JPS6116008A - 薄膜磁気ヘツド用複合基板及び薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツド用複合基板及び薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6116008A JPS6116008A JP13646484A JP13646484A JPS6116008A JP S6116008 A JPS6116008 A JP S6116008A JP 13646484 A JP13646484 A JP 13646484A JP 13646484 A JP13646484 A JP 13646484A JP S6116008 A JPS6116008 A JP S6116008A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ヘッドに関するものであり、特に薄膜技術
を用いて形成する垂直記録再生用の磁気ヘッドの新規な
基板構成に係るものである。
を用いて形成する垂直記録再生用の磁気ヘッドの新規な
基板構成に係るものである。
（従来例の構成とその問題点）
第１図は本発明の実施対象の一例としての垂直再生用磁
気抵抗効果素子ヘッド（以下ＭＲ素子、ＭＲヘッド等と
略記する）の従来構成例を示すものである。同図におい
て、１はパーマロイ等より成るＭＲ素子、２はＭＲ素子
への電流端子、３は高透磁率フェライト等より成る磁束
リターンコア部、４は非出性充填部であり、又５は記録
媒体である。
気抵抗効果素子ヘッド（以下ＭＲ素子、ＭＲヘッド等と
略記する）の従来構成例を示すものである。同図におい
て、１はパーマロイ等より成るＭＲ素子、２はＭＲ素子
への電流端子、３は高透磁率フェライト等より成る磁束
リターンコア部、４は非出性充填部であり、又５は記録
媒体である。
この皿ヘッドにおいては、再生動作時、記録媒体５より
の再生磁束がＭＲ素子１を通ってリターンコア３に流れ
るが、ＭＲ素子の電気抵抗は再生磁束に応じた変化を受
けるため、ＭＲ電流端子２に直列接続された定抵抗間の
電位差を検出する等の手段により再生出力を得ることが
できる。
の再生磁束がＭＲ素子１を通ってリターンコア３に流れ
るが、ＭＲ素子の電気抵抗は再生磁束に応じた変化を受
けるため、ＭＲ電流端子２に直列接続された定抵抗間の
電位差を検出する等の手段により再生出力を得ることが
できる。
さて本発明は、このような構成の磁気ヘッド基板の非磁
性充填部４の構成に関するものである。
性充填部４の構成に関するものである。
この部分の従来の構成方法の一つはガラスモールドによ
るものである。すなわち第２図にその断面を示すように
、完成後リターンコア部となるフェライト基板３に溝６
を形成し、その溝をガラス６′でモールドする１、その
後薄膜プロセス面７を平滑研磨し、ＭＲ素子１、同電流
端子２を順次形成する。
るものである。すなわち第２図にその断面を示すように
、完成後リターンコア部となるフェライト基板３に溝６
を形成し、その溝をガラス６′でモールドする１、その
後薄膜プロセス面７を平滑研磨し、ＭＲ素子１、同電流
端子２を順次形成する。
その後所定の保護膜（図示せず）等を形成したのち８の
部分で切断し、記録媒体対接面を形成する。
部分で切断し、記録媒体対接面を形成する。
この構成をとると、フェライト基板３との膨張係数合せ
や、適度のモールドのし易すさ等の観点より、その作業
温度が高々数１００℃程度のガラスを選択することにな
り、その硬度はフェライトに比して低いものとなる。こ
のためにプロセス面７の研磨に際してガラスとフェライ
トの間に段差が発生してその界面［またがるＭＲ素子１
の特性が劣化する問題が発生する。又媒体対接面８にお
いても同様の問題が発生し、同対接面に凹凸が発生した
り、又ＭＲ素子の一面が軟かいガラスで保持されること
によるＭＲ素子先端の機械的破損が発生し易くなったり
する。
や、適度のモールドのし易すさ等の観点より、その作業
温度が高々数１００℃程度のガラスを選択することにな
り、その硬度はフェライトに比して低いものとなる。こ
のためにプロセス面７の研磨に際してガラスとフェライ
トの間に段差が発生してその界面［またがるＭＲ素子１
の特性が劣化する問題が発生する。又媒体対接面８にお
いても同様の問題が発生し、同対接面に凹凸が発生した
り、又ＭＲ素子の一面が軟かいガラスで保持されること
によるＭＲ素子先端の機械的破損が発生し易くなったり
する。
第３図はこの様な問題に対処するだめの従来例である。
ここでは第２図と同様の溝にフェライト基板３と同程度
の硬度と膨張係数を有する非磁性体９をモールドガラス
１０により埋込み固着し、その後プロセス面７を研磨す
る。この構成によると、凧素子が媒体対接面近傍におい
て高硬度の材質で保持される点や、媒体対接面の凹凸が
軽減される点での改善はあるが、なおかつＭＲ素子のま
たがる部分Ｊ］で発生する凹凸は好捷しぐない。更にモ
ールドガラス】０のように細い間隙をガラスモールドす
る場合このような部分にガラス中気泡が発生し易く、む
しろ１Ｊの部分での欠陥は多くなるような傾向がある。
の硬度と膨張係数を有する非磁性体９をモールドガラス
１０により埋込み固着し、その後プロセス面７を研磨す
る。この構成によると、凧素子が媒体対接面近傍におい
て高硬度の材質で保持される点や、媒体対接面の凹凸が
軽減される点での改善はあるが、なおかつＭＲ素子のま
たがる部分Ｊ］で発生する凹凸は好捷しぐない。更にモ
ールドガラス】０のように細い間隙をガラスモールドす
る場合このような部分にガラス中気泡が発生し易く、む
しろ１Ｊの部分での欠陥は多くなるような傾向がある。
又非磁性体９の埋込み材自身、旧素子のほとんどがその
十に設置さノするのでボア等分欠陥が（夕めて少〈なけ
ハ、ばならないが、これも実際上困難が多い。
十に設置さノするのでボア等分欠陥が（夕めて少〈なけ
ハ、ばならないが、これも実際上困難が多い。
第４図は更に第３図の改良例を示すものである。
ここでは第３図と同様にして基板を構成し、たのち、更
に溝１２を形成して、この溝部を非磁性体９の非磁性拐
と同質、又は硬度膨張係数の点で類似の拐オ」で充填し
くｊ３）、プロセス面７を平滑研磨する。ここで溝１２
の一端はモールドガラス充填部の一端】１にわずかに重
複するようにし、又充填部Ｊ３の充填手段はス・ぐツタ
リング等の薄膜形成技術によるものとする。
に溝１２を形成して、この溝部を非磁性体９の非磁性拐
と同質、又は硬度膨張係数の点で類似の拐オ」で充填し
くｊ３）、プロセス面７を平滑研磨する。ここで溝１２
の一端はモールドガラス充填部の一端】１にわずかに重
複するようにし、又充填部Ｊ３の充填手段はス・ぐツタ
リング等の薄膜形成技術によるものとする。
このような構成によると、ＭＲ素子のほとんどが設置さ
れる充填部】３の上面もボア等の極めて少い良好な面と
なり、又ＭＲ素子がまたがる界面１４での欠陥も原理的
には少くなるはずである。しかし実際上は溝１２をスバ
、タリング等の膜で充填するに際してそのエッソ近傍（
１１の近傍）は溝１２のニックの／ヤドウイング効果等
により緻密な膜が形成されにくく、プロセス面７の研磨
に際して１４の近傍がチッピングを起したりし易い。
れる充填部】３の上面もボア等の極めて少い良好な面と
なり、又ＭＲ素子がまたがる界面１４での欠陥も原理的
には少くなるはずである。しかし実際上は溝１２をスバ
、タリング等の膜で充填するに際してそのエッソ近傍（
１１の近傍）は溝１２のニックの／ヤドウイング効果等
により緻密な膜が形成されにくく、プロセス面７の研磨
に際して１４の近傍がチッピングを起したりし易い。
又基板の形成プロセス自身あまりに複雑なものとなって
量産上問題が多い。
量産上問題が多い。
υ上皿ヘッドを例にとって問題を指摘したが、この例に
かぎらずだとえは第５図に示した垂直記録用単磁極形ヘ
ッド（１５；主磁極、１６；高透磁率磁性体部、１７；
非磁性体部、５；記録媒体）においても非磁性体部１７
の構成に関して上記と同様の問題が指摘できる。
かぎらずだとえは第５図に示した垂直記録用単磁極形ヘ
ッド（１５；主磁極、１６；高透磁率磁性体部、１７；
非磁性体部、５；記録媒体）においても非磁性体部１７
の構成に関して上記と同様の問題が指摘できる。
（発明の目的）
本発明は以上のような問題を解決するためになされたも
ので、磁気ヘッドを構成する磁性膜の下地部分の欠陥が
少く、又同磁性膜が十分に硬度の高い材質で保持された
構造が得られる新規・シ基板構成を提供することを目的
とする。
ので、磁気ヘッドを構成する磁性膜の下地部分の欠陥が
少く、又同磁性膜が十分に硬度の高い材質で保持された
構造が得られる新規・シ基板構成を提供することを目的
とする。
（発明の構成）
本発明の基本構成は高透磁率磁性体基板とダミー基板に
よって非磁性体膜を挟持接合し、ト記非磁性体膜に略垂
直な面を平滑研磨し２てこれを薄膜ゾロセス面として用
いるものである。このとき上記非磁性４胛は上記高透磁
率磁性基板側にス・らタリ／ダ等によって付着形成し、
又付着粒子が基本的に４４着面に垂１亘人射する形で成
膜を行うことにより、上記プロセス面の平滑研磨に際し
て現われる上記非磁性体膜断面、とりわけ上記磁性体基
板との界面近傍が欠陥なく研磨されるようにする。
よって非磁性体膜を挟持接合し、ト記非磁性体膜に略垂
直な面を平滑研磨し２てこれを薄膜ゾロセス面として用
いるものである。このとき上記非磁性４胛は上記高透磁
率磁性基板側にス・らタリ／ダ等によって付着形成し、
又付着粒子が基本的に４４着面に垂１亘人射する形で成
膜を行うことにより、上記プロセス面の平滑研磨に際し
て現われる上記非磁性体膜断面、とりわけ上記磁性体基
板との界面近傍が欠陥なく研磨されるようにする。
このようにしてこの上に形成される薄膜磁気へ。
ド素子の磁性膜が磁気特性劣化等の少い状態で成膜され
るようにするものである。
るようにするものである。
（実施例の説明）
第６図（ａ）〜（ｃ）を用いて、ＭＲ垂直再生ヘッドに
おける本発明の詳細な説明する。
おける本発明の詳細な説明する。
同図（ａ）中１８は後にリターンコアとなるＭｎ−Ｚｎ
フェライト基板であり、磁気ヘッドの薄膜ゾロセス面と
なる面Ｊ９に、垂直な断面に切欠き２０を設け、このよ
うな垂直断面部に非磁性膜２】としてアルミナ又はチタ
ン酸バリウムのマグネトロンス・や、夕による厚膜を矢
印２２の方向から形成しまた。
フェライト基板であり、磁気ヘッドの薄膜ゾロセス面と
なる面Ｊ９に、垂直な断面に切欠き２０を設け、このよ
うな垂直断面部に非磁性膜２】としてアルミナ又はチタ
ン酸バリウムのマグネトロンス・や、夕による厚膜を矢
印２２の方向から形成しまた。
切欠き深さ２３と非磁性膜２】の（”ＩＭ幹厚は約５０
／７ｊｌ’ｌとした。
／７ｊｌ’ｌとした。
その後同図（ｂ’＋に示すように、上記垂直断面を平面
に研磨し、残る非磁性膜厚２４が約４０μｍとなるよう
にした。その後フェライト基板１８と略同−厚さのダミ
ー基板２５を上記の研磨面にガラス接合した。接合にあ
たっては、ダミー基板２５側に数μｍ厚さのガラス膜２
６をあらかじめ焼き付けておき、加圧加熱した。接合後
２７の位置まで研磨加工し、複合基板を形成した。
に研磨し、残る非磁性膜厚２４が約４０μｍとなるよう
にした。その後フェライト基板１８と略同−厚さのダミ
ー基板２５を上記の研磨面にガラス接合した。接合にあ
たっては、ダミー基板２５側に数μｍ厚さのガラス膜２
６をあらかじめ焼き付けておき、加圧加熱した。接合後
２７の位置まで研磨加工し、複合基板を形成した。
次にこのように形成した複合基板上の所定位置に第６図
（Ｃ）の如く、ＭＲ素子ｌ、及び同電流端子２を形成し
、更にこの上にアルミナ又はチタン酸・ぐリウムのス・
やツタ膜による保護膜を形成して（図示せず）、８の位
置で切断・研磨して記録媒体対接面を形成した。
（Ｃ）の如く、ＭＲ素子ｌ、及び同電流端子２を形成し
、更にこの上にアルミナ又はチタン酸・ぐリウムのス・
やツタ膜による保護膜を形成して（図示せず）、８の位
置で切断・研磨して記録媒体対接面を形成した。
以上のような形成法においては、非磁性膜２１のＭＲ素
子近傍はすべて、平面上に成膜された緻密な膜質を有し
ているので、ＭＲ素子の下地となる面には欠陥が極めて
少く、特に境界部２８にはチッピングや段差等の損傷は
全く見られなかった。媒体対接面上の境界２９にはやや
欠陥の見られる部分もあったが、ＭＲ素子】から十分に
はなれた位置であるために特にヘッド動作上の問題はな
かった。
子近傍はすべて、平面上に成膜された緻密な膜質を有し
ているので、ＭＲ素子の下地となる面には欠陥が極めて
少く、特に境界部２８にはチッピングや段差等の損傷は
全く見られなかった。媒体対接面上の境界２９にはやや
欠陥の見られる部分もあったが、ＭＲ素子】から十分に
はなれた位置であるために特にヘッド動作上の問題はな
かった。
又凧素子はアルミナやチタン酸バリウム等の硬度の高い
膜により強固に挾持されるので、その媒体対接面に露出
した部分の、媒体対接面加工や媒体摺動による損傷はほ
とんど見られなかった。
膜により強固に挾持されるので、その媒体対接面に露出
した部分の、媒体対接面加工や媒体摺動による損傷はほ
とんど見られなかった。
第７図は本発明の他の実施例である。ここではフェライ
ト基板１８の全ぐ平面である垂直断面にアルミナやチタ
ン酸バリウム等の非磁性スパッタ膜による非磁性膜２１
を形成し、以後第６図と同様な構成でＭＲヘッドを形成
したものである。このような構成によると記録媒体面に
直接対接するリターン磁路は形成されないことになるが
、非磁性２】の厚さを２０〜３０μｍ程度にすれば実用
上りターン効果は十分に得られる。との構成でも處素子
１地部分は欠陥の少い状態が得らハフ、更に第６図（ｃ
）の２９のような界面は媒体対接面にｙｌｔ′Ｌず、又
形成プロセスが簡単であるので実用上の利点が大きい。
ト基板１８の全ぐ平面である垂直断面にアルミナやチタ
ン酸バリウム等の非磁性スパッタ膜による非磁性膜２１
を形成し、以後第６図と同様な構成でＭＲヘッドを形成
したものである。このような構成によると記録媒体面に
直接対接するリターン磁路は形成されないことになるが
、非磁性２】の厚さを２０〜３０μｍ程度にすれば実用
上りターン効果は十分に得られる。との構成でも處素子
１地部分は欠陥の少い状態が得らハフ、更に第６図（ｃ
）の２９のような界面は媒体対接面にｙｌｔ′Ｌず、又
形成プロセスが簡単であるので実用上の利点が大きい。
又この構成は第５図に示した単磁極形垂直ヘッドにもた
だちに実施可能である。
だちに実施可能である。
以上本発明の実施例を垂直記録再生用磁気ヘッドを例に
説明したが、この例にかぎらず一般に薄膜磁気ヘッドに
おいて、第８図に示すように、何らかの薄膜磁気ヘッド
素子３０の設置される複合基板３４の構成で、少くとも
記録媒体対接面には高硬度で緻密な層３２が必要であり
、又プロセス面３１は欠陥の少い平滑な面が必要な例に
おいては、本発明による複合基板構成を用いて良好な結
果を得ることができる。
説明したが、この例にかぎらず一般に薄膜磁気ヘッドに
おいて、第８図に示すように、何らかの薄膜磁気ヘッド
素子３０の設置される複合基板３４の構成で、少くとも
記録媒体対接面には高硬度で緻密な層３２が必要であり
、又プロセス面３１は欠陥の少い平滑な面が必要な例に
おいては、本発明による複合基板構成を用いて良好な結
果を得ることができる。
（発明の効果）
以上の説明より明らかなように本発明によれば、磁気ヘ
ッドを構成する磁性膜の下地部分の欠陥を少くできるの
で、下地欠陥に起因する磁性膜の特性劣化を防止するこ
とができ、又上記磁性膜が十分硬度の高い材質で挾持さ
れた形を容易に実施できるので、加工や記録媒体摺動に
よる磁性膜の劣化を少くできる。これらによってすぐれ
た特性の磁気へラドが得られるとともに、基板の構成自
身簡単なため、量産上有利である。
ッドを構成する磁性膜の下地部分の欠陥を少くできるの
で、下地欠陥に起因する磁性膜の特性劣化を防止するこ
とができ、又上記磁性膜が十分硬度の高い材質で挾持さ
れた形を容易に実施できるので、加工や記録媒体摺動に
よる磁性膜の劣化を少くできる。これらによってすぐれ
た特性の磁気へラドが得られるとともに、基板の構成自
身簡単なため、量産上有利である。
第１図、第５図は本発明の実施対象となる磁気ヘッドの
例を示す斜視図であり、第２図ないし第４図はこれらの
具体的構成の従来例を示す断面図である。第６図（ａ）
〜（ｃ）及び第７図、第８図は本発明の実施例を示す断
面図である。 ５・・記録媒体、１５・主磁極、１６ 高透磁率磁性体
部、】７ 非磁性体部、】８・・・フェライト基板、２
ノ・・非磁性膜、２５・・ダミー基板、２６カ゛ラス膜
、３０・・・？ｉｔ膜磁気ヘッド素子、３トプロセス面
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 ｇ′、”Ｔ”人 代 理 人 星 野 恒 司゛第１
図 第２図 第３図 第４図 第６図
例を示す斜視図であり、第２図ないし第４図はこれらの
具体的構成の従来例を示す断面図である。第６図（ａ）
〜（ｃ）及び第７図、第８図は本発明の実施例を示す断
面図である。 ５・・記録媒体、１５・主磁極、１６ 高透磁率磁性体
部、】７ 非磁性体部、】８・・・フェライト基板、２
ノ・・非磁性膜、２５・・ダミー基板、２６カ゛ラス膜
、３０・・・？ｉｔ膜磁気ヘッド素子、３トプロセス面
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 ｇ′、”Ｔ”人 代 理 人 星 野 恒 司゛第１
図 第２図 第３図 第４図 第６図
Claims (3)
- （１）第１の基板と、高透磁率磁性体よりなる第２の基
板を、少くとも一部に非磁性体膜を挾持して接合した複
合基板であって、上記非磁性体膜は上記第２の基板側に
薄膜技術により形成し、上記非磁性体膜に略垂直でかつ
上記非磁性体膜の略垂直断面が少くとも一部に露出する
面を磁気ヘッド素子形成の薄膜プロセス面として平滑研
磨したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用複合基板。 - （２）第２の基板をフェライト、接合をガラス接合、非
磁性体膜をアルミナもしくはチタン酸バリウムのスパッ
タ膜とし、かつ上記スパッタ膜はスパッタ粒子が付着面
に基本的に垂直入射するように成膜したことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜磁気ヘッド用複
合基板。 - （３）略直方体形状の高透磁率磁性体の第１の面の少く
とも一部に非磁性体膜を薄膜技術により付着形成した複
合基板と、上記複合基板の上記第１の面に略垂直でかつ
上記非磁性体膜の略垂直断面が少くとも一部に露出する
第２の面上に形成した薄膜ヘッド素子とから成り、上記
薄膜ヘッド素子が上記第２の面上において占める領域は
上記非磁性体膜の露出断面を少くとも一部に含み、更に
上記非磁性体膜の上記第１の面に略平行な表面は記録媒
体対接面の少くとも一部を構成することを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13646484A JPS6116008A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 薄膜磁気ヘツド用複合基板及び薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13646484A JPS6116008A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 薄膜磁気ヘツド用複合基板及び薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116008A true JPS6116008A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15175718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13646484A Pending JPS6116008A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 薄膜磁気ヘツド用複合基板及び薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116008A (ja) |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13646484A patent/JPS6116008A/ja active Pending
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