JPS61166126A - 半導体装置の電極配線方法 - Google Patents
半導体装置の電極配線方法Info
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- JPS61166126A JPS61166126A JP680485A JP680485A JPS61166126A JP S61166126 A JPS61166126 A JP S61166126A JP 680485 A JP680485 A JP 680485A JP 680485 A JP680485 A JP 680485A JP S61166126 A JPS61166126 A JP S61166126A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の電極配線方法に関する。
半導体装置の製作工程の最終工程として、電極配線を行
なう。従来は、蒸着あるいはスパッタによって電極配線
材の層を、電極形成まで々された半導体装置上に形成し
た後、レジスト加工し、電極配線を行なっていた。レジ
スト加工は、レジスト塗布・露光・現像・エツチング・
レジスト剥離の一連の工程からなり、複雑で種々の問題
を含む。すなわち、電極配線材の層の均一形成、露光工
程における光量の安定、現像 ゛工程における現像液の
品質保持にそれぞれ困難があり、エツチング工程では配
線形状不良が、レジスト剥離ではレジスト残存が発生し
やすい。
なう。従来は、蒸着あるいはスパッタによって電極配線
材の層を、電極形成まで々された半導体装置上に形成し
た後、レジスト加工し、電極配線を行なっていた。レジ
スト加工は、レジスト塗布・露光・現像・エツチング・
レジスト剥離の一連の工程からなり、複雑で種々の問題
を含む。すなわち、電極配線材の層の均一形成、露光工
程における光量の安定、現像 ゛工程における現像液の
品質保持にそれぞれ困難があり、エツチング工程では配
線形状不良が、レジスト剥離ではレジスト残存が発生し
やすい。
また工程数が多いので、設備費が高くなる欠点があった
。
。
本発明の目的は、上記の事情に鑑み、電極配線方法とし
て、極めて簡素々工程の、新規な方法を提供することに
ある。
て、極めて簡素々工程の、新規な方法を提供することに
ある。
本発明の方法は、流動状態にある電極配線材を一定量ノ
ズルより射出し、所定の位置に電極配線を直接に行なう
ものである。
ズルより射出し、所定の位置に電極配線を直接に行なう
ものである。
本発明においては、半導体基板上の電極配線を行なう予
定部位の上にノズルを配設しておいて、このノズルから
流動状態にある電極配線材を一定量だけその部位に射出
するだけであるから工程は極めて簡単である。射出し、
予定部位上に堆積された電極配線材は、実施例に示すよ
うに特別の措置もとらず自然と固化することができる。
定部位の上にノズルを配設しておいて、このノズルから
流動状態にある電極配線材を一定量だけその部位に射出
するだけであるから工程は極めて簡単である。射出し、
予定部位上に堆積された電極配線材は、実施例に示すよ
うに特別の措置もとらず自然と固化することができる。
以下、本発明の一実施例につき、図面を参照して説明す
る。第1図で、電極配線工程の前まで形成しであるウェ
ーハ1を、同図(b)のようにノズル2の下に配置する
。ノズル2の位置は半導体基板の電極部位3上に各ノズ
ル2がくるようにする。各ノズル2には図示されていな
いが電f+lii西−線材貯蔵部より電極配線材が一定
圧力で流才1こんでいる。そして同図(C)に示すよう
に、各ノズル2より電極配線材を一定量射出し、電極部
位3上に同図rc)のように電極配線4を行なう。
る。第1図で、電極配線工程の前まで形成しであるウェ
ーハ1を、同図(b)のようにノズル2の下に配置する
。ノズル2の位置は半導体基板の電極部位3上に各ノズ
ル2がくるようにする。各ノズル2には図示されていな
いが電f+lii西−線材貯蔵部より電極配線材が一定
圧力で流才1こんでいる。そして同図(C)に示すよう
に、各ノズル2より電極配線材を一定量射出し、電極部
位3上に同図rc)のように電極配線4を行なう。
ノズル2の形状、一定量射出機構は、電極配線材として
何を使うかによりさまざまである。
何を使うかによりさまざまである。
例えば第2図はノズルの一例でノズル1の尖端部8に、
逆止め弁5が動作してないとき嵌合するようにしておく
。逆止め弁5は、上部の膨大部6が、ノズル1の外部に
配設したコイル7に電流が流れたとき、上方に図示のよ
うにひきこまれることで、ノズルlの尖端部8を開放す
る。
逆止め弁5が動作してないとき嵌合するようにしておく
。逆止め弁5は、上部の膨大部6が、ノズル1の外部に
配設したコイル7に電流が流れたとき、上方に図示のよ
うにひきこまれることで、ノズルlの尖端部8を開放す
る。
コイル7の電流値の制御によって逆止め弁すの開放時間
を定め、一定量の電極配線材の射出を行なうことができ
る。
を定め、一定量の電極配線材の射出を行なうことができ
る。
電極配線材としては、比較的低い温度で流動状態にある
ことが必要である。銀成分90%以上を含む硬化性導電
ゴムなどを用いれば、空気にふれない状況で適宜に流動
性があり、電極配線上に流出しても、電極以外に流れる
ことなく、また自然に放置することで固化する。金属、
例えばインジュウムなどを使用すれば融点156度まで
ノズル・貯蔵部等を加熱保持する必要が生ずる。この程
度の温度では、半導体基板に何ら損傷を与えないが、も
し問題があるとすれば基板を冷却状態にしておいて、電
極配線をおこなえばよい。
ことが必要である。銀成分90%以上を含む硬化性導電
ゴムなどを用いれば、空気にふれない状況で適宜に流動
性があり、電極配線上に流出しても、電極以外に流れる
ことなく、また自然に放置することで固化する。金属、
例えばインジュウムなどを使用すれば融点156度まで
ノズル・貯蔵部等を加熱保持する必要が生ずる。この程
度の温度では、半導体基板に何ら損傷を与えないが、も
し問題があるとすれば基板を冷却状態にしておいて、電
極配線をおこなえばよい。
以上、説明したように、本発明による電極配線はノズル
より流動状態にある電極配線材を電極部位に射出し、形
成するものであるから極めて簡単な工程で配線を行なう
ことができる。
より流動状態にある電極配線材を電極部位に射出し、形
成するものであるから極めて簡単な工程で配線を行なう
ことができる。
第1図は本発明の説明図、第2図はノズルの形状の1例
を示す図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・ノズル、3・・・電
極部位、 4・・・電極配線、5・・・逆止め弁、
7・・・コイル。 特許出願人 日本電気株式会社 第 1 回
を示す図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・ノズル、3・・・電
極部位、 4・・・電極配線、5・・・逆止め弁、
7・・・コイル。 特許出願人 日本電気株式会社 第 1 回
Claims (1)
- 半導体装置の電極配線工程において、流動状態にある電
極配線材を一定量ノズルより半導体基板の電極部に射出
した後、固化させることにより電極配線を行なうことを
特徴とする半導体装置の電極配線方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP680485A JPS61166126A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体装置の電極配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP680485A JPS61166126A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体装置の電極配線方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61166126A true JPS61166126A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=11648376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP680485A Pending JPS61166126A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体装置の電極配線方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61166126A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5389573A (en) * | 1992-02-24 | 1995-02-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making narrow metal electrode |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP680485A patent/JPS61166126A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5389573A (en) * | 1992-02-24 | 1995-02-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making narrow metal electrode |
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