JPH0991632A - 誘導型・ｍｒ型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
誘導型・ｍｒ型複合磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH0991632A JPH0991632A JP27046895A JP27046895A JPH0991632A JP H0991632 A JPH0991632 A JP H0991632A JP 27046895 A JP27046895 A JP 27046895A JP 27046895 A JP27046895 A JP 27046895A JP H0991632 A JPH0991632 A JP H0991632A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 書込時に書込磁束が下シールドに誘導されに
くくして、書込ギャップにおける書込漏洩磁束の広がり
を防止して、記録密度の向上およびオーバライト特性の
劣化防止を図る。 【解決手段】 下シールド４８を上シールド兼下コア３
４に比べて十分小さい面積に形成する。下シールド４８
の周囲を非磁性絶縁膜１７で包囲して下シールド４８の
周囲の段差を解消した状態でその上の層を成膜する。
くくして、書込ギャップにおける書込漏洩磁束の広がり
を防止して、記録密度の向上およびオーバライト特性の
劣化防止を図る。 【解決手段】 下シールド４８を上シールド兼下コア３
４に比べて十分小さい面積に形成する。下シールド４８
の周囲を非磁性絶縁膜１７で包囲して下シールド４８の
周囲の段差を解消した状態でその上の層を成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ハードディスク
用磁気ヘッド等に用いられる誘導型・ＭＲ（磁気抵抗効
果）型複合磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、記録
密度の向上を図ったものである。
用磁気ヘッド等に用いられる誘導型・ＭＲ（磁気抵抗効
果）型複合磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、記録
密度の向上を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ型磁気ヘッドは、ＭＲ素子を用いて
磁気記録媒体の磁極から発生する磁界を検出して記録情
報を再生する再生専用の磁気ヘッドで、誘導型磁気ヘッ
ドで再生する場合に比べてトラック密度、線記録密度を
高くできる利点があり、記録用の誘導型磁気ヘッドと組
合わせて誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドとして構成され
る。
磁気記録媒体の磁極から発生する磁界を検出して記録情
報を再生する再生専用の磁気ヘッドで、誘導型磁気ヘッ
ドで再生する場合に比べてトラック密度、線記録密度を
高くできる利点があり、記録用の誘導型磁気ヘッドと組
合わせて誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドとして構成され
る。
【０００３】従来のハードディスク用誘導型・ＭＲ型複
合磁気ヘッドを図２に断面図で示す。また、同ヘッド中
のＭＲ型磁気ヘッド部分の構成を図３に分解斜視図で示
す。誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０は、ＭＲ型磁気
ヘッド１２の上に誘導型磁気ヘッド１４を積層して構成
されている。両ヘッド１２，１４とも薄膜形成技術を利
用して作られている。
合磁気ヘッドを図２に断面図で示す。また、同ヘッド中
のＭＲ型磁気ヘッド部分の構成を図３に分解斜視図で示
す。誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０は、ＭＲ型磁気
ヘッド１２の上に誘導型磁気ヘッド１４を積層して構成
されている。両ヘッド１２，１４とも薄膜形成技術を利
用して作られている。
【０００４】ＭＲ型磁気ヘッド１２は、スライダ基板１
６の上にアルミナ等の非磁性絶縁膜１７を積層して、そ
の上に下シールド１８が構成され、その上に絶縁層を構
成する下側の再生ギャップ層２０が積層されている。再
生ギャップ層２０の上にはＭＲ膜、スペーサ、ＳＡＬ
（Soft Adjacent Layer ：近接軟磁性層）バイアス膜等
を積層したＭＲ素子２８がその先端部を記録媒体対向面
（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface ）２４に臨ませて構
成されている。ＭＲ素子２８の左右両側には、バルクハ
ウゼン抑制膜４４，４６およびリード（リード・コンダ
クタ）３０，３１が接合されている。ＭＲ素子２８およ
びリード３０，３１の上には、絶縁層を構成する上側の
再生ギャップ層３２が構成され（上側と下側の再生ギャ
ップ層２０，３２で記録媒体対向面２４に再生ギャップ
３３を構成する。）、さらにその上に上シールド３４が
構成されている。
６の上にアルミナ等の非磁性絶縁膜１７を積層して、そ
の上に下シールド１８が構成され、その上に絶縁層を構
成する下側の再生ギャップ層２０が積層されている。再
生ギャップ層２０の上にはＭＲ膜、スペーサ、ＳＡＬ
（Soft Adjacent Layer ：近接軟磁性層）バイアス膜等
を積層したＭＲ素子２８がその先端部を記録媒体対向面
（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface ）２４に臨ませて構
成されている。ＭＲ素子２８の左右両側には、バルクハ
ウゼン抑制膜４４，４６およびリード（リード・コンダ
クタ）３０，３１が接合されている。ＭＲ素子２８およ
びリード３０，３１の上には、絶縁層を構成する上側の
再生ギャップ層３２が構成され（上側と下側の再生ギャ
ップ層２０，３２で記録媒体対向面２４に再生ギャップ
３３を構成する。）、さらにその上に上シールド３４が
構成されている。
【０００５】誘導型磁気ヘッド１４は、ＭＲ型磁気ヘッ
ド１２の上シールド３４を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ層３６、コイルおよび絶縁層３８、上
コア４０を順次積層して構成されている。書込ギャップ
層３６は、記録媒体対向面２４に書込ギャップ３５を構
成する。上コア４０の上には保護膜４２が被せられる。
ド１２の上シールド３４を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ層３６、コイルおよび絶縁層３８、上
コア４０を順次積層して構成されている。書込ギャップ
層３６は、記録媒体対向面２４に書込ギャップ３５を構
成する。上コア４０の上には保護膜４２が被せられる。
【０００６】図２の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド１４のコイル３９に記
録信号を流すことにより、上下コア４０，３４間の書込
みギャップ３５に書込磁界が発生して、この磁界で記録
媒体に対する記録が行なわれる。また、再生時は、ＭＲ
型磁気ヘッド１２のリード３０，３１を通じてＭＲ素子
２８にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレ
ースすることにより、トラック上の情報に応じてＭＲ素
子２８の両端の電圧が変調され、この電圧を検出するこ
とにより再生が行なわれる。
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド１４のコイル３９に記
録信号を流すことにより、上下コア４０，３４間の書込
みギャップ３５に書込磁界が発生して、この磁界で記録
媒体に対する記録が行なわれる。また、再生時は、ＭＲ
型磁気ヘッド１２のリード３０，３１を通じてＭＲ素子
２８にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレ
ースすることにより、トラック上の情報に応じてＭＲ素
子２８の両端の電圧が変調され、この電圧を検出するこ
とにより再生が行なわれる。
【０００７】従来の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０
においては、下シールド１８は上シールド３４と同一あ
るいはそれ以上の面積に形成されていた。その理由は、
下シールド１８を上シールド３４よりも小さく形成する
と、下シールド１８上に積層される再生ギャップ層２
０，３２および上シールド３４に下シールド１８の外周
縁位置で段差が生じ、この段差部分で堆積される膜厚は
薄く形成されるので、再生ギャップ層２０，３２中のリ
ード３０，３１に断線が生じたり、再生ギャップ層２
０，３２に段差部分で欠損部分が生じてリード３０，３
１が下シールド１８または上シールド３４に接触したり
するためである。また、段差が生じた状態でコイル３９
を成膜すると、コイル３９に断線を生じることがある。
においては、下シールド１８は上シールド３４と同一あ
るいはそれ以上の面積に形成されていた。その理由は、
下シールド１８を上シールド３４よりも小さく形成する
と、下シールド１８上に積層される再生ギャップ層２
０，３２および上シールド３４に下シールド１８の外周
縁位置で段差が生じ、この段差部分で堆積される膜厚は
薄く形成されるので、再生ギャップ層２０，３２中のリ
ード３０，３１に断線が生じたり、再生ギャップ層２
０，３２に段差部分で欠損部分が生じてリード３０，３
１が下シールド１８または上シールド３４に接触したり
するためである。また、段差が生じた状態でコイル３９
を成膜すると、コイル３９に断線を生じることがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の誘導型・Ｍ
Ｒ型複合磁気ヘッド１０のコイル３９に書込電流を流し
て書込みを行なう時のコア内磁束分布と書込ギャップ３
５における漏洩磁束分布を図４に示す。これによれば、
再生ギャップ層３２，２０の厚さは薄く上シールド３４
と下シールド１８が近接しているため、書込電流を流し
て発生する強い磁界は、再生ギャップ層３２，２０を通
して下シールド１８へも多くの部分が誘導される。これ
は下コア（書込下ポール）の厚さが厚くなったのと等価
になり、書込ギャップ３５での書込漏洩磁束はブロード
でかつ弱くなり、オーバライト（再書込）特性が劣化す
る。このため、記録媒体への書込み反転磁束の強度を十
分にしてオーバライト特性を改善するためには強い起磁
力（コイル３９へ流す電流）を必要とする。しかし、起
磁力を増大すると、書込ポール先端部（上下コア４０，
３４の先端部）で磁気飽和を生じ易く、高周波での書込
特性を劣化させる。このため記録密度を高めることがで
きなかった。
Ｒ型複合磁気ヘッド１０のコイル３９に書込電流を流し
て書込みを行なう時のコア内磁束分布と書込ギャップ３
５における漏洩磁束分布を図４に示す。これによれば、
再生ギャップ層３２，２０の厚さは薄く上シールド３４
と下シールド１８が近接しているため、書込電流を流し
て発生する強い磁界は、再生ギャップ層３２，２０を通
して下シールド１８へも多くの部分が誘導される。これ
は下コア（書込下ポール）の厚さが厚くなったのと等価
になり、書込ギャップ３５での書込漏洩磁束はブロード
でかつ弱くなり、オーバライト（再書込）特性が劣化す
る。このため、記録媒体への書込み反転磁束の強度を十
分にしてオーバライト特性を改善するためには強い起磁
力（コイル３９へ流す電流）を必要とする。しかし、起
磁力を増大すると、書込ポール先端部（上下コア４０，
３４の先端部）で磁気飽和を生じ易く、高周波での書込
特性を劣化させる。このため記録密度を高めることがで
きなかった。
【０００９】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、書込時に書込磁束が下シールドに誘導さ
れにくくして、書込ギャップにおける書込漏洩磁束の広
がりを防止し、これにより記録密度の向上およびオーバ
ライト特性の劣化防止を図った誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッドを提供しようとするものである。
点を解決して、書込時に書込磁束が下シールドに誘導さ
れにくくして、書込ギャップにおける書込漏洩磁束の広
がりを防止し、これにより記録密度の向上およびオーバ
ライト特性の劣化防止を図った誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッドを提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、下シールド
の面積を上シールドの面積よりも小さく形成したもので
ある。これによれば、書込時に下シールドに誘導される
書込磁束を減少させることができるので、書込ギャップ
における書込漏洩磁束がシャープで強く得られ、オーバ
ライト特性が改善される。したがって、起磁力（コイル
へ流す電流）は比較的弱くてすむので、書込ポール先端
部（上下コア先端部）で磁気飽和が生じにくくなり、高
周波での書込特性が改善され、記録密度を高めることが
できる。
の面積を上シールドの面積よりも小さく形成したもので
ある。これによれば、書込時に下シールドに誘導される
書込磁束を減少させることができるので、書込ギャップ
における書込漏洩磁束がシャープで強く得られ、オーバ
ライト特性が改善される。したがって、起磁力（コイル
へ流す電流）は比較的弱くてすむので、書込ポール先端
部（上下コア先端部）で磁気飽和が生じにくくなり、高
周波での書込特性が改善され、記録密度を高めることが
できる。
【００１１】この場合、下シールドの周囲に非磁性絶縁
材料を充填して当該下シールドの周囲の段差を解消した
状態で、その上にＭＲ型磁気ヘッドの下側の再生ギャッ
プ層を平坦に成膜し、この下側の再生ギャップ層の上に
ＭＲ素子と当該ＭＲ素子に通電するためのリードを成膜
し、その上に上側の再生ギャップ層さらには上シールド
を成膜すれば、下シールドの外周縁位置で再生ギャップ
層や下シールド兼下コアに段差が生じるのが防止され、
リードやコイルに断線が生じたり、リードが上シールド
や下シールドに接触するのが防止される。
材料を充填して当該下シールドの周囲の段差を解消した
状態で、その上にＭＲ型磁気ヘッドの下側の再生ギャッ
プ層を平坦に成膜し、この下側の再生ギャップ層の上に
ＭＲ素子と当該ＭＲ素子に通電するためのリードを成膜
し、その上に上側の再生ギャップ層さらには上シールド
を成膜すれば、下シールドの外周縁位置で再生ギャップ
層や下シールド兼下コアに段差が生じるのが防止され、
リードやコイルに断線が生じたり、リードが上シールド
や下シールドに接触するのが防止される。
【００１２】下シールドの面積を上シールドの面積より
も小さく形成する具体的な配置パターンとしては、上シ
ールドの面の範囲内に下シールドを配置するパターンが
ある。特に、記録媒体対向面からの下シールドの奥行方
向の長さを、記録媒体対向面から上シールド兼下コアと
連結されるリヤギャップまでの上シールド兼下コアの奥
行方向の長さよりも短く形成し、かつ下シールドの幅を
上シールド兼下コアの幅よりも短く形成することによ
り、下シールドの面積を上シールドの面積よりも十分小
さく形成することができる。
も小さく形成する具体的な配置パターンとしては、上シ
ールドの面の範囲内に下シールドを配置するパターンが
ある。特に、記録媒体対向面からの下シールドの奥行方
向の長さを、記録媒体対向面から上シールド兼下コアと
連結されるリヤギャップまでの上シールド兼下コアの奥
行方向の長さよりも短く形成し、かつ下シールドの幅を
上シールド兼下コアの幅よりも短く形成することによ
り、下シールドの面積を上シールドの面積よりも十分小
さく形成することができる。
【００１３】また、この発明の誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッドの製造方法は、基板上に非磁性絶縁膜を成膜し、
その上の一部に下シールドを所定の大きさに突出して形
成し、その上に非磁性絶縁膜を成膜して当該下シールド
およびその周囲を覆い、その後当該非磁性絶縁膜が成膜
された面を研磨して前記下シールドの上面を露出させ
て、当該下シールドの上面とその周囲の前記非磁性絶縁
膜の上面を同一平面に形成し、その上に下側の再生ギャ
ップ層を成膜し、その上にＭＲ素子と当該ＭＲ素子に通
電するためのリードを成膜し、その上に上側の再生ギャ
ップ層を成膜し、その上に上シールドを前記下シールド
よりも大きな面積に成膜して再生用ＭＲ型磁気ヘッドを
構成し、さらに、前記上シールドを下コアとして兼用し
て当該下コアの上に書込ギャップ層とコイルおよび絶縁
層を形成し、その上に上コアを記録媒体対向面側で書込
ギャップを形成し記録媒体対向面から離れた側で前記下
コアと連結するリヤギャップを形成するように成膜して
記録用誘導型磁気ヘッドを構成し、当該記録用誘導型磁
気ヘッドの上に保護膜を成膜して誘導型・ＭＲ型複合磁
気ヘッドを構成したものである。これによれば、この発
明の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドを容易に製造するこ
とができる。
ヘッドの製造方法は、基板上に非磁性絶縁膜を成膜し、
その上の一部に下シールドを所定の大きさに突出して形
成し、その上に非磁性絶縁膜を成膜して当該下シールド
およびその周囲を覆い、その後当該非磁性絶縁膜が成膜
された面を研磨して前記下シールドの上面を露出させ
て、当該下シールドの上面とその周囲の前記非磁性絶縁
膜の上面を同一平面に形成し、その上に下側の再生ギャ
ップ層を成膜し、その上にＭＲ素子と当該ＭＲ素子に通
電するためのリードを成膜し、その上に上側の再生ギャ
ップ層を成膜し、その上に上シールドを前記下シールド
よりも大きな面積に成膜して再生用ＭＲ型磁気ヘッドを
構成し、さらに、前記上シールドを下コアとして兼用し
て当該下コアの上に書込ギャップ層とコイルおよび絶縁
層を形成し、その上に上コアを記録媒体対向面側で書込
ギャップを形成し記録媒体対向面から離れた側で前記下
コアと連結するリヤギャップを形成するように成膜して
記録用誘導型磁気ヘッドを構成し、当該記録用誘導型磁
気ヘッドの上に保護膜を成膜して誘導型・ＭＲ型複合磁
気ヘッドを構成したものである。これによれば、この発
明の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドを容易に製造するこ
とができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明のハードディスク用誘導
型・ＭＲ型複合磁気ヘッドの実施の形態を図２に断面図
で示す。また、同ヘッド中のＭＲ型磁気ヘッド部分の構
成を図５に分解斜視図で示す。尚、前記図２、図３と共
通する部分には同一の符号を用いる。誘導型・ＭＲ型複
合磁気ヘッド５０は、ＭＲ型磁気ヘッド５２の上に誘導
型磁気ヘッド１４を積層して構成されている。両ヘッド
５２，１４とも薄膜形成技術を利用して作られている。
型・ＭＲ型複合磁気ヘッドの実施の形態を図２に断面図
で示す。また、同ヘッド中のＭＲ型磁気ヘッド部分の構
成を図５に分解斜視図で示す。尚、前記図２、図３と共
通する部分には同一の符号を用いる。誘導型・ＭＲ型複
合磁気ヘッド５０は、ＭＲ型磁気ヘッド５２の上に誘導
型磁気ヘッド１４を積層して構成されている。両ヘッド
５２，１４とも薄膜形成技術を利用して作られている。
【００１５】ＭＲ型磁気ヘッド５２は、スライダ基板１
６の上にアルミナ等の非磁性絶縁膜１７を積層して、そ
の上に下シールド４８が構成されている。下シールド４
８は上シールド３４に比べて十分小さな面積に構成され
ている。すなわち、記録媒体対向面２４からの下シール
ド４８の奥行方向の長さＬ１は、上シールド兼下コア３
４が上コア４０と連結されるリヤギャップ５１までの奥
行方向の長さＬ２よりも短く形成されている。また、下
シールド４８の幅Ｗ１（図５）は上シールド兼下コア３
４の幅Ｗ２よりも小さく形成されている。これにより、
下シールド４８は上シールド兼下コア３４の面の範囲内
に構成されている。下シールド４８の周囲には、記録媒
体対向面２４を臨む辺を除いて非磁性絶縁膜１７が充填
されている。これにより、下シールド４８の周囲の段差
は解消され、下シールド４８の上面と非磁性絶縁膜１７
の上面は同一平面に構成されている。
６の上にアルミナ等の非磁性絶縁膜１７を積層して、そ
の上に下シールド４８が構成されている。下シールド４
８は上シールド３４に比べて十分小さな面積に構成され
ている。すなわち、記録媒体対向面２４からの下シール
ド４８の奥行方向の長さＬ１は、上シールド兼下コア３
４が上コア４０と連結されるリヤギャップ５１までの奥
行方向の長さＬ２よりも短く形成されている。また、下
シールド４８の幅Ｗ１（図５）は上シールド兼下コア３
４の幅Ｗ２よりも小さく形成されている。これにより、
下シールド４８は上シールド兼下コア３４の面の範囲内
に構成されている。下シールド４８の周囲には、記録媒
体対向面２４を臨む辺を除いて非磁性絶縁膜１７が充填
されている。これにより、下シールド４８の周囲の段差
は解消され、下シールド４８の上面と非磁性絶縁膜１７
の上面は同一平面に構成されている。
【００１６】下シールド４８およびその周囲の非磁性絶
縁膜１７の上には、絶縁層を構成する下側の再生ギャッ
プ層２０が平坦に積層されている。再生ギャップ層２０
の上にはＭＲ膜、スペーサ、ＳＡＬ（Soft Adjacent La
yer ：近接軟磁性層）バイアス膜等を積層したＭＲ素子
２８がその先端部を記録媒体対向面（ＡＢＳ面：AirBea
ring Surface ）２４に臨ませて構成されている。ＭＲ
素子２８の左右両側には、バルクハウゼン抑制膜４４，
４６およびリード（リード・コンダクタ）３０，３１が
接合されている。ＭＲ素子２８およびリード３０，３１
の上には、絶縁層を構成する上側の再生ギャップ層３２
が構成され（上側と下側の再生ギャップ層２０，３２で
記録媒体対向面２４に再生ギャップ３３を構成す
る。）、さらにその上に上シールド３４が下シールド４
８に比べて十分大きな面積に構成されている。
縁膜１７の上には、絶縁層を構成する下側の再生ギャッ
プ層２０が平坦に積層されている。再生ギャップ層２０
の上にはＭＲ膜、スペーサ、ＳＡＬ（Soft Adjacent La
yer ：近接軟磁性層）バイアス膜等を積層したＭＲ素子
２８がその先端部を記録媒体対向面（ＡＢＳ面：AirBea
ring Surface ）２４に臨ませて構成されている。ＭＲ
素子２８の左右両側には、バルクハウゼン抑制膜４４，
４６およびリード（リード・コンダクタ）３０，３１が
接合されている。ＭＲ素子２８およびリード３０，３１
の上には、絶縁層を構成する上側の再生ギャップ層３２
が構成され（上側と下側の再生ギャップ層２０，３２で
記録媒体対向面２４に再生ギャップ３３を構成す
る。）、さらにその上に上シールド３４が下シールド４
８に比べて十分大きな面積に構成されている。
【００１７】誘導型磁気ヘッド１４は、ＭＲ型磁気ヘッ
ド５２の上シールド３４を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ層３６、コイルおよび絶縁層３８、上
コア４０を順次積層して構成されている。書込ギャップ
層３６は、記録媒体対向面２４に書込ギャップ３５を構
成する。上コア４０の上には保護膜４２が被せられる。
ド５２の上シールド３４を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ層３６、コイルおよび絶縁層３８、上
コア４０を順次積層して構成されている。書込ギャップ
層３６は、記録媒体対向面２４に書込ギャップ３５を構
成する。上コア４０の上には保護膜４２が被せられる。
【００１８】図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド５０
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド１４のコイル３９に記
録信号を流すことにより、上下コア４０，３４間の書込
みギャップ３５に書込磁界が発生して、この磁界で記録
媒体に対する記録が行なわれる。また、再生時は、ＭＲ
型磁気ヘッド５２のリード３０，３１を通じてＭＲ素子
２８にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレ
ースすることにより、トラック上の情報に応じてＭＲ素
子２８の両端の電圧が変調され、この電圧を検出するこ
とにより再生が行なわれる。
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド１４のコイル３９に記
録信号を流すことにより、上下コア４０，３４間の書込
みギャップ３５に書込磁界が発生して、この磁界で記録
媒体に対する記録が行なわれる。また、再生時は、ＭＲ
型磁気ヘッド５２のリード３０，３１を通じてＭＲ素子
２８にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレ
ースすることにより、トラック上の情報に応じてＭＲ素
子２８の両端の電圧が変調され、この電圧を検出するこ
とにより再生が行なわれる。
【００１９】図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド５０
のコイル３９に書込電流を流して記録媒体に書込みを行
なう時のコア内磁束分布と書込ギャップ３５における漏
洩磁束分布を図６に示す。コイル３９に書込電流を流す
ことにより、上下コア４０，３４内にコイル３９の通電
と交鎖するように磁束を生じる。このとき、下シールド
４８は上シールド兼下コア３４に比べて十分小さな面積
に形成されているので、下シールド４８が再生ギャップ
層３２，２０を介して上シールド兼下コア３４と対向し
ている面積は小さい。したがって、上シールド兼下コア
３４から下シールド４８に誘導される磁界は小さい（上
シールド兼下コア３４から下シールド４８を通る磁束は
少ない。）。したがって、コイル３９から励起された磁
束は書込ギャップ３５を中心とした上下コア４０，３４
の最小限の通路を通して外部に漏洩し、シャープで強い
書込磁界が得られる。したがって、少い起磁力（書込電
流）で記録媒体へ鋭い反転磁界を発生することができ、
オーバライト特性が改善されるとともに、上下コア４
０，３４の先端部での磁気飽和を防止して、高周波での
書込特性を改善して記録密度を高めることができる。
のコイル３９に書込電流を流して記録媒体に書込みを行
なう時のコア内磁束分布と書込ギャップ３５における漏
洩磁束分布を図６に示す。コイル３９に書込電流を流す
ことにより、上下コア４０，３４内にコイル３９の通電
と交鎖するように磁束を生じる。このとき、下シールド
４８は上シールド兼下コア３４に比べて十分小さな面積
に形成されているので、下シールド４８が再生ギャップ
層３２，２０を介して上シールド兼下コア３４と対向し
ている面積は小さい。したがって、上シールド兼下コア
３４から下シールド４８に誘導される磁界は小さい（上
シールド兼下コア３４から下シールド４８を通る磁束は
少ない。）。したがって、コイル３９から励起された磁
束は書込ギャップ３５を中心とした上下コア４０，３４
の最小限の通路を通して外部に漏洩し、シャープで強い
書込磁界が得られる。したがって、少い起磁力（書込電
流）で記録媒体へ鋭い反転磁界を発生することができ、
オーバライト特性が改善されるとともに、上下コア４
０，３４の先端部での磁気飽和を防止して、高周波での
書込特性を改善して記録密度を高めることができる。
【００２０】尚、下シールド４８の面積は、磁気シール
ドとしての効果が得られる範囲内で小さければ小さいほ
ど効果的であり、例えばＭＲ素子２８の面積の数倍〜数
十倍（縦（奥行方向）×横（幅方向）が、６×７μｍか
ら２０×３０μｍ）に形成することができる。
ドとしての効果が得られる範囲内で小さければ小さいほ
ど効果的であり、例えばＭＲ素子２８の面積の数倍〜数
十倍（縦（奥行方向）×横（幅方向）が、６×７μｍか
ら２０×３０μｍ）に形成することができる。
【００２１】次に、図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッ
ド５０の製造工程の一例を図７〜図８を参照して説明す
る。 （１） 基板（アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 ‐ＴｉＣ）等の
セラミック材等）１６の上にスパッタ、蒸着等の方法で
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等による非磁性絶縁膜１７ａを
形成する。非磁性絶縁膜１７ａの上には、下シールド４
８を選択的に形成する。下シールド４８は、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）、センダスト等の軟磁性体をスパッタ蒸着
あるいはメッキなどして構成される。
ド５０の製造工程の一例を図７〜図８を参照して説明す
る。 （１） 基板（アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 ‐ＴｉＣ）等の
セラミック材等）１６の上にスパッタ、蒸着等の方法で
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等による非磁性絶縁膜１７ａを
形成する。非磁性絶縁膜１７ａの上には、下シールド４
８を選択的に形成する。下シールド４８は、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）、センダスト等の軟磁性体をスパッタ蒸着
あるいはメッキなどして構成される。
【００２２】（２） 下シールド４８が選択的に形成さ
れた上に、スパッタ蒸着等の方法でアルミナ等による非
磁性絶縁膜１７ｂを下シールド４８よりも厚く形成す
る。このとき、下シールド４８の上の部分で非磁性絶縁
膜１７ａに凸状部５６が形成される。
れた上に、スパッタ蒸着等の方法でアルミナ等による非
磁性絶縁膜１７ｂを下シールド４８よりも厚く形成す
る。このとき、下シールド４８の上の部分で非磁性絶縁
膜１７ａに凸状部５６が形成される。
【００２３】（３） 非磁性絶縁膜１７ｂを基板１６の
面に平行に研磨して、下シールド４８の面を露出させ
る。これにより、下シールド４８の周囲を非磁性絶縁膜
１７で包囲した状態が得られ、下シールド４８の上面と
非磁性絶縁膜１７の上面とは同一平面になる。したがっ
て、下シールド４８の周囲の段差が解消される。
面に平行に研磨して、下シールド４８の面を露出させ
る。これにより、下シールド４８の周囲を非磁性絶縁膜
１７で包囲した状態が得られ、下シールド４８の上面と
非磁性絶縁膜１７の上面とは同一平面になる。したがっ
て、下シールド４８の周囲の段差が解消される。
【００２４】（４） 下シールド４８およびその周囲の
非磁性絶縁膜１７の上に、下側の再生ギャップ層２０を
アルミナ等で成膜する。下シールド４８の周囲の段差は
解消されているので、再生ギャップ層２０を平坦に形成
することができる。
非磁性絶縁膜１７の上に、下側の再生ギャップ層２０を
アルミナ等で成膜する。下シールド４８の周囲の段差は
解消されているので、再生ギャップ層２０を平坦に形成
することができる。
【００２５】（５） 再生ギャップ層２０の上にＭＲ素
子２８、バルクハウゼン抑制膜４４，４６、リード３
０，３１のパターンを形成する。再生ギャップ層２０は
平坦で均一の厚さに形成されているので、リード３０，
３１の断線や下シールド４８との接触を防止することが
できる。
子２８、バルクハウゼン抑制膜４４，４６、リード３
０，３１のパターンを形成する。再生ギャップ層２０は
平坦で均一の厚さに形成されているので、リード３０，
３１の断線や下シールド４８との接触を防止することが
できる。
【００２６】（６） 上側の再生ギャップ層２０をアル
ミナ等で成膜し、その上に上シールド３４をパーマロ
イ、センダスト等の軟磁性体をスパッタ、蒸着あるいは
メッキなどして構成する。上シールド３４は誘導型磁気
ヘッド１４の下コアを兼ねるので平面形状を所定の下コ
アの形状に形成する。再生ギャップ層２０は平坦で均一
な厚さに形成されているので、リード３０，３１と上シ
ールド兼下コア３４との接触を防止することができる。
ミナ等で成膜し、その上に上シールド３４をパーマロ
イ、センダスト等の軟磁性体をスパッタ、蒸着あるいは
メッキなどして構成する。上シールド３４は誘導型磁気
ヘッド１４の下コアを兼ねるので平面形状を所定の下コ
アの形状に形成する。再生ギャップ層２０は平坦で均一
な厚さに形成されているので、リード３０，３１と上シ
ールド兼下コア３４との接触を防止することができる。
【００２７】以上によりＭＲ型磁気ヘッド５２は完成す
る。誘導型磁気ヘッド１２はこの上に書込ギャップ層３
６（図１）を堆積し、レジスト等による絶縁体とＣｕな
どの導電体によるスパイラルパターンのコイル３９を積
層してコイルおよび絶縁層３８を形成し、スパイラルの
中心部のリヤギャップ５１と書込ギャップ３５とにかけ
て橋渡し状に上コア４０を形成する。
る。誘導型磁気ヘッド１２はこの上に書込ギャップ層３
６（図１）を堆積し、レジスト等による絶縁体とＣｕな
どの導電体によるスパイラルパターンのコイル３９を積
層してコイルおよび絶縁層３８を形成し、スパイラルの
中心部のリヤギャップ５１と書込ギャップ３５とにかけ
て橋渡し状に上コア４０を形成する。
【００２８】尚、上シールド兼下コア３４を所定の下コ
アパターンに形成した後、前記工程（２）〜（３）と同
様にして、上シールド兼下コア３４上にアルミナ等の非
磁性絶縁膜を上シールド兼下コア３４よりも厚く形成
し、これを研磨して上シールド兼下コア３４の表面を露
出させることにより、上シールド兼下コア３４の周囲を
非磁性絶縁膜で包囲して上シールド兼下コア３４の上面
とその周囲の非磁性絶縁膜を同一平面に形成し、その上
に誘導型磁気ヘッド１４を構成することにより段差をな
くし、コイル３９の断線をより確実に防止することがで
きる。
アパターンに形成した後、前記工程（２）〜（３）と同
様にして、上シールド兼下コア３４上にアルミナ等の非
磁性絶縁膜を上シールド兼下コア３４よりも厚く形成
し、これを研磨して上シールド兼下コア３４の表面を露
出させることにより、上シールド兼下コア３４の周囲を
非磁性絶縁膜で包囲して上シールド兼下コア３４の上面
とその周囲の非磁性絶縁膜を同一平面に形成し、その上
に誘導型磁気ヘッド１４を構成することにより段差をな
くし、コイル３９の断線をより確実に防止することがで
きる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、書込磁界が下シールドに誘導されにくくなり、シャ
ープで強い書込漏洩磁束が得られる誘導型・ＭＲ型複合
磁気ヘッドが実現され、記録密度の向上およびオーバラ
イト特性の劣化防止を図ることができる。
ば、書込磁界が下シールドに誘導されにくくなり、シャ
ープで強い書込漏洩磁束が得られる誘導型・ＭＲ型複合
磁気ヘッドが実現され、記録密度の向上およびオーバラ
イト特性の劣化防止を図ることができる。
【図１】 この発明の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドの
実施の形態を示す断面図である。
実施の形態を示す断面図である。
【図２】 従来の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドを示す
断面図である。
断面図である。
【図３】 図２のＭＲ型磁気ヘッド１２の分解斜視図で
ある。
ある。
【図４】 図２の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０の
書込時のコア内磁束分布と書込ギャップ３５における漏
洩磁束分布を示す図である。
書込時のコア内磁束分布と書込ギャップ３５における漏
洩磁束分布を示す図である。
【図５】 図１のＭＲ型磁気ヘッド５２の分解斜視図で
ある。
ある。
【図６】 図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド５０の
書込時のコア内磁束分布と書込ギャップ３５における漏
洩磁束分布を示す図である。
書込時のコア内磁束分布と書込ギャップ３５における漏
洩磁束分布を示す図である。
【図７】 この発明の製造方法の実施の形態を示す図
で、図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０の製造工
程の一例を示す図である。
で、図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０の製造工
程の一例を示す図である。
【図８】 図７の続きを示す工程図である。
１６ 基板 １７ 非磁性絶縁膜 ２０ 再生ギャップ層（下側） ２４ 記録媒体対向面 ２８ ＭＲ素子 ３０，３１ リード ３２ 再生ギャップ層（上側） ３３ 再生ギャップ ３４ 上シールド兼下コア ３５ 書込ギャップ ３６ 書込ギャップ層 ３９ コイル ４０ 上コア ４８ 下シールド ５０ 誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド ５１ リヤギャップ ５２ ＭＲ型磁気ヘッド Ｌ１ 記録媒体対向面からの下シールドの奥行方向の長
さ Ｌ２ 記録媒体対向面から上シールド兼下コアが上コア
と連結されるリヤギャップまでの上シールド兼下コアの
奥行方向の長さ Ｗ１ 下シールドの幅 Ｗ２ 上シールドの幅
さ Ｌ２ 記録媒体対向面から上シールド兼下コアが上コア
と連結されるリヤギャップまでの上シールド兼下コアの
奥行方向の長さ Ｗ１ 下シールドの幅 Ｗ２ 上シールドの幅
Claims (4)
- 【請求項１】下シールドと上シールドとの間の再生ギャ
ップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置し
た再生用ＭＲ型磁気ヘッドと、前記上シールドを下コア
として兼用して当該下コアと上コアとの間にコイルを配
置しかつ当該上コアと当該下コアとの間の前記記録媒体
対向面を臨む位置に書込ギャップを形成した記録用誘導
型磁気ヘッドとを積層配置した誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッドにおいて、 前記下シールドの面積を前記上シールドの面積よりも小
さく形成してなる誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド。 - 【請求項２】下シールドと上シールドとの間の再生ギャ
ップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置し
た再生用ＭＲ型磁気ヘッドと、前記上シールドを下コア
として兼用して当該下コアと上コアとの間にコイルを配
置しかつ当該上コアと当該下コアとの間の前記記録媒体
対向面を臨む位置に書込ギャップを形成した記録用誘導
型磁気ヘッドとを積層配置した誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッドにおいて、 前記記録媒体対向面からの前記下シールドの奥行方向の
長さを、当該記録媒体対向面から前記上シールド兼下コ
アが前記上コアと連結されるリヤギャップまでの当該上
シールド兼下コアの奥行方向の長さよりも短く形成し、
かつ前記下シールドの幅を前記上シールド兼下コアの幅
よりも短く形成して、前記上シールド兼下コアの面の範
囲内に前記下シールドを構成してなる誘導型・ＭＲ型複
合磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記下シールドの周囲に非磁性絶縁材料を
充填して当該下シールドの周囲の段差を解消した状態
で、その上に前記ＭＲ型磁気ヘッドの下側の再生ギャッ
プ層を成膜し、この下側の再生ギャップ層の上に前記Ｍ
Ｒ素子と当該ＭＲ素子に通電するためのリードを成膜
し、その上に上側の再生ギャップ層さらには前記上シー
ルドを成膜してなる請求項１または２記載の誘導型・Ｍ
Ｒ型複合磁気ヘッド。 - 【請求項４】基板上に非磁性絶縁膜を成膜し、その上の
一部に下シールドを所定の大きさに突出して形成し、そ
の上に非磁性絶縁膜を成膜して当該下シールドおよびそ
の周囲を覆い、その後当該非磁性絶縁膜が成膜された面
を研磨して前記下シールドの上面を露出させて、当該下
シールドの上面とその周囲の前記非磁性絶縁膜の上面を
同一平面に形成し、その上に下側の再生ギャップ層を成
膜し、その上にＭＲ素子と当該ＭＲ素子に通電するため
のリードを成膜し、その上に上側の再生ギャップ層を成
膜し、その上に上シールドを前記下シールドよりも大き
な面積に成膜して再生用ＭＲ型磁気ヘッドを構成し、 さらに、前記上シールドを下コアとして兼用して当該下
コアの上に書込ギャップ層とコイルおよび絶縁層を形成
し、その上に上コアを記録媒体対向面側で書込ギャップ
を形成し記録媒体対向面から離れた側で前記下コアと連
結するリヤギャップを形成するように成膜して記録用誘
導型磁気ヘッドを構成し、 当該記録用誘導型磁気ヘッドの上に保護膜を成膜して誘
導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドを構成してなる誘導型・Ｍ
Ｒ型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270468A JP3000905B2 (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 誘導型・ｍｒ型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270468A JP3000905B2 (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 誘導型・ｍｒ型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991632A true JPH0991632A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3000905B2 JP3000905B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=17486732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7270468A Expired - Lifetime JP3000905B2 (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 誘導型・ｍｒ型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3000905B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6154347A (en) * | 1998-02-22 | 2000-11-28 | Tdk Corporation | Combination type thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
-
1995
- 1995-09-25 JP JP7270468A patent/JP3000905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6154347A (en) * | 1998-02-22 | 2000-11-28 | Tdk Corporation | Combination type thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3000905B2 (ja) | 2000-01-17 |
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