JPS6116102Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6116102Y2 JPS6116102Y2 JP1979097331U JP9733179U JPS6116102Y2 JP S6116102 Y2 JPS6116102 Y2 JP S6116102Y2 JP 1979097331 U JP1979097331 U JP 1979097331U JP 9733179 U JP9733179 U JP 9733179U JP S6116102 Y2 JPS6116102 Y2 JP S6116102Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotating
- spacer
- rotating shaft
- semiconductor
- blades
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は回転刃を複数個有し高速で半導体ウエハ
を分割できる半導体分割装置に関する。
を分割できる半導体分割装置に関する。
従来、第１図に示すようにPN接合形成、電極
取付等の工程が終つた半導体ウエハ１はダイヤモ
ンド等の回転刃２によつて分割していた。しかし
この回転刃２の切断速度を上げると回転刃２の寿
命が著るしく短くなるのみならず、特に半導体ウ
エハ１がガリウム燐（GaP）などの発光ダイオー
ドの場合には、素子がもろいため素子にひずみが
入つたり第２図に示すような欠け３が出来たり素
子そのものが割れてしまう。ひずみや欠け３が出
来ると発光に寄与しない電流路を形成するので発
光効率が極端に低下する。このため半導体の分割
に際する切断速度はあまり上げる事が出来ず、た
とえば前述のGaP発光ダイオードにおいては20
mm／秒がせいぜいで30mm／秒ではほとんどの素子
にひずみが入つたり欠けが生じ、一部素子が割れ
るので生産速度が限定される。
取付等の工程が終つた半導体ウエハ１はダイヤモ
ンド等の回転刃２によつて分割していた。しかし
この回転刃２の切断速度を上げると回転刃２の寿
命が著るしく短くなるのみならず、特に半導体ウ
エハ１がガリウム燐（GaP）などの発光ダイオー
ドの場合には、素子がもろいため素子にひずみが
入つたり第２図に示すような欠け３が出来たり素
子そのものが割れてしまう。ひずみや欠け３が出
来ると発光に寄与しない電流路を形成するので発
光効率が極端に低下する。このため半導体の分割
に際する切断速度はあまり上げる事が出来ず、た
とえば前述のGaP発光ダイオードにおいては20
mm／秒がせいぜいで30mm／秒ではほとんどの素子
にひずみが入つたり欠けが生じ、一部素子が割れ
るので生産速度が限定される。
これに対してモータ４の１つの回転軸５に取り
つける回転刃を複数にして生産速度を複数倍に向
上させるという試みがなされているが、実用とな
つていない。これは第３図に示すように回転刃
２，２を平行に保つていたが、回転刃２，２の間
隔が狭い上に切断中に回転刃２，２に加わる圧力
は必ずしも２枚の刃に平均しているわけではな
く、しかも回転刃２，２は20〜60μｍとうすいの
で、切断中に回転刃２，２が波打つたり相互干渉
を起こしたりして、まつすぐに切れなかつたり、
回転刃の寿命を数分の一に短かくしていた。
つける回転刃を複数にして生産速度を複数倍に向
上させるという試みがなされているが、実用とな
つていない。これは第３図に示すように回転刃
２，２を平行に保つていたが、回転刃２，２の間
隔が狭い上に切断中に回転刃２，２に加わる圧力
は必ずしも２枚の刃に平均しているわけではな
く、しかも回転刃２，２は20〜60μｍとうすいの
で、切断中に回転刃２，２が波打つたり相互干渉
を起こしたりして、まつすぐに切れなかつたり、
回転刃の寿命を数分の一に短かくしていた。
本案はこのような欠点をなくし複数の回転刃を
一台のモータの回転軸に取りつけて切断する事を
可能にするもので、以下本案を実施例に基づいて
詳細に説明する。
一台のモータの回転軸に取りつけて切断する事を
可能にするもので、以下本案を実施例に基づいて
詳細に説明する。
第４図は本案実施例における回転刃の取付を示
す断面図で、５はモーター４の回転軸であり、先
端に回転刃取付用のフランジ６が設けてあつてモ
ータ本体から脱着可能となつている。７はフラン
ジ６と一緒になつて回転刃を挾持する受けフラン
ジで、ボルト８，８で締め付けられる。これらの
フランジ６や受けフランジ７はアルミニウムとか
ステンレスで作られている。９，９は回転刃で、
ニツケル等の金属母材の先の方にダイヤモンドを
埋め込んだもの又はその相当品（例えば炭化珪素
を含む樹脂を形成したもの）で、厚みが20〜50μ
ｍのドーナツ形をした円盤でフランジ６（又は受
けフランジ７）から0.4乃至1.2mm突出するように
固定されている。１０はアルミニウム鋳造品等か
らなるスペーサで外周に行くに従つて厚さが薄く
なつている。厚さは半導体を切断する時の半導体
の素子の大きさの整数倍にあわせればよい。スペ
ーサ１０の厚みが変化しているので、回転刃９，
９は先端が少し近ずくように固定されている事に
なる。
す断面図で、５はモーター４の回転軸であり、先
端に回転刃取付用のフランジ６が設けてあつてモ
ータ本体から脱着可能となつている。７はフラン
ジ６と一緒になつて回転刃を挾持する受けフラン
ジで、ボルト８，８で締め付けられる。これらの
フランジ６や受けフランジ７はアルミニウムとか
ステンレスで作られている。９，９は回転刃で、
ニツケル等の金属母材の先の方にダイヤモンドを
埋め込んだもの又はその相当品（例えば炭化珪素
を含む樹脂を形成したもの）で、厚みが20〜50μ
ｍのドーナツ形をした円盤でフランジ６（又は受
けフランジ７）から0.4乃至1.2mm突出するように
固定されている。１０はアルミニウム鋳造品等か
らなるスペーサで外周に行くに従つて厚さが薄く
なつている。厚さは半導体を切断する時の半導体
の素子の大きさの整数倍にあわせればよい。スペ
ーサ１０の厚みが変化しているので、回転刃９，
９は先端が少し近ずくように固定されている事に
なる。
結晶がもろい前記GaP発光ダイオードを切断す
る場合を例にとつて、より具体的に例示するなら
ば、スペーサ１０は内径40mm外径55mmをなし、最
も中心よりの厚さは675μｍで最も外側の厚さは
665μｍである。このようにして支持された回転
刃を毎分３萬回転で回転させ、厚さ300μｍの
GaPウエハを毎秒20mmの速度で切断した所約４千
個の素子の分割に対して切欠きやひずみによる不
良素子はわずかに数個しかなく、割れてしまう素
子は全くない上、回転刃は一枚のみ用いた時と同
じ時間利用出来た。又、切断に際して切断した跡
が波打つこともなかつた。
る場合を例にとつて、より具体的に例示するなら
ば、スペーサ１０は内径40mm外径55mmをなし、最
も中心よりの厚さは675μｍで最も外側の厚さは
665μｍである。このようにして支持された回転
刃を毎分３萬回転で回転させ、厚さ300μｍの
GaPウエハを毎秒20mmの速度で切断した所約４千
個の素子の分割に対して切欠きやひずみによる不
良素子はわずかに数個しかなく、割れてしまう素
子は全くない上、回転刃は一枚のみ用いた時と同
じ時間利用出来た。又、切断に際して切断した跡
が波打つこともなかつた。
本案は上述の如く、回転軸５と回転軸５に取着
された複数の回転刃９，９とを有する半導体分割
装置に於て、回転刃９と回転刃９の間に、外周に
なるにつれて厚みの薄くなるスペーサ１０を挿入
したものであるから、歪等のない良質の素子に高
速で分割できる。
された複数の回転刃９，９とを有する半導体分割
装置に於て、回転刃９と回転刃９の間に、外周に
なるにつれて厚みの薄くなるスペーサ１０を挿入
したものであるから、歪等のない良質の素子に高
速で分割できる。
第１図は半導体分割装置の側面図、第２図は分
割された不良な素子の斜視図、第３図は従来の回
転刃固定方法を示す断面図、第４図は本案実施例
の回転刃固定方法を示す断面図である。 ５……回転軸、９，９……回転刃、１０……ス
ペーサ。
割された不良な素子の斜視図、第３図は従来の回
転刃固定方法を示す断面図、第４図は本案実施例
の回転刃固定方法を示す断面図である。 ５……回転軸、９，９……回転刃、１０……ス
ペーサ。
Claims (1)
- 回転軸と、回転軸に取着された複数の回転刃と
を有する半導体分割装置に於て、外周になるにつ
れて厚みの薄くなるスペーサを、その両面が互い
に異なる回転刃に当接するように同軸に挿入し回
転刃を固定した事を特徴とする半導体分割装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979097331U JPS6116102Y2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979097331U JPS6116102Y2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5615057U JPS5615057U (ja) | 1981-02-09 |
| JPS6116102Y2 true JPS6116102Y2 (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=29330135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979097331U Expired JPS6116102Y2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116102Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126760A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Seiko Epson Corp | Dicing unit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5433679Y2 (ja) * | 1976-05-13 | 1979-10-16 |
-
1979
- 1979-07-13 JP JP1979097331U patent/JPS6116102Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126760A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Seiko Epson Corp | Dicing unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5615057U (ja) | 1981-02-09 |
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