JPH0310810A - リン化ガリウム単結晶のスライシング方法 - Google Patents

リン化ガリウム単結晶のスライシング方法

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Publication number
JPH0310810A
JPH0310810A JP14410089A JP14410089A JPH0310810A JP H0310810 A JPH0310810 A JP H0310810A JP 14410089 A JP14410089 A JP 14410089A JP 14410089 A JP14410089 A JP 14410089A JP H0310810 A JPH0310810 A JP H0310810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ingot
cutting
wafer
single crystal
slicing
Prior art date
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Pending
Application number
JP14410089A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Kuniyoshi
国吉 真暁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH0310810A publication Critical patent/JPH0310810A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、リン化ガリウム(以下、 Gapと記す。)
単結晶のスライシング方法に関する。
(従来の技術) 一般に、Gapミル単結晶インゴットウェハ(厚さ25
0〜500μ角)を切り出すスライシングlこは、内周
形切断砥石が用いられている。この内周形切断砥石は、
厚さ0.10〜0.12mのドーナッツ状のステンレス
鋼板の内周部にダイヤモンド砥粒を電着したものである
。ところで、インゴットを内周形切断砥石を用いて切断
して、主面が(111)面となっているウェハ(主とし
て、緑色LED。
赤色LED用に用いられる。)を切り出す場合、第3図
1こ示すように、ブレード自体の彎曲、ウェハ囚の表裏
の切断加工ひずみ等に基因して、椀状の反りが発生する
。このウニ・ハ(4)の反りは、P(IJン)面が凸面
側となり・Ga (ガリウム)面が凹面側となっている
ところで、第4図に示すように、切断されたウェハのG
a面がブレード(至)側となるように、インゴット(ト
)を接着基板0に固定すると、ウェハ囚の先端部と切断
砥石CB)の地金部(Qが接触する。このような接触が
長時間にわたって発生すると、地金部(Qは、摩擦疲労
現象により塑性変形する。その結果、スライシングが不
可能つまり砥石寿命になってしまう。
j (発明が解決しようとする汽題#) 本発明は、上述したように、GaP単結晶インニットの
スライシングにおいて反りの発生により砥石寿命が著し
く制約を受けているという事情を参酌してなされたもの
で、内周形切断砥石の寿命の向上に役立つリン化ガリウ
ム単結晶のスライシング方法を提供することを目的とす
る。
〔発明の構成〕
J (角題卓を解決するための手段と作用)Gapミル単結
晶インゴット持体により保持させる第1工程と、この第
1工程後に円環状の薄板部及びこの薄板部の内周に形成
された砥石部からなる切断砥石をその径方向に上記イン
ゴットに対して相対的に切込ませてウェハを切出す第2
工程とからなり、インゴットからウェハを切り出したと
きに、ウェハのP面がブレード側となるように保持体に
取り付けることを特徴とするもので反り量及び反り方向
を制御して、切断砥石の寿命を向上させるようにしたも
のである。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
この実施例のスライシング方法は、第1図に示すように
、GaP (111)面ウェーハ切出し用のGaf?単
結晶インゴッ) (1)を接着保持する柱状のセラミッ
クス製接着基板(2)番こインゴット(1)を接着基板
(2)に接着する第1工程と、この第1工程後lこ接着
基板(2)に保持されたインボッ) (1)を例えば周
速i、ooom/minで回転している内周形切断砥石
(3)の径方向(矢印(4)方向)に送りインゴット(
1)を切込むとともに切込み終了後に一定量ずつ軸方向
(5ンにインゴット(1)を動かしウェハ(6)を得る
第2工程とからなっている。しかして、第1工程におい
ては、切断砥石(3)によりウェハ(6)・・・を切出
したときに、ウェハ(6)・・・のP面が切断砥石(3
)側となるように、インゴット(1)は接着基板(2)
に接着されている。また、第1工程において、接着基板
(2)は、インゴット(りの一側部をその軸方向ζこ沿
って、インゴット(1)とほぼ同じ曲率の凹部(7)に
より接着剤(例えばワックス)を介して強固に保持する
ものであって、その一部をインコント(1)とともに切
断されるようになっている。また、切断砥石(3)は、
例えば外径422爛、内径152鴎かつ厚さ0.1〜0
.12瓢のステンレス鋼展地金部(8)と、この地金部
(8)の内周部に電着されたダイヤモンド砥石部(9)
とからなっている。そうして、切断砥石(3)には、地
金部(8)の外周部1こ油圧又はねじ締めにより直径方
向の張力が付加されて張り上げられており、剛性が高く
なっている。
しかして、 Gapミル単結晶インゴット)のスライシ
ングを行うと、第2図に示すように、接着基板(2)に
一端が接着された状態のウェハ(6)・・・を得る。こ
れらウェハ(6)・・・は、例えば切断加工ひずみなど
に基因して、反りが生じている。この反りは、凸面をな
すP面が上側、凹面をなすGa面が下側となっているの
で、スライシング中の切断砥石(3)に対して反対方向
に反るような形状となっている。したがりて、スライシ
ング中にウェハ(6)の他端が地金部(8)に接触する
ことがなくなる。よって、ウェハ(6)の地金部(8)
への接触に基因する摩擦疲労による塑性変形を防止する
ことができる。
以上のように、この実施例のリン化ガリウム単結晶のス
ライシング方法は、スライシング中にウェハ(6)と切
断砥石(3)とが接触することがないので、ダイヤモン
ド砥石部(9;が消失するまで使用できる。
よりて、砥石寿命が大幅に向上するとともに、ウェハ(
6)の品質向上にも寄与する。
なお、インゴット(り側を固定し、切断砥石(3)を、
インゴット(1)に対して動かすことによりスライシン
グを行ってもよい。
〔発明の効果〕
本発明のリン化ガリウム単結晶のスライシング方法は、
スライシング中に反りが生じて、ウェハと切断砥石とが
接触することがない。したがって、砥石寿命を最大限に
まで延ばすことが可能となり、生産性の向上、コスト低
減ウェハ品質面上等に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の説明図、第2図は同じくイ
ンゴットのスライシングを示す要部拡大図、第3図はG
aP単結晶の反り量のP面及びGa面による影響を示す
図、第4図は従来技術の説明図である。 (1)・・・GaPインゴット、 (2)・・・接着基板(保持体)、 (3)・・・内周形切断砥石、 (8)・・・地金部(薄板部)、 (9j・・・ダイヤモンド砥石部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 主面が(111)面となり、かつ、一方の主面がガリウ
    ム面および他方の主面がリン面となっているウェハを得
    るリン化ガリウム単結晶のスライシング方法において、
    リン化ガリウム単結晶インゴットを保持体により保持さ
    せる第1工程と、この第1工程後に円環状の薄板部及び
    この薄板部の内周に形成された砥石部からなる切断砥石
    を上記インゴットに相対的に切込むことにより上記イン
    ゴットからウェハを切出す第2工程とからなり、上記イ
    ンゴットは、上記切断砥石によりウェハを切出したとき
    上記リン面が上記切断砥石側となるように、上記保持体
    に保持することを特徴とするリン化ガリウム単結晶のス
    ライシング方法。
JP14410089A 1989-06-08 1989-06-08 リン化ガリウム単結晶のスライシング方法 Pending JPH0310810A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI548504B (zh) * 2013-03-29 2016-09-11 Sumco Techxiv Corp Slicing method of semiconductor single crystal ingot
CN109590838A (zh) * 2018-12-29 2019-04-09 盐城工学院 不规则外形的颗粒增强钛基复合材料工件缝隙打磨工具
CN114311350A (zh) * 2022-03-15 2022-04-12 天通控股股份有限公司 一种钽酸锂晶体头尾切割方法

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