JPS63100180A - マグネトロンスパツタリング装置 - Google Patents
マグネトロンスパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS63100180A JPS63100180A JP24640386A JP24640386A JPS63100180A JP S63100180 A JPS63100180 A JP S63100180A JP 24640386 A JP24640386 A JP 24640386A JP 24640386 A JP24640386 A JP 24640386A JP S63100180 A JPS63100180 A JP S63100180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- target
- erosion
- sputtering
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空中で薄膜を形成するスパッタリング装置
に関し、特に薄膜を大量に生産する高速低温スパッタリ
ング装置の改良に関するものである。
に関し、特に薄膜を大量に生産する高速低温スパッタリ
ング装置の改良に関するものである。
（従来の技術とその問題点）
ターゲットの表面近傍に電場と直交する磁場を与え、電
子をトラップして高密度プラズマを作るマグネトロン放
電型のスパッタリング装置は、所望厚さの膜を高速で量
産できるものとして特に開発が進んでいる。そして、磁
場を固定してスパッタリングを行う方式のものはターゲ
ットが局部的にエロージョン（侵食）されて利用率が悪
いので、ターゲットの利用率を向上して長寿命を図るた
め、スパッタリング中に磁場の位置を回転移動させる方
式が開発されている。
子をトラップして高密度プラズマを作るマグネトロン放
電型のスパッタリング装置は、所望厚さの膜を高速で量
産できるものとして特に開発が進んでいる。そして、磁
場を固定してスパッタリングを行う方式のものはターゲ
ットが局部的にエロージョン（侵食）されて利用率が悪
いので、ターゲットの利用率を向上して長寿命を図るた
め、スパッタリング中に磁場の位置を回転移動させる方
式が開発されている。
第９図（平面図）、第１０図（断面図）にこのような従
来の方式のマグネトロンスパッタリング装置の電極の例
を示す。図中８１が円盤状ターゲットであり、そのター
ゲット８１０表面８２が真空室中でスパッタされる。タ
ーゲット８１の裏面８３側には、磁場印加装置である永
久磁石８４が設けられている。永久磁石８４は回転装置
８５上に載置されており、軸８６によって磁場の回転中
心８７０回りに回転可能となっている。そして、第９図
に示すように、磁場を静止させた状態でスパッタリング
を行ったと仮定した場合のエロージョン領域が、斜線を
施したほぼ矩形の領域８８となる如く、裏面８３の磁場
印加装置８４（この場合は永久磁石等で構成）は一方の
磁極を中央部８４１に、他方の磁極をエロージョン領域
８８の外側８４２に配置している。８９はエコージョン
領域のうち、最も速くエロージョンが行われる最速エロ
ージョン部であり、殆ど線状となるが、その位置は正確
には実験で得られるが、磁場印加装置８４が作る磁場の
分布からも予測可能である。
来の方式のマグネトロンスパッタリング装置の電極の例
を示す。図中８１が円盤状ターゲットであり、そのター
ゲット８１０表面８２が真空室中でスパッタされる。タ
ーゲット８１の裏面８３側には、磁場印加装置である永
久磁石８４が設けられている。永久磁石８４は回転装置
８５上に載置されており、軸８６によって磁場の回転中
心８７０回りに回転可能となっている。そして、第９図
に示すように、磁場を静止させた状態でスパッタリング
を行ったと仮定した場合のエロージョン領域が、斜線を
施したほぼ矩形の領域８８となる如く、裏面８３の磁場
印加装置８４（この場合は永久磁石等で構成）は一方の
磁極を中央部８４１に、他方の磁極をエロージョン領域
８８の外側８４２に配置している。８９はエコージョン
領域のうち、最も速くエロージョンが行われる最速エロ
ージョン部であり、殆ど線状となるが、その位置は正確
には実験で得られるが、磁場印加装置８４が作る磁場の
分布からも予測可能である。
さて、上記のような従来の装置で、回転装置８５で磁場
を回転移動させてスパッタリングを行った場合には、第
１１図、第１２図に示すように磁場の回転する通路の全
体に亙って、磁場の回転中心８７を中心とする同心円状
のエロージョン帯９８が形成されるが、エロージョン速
度がターゲット８１表面の各部で不均一なところから、
同心円状エロージョン帯９８の中央部付近に、特にエロ
ージョンの激しい円形の溝９９が出来る傾向が強い。こ
のような溝９９は、はじめに少しでも出来るとその溝部
の磁場が他より強くなるため、その溝部が他より速くエ
ロージョンされ、エロージョンが更に進行する傾向を生
む。
を回転移動させてスパッタリングを行った場合には、第
１１図、第１２図に示すように磁場の回転する通路の全
体に亙って、磁場の回転中心８７を中心とする同心円状
のエロージョン帯９８が形成されるが、エロージョン速
度がターゲット８１表面の各部で不均一なところから、
同心円状エロージョン帯９８の中央部付近に、特にエロ
ージョンの激しい円形の溝９９が出来る傾向が強い。こ
のような溝９９は、はじめに少しでも出来るとその溝部
の磁場が他より強くなるため、その溝部が他より速くエ
ロージョンされ、エロージョンが更に進行する傾向を生
む。
この傾向は特に強磁性体のターゲットを使用した場合に
強く、この場合には磁場を回転させても部分的な円形の
溝領域９９のみが強くエロージョンされる結果となり、
磁場の回転の意味が殆ど失われてしまうことにもなる。
強く、この場合には磁場を回転させても部分的な円形の
溝領域９９のみが強くエロージョンされる結果となり、
磁場の回転の意味が殆ど失われてしまうことにもなる。
（発明の目的）
本発明は、ターゲットの利用率を向上してその長寿命化
を図るとともに、高速の成膜を可能にするマグネトロン
スパッタリング装置の提供を目的とする。
を図るとともに、高速の成膜を可能にするマグネトロン
スパッタリング装置の提供を目的とする。
（発明の構成）
本発明は、平板状ターゲット表面と該ターゲットの裏面
近傍に設けた磁場印加装置と、該磁場印加装置がターゲ
ット表面上に作る磁場の位置を回転移動させる回転駆動
手段を備えるマグネトロンスパッタリング装置において
、 該磁場の静止状態において該磁場によってターゲット表
面に形成される環状の最速エロージョン部が、該磁場の
回転状態において、各回転毎にターゲット表面に可及的
に均一なエロージョンを発生させるように、前記磁場印
加装置を構成したマグネトロンスパッタリング装置によ
って前記目的を達成したものである。
近傍に設けた磁場印加装置と、該磁場印加装置がターゲ
ット表面上に作る磁場の位置を回転移動させる回転駆動
手段を備えるマグネトロンスパッタリング装置において
、 該磁場の静止状態において該磁場によってターゲット表
面に形成される環状の最速エロージョン部が、該磁場の
回転状態において、各回転毎にターゲット表面に可及的
に均一なエロージョンを発生させるように、前記磁場印
加装置を構成したマグネトロンスパッタリング装置によ
って前記目的を達成したものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図乃至第４図は本発明の１実施例のマグネトロンス
パッタリング電極部分を示す図であり、第１図はその平
面図、第２図はその断面図、第３図はその磁場静止状態
における最速エロージョン部の図、第４図はエロージョ
ン状態を示す断面図である。
パッタリング電極部分を示す図であり、第１図はその平
面図、第２図はその断面図、第３図はその磁場静止状態
における最速エロージョン部の図、第４図はエロージョ
ン状態を示す断面図である。
１は強磁性体のターゲットであり、その表面２側が真空
容器内でスパッタされ、その裏面３の近傍に磁場印加装
置４がある、互いに磁極を異にする永久磁石４１と４２
（環状）、４３と４４（環状）がヨーク４０の上に設置
され、回転装置５の上に載置されている。磁場印加装置
４は回転軸６により回転中心７を中心に回転する。磁場
印加装置４の永久磁石４１〜４４は第１図に示すような
平面的パターンで配置されており、磁場の静止状態では
第３図に示すような２つの最速エロージョン部９をター
ゲット１０表面２上に形成するようになっている。この
最速エロージョン部９はそれぞれ独立した２つの扇形環
状線となる。
容器内でスパッタされ、その裏面３の近傍に磁場印加装
置４がある、互いに磁極を異にする永久磁石４１と４２
（環状）、４３と４４（環状）がヨーク４０の上に設置
され、回転装置５の上に載置されている。磁場印加装置
４は回転軸６により回転中心７を中心に回転する。磁場
印加装置４の永久磁石４１〜４４は第１図に示すような
平面的パターンで配置されており、磁場の静止状態では
第３図に示すような２つの最速エロージョン部９をター
ゲット１０表面２上に形成するようになっている。この
最速エロージョン部９はそれぞれ独立した２つの扇形環
状線となる。
この構成の装置で回転装置５を回転させて磁場を移動さ
せ乍らスパッタリングを行うときは、１回転当りのエロ
ージョン速度の部分的不均一を原因として特定の溝部だ
けが集中的に常時スパッタされる事態は防止され、第４
図に示すように広範な領域かは鴇均−にスパッタリング
される。従ってターゲットの利用効率は向上し、長寿命
化が達成される。
せ乍らスパッタリングを行うときは、１回転当りのエロ
ージョン速度の部分的不均一を原因として特定の溝部だ
けが集中的に常時スパッタされる事態は防止され、第４
図に示すように広範な領域かは鴇均−にスパッタリング
される。従ってターゲットの利用効率は向上し、長寿命
化が達成される。
１回の磁場の回転移動によるターゲット各部のエロージ
ョンは次の式によって近似的に算定できるので、これを
利用してターゲットの所望領域のエロージョン速度の全
てをは家均−にする構造設計が可能である。
ョンは次の式によって近似的に算定できるので、これを
利用してターゲットの所望領域のエロージョン速度の全
てをは家均−にする構造設計が可能である。
Ｄ＝ （Ｒ／ｎ） ・（Ｌ／ （２πｒ））ただし、
Ｄ：ターゲット表面上の点Ｐに生ずる、磁場印加装置１
回転当りのエロージョン深さで、単位は［Ａ／回転］。
回転当りのエロージョン深さで、単位は［Ａ／回転］。
ｎ：ｆｉ磁場印加装置回転速度［ｒｐｍｌ。
Ｒ：回転によって点Ｐを通過する最速エロージョン部（
の一部）のエロージョン速度で、単位は［Ａ／ｍ１ｎｄ
。
の一部）のエロージョン速度で、単位は［Ａ／ｍ１ｎｄ
。
ｒ：回転の中心から点Ｐまでの距離で［ｍＬ
Ｌ二回転の中心から半径ｒのところにある最速エロージ
ョン部の部分の長さの総計（一般には弧長）で（：ｍｍ
］。
ョン部の部分の長さの総計（一般には弧長）で（：ｍｍ
］。
ここで θ＝Ｌ／ｒ （θは弧が中心を見込む角）とす
ると、上記の式は Ｄ＝ （Ｒ／ｎ）・ （θ／２π） となるが、ｎはターゲットの全表面で一定であるから、
この式は、 「若しＲの値がターゲット表面の各位置で変化しない即
ち均一であるとすれば、Ｄはθに比例する」ということ
を意味している。
ると、上記の式は Ｄ＝ （Ｒ／ｎ）・ （θ／２π） となるが、ｎはターゲットの全表面で一定であるから、
この式は、 「若しＲの値がターゲット表面の各位置で変化しない即
ち均一であるとすれば、Ｄはθに比例する」ということ
を意味している。
従って第３図に示すように、各半径ｒｌ、ｒ２＋ｒ３．
ｒ４ （ｒ １＜ｒ２＜ｒ３＜ｒ４）の位置にある、互
いにθを等しくする四つの円弧Ｌｌ、Ｌ３及びＬ２．Ｌ
４をそれぞれ辺とする、二つの環状最速エロージョン部
Ｓｌ、Ｓ２を生ずるような磁場印加装置４（４０〜４４
等）を設置して、この磁場印加装置を回転させるときは
、第４図に示すように、半径ｒｌ、ｒ２．ｒ３．ｒ４の
各円周上に強いエロージョン領域を持ちはするが、ター
ゲット表面の比較的広い範囲で、実用上十分満足出来る
程度の、は（均一な広いエロージョン領域を生ずるよう
なスパッタリングが可能となる。
ｒ４ （ｒ １＜ｒ２＜ｒ３＜ｒ４）の位置にある、互
いにθを等しくする四つの円弧Ｌｌ、Ｌ３及びＬ２．Ｌ
４をそれぞれ辺とする、二つの環状最速エロージョン部
Ｓｌ、Ｓ２を生ずるような磁場印加装置４（４０〜４４
等）を設置して、この磁場印加装置を回転させるときは
、第４図に示すように、半径ｒｌ、ｒ２．ｒ３．ｒ４の
各円周上に強いエロージョン領域を持ちはするが、ター
ゲット表面の比較的広い範囲で、実用上十分満足出来る
程度の、は（均一な広いエロージョン領域を生ずるよう
なスパッタリングが可能となる。
第５図、第６図は本発明の別の実施例を示す図であり、
第５図く平面図）はその磁場静止状態における最速エロ
ージョン部の図、第６図はエロージョン状態を示す断面
図である。最速エロージョン部Ｌ５．Ｌ６は半径ｒ５．
ｒ６の２ケ所にあり、弧Ｌ５．Ｌ６が中心を見込む角θ
はともには（等しい。ターゲットが小径のときはこんな
簡単なもので十分である。
第５図く平面図）はその磁場静止状態における最速エロ
ージョン部の図、第６図はエロージョン状態を示す断面
図である。最速エロージョン部Ｌ５．Ｌ６は半径ｒ５．
ｒ６の２ケ所にあり、弧Ｌ５．Ｌ６が中心を見込む角θ
はともには（等しい。ターゲットが小径のときはこんな
簡単なもので十分である。
第７図、第８図は本発明の別の実施例を示す図であり、
第７図（平面図）はその磁場静止状態における最速二ロ
ーション部の図、第８図はエロージョン状態を示す断面
図である。最速エロージョン部２９は、スパイラル曲線
状部を主部としており、このため第８図のエロージョン
領域はは鴇理想的に平坦となっている。ターゲットが大
径の時に採用して効果がある。
第７図（平面図）はその磁場静止状態における最速二ロ
ーション部の図、第８図はエロージョン状態を示す断面
図である。最速エロージョン部２９は、スパイラル曲線
状部を主部としており、このため第８図のエロージョン
領域はは鴇理想的に平坦となっている。ターゲットが大
径の時に採用して効果がある。
なお、前記の回転によって点Ｐを通過する最速エロージ
ョン部（の一部）のエロージョン速度Ｒは、必ずしも一
定ではなく、半径ｒによって異なるのが晋通であるが、
そのときは、θまたは前記最速エロージョン部のスパイ
ラル曲線の形状を変形させて補正するか、磁石の強さ、
磁極の形状の変更で補正し、１回転当りのエロージョン
深さＤがは檻等しくなるように構成する。
ョン部（の一部）のエロージョン速度Ｒは、必ずしも一
定ではなく、半径ｒによって異なるのが晋通であるが、
そのときは、θまたは前記最速エロージョン部のスパイ
ラル曲線の形状を変形させて補正するか、磁石の強さ、
磁極の形状の変更で補正し、１回転当りのエロージョン
深さＤがは檻等しくなるように構成する。
また実施例ではターゲットを固定し磁場印加装置を回転
させたが、その逆も可能であるし、磁場印加装置は電磁
石で構成しても良い。
させたが、その逆も可能であるし、磁場印加装置は電磁
石で構成しても良い。
（発明の効果）
本発明によれば、ターゲットの利用率を向上してその長
寿命化を図るとともに、高速の成膜を可能にする優れた
マグネトロンスパッタリング装置を提供することが出来
る。
寿命化を図るとともに、高速の成膜を可能にする優れた
マグネトロンスパッタリング装置を提供することが出来
る。
第１図は、本発明の実施例の平面図、第２図はそのＡ−
Ａ断面図、第３図はその最速エロージョン部を示す図、
第４図は第１図の実施例の磁場を回転させた場合のエロ
ージョン状態を示すＡ−Ａ断面図。 第５図は別の実施例の最速エロージョン部を示す図、第
６図はその磁場を回転させた場合の第４図と同様のＢ−
Ｂ断面図。 第７図は別の実施例の最速エロージョン部を示す図、第
８図はその磁場を回転させた場合の第６図と同様の図。 第９図は従来のマグネトロンスパッタリング電極を示す
平面図、第１０図はそのＣ−Ｃ断面図、第１１図は第９
図のマグネトロンスパッタリング電極で磁場を回転させ
てスパッタリングを行なった場合のエロージョン領域を
示す平面図、第１２図はそのＣ−Ｃ断面図である。 １・・・・・・ターゲット、４，８４・・・・・・磁場
印加装置、５．８５・・・・・・回転装置、 ７．８７・・・・・・磁場の回転中心、９．８９・・・
・・・最速エロージョン部、８１・・・・・・ターゲッ
ト、８８・・・・・・エロージョン領域、９８・・・・
・・エロージョン、９９・・・・・・溝、１００・・・
・・・磁力線。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＱ、２ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、５ ＦＩＱ、６ ＦＩＧ、７ ＦＩＧ 、８ ＦＩＧ、９ ＦＩＣｒ、１０ ＦＩＣｖ、１１ ＦＩＧ、１２
Ａ断面図、第３図はその最速エロージョン部を示す図、
第４図は第１図の実施例の磁場を回転させた場合のエロ
ージョン状態を示すＡ−Ａ断面図。 第５図は別の実施例の最速エロージョン部を示す図、第
６図はその磁場を回転させた場合の第４図と同様のＢ−
Ｂ断面図。 第７図は別の実施例の最速エロージョン部を示す図、第
８図はその磁場を回転させた場合の第６図と同様の図。 第９図は従来のマグネトロンスパッタリング電極を示す
平面図、第１０図はそのＣ−Ｃ断面図、第１１図は第９
図のマグネトロンスパッタリング電極で磁場を回転させ
てスパッタリングを行なった場合のエロージョン領域を
示す平面図、第１２図はそのＣ−Ｃ断面図である。 １・・・・・・ターゲット、４，８４・・・・・・磁場
印加装置、５．８５・・・・・・回転装置、 ７．８７・・・・・・磁場の回転中心、９．８９・・・
・・・最速エロージョン部、８１・・・・・・ターゲッ
ト、８８・・・・・・エロージョン領域、９８・・・・
・・エロージョン、９９・・・・・・溝、１００・・・
・・・磁力線。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＱ、２ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、５ ＦＩＱ、６ ＦＩＧ、７ ＦＩＧ 、８ ＦＩＧ、９ ＦＩＣｒ、１０ ＦＩＣｖ、１１ ＦＩＧ、１２
Claims (1)
- （１）平板状ターゲット表面と該ターゲットの裏面近傍
に設けた磁場印加装置と、該磁場印加装置がターゲット
表面上に作る磁場の位置を回転移動させる回転駆動手段
を備えるマグネトロンスパッタリング装置において、 該磁場の静止状態において該磁場によってターゲット表
面に形成される環状の最速エロージヨン部が、該磁場の
回転状態において、各回転毎にターゲット表面に可及的
に均一なエロージヨンを発生させるように、前記磁場印
加装置を構成したことを特徴とするマグネトロンスパッ
タリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24640386A JPS63100180A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | マグネトロンスパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24640386A JPS63100180A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | マグネトロンスパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100180A true JPS63100180A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17147987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24640386A Pending JPS63100180A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | マグネトロンスパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100180A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02254165A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Tokyo Electron Ltd | スパッタ装置 |
| WO1993004211A1 (en) * | 1991-08-16 | 1993-03-04 | Varian Associates, Inc. | Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target |
| US6045672A (en) * | 1996-05-21 | 2000-04-04 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
| JP2008101270A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | マグネトロン型スパッタリング装置および半導体装置の製造方法 |
| US8016985B2 (en) * | 2007-03-28 | 2011-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetron sputtering apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| CN102543354A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-04 | 河南师范大学 | 一种磁控溅射靶磁场源 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211375A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP24640386A patent/JPS63100180A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211375A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02254165A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Tokyo Electron Ltd | スパッタ装置 |
| WO1993004211A1 (en) * | 1991-08-16 | 1993-03-04 | Varian Associates, Inc. | Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target |
| US5194131A (en) * | 1991-08-16 | 1993-03-16 | Varian Associates, Inc. | Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target |
| US6045672A (en) * | 1996-05-21 | 2000-04-04 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
| JP2008101270A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | マグネトロン型スパッタリング装置および半導体装置の製造方法 |
| US8016985B2 (en) * | 2007-03-28 | 2011-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetron sputtering apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| CN102543354A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-04 | 河南师范大学 | 一种磁控溅射靶磁场源 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2627651B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP3397799B2 (ja) | 真空被覆設備に用いられる定置のマグネトロンスパッタリング陰極 | |
| KR960002633B1 (ko) | 마그네트론 음극체 | |
| JPH036990B2 (ja) | ||
| JPH05209267A (ja) | 円環状被着膜面を成膜するためのマグネトロン原理に基づくスパッタリングカソードユニット | |
| JPS63100180A (ja) | マグネトロンスパツタリング装置 | |
| JP2912864B2 (ja) | スパッタリング装置のマグネトロンユニット | |
| KR950000011B1 (ko) | 마그네트론 스패터링장치 및 박막형성방법 | |
| US7223322B2 (en) | Moving magnetic/cathode arrangement and method | |
| JP2505724B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS63317671A (ja) | スパッタリング方法および装置 | |
| JP4219566B2 (ja) | スパッタ装置 | |
| US8852412B2 (en) | Magnetron source and method of manufacturing | |
| JP2001032067A (ja) | 成膜用磁石とそれを用いた成膜方法及びその装置 | |
| JPH01279752A (ja) | スパッタリング方法及びその装置 | |
| JPH07252651A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置及び金属薄膜成長方 法 | |
| JP3942218B2 (ja) | 磁性薄膜の両面同時成膜装置及び磁性薄膜の製造方法 | |
| JPS63109163A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS61295368A (ja) | マグネトロンスパツタ用カソ−ド | |
| JPS6116346B2 (ja) | ||
| JP4991305B2 (ja) | 回転スパッタリングマグネトロン | |
| JPH0726203B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH04350162A (ja) | プレーナマグネトロンスパッタ電極とプラズマ制御方法 | |
| JPH05295535A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH07157875A (ja) | マグネトロンスパッタ用磁気回路 |