JPS61166966A - 同軸バレルマグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
同軸バレルマグネトロンスパツタ装置Info
- Publication number
- JPS61166966A JPS61166966A JP26662785A JP26662785A JPS61166966A JP S61166966 A JPS61166966 A JP S61166966A JP 26662785 A JP26662785 A JP 26662785A JP 26662785 A JP26662785 A JP 26662785A JP S61166966 A JPS61166966 A JP S61166966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- barrel
- magnet
- shutter
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は同軸バレルマグネトロンスパッタ装置に関し
、特に、ターゲット自ｐＪおよびターゲットに関連する
配置態様の改良に関する。
、特に、ターゲット自ｐＪおよびターゲットに関連する
配置態様の改良に関する。
［従来の技術］
第３図は従来の同軸バレルスパッタ装置の一般的な構成
を示す図解図である。このスパッタ装置によるスパッタ
に適した雰囲気を形成するために、チ１？ンバ１が形成
される。チャンバ１には排気ライン２が接続され、拡散
ポンプ（またはクライオポンプ）３およびロータリポン
プ４によって真空排気される。ロータリポンプ４は予備
的な真空排気を行ない、より高度な真空を得るために拡
散ポンプ（またはクライオポンプ）３が用いられる。
を示す図解図である。このスパッタ装置によるスパッタ
に適した雰囲気を形成するために、チ１？ンバ１が形成
される。チャンバ１には排気ライン２が接続され、拡散
ポンプ（またはクライオポンプ）３およびロータリポン
プ４によって真空排気される。ロータリポンプ４は予備
的な真空排気を行ない、より高度な真空を得るために拡
散ポンプ（またはクライオポンプ）３が用いられる。
チャンバ１内のガス圧を一定にするために、ガス導入ラ
イン５が接続される。ガス導入ライン５からは、たとえ
ばアルゴンガスが供給される。
イン５が接続される。ガス導入ライン５からは、たとえ
ばアルゴンガスが供給される。
チャンバ１には、横方向に向く相互に平行な回転軸をも
つ２個のローラ６が設けられる。２個のローラ６上には
、円筒状のバレル７が置かれる。
つ２個のローラ６が設けられる。２個のローラ６上には
、円筒状のバレル７が置かれる。
バレル７は、ローラ６からの回転駆動により矢印８方向
に回転される。このときのバレル７の回転軸線９は、ロ
ーラ６の回転軸と同様、横方向に向いている。バレル７
の回転軸線９上には、ターゲット１０が固定的に配置さ
れる。ターゲット１０は断面長方形の棒状をなすもので
ある。ターゲラ１−１０の一方の広い面は斜め下方に向
いた状態となっている。バレル７と同心的にシャッタ１
１が配置される。シャッタ１１は固定的に設けられるも
のである。このシャッタ１１はターゲット１゜を部分的
にとり囲み、比較的下方からバレル７の回転方向８と同
方向側までの所定の角度範囲で開口とされたものである
。この角度範囲は９０’が典型的である。
に回転される。このときのバレル７の回転軸線９は、ロ
ーラ６の回転軸と同様、横方向に向いている。バレル７
の回転軸線９上には、ターゲット１０が固定的に配置さ
れる。ターゲット１０は断面長方形の棒状をなすもので
ある。ターゲラ１−１０の一方の広い面は斜め下方に向
いた状態となっている。バレル７と同心的にシャッタ１
１が配置される。シャッタ１１は固定的に設けられるも
のである。このシャッタ１１はターゲット１゜を部分的
にとり囲み、比較的下方からバレル７の回転方向８と同
方向側までの所定の角度範囲で開口とされたものである
。この角度範囲は９０’が典型的である。
電源１２、この場合直流電源によって、たとえば、バレ
ル７には陽極が接続され、ターゲット１０には陰極が接
続される。なお、電源１２としては高周波電源を用いる
こともある。また、ターゲット１０は、通常、金属であ
るが、絶縁物を用いることもある。
ル７には陽極が接続され、ターゲット１０には陰極が接
続される。なお、電源１２としては高周波電源を用いる
こともある。また、ターゲット１０は、通常、金属であ
るが、絶縁物を用いることもある。
薄膜を形成すべき基板１３は、複数個積み里なった状態
で、バレル７内に収納される。基板１３は、バレル７が
矢印８方向に回転する間、バレル７内で転がり、各基板
１３について平均的な薄膜形成条件を受ける。
で、バレル７内に収納される。基板１３は、バレル７が
矢印８方向に回転する間、バレル７内で転がり、各基板
１３について平均的な薄膜形成条件を受ける。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、第３図に示す従来のスパッタ装置には、
以下に述べるような欠点があった。回転されるバレル７
内において基板１３が転がって動 、く角度範囲は、約
１２００であることがわかっている。また、薄膜形成速
度を高めるために、第３図に示すスバッ、り装置をマグ
ネトロンスパッタ方式とした場合には、ターゲット１０
に関連して磁石が配置される。これは、電場と磁場の直
交するマグネトロン放電を利用したもので、高速度の薄
膜形成が可能となる。しかしながら、磁石による磁界強
度の偏りは、□飛び出すスパッタ原子の数に影響を与え
、ターゲット１０の消耗に偏りを生じさせる。この場合
、ターゲット１０は不紅済であると言える。また、ター
ゲット１０が消耗したときには、これを交換するという
保守作業が必要である。この保守作業は比較的面倒なも
のである。
以下に述べるような欠点があった。回転されるバレル７
内において基板１３が転がって動 、く角度範囲は、約
１２００であることがわかっている。また、薄膜形成速
度を高めるために、第３図に示すスバッ、り装置をマグ
ネトロンスパッタ方式とした場合には、ターゲット１０
に関連して磁石が配置される。これは、電場と磁場の直
交するマグネトロン放電を利用したもので、高速度の薄
膜形成が可能となる。しかしながら、磁石による磁界強
度の偏りは、□飛び出すスパッタ原子の数に影響を与え
、ターゲット１０の消耗に偏りを生じさせる。この場合
、ターゲット１０は不紅済であると言える。また、ター
ゲット１０が消耗したときには、これを交換するという
保守作業が必要である。この保守作業は比較的面倒なも
のである。
そこで、この発明は、上述した従来の欠点を除去し得る
同軸バレルマグネトロンスパッタ装置を提供することで
ある。
同軸バレルマグネトロンスパッタ装置を提供することで
ある。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、横方向に向く軸線のまわりに回転されるバ
レルと、このバレルの回転軸線上に配置されるターゲッ
トと、固定的に設けられかっバレルと同心的に配置され
、ターゲットを部分的にとり囲み、比較的下方からバレ
ルの回転方向と同方向側までの所定の角度範囲で開口と
されたシャッタとを備え、バレル内に収納された基板の
表面にＭ膜を形成する、同軸バレルマグネトロンスパッ
タ装置であって、上述の技術的課題は、次のように解決
される。
レルと、このバレルの回転軸線上に配置されるターゲッ
トと、固定的に設けられかっバレルと同心的に配置され
、ターゲットを部分的にとり囲み、比較的下方からバレ
ルの回転方向と同方向側までの所定の角度範囲で開口と
されたシャッタとを備え、バレル内に収納された基板の
表面にＭ膜を形成する、同軸バレルマグネトロンスパッ
タ装置であって、上述の技術的課題は、次のように解決
される。
ターゲットは、円筒状とされ、バレルの内周面と同じ中
心軸をもち、軸線のまわりに回転可能に保持される。
心軸をもち、軸線のまわりに回転可能に保持される。
また、ターゲットの内部には、部分円筒状の磁石が配置
され、これは、シャッタの開口部の位置に対応して設け
られる。
され、これは、シャッタの開口部の位置に対応して設け
られる。
［作用］
まず、シャッタの存在により、ターゲットのスパッタさ
れる領域を当該シャッタの開口部に対応させ、スパッタ
に有効なターゲツト面を規定する。
れる領域を当該シャッタの開口部に対応させ、スパッタ
に有効なターゲツト面を規定する。
そして、部分円筒状の磁石をシャッタの開口部の位置に
対応してターゲットの内部に設けることによって、スパ
ッタされる部分をシャッタの開口部に対応するターゲッ
トの部分に集中させることができる。そして、円筒状の
ターゲットは、回転可能に保持されるので、ターゲット
の消耗に偏りがない。
対応してターゲットの内部に設けることによって、スパ
ッタされる部分をシャッタの開口部に対応するターゲッ
トの部分に集中させることができる。そして、円筒状の
ターゲットは、回転可能に保持されるので、ターゲット
の消耗に偏りがない。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例の要部を示す。第１図には
、第３図で示したバレル７等の図示が省略されているが
、このようなバレル内に配置されるターゲット１４およ
びこれをとり囲むシャッタ１５の部分が示されている。
、第３図で示したバレル７等の図示が省略されているが
、このようなバレル内に配置されるターゲット１４およ
びこれをとり囲むシャッタ１５の部分が示されている。
第２図には、第１図の磁石１９が斜視図で示されている
。
。
第１図を参照して、ターゲット１４は円筒状に形成され
、その軸線はバレルの回転軸線つと一致するように起請
される。ターゲット１４をとり囲むようにシャッタ１５
が固定的に配置される。シトツタ１５はバレル（図示せ
ず）と同心である。
、その軸線はバレルの回転軸線つと一致するように起請
される。ターゲット１４をとり囲むようにシャッタ１５
が固定的に配置される。シトツタ１５はバレル（図示せ
ず）と同心である。
シャッタ１５に形成される開口の角度範囲は、９０″よ
り大きい、たとえば１２０°に選ばれる。
り大きい、たとえば１２０°に選ばれる。
円筒状のターゲット１４の内部には、部分円筒状の磁石
１つが配置される。この磁石は、シャッタ１５の開口部
の位置に対応して配置される。シャ、ツタ１５は、アー
スされる。ターゲット１４とバレルとの間には直流Ｎ源
または高周波Ｎ源が供給される。
１つが配置される。この磁石は、シャッタ１５の開口部
の位置に対応して配置される。シャ、ツタ１５は、アー
スされる。ターゲット１４とバレルとの間には直流Ｎ源
または高周波Ｎ源が供給される。
磁石１つは、第２図に示すように、外側に配置される第
１［ｉｔ１石部弁部分２０側に配置される第２磁石部分
２１とからなる。第１ｆ！１石部分２０および第２１石
部分２１は、その円筒内面と円筒外面とにそれぞれ磁極
を有するように着磁されている。
１［ｉｔ１石部弁部分２０側に配置される第２磁石部分
２１とからなる。第１ｆ！１石部分２０および第２１石
部分２１は、その円筒内面と円筒外面とにそれぞれ磁極
を有するように着磁されている。
そして、第１磁石部分２０の円筒内面に形成される磁極
と第２磁石部分２１の円筒内面に形成される磁極とは互
いに逆であり、かつ各円筒外面に形成される［ａ極も互
いに逆である。したがって、シャッタ１５の間口部に向
くターゲット１４の外周面上において、第１５ｔ１石部
分２０と第２磁石部分２１とで形成される磁場が実現さ
れ、スパッタされる領域がこのシャッタ１５の間口部に
向いたターゲット１４の外周面部分に集中される。
と第２磁石部分２１の円筒内面に形成される磁極とは互
いに逆であり、かつ各円筒外面に形成される［ａ極も互
いに逆である。したがって、シャッタ１５の間口部に向
くターゲット１４の外周面上において、第１５ｔ１石部
分２０と第２磁石部分２１とで形成される磁場が実現さ
れ、スパッタされる領域がこのシャッタ１５の間口部に
向いたターゲット１４の外周面部分に集中される。
上述したターゲット１４は、特に図示しないが、その軸
線のまわりに回転可能に保持されている。
線のまわりに回転可能に保持されている。
したがって、この保持態様を利用して、このターゲット
１４を次のように動作させることができる。
１４を次のように動作させることができる。
第７に、このターゲット１４をたとえば矢印１８で示す
方向に断続的に回転させることである。この断続的な回
転は、常に、ターゲット１４の新しい面がシャッタ１５
の開口部に向くような回転角度に選ばれ、スパッタ動作
中またはスフ÷ツタ完了後のいずれにおいて行なっても
よい。第２に、ターゲット１４を連続的一回転させるこ
とである。
方向に断続的に回転させることである。この断続的な回
転は、常に、ターゲット１４の新しい面がシャッタ１５
の開口部に向くような回転角度に選ばれ、スパッタ動作
中またはスフ÷ツタ完了後のいずれにおいて行なっても
よい。第２に、ターゲット１４を連続的一回転させるこ
とである。
このような断続的または連続的回転によれば、夕
１−ゲット１４の消耗を周方向において平均化するこ
とができ、ターゲット１４を経済的に使用することがで
きる。
１−ゲット１４の消耗を周方向において平均化するこ
とができ、ターゲット１４を経済的に使用することがで
きる。
［発明の効果１
以上のように、この発明によれば、ターゲットが回転可
能に保持されているので、ターゲットの保守作業が簡単
に行なわれ、かつターゲットの経済的な使用が可能とな
る。
能に保持されているので、ターゲットの保守作業が簡単
に行なわれ、かつターゲットの経済的な使用が可能とな
る。
また、ターゲットが円筒状であるので、シャッタの開口
部の角度範囲を従来のものに比べて、広げることができ
る。そのため、スパッタ原子が効率良く基板に到達し、
Ｎ膜形成速度が向上される。
部の角度範囲を従来のものに比べて、広げることができ
る。そのため、スパッタ原子が効率良く基板に到達し、
Ｎ膜形成速度が向上される。
また、ターゲットの外周面は常に基板と実質的に同じ距
離にあるので、基板に形成される薄膜の膜圧のばらつき
が少なくなる。その−例について述べると、従来のもの
では、膜圧のばらつきが±１５％であったものが、±８
％にまで低減される。
離にあるので、基板に形成される薄膜の膜圧のばらつき
が少なくなる。その−例について述べると、従来のもの
では、膜圧のばらつきが±１５％であったものが、±８
％にまで低減される。
また、ターゲットのスパッタされる領域をシャッタの開
口部に対応させ、スパッタに有効なターゲツト面を規定
することができるとともに、部分円筒状の磁石をシャッ
タの開口部の位置に対応して設けることによって、スパ
ッタされる部分をシャッタの開口部に対応するターゲッ
トの部分に集中させることができる。この結果、部分円
筒状の磁石が対向しているターゲットの部分に比べて、
その他の部分においてはスパッタされる回数が少なくな
り、基板に対して集中的にスパッタ膜を形成することが
できる。
口部に対応させ、スパッタに有効なターゲツト面を規定
することができるとともに、部分円筒状の磁石をシャッ
タの開口部の位置に対応して設けることによって、スパ
ッタされる部分をシャッタの開口部に対応するターゲッ
トの部分に集中させることができる。この結果、部分円
筒状の磁石が対向しているターゲットの部分に比べて、
その他の部分においてはスパッタされる回数が少なくな
り、基板に対して集中的にスパッタ膜を形成することが
できる。
第１図はこの発明の一実施例の要部を示す。第２図は第
１図の磁石１つを示す斜視図である。第３図は従来の同
軸バレルスパッタ装置の一般的な構成を示す図解図であ
る。 図において、７はバレル、９はバレルの回転軸線、１３
は基板、１４はターゲット、１５はシャッタ、１つは磁
石である。 第１図 第２図 第３図
１図の磁石１つを示す斜視図である。第３図は従来の同
軸バレルスパッタ装置の一般的な構成を示す図解図であ
る。 図において、７はバレル、９はバレルの回転軸線、１３
は基板、１４はターゲット、１５はシャッタ、１つは磁
石である。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 横方向に向く軸線のまわり、に回転されるバレルと、 バレルの回転軸線上に配置され、バレルの内周面と同じ
中心軸をもち、軸線のまわりに回転可能に保持されてい
る円筒状のターゲットと、 固定的に設けられかつバレルと同心的に配置され、ター
ゲットを部分的にとり囲み、比較的下方からバレルの回
転方向と同方向側までの所定の角度範囲で開口とされた
シャッタと、 ターゲットの内部に配置され、シャッタの開口部の位置
に対応して設けられた部分円筒状の磁石とを備え、 バレル内に収納された基板の表面に薄膜を形成する同軸
バレルマグネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26662785A JPS61166966A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 同軸バレルマグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26662785A JPS61166966A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 同軸バレルマグネトロンスパツタ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064781A Division JPS57145983A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Coaxial barrel sputtering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166966A true JPS61166966A (ja) | 1986-07-28 |
Family
ID=17433446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26662785A Pending JPS61166966A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 同軸バレルマグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166966A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568131B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-04-10 | 주식회사 유니벡 | 마그네트론 스퍼터링 타겟장치 |
| WO2021167067A1 (ja) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 | 株式会社ユーパテンター | 複合装置及び被覆微粒子の製造方法 |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26662785A patent/JPS61166966A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568131B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-04-10 | 주식회사 유니벡 | 마그네트론 스퍼터링 타겟장치 |
| WO2021167067A1 (ja) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 | 株式会社ユーパテンター | 複合装置及び被覆微粒子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6458252B1 (en) | High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target | |
| JP4223614B2 (ja) | スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法 | |
| US8585872B2 (en) | Sputtering apparatus and film-forming processes | |
| JP2970317B2 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
| JPH0240739B2 (ja) | Supatsutasochi | |
| JP3749178B2 (ja) | 切頭円錐形スパッタリングターゲットのためのターゲット利用率の高い磁気構成 | |
| WO1990013137A1 (en) | Sputtering apparatus | |
| JPS61166966A (ja) | 同軸バレルマグネトロンスパツタ装置 | |
| JPS6116346B2 (ja) | ||
| JP4219566B2 (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS62167877A (ja) | プラズマ移動式マグネトロン型スパツタ装置 | |
| JPS63282263A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS60116774A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS63109163A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS63100180A (ja) | マグネトロンスパツタリング装置 | |
| CN114875375B (zh) | 具有辅助磁场的磁控溅射设备 | |
| JPS6154870B2 (ja) | ||
| KR100456287B1 (ko) | 스퍼터링 증착장치의 스퍼터 건 | |
| JP2001207258A (ja) | 回転磁石およびインライン型スパッタリング装置 | |
| JP2746292B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH07292468A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH04346662A (ja) | スパッタリング方法およびその装置 | |
| JPS63247366A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JP2003013219A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH111772A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 |