JPS61171245U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61171245U JPS61171245U JP5411285U JP5411285U JPS61171245U JP S61171245 U JPS61171245 U JP S61171245U JP 5411285 U JP5411285 U JP 5411285U JP 5411285 U JP5411285 U JP 5411285U JP S61171245 U JPS61171245 U JP S61171245U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- film
- plasma cvd
- cvd nitride
- nitride film
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- Pending
Links
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- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
第１図ａは本考案の一実施例による半導体素子
のスクライブ部の斜視図、第１図ｂはその断面図
、第２図ａは従来の半導体素子のスクライブ部の
斜視図、第２図ｂはその断面図である。 １……シリコンウエーハ、２……熱酸化膜、３
……ＣＶＤ酸化膜、４……プラズマＣＶＤ窒化膜
、５……スクライブ領域。
のスクライブ部の斜視図、第１図ｂはその断面図
、第２図ａは従来の半導体素子のスクライブ部の
斜視図、第２図ｂはその断面図である。 １……シリコンウエーハ、２……熱酸化膜、３
……ＣＶＤ酸化膜、４……プラズマＣＶＤ窒化膜
、５……スクライブ領域。
Claims (1)
- 表面保護膜として酸化膜と該酸化膜をおおうプ
ラズマＣＶＤ窒化膜とを使用した半導体素子にお
いて、スクライブ領域は前記酸化膜を有せず前記
プラズマＣＶＤ窒化膜で保護されていることを特
徴とする半導体素子表面保護構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5411285U JPS61171245U (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5411285U JPS61171245U (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61171245U true JPS61171245U (ja) | 1986-10-24 |
Family
ID=30575584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5411285U Pending JPS61171245U (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61171245U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164322A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617025A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5793530A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-04-11 JP JP5411285U patent/JPS61171245U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617025A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5793530A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164322A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Nec Corp | 半導体装置 |