JPS61156597A - 時分割多重化ram - Google Patents

時分割多重化ram

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JPS61156597A
JPS61156597A JP60290937A JP29093785A JPS61156597A JP S61156597 A JPS61156597 A JP S61156597A JP 60290937 A JP60290937 A JP 60290937A JP 29093785 A JP29093785 A JP 29093785A JP S61156597 A JPS61156597 A JP S61156597A
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line
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JP60290937A
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マイケル・クーパマン
シヨウ・イ・ワン
アーノルド・エイチ・ベアラク
ラリツト・パテル
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GTE Laboratories Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
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    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
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    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
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    • G11INFORMATION STORAGE
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q11/00Selecting arrangements for multiplex systems
    • H04Q11/04Selecting arrangements for multiplex systems for time-division multiplexing

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Time-Division Multiplex Systems (AREA)
  • Sub-Exchange Stations And Push- Button Telephones (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は、ディジタル交換システムに関し、特定すると
、複数の電話/データ端末と中央交換システム間におい
てディジタル信号を切換え伝送するための構内自動電話
交換機(PABX)K関する@〔背景技術〕 今日の電子的構内自動電話交換機(PABX)は比較的
嵩高で高価であり、かなシの電力を消費する。これらの
欠点は、従来の超大規模集積回路(VLSI)技術を利
用してPABXを造ることによシ軽減できるっVLSI
技術は、単一のチップに50万個以上のトランジスタを
提供し得ろっPABXの製造においてVLS I技術の
十分の潜在力を実現するためには、製造工程において多
数の問題を回避せねばならない。
VLSIテップは高度に複雑な機能を遂行し得るが、P
ABXを単一のチップ上に合体するに必要とされる複雑
さの程度は、RAM (ランダムアクセスメモリ)やR
OM (リードオンリーメモリ)やPLA (プログラ
ムロジックアレインのような通例の装置を備える回路構
造体を使用することによシ相当垢゛大される可能性があ
る。
従来のPABXは、パルス化コテド変調(PCM)ワー
ドの時分割多重化(TDM)ディジタルビット列を利用
するが、この場合、ボイスまたはデータ情111、通信
のためディジタル的にコード化される。若干のこの妙の
装置においては、どのビットがビット列上に多重化され
るべきかあるいはビット列から多重解除されるべきかに
関する情報を記憶するため、RAMが使用される(例え
ば、1984年2月14日付でHubbard  に発
行された米国特許第4.452.087号参照)。多重
化は、データをビット列からシフトレジスタ中に低速度
でシフトし、そしてレジスタからデータを高速度で逐次
送出することにより遂行される。PABXの応用におけ
るように、多重の情報が多重化され多重解除されねばな
らない場合、従来の手法は、多数のシフトレジスタの使
用とそれに付随する複雑な相互接紗、および比較的大き
な電力消費を伴なう。
〔発明の概要〕
上述の問題は、本システムにおいては、r筏のステップ
および改良された装置を含む相互に関係づけられた組合
せにより解決された。1つのステップは、制限された地
理的区域内において多数のたソし限定された数の加入者
を取り扱うために複数の局部PABXを使用することで
ある。局部P A B XH1複数の加入者に対してボ
イスおよびデータ交換能力を提供するように、単一のチ
ップ上でVLSI技術で造ることができる。加入者は、
ディジタル的にコード化されたスピーチ信号および/ま
たはディジタル的にコード化データを従来のb椋でN8
IJ沸PABXに伝送する。局部PABXは、各加入者
信号を時分割多重化(TDM)L、複数の加入者信号を
、複しの他の局部的単一チップ・PABXに対して送信
受信を行なう中央交換局に伝送する。
好ましい具体例において、単一の局部PABXは、40
までのこの独の加入者を取扱うことができる。を話/デ
ータ端末と局部p A B X tMIの接続は1時分
割デュプレックスモードで動作する対の撚り紳を採用す
るっ局部PABXは、比較的小さい地理的区域の比較的
小敷の加入者に作用するから、数百フィートの各電話デ
ータ端末対内に配fできる。これは、加入者とPABX
間の算5話?J 4−のかなりの低汗をもたらす。これ
は設[9用の低減やライン#、衰や!話の低減などの数
々の別府をもたらす。送信および受信化鍔間の同期は簡
単化される。何故ならば、伝送遅延は伝送ビットの周期
に比して小さいからである。これは、1φ、力蛸散およ
びチップ面軸の消費を伴なう非向ルI受信機の必をを排
除する。
本発明にしたかえば、局部PABXチップr、ilにお
ける信号の送受間の距離、したがって遅延時間が短いか
ら、新規で高度に効率的な直列−差列変換装置および方
法を採用することが可能となる。
この変換装置ハ、全加入者に対して単一のメモリアレイ
を使用して時分割、多重化および多重化解除を遂行する
が、読取シは畳込みに対して直交的に遂行される。この
メそりは、以下で直交メモリまたは直交RAM5と称さ
れる。各直交メモリは、多重化または多重化解除に加え
て、記憶および治−並列または並−直列変挨を、VLS
 I製造技術にきわめて適当な標準のコンパクトな構造
で可能にする。
この態様における直交メモリの使用は、加入者から送ら
れる各ピットに対して4ビツトシフト段階を有すること
の必要性を排除する。好ましい具体例においては、単位
PABXチップ当り4oのこの種加入者が取シ扱われる
。かくして、本発明の働又メモリアレイを利用すること
により、5200のレジスタのシフトビット段階が排除
できる。このように大形のシフトレジスタの必要を排除
することは、単一のチップ上でPABXを製造すること
を可能にする上で主たるステップでちる0 本発明は、図面を参照して行なった以下の評明から一層
明らかとなろう。
〔本発明の実施の最良モード〕
〔一般的説明〕 本発明の理解を容易にするため、本発明の種々の側面を
、局部的P A B X ti話/データ時分割ディジ
タル通信システムの面において計述する。しかしながら
、本発明の個々のサブシステムは、他の応用において別
個の応用を有することをUnされたい。これらのサブシ
ステムとしては、2線両方向伝送システム、ライントラ
イバシステムおよび時分割多重化に使用される直交ラム
が卸1限なく含まれる。さらに、PABXの大部分の扱
素に、単一のVLSIチップ上に製布されることが意図
されるが、この柚のサブシステムの一部は、別個に製造
して周知の手段によりテップに接続してもよい。例えば
、PABXチップ上にマイクロフロセッサを合体するこ
となく別個のマイクロプロセッサチップを設けてもよい
。このような場合には、外部マイクロプロセッサに対す
るデータバス相互接続を適当な内部入力/出力インター
フェースとともに利用できる。
■、一般的システムの説明 第1図を参照すると、多数のチップまたは単一のチップ
より構成し得る中央交換チップ12が示されている。こ
れは、直列インターフェースを容認し、信号情報の記憶
および信号情報のトランクラインを介して異なる局部P
ABXチップへの切換えのような機能を遂行する。この
ような装置は、商業的に入手し得、追加のトランクライ
ン1〜7を取扱うようにカスケード接続できる。チップ
12は、複数の局部PABXチップと相互接続され、そ
して局部PABXチップの各々は、最高40までのil
L話/データ端末16および18に対する局部PABX
14を形成する。第1図には、3つの端末が示されてい
る。中心交換チップと局部PABXチップ間の通信リン
クまたはトランクライン1〜7、および中心交換チップ
12と電話会社装置間の通信リンクまたはトランクライ
ン(両端矢印トランクライン8で示される)は、従来の
21s式伝送線、好ましくは光フアイバ通信リンクとし
得る。光フアイバ通信リンクは、広いバンド幅をもつ実
質的に雑音のない通信を可能にするであろう。
各局部PABXチップ10は、最高40までの電話/デ
ータ端末に対する多重化、記憶および信号処理を行ない
得る自蔵の直立装置である。電話機160マイクロホン
からのボイス信号は、従来の手段により、単位秒当り6
4キロバイトの標準の圧伸パルスコード変m1ll (
PCM)ビット列に変換され、そしてデータ端末18か
ものデータと結合され、単一の撚られたライン対20を
介して伝送される。伝送線1を介して中交換チップ12
へ送られるボイスまたはデータは、TDMディジタルで
ある。すべての活性化されたボイスデータライン20は
、各フレームととに一度局部PBXチップ10と通信を
行なう。gMA図のI10パルスと記した曲線で示され
るように、各フレームは、標準の8kHz のサンプリ
ング周波数に対応して125マイクロ秒の継続時間であ
る。
局部PABXおよび各電話/データ端末間の各一方向通
信に対するメツセージ形式は、第3図の送信および受信
を付した時間フレームにおいて各々19のI10パルス
により示されるように、1スタートビツト、8ボイスビ
ツト、8データビツト、1信号ビットおよび1ストツプ
ビツトの全部で19のピットよ構成る。情報は、各フレ
ームの最初の半分(送信)中、PABXチップから電話
/データ端末16および18に流れ、各フレームの拶半
中は逆方向に流れる。
第1図の局部PABXチップ10のブロック図である第
2図を参照すると、撚られた伝送ライン対20は、差動
的ライントライバトランシーバ22に結合される0これ
らのトランシーバは、第17〜22図と関連して詳細に
説明する。第2図K11l、簡単にするため、2対の撚
られたライン対および2つのトランシーバのみが示され
ている。しかしながら、最高40までの伝送ラインおよ
びトランシーバを局部P A B XK接続し得る。各
トランシーバ22は、電話/データ端末へ伝送のための
ライントライバ221および電話/データ端末から伝送
信号受信のためのレシーバ22bを含む。
OUT−RAMボイス/データサブシステム26は、各
フレームの最初の半分の送信の間、各ライントライバ2
2mを介して加入者電話機の電話/データ端末に接続さ
れ、フレーム当夛19ビットの情報を撚られ九ライン対
20に結合し、laL話/データ端末に伝送する◇フレ
ームの後半においては、各撚られたライン対土の情報の
19の到来TDMビットがパス25に結合される。
各電話ライン20から供給されるパス25上の情報の1
6ボイス/データビツトは、lN−RAMボイス/デー
タメモリ装置24に書き込まれ、信号ビットが局部信号
RAM J 6に書き込まれる。
マイクロブμセッサ48は、信号情報に基づいて、パス
55を介してスイッチ制御装撒40をプログラム設定し
、ボイスおよびデータチャンネルの接続を制御する。パ
ス55は、8ビツトのアドレスおよび8ビツトのデータ
を含む。PABXloにより作用される区域内の接続に
対して、入力RAMボイス/データメモリ装置24から
の情報が、8ビツトスイツチングバス54を介して出力
RAMボイス/データメモリ装置26に転送される。他
の接続KJjしては、入力RAMボイス/データメモリ
装置24かもの情報は、同じ8ビツトスイツチングバス
54を介してトランクI10ユニット50またはコンピ
ュータI10ユニット34に転送される。トランクI1
0は、各々16の8kb/sのデータサブチャンネルを
取扱うことができる2つのデータチャンネル、21の6
4kb/S  ボイス/データチャンネルおよび1つの
64 k b / s信号チャンネルを有する。16の
データサブチャンネルは、サブチャンネル多重化/多重
化解除ユニット28で多重化/多重化解除を受けるから
、それらiL2つの64kb/s)ランクチャンネルを
介して送信/受伯できる。トランクI10ユニットおよ
びコンピュータI10ユニットからの信号は、マイクロ
プロセッサ48によシ割込み式に取シ扱われる。局部信
号は、各50ミリ秒ごとに送信、受信される。
■0局部PABX区切内における交換 上述のように、すべての賦活されるボイス/データ線は
、各フレームに一度PABX10と通もする。各フレー
ムは、125ミリ秒である。情報は、各フレームの前半
(送信)中PABX10から電話16に流れ、後半(受
信)中逆方向に流、れる。最初、局部PABX内のサイ
クルが後半のフレームでスタートすると考えるのが都合
がよい。
そのとき、局部PABXは受信モードに入る。こ\では
、接続が設定され1おり、すべての40の2インが相互
に通情状愚にあると仮定する。到来情報が、その目的地
圧切り換えられる態様H−3つのステップを含むが、こ
れについては第5図を参照して設問する。しかして、第
5図は第2図に示される回路のある回路の詐細なブロッ
ク図である。
第5図には、400%話/データ加入者電話枦1.6人
およびデータ端末9Aから直列ビット列メツセージを受
信・伝送するため、局部PABXに設けられた40のト
ランシーバ22Aのν、1番目のものおよび第40番目
のものが示されている。
伝送ま九は通信時間フレームが送信および受信の別個の
タイムスロツ)K分離されているため、本発明にしたが
えば、各トランシーバ22Aの送信機22bの入力およ
び受信様22 aの出力を一緒に接続することができる
。それゆえ、各トランシーバを入力RAM24および出
力RAMR4に結合するのK、各トランシーバに対して
1本の線しか必喪としない。これは、この種の40のト
ランシーバがPABXに必要とされるとき回路のレイア
ウト、電力消費および配線に相当の節約をもたらす◇ ステップ1において、電話機ラインからのワード入力は
、ライン入力RAM24に11%込まれる。
ステップ2において、ライン入力RAM24に記憶され
たワードはライン出力RAMZ6に転送され、そして交
換プロセスのステップ3においてライン出力RAM26
の情報か読み出され、40の電話機に転送される。
1m、(IL ステップ1−ラインからの入力ステップ
1を詳細に参照すると、各フレームの後半中、各電話機
は、直列ビット列の情報をPABXに送出する。
ビット列ワードのフォーマットは、Mビットより成るも
のとして第4図に示されている。こ\にM=16であシ
、PCM圧伸形式のディジタル化ボイスサンプルの8ビ
ツトとデニタの8ビツトより成る。追加の2ビツトは、
スタートおよびストップ情報に使用され、さらに1ビツ
トが信号に使用される。この情報は、局部PABXによ
シ受傷されつ\ある間、3つのライン入力RAMに誉き
込まれる。各電話機に対する第1のボイスビットは、N
ビットワードとしてボイス入力RAM−0(VIRO)
の位置00に書き込み記憶される。
仁の例においては、N=40である。この例示の具体例
においては、40の電話加入者が40のライン対を介し
て扱われるからである◇このプロセスは、tlA2のボ
イスピッ)K対してhシ返えされ、そして位置01に記
憶される。全体で、このプロセスは8反繰シ返えされ、
VIROlすなわち8X40のRAMを充たす。
稜続の8データビツトは、ボイスビットと全く同様にし
てデータ入力RAM−Q (DIRO)I’C記情され
る。信号ビットは、これも40ビツトワードを構成する
が、該ビットは、信号入力RAM(SIR)の位負00
に記憶される。SIRメモリのサイズFi8X40であ
り、これは87レームで充たされる◎ 読取りおよび書込みフォーマットが同じである従来のR
AMと異がり、これらの3つの入力RAM(VIROl
DIROおよび5IR)ならびに出力RAM(VORO
lDOROおよび5ou)t′i、異なる読取りおよび
書込みフォーマットで動作する。VIROおよびDIR
OK対するフォーマットは、各8ビツトの40ワードで
ある(8ワード×40ビツトの読取りフォーマットの場
合)。実際に、これらのRAMtj、40のラインの各
々に対して直−並列変換および並−直列変換を遂行する
。各ラインの全8ビツトを同時に切り換えることができ
るようK、並列出力が必要とされる。
「直交RAMJと称されるこれらのRAMは、セクショ
ン■に詳細Kl!2明する。
11、(2)、ステップ2−スイッチングVIROから
の40の8ビツトワード出力は、SWババス4を介して
関連する40x8ボイス出力RAM−0 (VORO)
K転送される。、vOROの位置は数値の順番に選択さ
れ、書き込まれる。
VIROが読み取られる順序は、読取シ接続パターンに
よシ決定される。この読取りパターンは。
ソースアドレスRAM(SAR)51によ多制御される
。5AR51の内容はマイクロプロセッサ46によシ供
給される。しかして、該マイクロプロセッサ48U、ソ
ースアドレスti舅のためSIRから到来する信号情報
を使用する。DIROデータビットがデータ出力RAM
−0(DORO)KSWバス54を介して転送される場
合、同一の手法がデrりに対して使用される。
この転送プロセスは、各125psの7レームととに遂
行される。各フレームは、PABXj Oのクリック論
理回路52(第25!A)によシ発生される1、 54
4メガヘルツのクリックパルスによシ193の時間スロ
ットに細分割される。これらのパルスは、第3B図の曲
線Alに示されている。
40のタイムスロットがボイスを切換えるのに使用され
、データに対して400時間スロットが使用され、そし
て!!シがトランクおよび後で説明する他のインターフ
ェースに使用される。
H,(51,ステップ3−ラインへの出力交換プロセス
の最終ステップにおいて、情報は、フレームの半分圧お
いてライン出力RAM26から軌み取られ、40の電話
機に伝送される。これをなすためには、ライン出力RA
Mの情報は、並列フォーマットから直列フォーマットに
変換されねばならない。これは、「直交」書込み/読取
り能力を有するvoa oおよびDOROで遂行される
。VOROおよびDOROは、入力フォーマットを40
の8ビツトワードから8つの40ピツトワードに変換す
る0 3ステツプスイツチングプロセスは、全部で250pm
’lJする。各125μ四ごとに17レームを受信し伝
送するために、複式の入力/出力RAMを必要とする。
コれは、VIRl、DIRl、VOR1およびDOR1
で遂行される。これらのRAMは、上述の入力/出力R
AM VIR01DIR01VOROおよびDOROと
干渉する。すなわ50の添字を有するRAMが受信/送
信そ−ドにあるとき、添字1を有するRAMはボイス/
データスイッチングモードにある。線図上の矢印は、2
モードの動作を指示する。
出力RAM位1IVC対する書込みおよび読出し、およ
び入力RAM位置への書込みは、いつも同じ数値順序で
遂行される。スイッチングプロセスにおける唯一の変t
tt、入力RAMの読散り順序である。
m、呼の開始 接続を設定するための手順は、を話またはデータ端末か
らの呼びの開始を捜索することKより開始される。ライ
ンの電話機もデータ端末も使用下になれば、電話機(第
5図)内のボイスデータ集積(VDI)チップ160は
、電力を断たれ、無視し得る程度のパワが消散されるに
すぎない。電話機の受信機がピックアップされるかデー
タ端末が付勢されると、VDIチップは8ピツトイぎ号
メツセージを形成する。これは、サービスが要求される
ことを指示する。しかしながら、このメツセージは、「
信号情報要求(R3I)Jが電話線を介してPABXか
ら受信されるまで送出されない。
PABXは、第25図と関連してより詳細に説明される
ように、各50m5ごとに全ラインにR8I信号を送出
する。R8I信号は、S OR(46B)により発生さ
れるが、これは、5OR46Bから発生される9ビツト
のパルス列の最初のビットよ構成る。信号プロトコール
は、5OR46Bからの最初のビットがつねにOであり
、それに電話機16に対する8ビツトの信号メツセージ
が続く。
電話機VDIチップ160の非同期受信機は、PABX
からの19ビツトメツセージのスタートビットを検出し
、クリスタル制御クロックを付勢する。このクロックは
、PABXクロックの周波数に非常に接近している。M
DIのクロックパルスの19のパルスが、PABXから
のビット列を読み込むのに使用される。クロックパルス
は到来ビット列と完全には同期しないが、それらの安定
性は19ビツトの情報を回収するのに十分である。
受信ワードのビット19はストップビットであるが、こ
れはPABXへの伝送のためMDIクロックを再同期す
るのに使用される。
MDIチ:7プ160は、PABXI 91C1上述の
ように第4図のフォーマットで19ビツトを伝送する。
霜1話機とPABX間の過延は、ビット継続時間に比し
て知い。したがって、PABXクロックは到来ビット列
を回収するのに直接使用できる。これは、400オンチ
ップ非同期受化機の必要を排除し、関連するチップ面積
およびパワの浪費は減ぜられる。このシステムは、数1
フィートまでの距離に作用する。
回収されたボイスデータビット列は、入力RAM24に
書き込まれ、信号ビットは信号入力RAM(SIR)に
誉き込まれる。信号入力RAMは各50m5ごとに更1
1され、更新後マイクロプロセッサ48はそれを鯖み取
り、比信号情報を決定し、その結果を信号出力RAM(
SOR)に記憶する。
かくして、電話機からの更新状態情報が50m8ごとに
受信され、検出される。
マイクロプロセッサ48がSIRを読み取シ、オフフッ
ク状態を検出すると、8ピツトのメツセージが小信号R
AM(SOR)にロー、ドされる08ORも直交RAM
であり、該RAMI−t、8ピットメツセージを電話機
に伝送のため直列フォーマットに変換する。電話機のV
DIチップによシ受伯後、解読されたメツセージは、1
11.詰機のオンチップダイヤルトーンジェネレータを
付勢する。
■、呼処理 発呼加入者は、ダイヤルトーンを受信後ダイヤル操作を
スタートし得る。ダイヤルされた番号は、「信号情報要
求」が受信されるまでVDIチップ、 160に記憶さ
れる凸「信号情報要求」は、ダイヤルされた番号のPA
BXへの伝送を開始させる。
番号は、一時に1デイジツ)SIRにより受信され、次
いでマイクロプロセッサ48により読み取もれる。マイ
クロプロセッサ48はこの情報を分析し、下記のタスク
を遂行する0 1、 被呼加入者が使用状態にあり、ラインが話中であ
るかどうかを決定するため、SAR51をチェックする
2 被呼加入者ラインが空であると仮定すると、発呼加
入者の番号が被呼加入者のSAR位iに記憶される。
五 マイクロプロセッサは、リングメツセージを被呼加
入者に送り、リングバックメツセージを信号ビットを介
して発呼加入者に送る。
タスク(1)′において話中が検出されると、タスク(
2)は飛ばされ、タスク(31において「話中」メツセ
ージが発呼加入者に送出される。
■、中央電話局に対するインターフェース中央交換&ま
たは電話会社に対するインターフェースは、1.544
 Mb/s  のT1)ランク速度でろシ完全デュプレ
ックスである。各125μSのフレームは、24の64
Kb/ll チャンネルを運ぶ。これらのチャンネルは
、ボイスに対して21、データチャンネルに対して2、
そして信号に対して1というように細分割される。
第7図は、局部PABX区域外の接続に対する種々のイ
ンターフェースを示している。第7図のSWババス4は
、第5図のSWパス54と接続されている。トランク上
の中央P A B Xtたけ電話会社から到来する直列
ビット列の1フレームの最初の8ピツトは、トランク入
力シフトレジスタ0にシフトされる。シフト動作の完了
後、シフトレジスタの内容は、並列にトランク入力RA
M−00第1位に転送される。この動作は24回遂行さ
れ、そして入力シフトレジスター0の内容は、トランク
入力RAM−00位置に数値の順序で記憶される。これ
は、125μSの総則間を要する。
次の125μs中、トランク入力RAM−00内容は、
第5図のVOR01DOR01VOR1およびDOR1
の適当な位置に切シ換えられる◇同じ125μsのフレ
ーム中、トランクからの24バイトが入力シフトレジス
ター1に記憶され、ついで上述のようにトランク入力R
AM−1に転送される。複式RAMの使用は、情報が交
換されつ\ある間、トランクから連続ビット列を受信す
ることを可能にする。
トランクへの伝送は、複式RAMおよびシフトレジスタ
と同じ原理を採用する。この場合、第5図の入力VIR
Q、DIR01VIR1およびDIR1は、ソースアド
レスRA、M(SAR)51によシ指令されるところに
したがってトランク出力RAMK記憶される0 局部PABXにおけるインターフェース/スイッチング
に関するトランクインターフェース/スイッチングに対
する時間の割当て社、第6図に示されている。線図は、
(a) )ランク−ライン、(b)ラインートランク、
および(e)ラインーラインから5つの通信状態を例示
している。RAM Oおよび102重のバンクの交互の
使用が、実!(バンク0)および点線(バンク1)で例
示されている。
かくして、全フレーム10間、トランクからの情報は、
RAM 1においてPABX)ランクに結合され、フレ
ーム1の後半中、電話機からの情報は第5図のライン入
力RAM 24のバンク0に読み込まれる。フレーム2
0間、切替えがすべてのバンク0で起こシ、トランク情
報がバンク1に書き込まれ、そしてフレーム2の後半中
、電話機からの情報がライン入力RAM 24のバンク
1に書き込まれる。フレーム3の前半、バンクGが読み
出され、バンク1が切シ換えられる。このプロセスは6
フレーム中継続し、ついで反復される。
第7図に示されるように、中央/電話会社トランクスイ
ツチングの場合と同じ技術を使って、コンピュータまた
はワイヤレス電話機への任意的切換えを行なうことがで
きる。この例えにおいては、入力/出力インターフェー
ス接続のため、入力および出力コンピュータおよびワイ
ヤレスRAM対が設けられる。
柚々の出力に対する切換えは、以下の第1表に割り当て
られるように193のタイムスロットに細分割される。
かくして、各出力RAM位置は予定された時間スロット
を有しておシ、その間に情報を受信する。スイッチプロ
セスにおける変数はソースアドレスであシ、辷れはソー
スアドレスRAM)(記憶されるり 表  ! 会議(任意)         2〜7コンピ工−タ出
力RAM      11〜18デ一タ出力RAM  
     51〜90ボイス出力RAM       
91〜150トランク出力RAM      1451
〜170ワイヤ出力RAM       181〜18
5スペア          1.8〜10,19〜5
0゜174〜180,186〜 ■、信号同期 信号の開始はランダムな時点に起こり、すべての信号ワ
ードは同じ時点に到着して信号入力RAMに書き込まれ
るから、電話機信号間の同期が必シとなる。これは、第
5図の5OR46Bにより送られるPABXからの信号
情報要求すなわちR8Iで達成される。すべてのVD 
ItV話機子機チップ1605図)は、この命令に応答
して同じ予定された時点に信号ワードを送出し、信号入
力RAMへの直接の1込みを可能にする。信号入力RA
Mは、50m5ごとにマイクロプロセッサ48により試
験され、必要な動作を決定する。この同期技術は、PA
BXチップ上におけるハードウェアをかなシ簡単化する
ものである。
■、基本動作 例 トランクおよび中央交換機を介しての切換えについて、
第8と関連して挙げられた以下の例を用いて説明する。
局部PABXす2の電話lll13が局部PABXす7
のライン15を介して呼を発していると仮定する。接続
は、PABXΦ2のマイクロプロセッサが信号入力RA
M46m(第5図)を読み、PABX外のに@が所望さ
れることを決定するとき開始される。
PABXす2内のマイクロプロセッサは、空トランクチ
ャンネル(φ135と仮定する)を七の呼びに割り当て
、適当な情報を信号チャンネルを介して第1図の中央交
換枠12に送る。中央交換機は、信号情報をPABXす
7にルート設定するつPABXす7内のマイクロプロセ
ッサ48は、ライン15が話中でないことを決定すると
、その呼びに空トランクチャンネル(す140と仮定)
を割シ当て、接続が設定されたことをPABXφ2に報
知する。
接続の設定プロセスにおいて、2つの局部PABXは、
第8図に指示されるようKそれぞれのソースアドレスR
AMを更新する。この点から、2つのソースアドレスR
AMは、交換機の完全な制御下にある。このとき、マイ
クロプロセッサは、50m5ごとに保守や入力信号RA
Mの監視のような他の機能を遂行できる。
■、直交ラム 上述のように、本発明の装置は、ディジタル通信の魅力
的な特徴の1つ、すなわち多くの情報チャンネルを伝送
品質を劣化することなく時分割多重化(TDM)できる
という能力を利用する。
TDMFi、とシわけ一本で数百のチャンネルを収容で
きる光ファイバにおいて伝送帯域幅を利用する有効な手
段を提供できる。多くのチャンネルを伝送できるという
能力は、同時に電子回路に相関の必要を生ずる@すなわ
ち、雷、子回路は、多くのチャンネルの情報を受は取り
、高速度および高忠実度でこれらの多くのチャンネルの
情報を結合し分離できねばならない。
TDM機能を実施するための従来の技術は第9図に例示
されている。この図は、入力1.2・・・100を付し
たディジタル列の100本の入力線が、共通の8ビツト
バス上に多重化される例を示している。多重化は、まず
各ラインのビット列からの8ビツトを100の別個のレ
ジスタ1001.1002、■・1100中にシフトす
ることにょシ実施される。100の各シストレジスタの
並列出力は、各々1000入力を有するMUXl  、
MUX 2、・・・MUX 8を付した8(Illlの
マルチプレクサで結合される。この大きさのマルチプレ
クサは、相互に接続するのが複雑であシ、がなシのパワ
およびチップの実際の場所を消費し、’/LSIでの実
施を非効率的にする。
本発明の装置においては、多重化および多重化解除は、
本発明者が直交メモリアレイまたは直交RAMと称する
デバイスにより遂行される。このデバイスは、記憶、シ
フトおよび多重化を、高度に規則的で高密な構造体で行
なうことを可能にする。これ社、高速度化、パワの低減
およびチップの実際の場所の低減をもたらし、VLSI
での実施を可能にする。
TDMディジタルビット列を受入れに必要な3つの機能
、すなわち記憶、直−並列変換および多重化は、好まし
い具体例においては一方向(すなわちX方向)で情報を
書き込みY方向で直交的に読出しを行なう1つのメモリ
構造体で遂行される。
本発明の直交動作を説明する紡に、従来の読取り/l)
込みプロセスを簡単に考察するのが役立つであろう。第
10図は、ビット情報データがコンデンサC1〜C8に
記憶される従来のタイナミツクMO8RAMを示してい
る。第10図のメモリにおっては、複数のMOSFET
 トランジスタT11〜TR8が列・行に配されており
、ゲート電極Gが読出し/書込み#j11021および
1022に接続され、他方ソース電極Sがデータ入力線
D1〜04に接続されている。ドレイン電極りは、各コ
ンデンサC1〜CBの一側に各々結合されており、その
他側は接地されている。このメモリは下記のように動作
する。すなわち、読取り/書込み!!1021がスイッ
チS1により+5vに切り換えられ、他方他の読取り/
i込みi(この簡単な例においては1022)がOvで
あるとする。これは、MOS)ランジスタの第1行TR
1〜TR4のみをターンオンし、入力@Di〜D4上に
瞬間的電圧が存在すれば、トランジスタTR1〜TR4
Vc′WL流を流しコンデンサC1〜C4を充電するこ
と全可能にする。
書込み線1021がSlによりOVK戻ると、第1行の
コンデンサC1〜C4には電荷が保持される。このプロ
セスは、読取り/書込み線1022を+5VK切換える
ことにより反復され、データ線D1〜D4に次のデータ
ビットが加われば、第2行のコンデンサC5〜C8に記
憶せしめられる。
読取りは、ドライバ(図示せず)を@D1〜D4から切
断し、読取シ/書込み絆1021および1022を+5
VK切り換えることによシ#線を順次賦活することによ
り行なわれる。これにより。
記憶されたコンデンサの電荷は、線D1〜D4上に現わ
れゐ◇かくして、1行の記憶されたデータが一時に1行
ずつ読み取られる。従来のこの種のデバイスにおいては
、記憶ないしメモリデバイスは、1つの線ないし方向か
ら、すなわち水平の読取シ/書き込み綜のみからしかア
ドレス(読取シま±は書込み)できない。
これに対して、直交メモリの動作は第11図に例示され
ている◇ここで、書込みは、水平線を切換えることによ
り第10図におけると同様に遂行される。しかしながら
、読取シは、書込みと直交するように垂直線を切り換え
ることによシ遂行される。すなわち、読取り縁R1〜R
4が+5vに切シ換えられると、一時に1列の記憶され
たデータが読み皐られる。このようkして、各々Nピッ
トのMワードをメモリに書き込むことができ、各ワード
から1ビツトを同時に読み出すことができる。それによ
り、読出しは、各々MビットのNワードとなる。
第11図に示されるように、4本のデータ入力線D1〜
D4Fi、スイッチ82〜S5を介してN列の書込みト
ランジスタに接続されている。こ\で、Nは入力ワード
またはデータ線の数すなわち4に対応している。線D1
は、1列のM個の書込みトランジスタTRI、TR5お
よびTRM Oに接続されている□こ\で、Mは、デー
タ入力ワードのビット数に対応する数である。同様に、
′#MD2は、M個のトランジスタTR2、TR6およ
びTRMIK接続されている。書込みは、刷込み線10
64、j065.−・ID70に接続されたスイッチ8
6〜S8を介して書込トランジスタの行を逐次切シ換え
、コンデンサC1〜C4,C5〜CBおよびCMO〜C
M3に、線D1〜D4においてディジタルビットに存在
するディジタル電圧を逐次充電せしめるととにより従来
の態様で行なわれる。
第11図に図示された直交メモ、りにおいては、追加の
1組のトランジスタ、すなわち読取りトランジスタTR
11〜1B、TRMI(1〜15が設けられている。読
取シトランジスタは、メモリコンデンサの一側において
書込みトランジスタと直列に接続されており、各読取り
トランジスタのドレイン電極りがメモリコンデンサの同
じ側に接続されるようKなされておシ、そしてコンデン
サの他方が接地されている0各読取りトランジスタのゲ
ート端子Gは、N列の読取シ線R1〜R4の対応するも
のに接続されており、ソース端子#iM行の出力線OU
T 1〜OUTMの対応するものに接続されている。か
くして、読取シ動作中、スイッチS2〜ss#′i人カ
データ細D1〜D4を切断し、読取g縁n1〜R4の各
列が、スイッチS9〜S12により+5vに逐次切り換
えられる。線R1−R4上の+5vは、トランジスタT
R11〜TR18およびTRM10〜TRM1iSの動
作を可能化する。これは、各列のコンデンサすなわち列
1のC1、C5、・・・CMO上に記憶された電荷を、
それぞれの出力線OUT  1、OUT 2およびOU
T M上に出力させる、すなわち読み出させる。このよ
うにして、一時に1列の記憶データが読み出される。
要約すると、直交メモリは、長さNビットのMワードを
メモリに書き込み、各ワードから1ビツトを(間ビット
のNワードの場合)逐次に同・時に読み出すことを可能
にする0 直交メモリに灼するスイッチングは電気機械的スイッチ
で描いてちるが、実際の実施においては、ビットシフト
レジスタまたは逐次の切換えを行なうための他の周知の
技術で置換できることを理解され丸い。
第12図および第15図は、時分割多重化のための直交
メモリの使用を例示している。各々Mビット長のNワー
ドよ構成シ5BS1〜4を付された4つの直列ビット列
A、 A鵞A3、 B、 B雪B3、CIC,C,およ
びDI D鵞D3が、それぞれ直交RAM1090(第
11図に示される直交RAMのような)の各行に、行デ
コーダ1092からの信号を利用して添字の順序で書き
込まれる。しかして行デコーダ1092は、例えばビッ
トシフトレジスタよシ構成し得る。この簡単な例におい
て、Mは3、Nは4である。RAM1090は、ついで
、列しデコーダ1095(他のビットシフトレジスタ)
からのスイッチング信号を利用してアルファベットの順
序で列で読み出され、時間の関数としてシフトレジスタ
1091Vcロードされる。すなわち、第12図および
第13図に示されるように。
時間T凰の間、ビットA、 Bl cmおよびDlがR
AM1090の最初の列Klき込まれる。次の時間T雪
の間、ビットA雪、B鵞、C雪およびり、が第2列に書
き込まれ、以下そのように、&る。時間T3の終了時に
メモリは充たされる。
時間T4の間、ビットAi%A、およびA、を含むメモ
リアレイ1090内の第1例がシフトレジスタに並列に
転送される。シフトレジスタの内容は、時間T、および
T・の間ビットずつシフトされる。
このプロセスはB%CおよびDビットについて反俵され
る。時間T4〜T11の間、シフトレジスタ1091か
らの出力順序は、A、 A雪A、 B、 B雪B5Cl
 CI CI DI Ds Dsである。このように、
出力列は、4つの入力列の時分割多重化列である。時間
T1 % ’r、およびTstj、時間T4〜’I’l
lと異なる継続時間よ構成る。
多重化解除の動作は、第14図および第15図に示され
るように多重化に類似している。多重化解除においては
、入力は一字に1列書き込まれ、他方読取りは行ペース
で行なわれる。実施は、すべての矢印が逆転されれば第
12図と同様に行なわれる。多重化入力は、第14図お
よび第15図に例示されるように、シフトレジスタ20
91に入力され、そしてこれが並列に読み出されて、一
時に1列ずつメモリアレイ2090に書き込まれる。
認められるように、単位メモリ七ル当シ2個のトランジ
スタの場合、アレイ内に入力−出力の対称性があるから
、シフトレジスタの方向を変えることKよシ、同じアレ
イを多重化および多重化解除に使用できる。
連続的入力ビット列を受は入れて、同時に連続的出力列
を提供するため、第2のマルチプレクサが必要とされる
。第16図は、時分割ディジタル通信における直交メモ
リアレイの使用と、このような連読出力列を得るように
2重直交RAM 1および2を使用することを例示して
いる。第16図に示されるように、Nの源から来る各間
ビットのビット列は、デュアルiルチプレクサ形態のR
AM1およびRAM2)Cおいて直交RAMで多重化さ
れる。
RAM 1およびRAM 2の出力は、シフトレジスタ
120G)C入力として一緒に結合される。
RAM 1は、1フレーム中行ペースで書き込まれ、R
AM 2は1列ベースで読み取られる。次の後続のフレ
ームで、RAM 1およびRAM 2の役割は逆転する
。この2重メ49配列は、連続的情報列を提供する。R
AM 1および2かもの多重化情報は、間ビットのシフ
トレジスタ1200にパツフア入力され、多重化伝送の
ため並−直列変換が行なわれる。
多重化情報は、増幅され、ドライバ1201により伝送
線すなわち光ファイバ1202を介して受信機120!
IV’(伝送される。受信された多重化TDMビット列
は、レジスタ1204において直列形式からMビット並
列形式に変換され、直交RAM 5まftFiRAM 
4Vc*き込まれる。RAM5が省き込まれつ\あると
仮定すると、Mビットが列ペースで入る。同時に、RA
M 4が列ベースで訳、み出され、Nの目的地に供給さ
れる。
この配置を2重に設けることによシ、二方向通信を行な
うことができ、第5図の具体例で説明したように、さら
に詳しくは2つの2イン入カラムVIROおよびVIR
1および2つのライン出力RAM VOR(+およびV
OR1により示されるように、各端部で多重化および多
重化解除を行なえるり垂直アドレスをランダムにするこ
とにより、目的地は任意のソースを選択できることを認
められたい。水平アドレスを2ンダムにすることにより
、情報フォーマットの変更を実施できる。
このようにして、規則的でコンパクトな構造体を使用し
て時分割多重化および多重化解除を遂行するメモリアレ
イが提供される。メモリは、記憶と、直−茗列変換なら
びに並−直列変換を遂行する。これは、書込み動作に直
交方向にRAMを読み取ることKより達成される。この
RAMを高速度伝送媒体(すなわち光ファイバ)と結合
することKより、多くのチャンネルを単一のラインを介
して通信できる。規則的ないし標準的構造体であるため
、本装置は、有効なVLS Iの実施およびメモリアレ
イの標準的構造体で使用される冗長技術に役立つ。
■、 づ氏パワのライン枢動 第2図に示されるように、局部的PABXチップ10と
局部加入者間の伝送は、撚られ大ライン対20によシ結
合された差動トランシーバ22を使って達成される。本
発明に依るこの伝送の詳細について、以下第17図を参
照して説明する。
第17図は、受信端すなわちPABX端における差動ト
ランシーバ301oおよび送信端、この場合においては
電話機加入者端における差動ドライバ3020を示して
いる@しかしながら、両端は交換可能であることを理解
されたい◇差動ドライバ3020は、2対のP/NMO
8)ランジスタ対5001および3005 (1対を形
成する)と、5000および3oo2(他の1対を形成
する)より成る。トランジスタ3000および3001
のソース端子は+5vに結合され、トランジスタ500
2および5a03のソース端子は接地に接続される0撚
られた伝送ライン対2oの一方の!FJ120Aは、そ
れぞれのトランジスタ3001および3003のドレイ
ン端子の交叉点に接続さ肛、他方、それぞれのトランジ
スタ3000および5002のドレイン端子は他方の1
1j2OBに接続される。端子3o25における情報ビ
ット列(d、トランジスタ5oosおよび3001のゲ
ート端子に接続され、ビット列の負向きパルスがトラン
ジスタ!500Gおよび!5002に結合され、それに
よシトランジスタ対したがって、伝送ライン20を差動
的に駆動する。
第17図の差動2インド2イパ30201C等価な回路
が第18図に示されている。2つの図は、送信端末回路
ライントライバが、ライン対20を構成する#20aお
よび20b上における入力信号の論理的反転中しかパワ
を消費しないことを示すのに使用できる。
伝送ライン20の受信端は、N−MOS)ランジスタ5
006および5007のゲートに結合される。このゲー
トは高大インピーダンスを示し、受信端に有効に開放回
路を提供する。
ライン2Gの特性インピーダンスZ、は普通100Ωで
ある。トランジスタ対の構造は、1/2ZOすなわち5
0Ωのドレイン−ソース間抵抗を提供するように選択さ
れる。ライントライバ5020の送信端回路は、ライン
インピーダンスZeK整合された100Ωのソースイン
ピーダンスを有し、したがって、送信端にて終端すると
考えられる。この配置の結果は、以下の第2表に集約さ
れる。
第■表 送信端端末 0<T<T    v=−!−!=−u=2.sv  
  v=。
D     R+Z、  2 1 = −七1含= ” = 25 mA1 = □1
    2K ”        V=2X旦=E TD(+(2TD V=7− =2.5V      
   21=y、、=25mA     I=027D
(1(TW  V= E            V=
E−E j=−=OI=O E + Z。
O(+(TW  平均物、力消費(送・受)= (5V
X25mA)Xスち=2五4mW(最大長)TW =−×2五4 mW     = 11.7 mW (
平均長)50%受信 上述の条件下で、送信端(ドライバ30201から送ら
れる信号が受信端(トランシーバ3ON))で受信され
る一方向のトランジットタイムがTDであシ、送信信号
が送信されてドライバへと反射される往復トリップトラ
ンジットタイムが2TDであると仮定すると、rtJが
2TDより小さい期間の間は、伝送ラインは送信機回路
(ドライバ5020)にとって無限に長いと思われ、ド
ライバ電圧Eの半分をラインに印加せしめるKすぎない
。これは、この期間t(ZTD 中ドライバが見る出力
インピーダンスがZ、でラシ、ラインインピーダンスZ
、=1000とドライバ302oの内部インピーダンス
=1000の比によシ2:1の減良比が形成される九め
である@かくして、t(2TDの期間の時点において、
ドライバ電圧を5vと仮定すると、ライン20上の電圧
は、第19図の曲線人に見られるように、■すなわちZ
SVである。
z5ボルトのこの電圧Vが時点t = TDにて受信端
(ドライバ302G)に達すると、受信端の開放回路は
、第19図の1脚Bに示されるように、Vを2x号すな
わち5ボルトに倍化させ、これを送信端に戻す。
受信端からの反射がt=2TDk:て送信端に達すると
、送信端におりる伝送ライン電圧Vは、E T+T=E、すなわち5ボルトとなり、t=2T。
にてラインへの電流およびバ□ワを0に減する。何故な
らば、ラインにか\る電圧差がなければ電流は流れ得ず
、そして曲kAおよびBに示されるように、z’rD(
t(’rw Itcおける両端の電圧は同じであるから
である。五2μSの伝送パルス幅Twよシ小さい期間の
間、電力消費祉、300フイートのライン長に対して2
14 mWである。この例において、ラインW哀は小さ
く、無視し得る。この結果生ずる同じスリーブ内の隣接
する撚られたライン対への洩鈷は、数ミリボルトである
が、これはラインによシ許容し得る。ラインは、Ov〜
−1−svの論理信号で差動的に駆動されるとき、5V
の雑音不感知性を有する◇ ライントライバ5020は、論理的反転中のみパワを消
費し、そしてこのときに、ドライバは電流を供給してツ
イン20を充放電することを強調したい。第18図に見
られるように、!、 流、 I Iは、R1、P I 
、Ze %RsおよびN1を経てi地Kiれ、Zoに 
より表わされるラインを充電し、仙方放電については、
電流I、が、+5vからR1、P鵞、20%R4および
N、を経て接地に流れる。
第17図において、受信機50100Nトランジスタ3
040Fi、撚られたライン対20)C接続されたNト
ランジスタ5006および3007間で切シ換えられる
電流源を形成する。第18図において、抵抗朗〜R4は
、ドライバ5020のトランジスタの浮遊抵抗を表わす
が、これはラインインピータンスZ、に整合する出力イ
ンピーダンスを提供する。
X、  2m双方向伝送 第17〜19図と関連して説明した伝送回路においては
、一方向における伝送が1フレーム中に行なわれ、他フ
レームにおいては他方向に行なわれる。以下の代わりの
具体例においては、信号の伝送および受信が、同時に同
じライン対を介して行なわれる。
この2線式両方向伝送のための回路は、第20図に示さ
れており、端末人にライントライバ2050を端末Bに
ライントライバ2051を含む。端末Aは、第2図のP
ABXを含み、端末Bは第2図の電話機を含む。または
その逆となる。ライントライバ2050の出力は、終端
抵抗RA を介して撚られた線対20のライン20Aに
結合される。
RAは、ライン20のインピーダンスZ、に整合された
100Ωのインピーダンスを有する0同様に、端末Bの
ライントライバ2051は、インピーダンス整合抵抗R
Bを介して撚られfc紛対20のライン20Aに結合さ
れる。線対20の渋りの紳20Bは、図示のように両端
で接地される。
ライン20AのA端末端部は、減算回路2052のプラ
ス端子に接続される。#、鏝1回路2052のマイナス
落子は、接地とライントライバ2050の入力端子間に
直列に&続されたR1およびR1より成る電圧分割回路
の中点から入力知、圧 MA/2が供糺される0 同様に、ライン20AのB端末端部は、減−回路205
5のプラス入力端子2に接続され、マイナス入力端子1
は、ライントライバ20510入力の入力1、圧VBを
半分すなわちVB/2に分割する抵抗R1およびR4よ
り成る電圧分割回路の中点罠接続される。減算回路20
52および2o53の端子3の出力は、端子1および2
0入力の直線ベクトル差である@ ライントライバ20500Å力は、第2図のRAM26
からのビット列のような&幅VAのディジタルパルスの
ビット列とし得、他方受傷される信号VBD/2は第2
図の入力RAM24に対する入力ビット列とし得る。
第20図の回路は、次の事実を利用する。
a)送信および受信信号は、伝送線20の各端部に画線
的に加わる。
b)送信成分は、結合信号から再形成でき、減算して受
O1成分を供船することができる。
Fう(/<2050の出力MAは、Ra)Zoが2=1
の減衰を形成するから係数2だけ減衰される。同′8K
、20の右側のB端末からの入力はV B / 2であ
る。V B / 2がA側に到着すると、これはAのド
ライバ信号VA/2 に加わり、伝送ラインA側におけ
る結合出力はMA/2+VBD/2となる。こ\でVB
D/2は、VB/2  の遅延され減衰されたものであ
る。同様に、伝送ラインのB側では、電圧はMAD/2
+VB/2  となル。コ\で1MADは、VAの遅延
され減損されたものである。減算回路2053において
MAD/2−)−VB/2からVB/2  を減算する
と、Flr望の受信信号出力VAD/2が得られる。
加算回路2052および2051iJ、2伯号のアナロ
グ加狗を形成するものであるから、直紬性でなければな
らない。この種の加算回路を実施する1つの方法は、第
21−に示されている。
第21図に示されるように、第20図の減算回路205
2は、出力に入力の負の出力を生ずる高利得差動均幅回
路2055から構成し得る。すなわち、g=子1に対す
る入力+VA/2は、1000Ωの抵抗を介して坩幅器
2055の十端子に接続され、他方一端子は接地される
。増幅器2055の出力は、1000Ωの抵抗R12を
介して十端子に帰還され、出力端子K −V A /、
2を生ずる。
信号−vA/2は、端子2の信号VA/2+VBD/2
とR5で加算される。R5は、R14(jokΩ)よシ
ずつと小さい抵抗(100Ω)を有し、R14はR13
に等しいから加算が行なわれる。端子5に生じた出力は
VBD/2となる。
第22図は、平衡差動ドライブ回路で両方向伝送を達成
する方法を示している。第22図において、撚られ走線
対2aは、2つの差動ドライバ2050′および205
1’によシ両端で駆動される。
各ドライバの出力インピーダンスは、適正なライン終端
を得るためラインインピーダンスZ、に等しくなければ
なら々い。動作は、基本的には第20図におけると同様
であシ、入力vAまたはVBが結合信号から減ぜられる
。しかしながら、差動動作のため、差を得るのに異々る
方式が採用される。
これは、スイッチ810およびS12によって端子1−
2および3−4間においてコンデンサCI0およびC2
0を交互に切り換えることにより遂行される。例えば、
コンデンサC10が端子1−2間に接続されると、コン
デンサは差ライン電圧で充電される。CtOが端子3−
4に切シ換えられると、差入力電圧が端子A入力vAか
ら減ぜられ、−VAを生ずる。C10が端子3−4に接
続される間、C10は差ライン電圧で充電されている◇
コンデンサは伝送ビット速度の約5倍で切り換えられね
ばならない。スイッチ310およびS12は、好ましく
は、数MHz の速度で切り換えることができるMOS
)ランジスタで構成するのがよい。図示しないが、ライ
ンの右側で使用されるライン20のB端末側でも、減舞
のため同じ回路を使用することが意図される。
′A1%話機イ詰機−フェース PABXおよび加入者電話機間の辿個の論理回路は第2
5図に示されている。VIR01VIR1、DIR01
DIR1として指示されるブロックは、40の電話ライ
ンと接続する第5図のボイスおよびデータライン入力R
AM24である。同様1c、VORO,DOR01VO
R1およびDORlは、これも40の電話ラインと接続
する第5図のライン出力RAM26である。前述のよう
にRAM VIR1、DIR1,VOR1お!びDOR
lの二重バンクが設けられており、1組は、バンクスイ
ッチ(BNKSW)信号が論理「1」であるとき付勢さ
れ、他の1組はBNKSWが論理「0」であるとき付勢
される。PABXチップの内部動作は、193の時間ス
ロツ)(m3B図参WA)に分割されるが、この時間ス
ロットは、時間パルスT1〜T192およびFXS信号
ビットで付勢される。BNKSW信号がANDゲートG
1およびG4で低電位であると仮定すると、G2および
G3でBNKSW=1でおる。これは、1時間スロット
遅延されたFSX信号をゲー)G2からレジスタ1をシ
フトさせるように印加せしめる0S238マイクロ秒の
維続時間のCL K 2 ノ+ルス(第3B図の曲線A
2参照)により限定される8t、1のCLK2クロック
期1’lJ] ノ1sil、RAM17)ト17)メモ
リ位置も選択されず、すべての40のラインの出力は、
設計により島状DKある。これは、スタートパルス(第
3B図の曲#B)をすべての40のライン上に出現させ
る。次の16のCLK2のパルス中、ボイスおよびデー
タビットが伝送される。パルス18の−1、送信信号が
許容され、パルス19中、ヘトツブビット(0)が伝送
される。CLK2パルス20の間、RAM位置のいずれ
もアドレスされないっこれは送信から受信への切換えの
念めである。パルス210間、電話機からのスタートパ
ルスが到着しているから、RAM位置のいずれもアドレ
スされない。パルス22の間、シフトレジスタ5の第1
の出力は高電位であシ、第1のボイスビットがVIRO
IC1!き込まれるっ次の15のパルス中、7つの付加
のボイスビットおよび8データビツトが入力RAMに書
き込まれる。CLK2パルス38の間、信号RAM(S
XR第5第5ポン作を許容される。
上述のプロセスが起こる間、40ビツトシフトレジスタ
9は、T50パルスによシ開始されるG3からのイネー
ブル信号に基づいてT51にて「1」の伝搬を開始して
おり、データの40の8ビツトワードが 、デコーダ5
5を介して5AR51(第5図)により制御されるとこ
ろにしたがって、DIR1位置からDORO位置に転送
される。ボイスおよびデータは同時にボイス出力RAM
−VOROおよびデータ出力RAM−DOROから読み
出されるが、3状態スイツチAおよびBはボイスまたは
データのみをスイッチングパス5WBk通過させる。
BNKSWが高電位のときは、ボイスおよびデータ入力
/出力RAM Oおよび1が交換される他は同じである
刈、トランクインターフェース トランク回路の動作は、第24図に示されている。BM
KSW信号が高電位にあると、トランク出力RAM O
およびトランク入力RAM OがSWパス54と通信し
、トランク出力RAM ?およびトランク入力RAM 
1はI10モードにおる。トランク出力RAM0は22
ビツトシフトレジスタSR1(ANDゲート6からのパ
ルスR1・48に上り付勢される)によりアドレスされ
る。トランク出力RAM jおよびトランク入力RAM
 1がI10モードにある間、これらはシフトレジスタ
SR4によりアドレスされる。トランク出力RAM1は
、並−直列レジスタSR5に8ピツトワードをロードす
る。これは、ついでORケー)G7を介して中央PAB
Xに直列にシフトされる。
同時に、(−並列レジスタSR6は、中央PABXから
直列ビット列を受イムし、第8ビット期間中トジンク入
力RAM +に1バイトを勝き込む。、RAMは別個の
データ入力線およびデータ出力紛を有しなりれはならな
いっBNKSW=Oであると、右側のRAMと左側のR
hyt#i&割を変える。
x■、  タイミング ′wL話加入名ステーションおよびPABX間のタイミ
ング設定は、組3Bν1に示されている。第3B凶の波
形A1は、上述の1.544MHz のクロックパルス
(CLKllを示している。これは、椋準T1)ランク
クロックパルスから回収される0このクロックは、12
5μsのフレームに正確に193のパルスを含む。クロ
ックCLK +は5で分割され、CLK 2 I10ク
ロックパルスを発生する(第5B図の波形A2を参照)
。これは38のCLK2パルスをもたらす。第5BPの
波形Bは、PABXライントライバ送信機の出力におけ
るビット列を示す〇 第5B図の波形Cは、MDI霜1話機テップにより受信
される波形を指示する。これは、スタートビット(つね
に「1」)、8ボイスビツト、8データビツト、信号ピ
ットおよびストップピット(っねに「0」)よ9成る。
ストップビットの目的は、1!話ラインを0に放電し、
次のスタートビットを検出し得るようKすることである
。波形Cは、波形Bf)遅延され反転時間の欝いもので
ある。この図において、遅延はα6477μ3であり、
これは、j/2C(C=光速)の伝搬速度に対して32
5フイートに対応する。波形り仁、0.6477μの追
加の遅延をもってPABXに到達する反射を示す。PA
BXドライバは、反射が戻るやいなやターンオフでき、
終端はもはや必黴とされない、波形Eは、波形Cの再整
形されたものであるりこ\での仮定は、反転時間は中点
の交叉を遅延させても、遅延は上昇および下降に対して
一定であるということである。実際は、これは転換が傾
斜の場合のみ夛であるっ他の転換は時間的に固定の並進
を生せしめる。これは時間論理回路で考慮に入れること
ができるう 波形Fは、スタートパルスの到着を検出するため、VD
I  160 (i[5図)の入力をサンプルするのに
使用される。サンプルクロックは、好ましくは、各スタ
ートビットに対して10のサンプルを提供する2X1.
544MHz のクロックとするのがよい。
サンプルクロックで10の連続する1を検出後、VD 
Ii%理回路はこの入力をスタートパルスと見做す。次
の5つのサンプルパルスの後、PABXのビット列にス
トローブのための第1のパルス(波形G)が発生される
19のストローブパルスの彷、vDxは送信モードに切
りぢjわる。VDIから送信するためのん初のクロック
パルス(波形K)は、19番目のストローブの後4つの
サンプルパルスの後発生する。
PABXドライバーのターンオフとVDIドライバのタ
ーンオン間の時間間隔で、2つのドライバが決して同時
にオンとならないことを保鉦していることに留意された
い。最悪の場合は、VDIドライバが2サンプル早くタ
ーンオンされる0遅延の場合に起こる□ 波形J、すなわちMDIによfiPABXic送られる
ビット列は、PABXのCLK 2により確実にクロッ
ク装入されるように到着する。波形りおよびBは、PA
BXおよびVDIチップにおけるライン上の波形を示す
。各場合とも信号ビットは0を伴なっており、スタート
ビットをroJ −rjJ転換として確認できるように
なされていることに注意されたい。
XPJ、kJ部的信号(発色)動作 局部的信号は、第25図および3Aを使って説明できる
。サイクルは、マイクロプロセッサが信号入力RAM(
SIR)を読むことによシ開始される。マイクロプロセ
ッサは、ppm取りイネーブル信号で5IR3状態論理
回路250を付勢し、読取リスタートパルスをシフトレ
ジスタ5R11C供給して合図を開始し、そして読取り
クロックパルス(pcLx)をSR2およびSR1に供
給する。この動作は、フレーム中任意の時間スロットで
起こることを許容される。
マイクロプロセッサ48は、書込みスタート信号をSR
2に送って合図を開始し、μPクロック信号をシフトレ
ジスタに送ってこれを付勢することに上り&、取り直後
にSORへの書込みを開始させることができる。合図は
SORシフトレジスタSR2を出た後、7リツプフロツ
ブFF 1をセットする。FF 1は、SORI10レ
ジスタSR3に合図を供給するが、これは、信号出力R
AM(SOR)から信号の伝送を開始させる。伝送は、
FF  jがセットされた直後フレームのフレームでス
タートする。
フレームのスタートで、送信機(ドライバT)は、フリ
ップフロップFF 2をセットするタイミングパルスT
1でターンオンされる。第1ビツト要素の伝送時間中、
メモリ位置のいずれも選択されない。メモリ位置゛が選
択されないと、出力は高電位となり(設計プロトコルに
より)、スタートビットを「1」とする。
ビット要素18中、ラインAがSORから伝送を始動す
る。フレームの発生中、SORI10レジスタSR3の
第1段階は高電位である。これは、ラインA上の高電位
と組み合わされて、SORの第1ビツトを出力する。こ
れはつねK「0」である。フレームの発生前、5ORF
i選択されないことに動量されたい◇したがって、SO
Rの出力は一連の1でおる。ビット要素18中における
「0」の出机は、電話後のMDIチップに、信号メツセ
ージが続くことを意味する。また、SORI10レジス
タ段階1の出力はFFMをリセットすることにも注意さ
れたい0これは、1よシ多い合図がSR2レジスタに入
るのを防ぐ。
ピッ)4119中、ラインCが卯1のSOR位置を読む
。これは、ストップビット(論理0)を伝送させる。ビ
ット要素3B中、ラインBが高電位となるが、S I 
Rtlt択されない。これは5IRI10レジスタに合
図がないからである0これはフレームの終了である。
次のフレーム中、SCRI10レジスタ内の合図が右に
進む以外同時順序の事象が反復されるOこれは9信号ピ
ットの間反復される0合図は、フレーム9中SIRI1
0レジスタ(段階1出力)に通される。かくして、ライ
ンBがフレーム10中に尚電位に移行すると、第1のS
IR位置が豊き込まれる。VD!チップは、フレーム1
中、信号がフレーム10でスタートするPABXに送出
され、それが単価、のため9フレームに与えられねばな
らないことを報知されることに注意されたい0VDIか
らの信号伝送は、フレーム17により完了する。かくし
て、マイクロプロセッサ48は、情報を読むため17フ
レーム待・つとともできるし、その予定された読取り/
4)込みサイクル中、50m5後にそれに戻ることもで
きる。
XV、  SAR更新 ソースアドレスRAM(SAR)に対する読取シおよび
書込みは、第26図を使って説明できる。
SARの読取りは、クロックパルスT1〜T192によ
り切に換えられる192ビツトシフトレジスタ5R19
2で遂行される。1込みは、如何彦る選択をなすことも
通常抑止される書込みデコーダ1゜900で行なわれる
。デ、コーダ1900は、マイクロプロセッサ48から
書込みパルスを得るときのみ1ワードを選択する08A
Hに対しては。
別個の読取り線、書込線データ入力線およびデータ出力
線があるから、マイクロプロセッサ48は。
薔込みパルスが提供される時点に誉込みを行なうことが
できる。マイクロプロセッサバス90のロードを防ぐた
め、アドレスバッファおよびデータバッファ1902お
よび1904が設けられている。マイクロプロセッサ4
Bは任意の時点に畳込みを行なうことができ°るが、そ
の書込みパルスは、79を与の時間スロットに対して固
定の時間関係を有していよう。
SARの内容がSARレジスタ5R195に転送された
後、レジスタ出力は、ソース情報を選択するため種々の
アドレスデコーダに供給される。
SARレジスタ3R192の使用は2つの目的を有する
1、SARの読取りおよびSARへの入力の設定のため
、648 nsの時間スロットを許容することによりタ
イミングの重要性を減する。
2 全648 nsの間アドレスをアドレスレコーダに
印加せしめる。これは、バス、デコーダおよびメモリの
読取りの遅延により必要とされる。
FSX信号と192ビツトシフトレジスタ5R192と
はまた、チップのすべての動作を制御するため全時間ス
ロットパルス(T1〜T1?2)を供給する。時間スロ
ットの割当ては、遂行される種々の内部動作に対して第
27図に示されている。
×M、  データサブチャンネル 各データ端末とPABXチップ間の結合は、端末速度に
拘りな(64Kb/s  である。しかしながら、トラ
ンクを関して送・受信を行なう場合、低速度の端末はト
ランクフルチャンネルの1/8を占める。1.544 
MHz のトランクは、下記のチャンネル割当てをもつ
240チヤンネルより成る。チャンネル1および2は、
8Kb/s  以下の端末に対して16の8Kb/s 
 のサブチャンネルに細分割される。チャンネル3〜2
3は、ボイスおよび高速度データ端末(8〜64Kb/
s)間で共有される。チャンネル24は信号に利用され
る。
高速度データ端端末の場合、データメツセージは、電話
機ポイス/データ集fi(VDI)チップで組み立てら
れ、単位フレーム当91バイトの速度でPABXチップ
に伝送される。より低速度の端末に対しては、同様のメ
ツセージが形成され、単位ビット当り1ピツトで伝送さ
れ、そして?!シの7ビツトは伝送ビットと同じ論理値
を有する〇データ端末ビット速度とラインビット速度間
の非一体的関係により引き起こされる困難性は、通信の
プロトコルにより調節される。メツセージが伝送されな
いとき、低速度および高速度端末に対して全8ビツトが
「1」とされる。前述のように、メツセージのスタート
は、受信MDIチップにおいて全「1」から全「0」へ
の転換により確認される。
メツセージは、メツセージとして確認されることな(P
ABXチップにおいて切り換えられる。
メツセージフォーマットは、スタートハツト(すべてr
OJ)、伝送されたバイト数の指示およびデータ情報を
含む。
以上、本発明を好ましい具体例について図示説明したが
、本発明は上述の論述から明らかなように種々の方法で
変更できる。
第1図は本発明のディジタル変換システムの全ブロック
図、第2図は本発明の局部PABXチップ10の評細ブ
ロック図、第3A図および第5B図は本発明のディジタ
ル交換システムの時間図、第4図は本発明にしたがって
伝送されるデータに対するワードフォーマット図、第5
図FiPABXシステムの簡単化されたブロック図、第
6図は(a) ) ?ンクからラインへ、(b)ライン
からトランクへおよびラインからPABX区域内のライ
ンへの切撓えおよび通信のための時間割当てを示す線図
、第7図は局部PABXおよびトランクと中央P A 
B XrIJiま九は電話会社間のインターフェースの
簡単化されたブロック図、第8図は明細書中に示される
例におけるソースアドレスRAMの内容を示す図、第9
図は従来形式のTDMマルチプレクサの簡単化されたブ
ロック図、第10図は従来形式のダイナミックMO8R
AM機構の軌路線図、第11図は本発明に依る多重化の
ための直交RAM機構を示す線図、第12図は並−直列
転換に利用される直交RAMの軌路線図、第13図は多
l化中における第12図のメモリおよびシフトレジスタ
の内容を示す図、第14図は、多重化における直−並列
変換に利用される本発明の直交RAMのブロック図、第
15図は多重化解除中における第14図のメモリおよび
シフトレジスタの内容を示す図、第16図は本発明の直
交RAMの通信リンクとしての使用を示すブロック図、
第17図は本発明のローパワライントライバの線図、第
18図#′i第17図に示される回路の等節回路の回路
図、#!119図Fi第17図および第18図の伝送線
に沿って伝搬される神々の時点における波形を示す時間
図、i;2o図は本発明に依る2方向伝送回路の概略線
図、第21図は第20図に利用される汲、算回路の概略
新図、第22図は本発明の差動ドライバを備える2方向
交hiシステムの概略線図、第23図Fi本発明の入力
/出力RAM回路のブロック図、第24図線トランクR
AM回路のブロック図、第25図は本発明のPABX内
における局部係号のために使用される回路のブロック図
、第26図はソースアドレスレジスタの更新を例示する
1111図、第27図は本発明のディジタル交換システ
ムの時間スロットの割当てを例示する線図である。
1〜8ニドランクライン 9 :コンピュータ 10.14 : PABXチップ 16.18:tC話恢/デiり端末 20:伝送ライン対 22:トランシーバ 24:入力RAMボイス/データメモリ装置26:出力
RAMボイス/データメモリ装置28:サブチャンネル
多重化/多重化解除ユニット 50ニドランクI10ユニツト 52.36:クロック回収・フレーミンクユニット 34:コンピュータI10ユニット 40ニスイツチング制御装置 44:@号トランクコンピュータ 46:局部信号RAM 48二マイクロプクセツサ 50ニブログラムRAM/ROM 52:クロック論理回路 Ft’g、 1 hダ、6 一宕ハ”z71i+−−一雪ハーン/15ARf:I塾 Lカ4人4RAM → 水イ又太乃RAM4を置  1
40)   (イ文i 015)キース)、令 RAM
−4−トラ″/7t”  RAM4’−、f 015)
  (/I?  140)Fig、13 z                AH8,C,01
A282  ζ 02 3              Al  a、  c、
  o。
M     02 03  X 15    03  X  X zs5躇蛮ケも 7   B582 B’;=;1 1I′tT  圧1 σす F7g、22 i 葛ど Fig、 26 τ29夢ノeし又

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(a)N×Mのメモリ要素アレイと、 (b)情報のディジタルビットをこのメモリアレイに導
    くためのN本の入力導線と、 (c)イネーブル信号を供給するためのM本の書込み導
    線と、 (d)イネーブル信号を供給するためのN本の読取り導
    線と、 (e)M本の読出し導線と、 (f)各々各メモリ要素に接続されており、N本の入力
    導線上の情報のディジタルビットを前記メモリ要素に書
    込むためのN×Mの書込み手段であつて、M個の該書込
    み手段の各々が、前記Mのイネーブル信号により動作を
    可能化されるように書込み導線の別個の線に接続された
    ものと、 (g)各々各メモリ要素に接続されており、前記書込み
    手段がその動作を可能化されるときに前記メモリ要素に
    書き込まれた情報のディジタルビットを読み出すための
    N×Mの読取り手段であつて、N個の該読取り手段の各
    々が、前記読取り手段の動作を可能化してM本の読出し
    導線上に前記の記憶された情報を読出すため、読出し導
    線の別個の導線に接続されたものと、 を備える2方向においてアドレス可能なメモリ装置。
  2. (2)書込みおよび読取り手段がトランジスタスイッチ
    より成る特許請求の範囲第1項に記載のメモリ装置。
  3. (3)トランジスタスイッチが、ゲート、ドレインおよ
    びソース電極を有するMOSデバイスであり、メモリ要
    素がコンデンサであり、該コンデンサの一側が中性電位
    に接続され、各トランジスタのドレイン電極が各コンデ
    ンサの他側に接続されており、書込み手段のトランジス
    タのゲート電極が書込み導線に接続され、読取り手段ト
    ランジスタのゲート電極が読取り導線に接続されており
    、書込み手段トランジスタスイッチのソース電極が入力
    導線に接続され、読取り手段トランジスタのソース電極
    が読出し導線に接続されている特許請求の範囲第2項に
    記載のメモリ装置。
  4. (4)メモリ要素アレイが、N列×M行の平坦なアレイ
    である特許請求の範囲第1項に記載のメモリ装置。
  5. (5)書込みおよび読取り導線が互に直交している特許
    請求の範囲第4項に記載のメモリ装置。
  6. (6)(a)N列・M行のメモリ要素を有するアレイと
    、 (b)情報のディジタルビットを導くためのN列の入力
    導線と、 (c)イネーブル信号を供給するためのN行の書込み導
    線と、 (d)イネーブル信号を供給するためのN列の読取り導
    線と、 (e)M列の読出し導線と、 (f)各々各メモリ要素に接続されており、入力導線上
    の情報のディジタルビットを前記メモリ要素に書込むた
    めのN列・M行の書込み手段であつて、各行の該書込み
    手段が1本の書込み導線に接続されたものと、 (g)各々各メモリ要素に接続されており、前記書込み
    手段がその動作を可能化されるとき前記メモリ要素に書
    込まれた情報のディジタルビットを読み出すためのN列
    ・M行の読取り手段であつて、該読取り手段の各列が、
    前記読取り手段の動作を可能化してM行の読出し導線上
    に前記の記憶された情報を読み出すため、1本の読出し
    導線に接続されているものとを備える二方向においてア
    ドレス可能なメモリ装置。
  7. (7)書込み手段および読取り手段がトランジスタスイ
    ッチより成る特許請求の範囲第6項に記載のメモリ装置
  8. (8)イネーブル信号がシフトレジスタにより供給され
    る特許請求の範囲第6項に記載のメモリ装置。
  9. (9)書込み手段および読取り手段の役割が逆転される
    特許請求の範囲第6項に記載のメモリ装置。
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