれ
８０が形成された点において前記実施例と異なる構成を
もつが、第４図乃至第７図に示す実施例と同様の効果が
得られる。
において、第１図と同一番号は同一構成要素を示してい
る。本実施例は、第２図の実施例の周辺部４１にくびれ
８０が形成された点において前記実施例と異なる構成を
もつが、第４図乃至第７図に示す実施例と同様の効果が
得られる。
第９図および第１０図は本発明の他の実施例であシ、先
の第１図、第２図の実施例とは感圧素子の配置のみが異
なる。図において、第２図と同一番号は同一構成要素を
示している。第９図は、ゲージ抵抗２００の位置が前記
第２図のゲージ抵抗１００の位置と異なっており、ｃ−
ジ抵抗２００に働く応力の大きさがゲージ抵抗１００に
働く応力に比べて大きいため、圧力センサの感度が大き
くなるという利点がある。なお、ダイアフラムの境界に
垂直な向きをもつゲージ抵抗２００に働く応力は、抵抗
の長さについて平均化されるために、抵抗の位置ずれが
小さい場合には、この向きをもつ抵抗による感度ばらつ
きは小さい。従りて、本実施例は感度ばらつきが小さな
圧力センサを提供する。第１０図の実施例は、先の第２
図の実施例とゲージ抵抗の向きが異なる。この場合、ゲ
ージ抵抗３００ 、４００には抵抗の長手方向に働く応
力が主になる。かかる場合には、ゲージ抵抗の応力−抵
抗値変化の直線性が第２図の実施例に比べて改善される
という特長がある。
の第１図、第２図の実施例とは感圧素子の配置のみが異
なる。図において、第２図と同一番号は同一構成要素を
示している。第９図は、ゲージ抵抗２００の位置が前記
第２図のゲージ抵抗１００の位置と異なっており、ｃ−
ジ抵抗２００に働く応力の大きさがゲージ抵抗１００に
働く応力に比べて大きいため、圧力センサの感度が大き
くなるという利点がある。なお、ダイアフラムの境界に
垂直な向きをもつゲージ抵抗２００に働く応力は、抵抗
の長さについて平均化されるために、抵抗の位置ずれが
小さい場合には、この向きをもつ抵抗による感度ばらつ
きは小さい。従りて、本実施例は感度ばらつきが小さな
圧力センサを提供する。第１０図の実施例は、先の第２
図の実施例とゲージ抵抗の向きが異なる。この場合、ゲ
ージ抵抗３００ 、４００には抵抗の長手方向に働く応
力が主になる。かかる場合には、ゲージ抵抗の応力−抵
抗値変化の直線性が第２図の実施例に比べて改善される
という特長がある。
第１１図および第１２図も本発明の他の実施例である。
とこでは、ダイアフラム４０ｇが中央部４２より厚い一
辺の周辺部４１より構成されておシ、この厚肉周辺部４
１に一組のゲージ抵抗５００がくしの歯状に置かれてい
るととに特長がある。第１１図では、くしの歯状のゲー
ジ抵抗６００を中央部４２に、第１２図では、ｒ−ジ抵
抗６００を薄い周辺部に配置したことに特徴がある。こ
れら第１１図および第１２図の実施例は、第２図の実施
例に比べて、ダイアフラムの平均的な厚さが薄いため、
圧力センサの感度を大きくとることが可能であるという
長所がある・ 以上、本発明について例を挙げ詳細な説明を行なった。
辺の周辺部４１より構成されておシ、この厚肉周辺部４
１に一組のゲージ抵抗５００がくしの歯状に置かれてい
るととに特長がある。第１１図では、くしの歯状のゲー
ジ抵抗６００を中央部４２に、第１２図では、ｒ−ジ抵
抗６００を薄い周辺部に配置したことに特徴がある。こ
れら第１１図および第１２図の実施例は、第２図の実施
例に比べて、ダイアフラムの平均的な厚さが薄いため、
圧力センサの感度を大きくとることが可能であるという
長所がある・ 以上、本発明について例を挙げ詳細な説明を行なった。
な鼾、本発明の構成は、前記実施例第１図のダイアフラ
ム４０ｍ （周辺部４１と中央部４２を含む）を除く他
の構成要素について何ら制限されず、通常用いられる全
ての構成が本発明に含まれる。
ム４０ｍ （周辺部４１と中央部４２を含む）を除く他
の構成要素について何ら制限されず、通常用いられる全
ての構成が本発明に含まれる。
また、前記ダイアフラムを金属で構成し、該金属の表面
の一方、あるいは両側にストレンｒ−ジを貼夛つけたシ
、金属あるいは半導体からなるストレンｒ−ジを蒸着し
たシすること等によりて、該ダイアフラムに印加された
圧力を検出する構成、シリコン等半導体よりなる前記ダ
イアプラムの表面をシリコン等の酸化膜、窒化膜等で保
護した構成、及び、該表面上に周辺回路を形成した構成
も本発明に含まれる。
の一方、あるいは両側にストレンｒ−ジを貼夛つけたシ
、金属あるいは半導体からなるストレンｒ−ジを蒸着し
たシすること等によりて、該ダイアフラムに印加された
圧力を検出する構成、シリコン等半導体よりなる前記ダ
イアプラムの表面をシリコン等の酸化膜、窒化膜等で保
護した構成、及び、該表面上に周辺回路を形成した構成
も本発明に含まれる。
なお、上記実施例において周辺部の領域および厚さを大
きくする程、ｒ−ジ抵抗に働く応力の分布は緩やかにな
シ、従って、感度ばらつきが減少する。しかし、この場
合には、同時に応力の絶対値が減少することにより、感
度が小さくなる。従りて、圧力センサを設計する際には
、以上の効果を考慮して、感度および感度ばらつきを最
適にするようにダイアプラムの周辺部の寸法を決めなけ
ればならない。
きくする程、ｒ−ジ抵抗に働く応力の分布は緩やかにな
シ、従って、感度ばらつきが減少する。しかし、この場
合には、同時に応力の絶対値が減少することにより、感
度が小さくなる。従りて、圧力センサを設計する際には
、以上の効果を考慮して、感度および感度ばらつきを最
適にするようにダイアプラムの周辺部の寸法を決めなけ
ればならない。
以上説明したとおシ、本発明によれば、感度のばらつき
がない圧力センサを供給することが可能となシ、その結
果圧力センサの品質の向上および製造コストを低減する
ことのできる効果は大きいものである。
がない圧力センサを供給することが可能となシ、その結
果圧力センサの品質の向上および製造コストを低減する
ことのできる効果は大きいものである。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
ダイアプラムを上から見た図、第３図は第２図のＢ−Ｗ
に沿って生ずる応力の分布図、第４図〜第８図はそれぞ
れ本発明の他の実施例のダイアフラムの断面図、第９図
〜第１２図はそれぞれ本発明の他の実施例のダイアフラ
ムの平面図、第１３図は従来の圧力センサの断面図、第
１４図は第１３図のダイアプラムを上から見た図、第１
５図は第１４図のＡ−Ｘに沿って生ずる応力の分布図で
ある。 １ 、１００ 、２００ 、３００ 、４００ 、５０
０ 、６００・・・グーｙ抵抗、２・・・金属細線、３
・・・圧力センサ、４・・・ガラス、５・・・金、スズ
等の共晶合金、６・・・パッケージ、７・・・リード、
８ 、１２・・・導通管、９・・・キャップ、１０ 、
１１・・・気体、１３・・・ダイアフラム、１４・・・
台座、３０ 、６０ 、１１０・・・グーゾ抵抗の置か
れる位置、４０ 、４０ａ 、 ４０ｂ 、 ４０ｃ
、 ４０ｄ 、 ４０ｓ 、 ４０ｆ 、 ４０ｇ。 ・・・ダイアフラム、４１・・・厚肉の周辺部、４２・
・・中央部、８９・・・くびれ。 ｔ↑ １：チヅ抵抗 ３：圧力乞シサ １４：台座 関α：タイアフラム ４Ｉ：周辺部 ４２：中央部 ＋００：ケージ１氏）光 第２図 １１０：チづ抵折１■のＵかれ６０厘 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第１３図 第９図 第１１図 第１２図 第１４図
ダイアプラムを上から見た図、第３図は第２図のＢ−Ｗ
に沿って生ずる応力の分布図、第４図〜第８図はそれぞ
れ本発明の他の実施例のダイアフラムの断面図、第９図
〜第１２図はそれぞれ本発明の他の実施例のダイアフラ
ムの平面図、第１３図は従来の圧力センサの断面図、第
１４図は第１３図のダイアプラムを上から見た図、第１
５図は第１４図のＡ−Ｘに沿って生ずる応力の分布図で
ある。 １ 、１００ 、２００ 、３００ 、４００ 、５０
０ 、６００・・・グーｙ抵抗、２・・・金属細線、３
・・・圧力センサ、４・・・ガラス、５・・・金、スズ
等の共晶合金、６・・・パッケージ、７・・・リード、
８ 、１２・・・導通管、９・・・キャップ、１０ 、
１１・・・気体、１３・・・ダイアフラム、１４・・・
台座、３０ 、６０ 、１１０・・・グーゾ抵抗の置か
れる位置、４０ 、４０ａ 、 ４０ｂ 、 ４０ｃ
、 ４０ｄ 、 ４０ｓ 、 ４０ｆ 、 ４０ｇ。 ・・・ダイアフラム、４１・・・厚肉の周辺部、４２・
・・中央部、８９・・・くびれ。 ｔ↑ １：チヅ抵抗 ３：圧力乞シサ １４：台座 関α：タイアフラム ４Ｉ：周辺部 ４２：中央部 ＋００：ケージ１氏）光 第２図 １１０：チづ抵折１■のＵかれ６０厘 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第１３図 第９図 第１１図 第１２図 第１４図
Claims (1)
- （１）ブリッジを構成し、印加された圧力に応答する感
圧素子と、該感圧素子の置かれるダイアフラムと、該ダ
イアフラムの周囲を固定する台座とより構成される圧力
センサにおいて、前記ダイアフラムの周辺部の少くとも
一部を中央部より厚くし、当該周辺部に前記感圧素子の
一部のみを配置したことを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60013773A JPH0758795B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60013773A JPH0758795B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172378A true JPS61172378A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0758795B2 JPH0758795B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=11842565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60013773A Expired - Lifetime JPH0758795B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758795B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256278A (ja) * | 1987-04-10 | 1990-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| JPH08293617A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2000340805A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-12-08 | Motorola Inc | 電子部品および製造方法 |
| WO2004114416A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2004-12-29 | Hokuriku Electric Industry Co.,Ltd. | 半導体センサ |
| JP2005037383A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミックダイアフラム及びその製法並びに圧力センサ |
| JP2005241300A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
| JP2009027733A (ja) * | 2008-08-25 | 2009-02-05 | Yamaha Corp | コンデンサマイクロホンの製造方法 |
| US7932117B2 (en) | 2006-07-10 | 2011-04-26 | Yamaha Corporation | Pressure sensor and manufacturing method therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160577A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-05-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaiatsuryokukenshutsuki |
| JPS57188885A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| JPS6142956A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Nec Corp | 圧力センサ |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60013773A patent/JPH0758795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| JPWO2004114416A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2006-08-03 | 北陸電気工業株式会社 | 半導体センサ |
| JP4913408B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2012-04-11 | 北陸電気工業株式会社 | 半導体センサ |
| JP2005037383A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミックダイアフラム及びその製法並びに圧力センサ |
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| JP2009027733A (ja) * | 2008-08-25 | 2009-02-05 | Yamaha Corp | コンデンサマイクロホンの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758795B2 (ja) | 1995-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |