JPS61146533A - 透明導電性積層フイルム - Google Patents
透明導電性積層フイルムInfo
- Publication number
- JPS61146533A JPS61146533A JP26880384A JP26880384A JPS61146533A JP S61146533 A JPS61146533 A JP S61146533A JP 26880384 A JP26880384 A JP 26880384A JP 26880384 A JP26880384 A JP 26880384A JP S61146533 A JPS61146533 A JP S61146533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- film
- intermediate layer
- laminated film
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電性積層フィルムに関する。
近年透明導電性フィルムの応用として電磁場ンールド、
電子写真、液晶表示用電極、面発熱体、あるいはタッチ
パネル等への用途が多い。
電子写真、液晶表示用電極、面発熱体、あるいはタッチ
パネル等への用途が多い。
しかるに、単に有機高分子フィルム上にインジウム−ス
ズ酸化物を薄膜形成しただけでは密着性が弱く、耐擦傷
性に乏しいという欠点があった。特にメンフ″レンスイ
フチとして２枚の透明導電性フィルムを貼り合わせて使
用されるタッチパネルではある程度のスイッチングを繰
り返えすと抵抗が次第に大きくなるという問題があった
。
ズ酸化物を薄膜形成しただけでは密着性が弱く、耐擦傷
性に乏しいという欠点があった。特にメンフ″レンスイ
フチとして２枚の透明導電性フィルムを貼り合わせて使
用されるタッチパネルではある程度のスイッチングを繰
り返えすと抵抗が次第に大きくなるという問題があった
。
本発明者らは透明導電性に優れかつ密着性、耐擦傷性等
の機械的強度のすぐれた透明導電性フィＭムを開発すべ
く鋭意研究の結果、有機高分子フィルムの片面に中間層
として極薄な金属酸化物を形成し、この中間層を介して
、酸化インジウムを主成分とする透明導電層を形成する
と、透明導電層の特性を何ら損なうことなく著しく密着
性、耐擦傷性が向上することを見い出し、本発明に到達
したものである。すなわち本発明は有機高分子フィルム
の片面に極薄な酸化インジウム以外の金属酸化物からな
る中間層とこの中間層を介して酸化インジウムを含む導
電性の表面層とからなることを特徴とする透明導電性積
層フィルムである。
の機械的強度のすぐれた透明導電性フィＭムを開発すべ
く鋭意研究の結果、有機高分子フィルムの片面に中間層
として極薄な金属酸化物を形成し、この中間層を介して
、酸化インジウムを主成分とする透明導電層を形成する
と、透明導電層の特性を何ら損なうことなく著しく密着
性、耐擦傷性が向上することを見い出し、本発明に到達
したものである。すなわち本発明は有機高分子フィルム
の片面に極薄な酸化インジウム以外の金属酸化物からな
る中間層とこの中間層を介して酸化インジウムを含む導
電性の表面層とからなることを特徴とする透明導電性積
層フィルムである。
本発明における有機高分子フィルム基材としては、ポリ
エステＶ、ポリエーテルスルホン、ポリスＭホン、ポリ
カーボネート、ポリイミド、ポリオレフィン、フィルム
等が挙げられる。
エステＶ、ポリエーテルスルホン、ポリスＭホン、ポリ
カーボネート、ポリイミド、ポリオレフィン、フィルム
等が挙げられる。
また１本発明における高分子フィルムの片面上に形成さ
れる中間層たる金属酸化物としては酸化チタン、酸化シ
リコン、酸化ジルコニウム等があげられる。
れる中間層たる金属酸化物としては酸化チタン、酸化シ
リコン、酸化ジルコニウム等があげられる。
これらは、真空蒸着法、イオンブレーティング法、ある
いは高周波による直接スパッタ法、直流による金属ター
ゲットからのりアクティブスパッタ法によって形成され
る。これらは本目的の使用用途により、中間層自体の透
明性が優れなければならないことはいうまでもない。し
かし、これらの中間層の膜厚を厚くすることは透明性の
低下をまねく。
いは高周波による直接スパッタ法、直流による金属ター
ゲットからのりアクティブスパッタ法によって形成され
る。これらは本目的の使用用途により、中間層自体の透
明性が優れなければならないことはいうまでもない。し
かし、これらの中間層の膜厚を厚くすることは透明性の
低下をまねく。
本発明における中間層は数λ〜１００Ｘの膜厚、特に好
しくは１０〜３０λの膜厚が効果的である。実際、酸化
チタンをリアクティプスバフタ法によりポリエステルフ
ィルム上に１５λ、３０Ｘの厚みに薄膜化した際の透過
率の減少は各々１％、２％と少ない。
しくは１０〜３０λの膜厚が効果的である。実際、酸化
チタンをリアクティプスバフタ法によりポリエステルフ
ィルム上に１５λ、３０Ｘの厚みに薄膜化した際の透過
率の減少は各々１％、２％と少ない。
かくの如く高分子フィルムの片面ｔこ中間層として極薄
な金属酸化物を形成し、この中間層を介して導電性表面
層を形成する。本発明【こおける導電性の表面層は特に
限定されないが例えば酸化スズを２〜ｌＯ重量％含有し
た酸化インジウムである。
な金属酸化物を形成し、この中間層を介して導電性表面
層を形成する。本発明【こおける導電性の表面層は特に
限定されないが例えば酸化スズを２〜ｌＯ重量％含有し
た酸化インジウムである。
かかる導電性表面層は真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法、または酸化物ターゲットからの直接スバフタ法、
Ｉｎ／Ｓｎｎ／Ｓｎ合金ターゲットアクティグスパッタ
法等により形成せしめることができる。
グ法、または酸化物ターゲットからの直接スバフタ法、
Ｉｎ／Ｓｎｎ／Ｓｎ合金ターゲットアクティグスパッタ
法等により形成せしめることができる。
このように本発明において有機高分子フィルムの片面に
中間層として極薄な金属酸化物を形成し、この中間層を
介して、酸化インジウムを主成分とする
透明導電層からなる透明導電性積層フィルムにする
ことにより透明導電層の特性を何ら損うことなく密着性
及び耐擦傷性の優れた透明導電性フィルムを与えるもの
である。
中間層として極薄な金属酸化物を形成し、この中間層を
介して、酸化インジウムを主成分とする
透明導電層からなる透明導電性積層フィルムにする
ことにより透明導電層の特性を何ら損うことなく密着性
及び耐擦傷性の優れた透明導電性フィルムを与えるもの
である。
実施例
厚み１２５μのポリエステルフィルム１００ｍを基材と
しりアクティブスパッタ法により金属酸化物中間層とし
て酸化チタンを連続形成した。
しりアクティブスパッタ法により金属酸化物中間層とし
て酸化チタンを連続形成した。
これのスパッタリング条件は次の通りである。
ターゲ、、、）Ｔｉ
ガ ｘ ＡＡｒ３０ＣＣへ ＩＯＣ
ＣＭ圧 力 Ｉ Ｘ １０−’°Ｔｏｒ
ｒ印加電圧 ５ｏｏｖ フィＩレム速度 １ ｍ ／ ｍｉｎ この様にして形成されたＴｉへ層の膜厚はＸ５Ｘ−Ｃ−
、ポリエステルフィルムの透過率の減少は１％であった
。
ＣＭ圧 力 Ｉ Ｘ １０−’°Ｔｏｒ
ｒ印加電圧 ５ｏｏｖ フィＩレム速度 １ ｍ ／ ｍｉｎ この様にして形成されたＴｉへ層の膜厚はＸ５Ｘ−Ｃ−
、ポリエステルフィルムの透過率の減少は１％であった
。
このＴ ｉ Ｏ，中間層上にＳｎＯ，を５ｗｔ％含有し
たＩｎ、Ｏ，をスパッタリングにより積層した。
たＩｎ、Ｏ，をスパッタリングにより積層した。
これのスパッタリング条件は次の通りである。
ターゲット： Ｉｎ、０，９５ｗｔ％−８ｎ０，５ｗｔ
％ガ Ｘ ’： Ａｒ ７５Ｃ
ＣＭ圧 力 ： ： ３Ｘ１０ ”Ｔｏｒ
ｒ印加電圧 ：３８０Ｖ ライｌレム速度： ０．５ ｍ ／ ｍｉｎこの様にし
て形成された透明導電層の膜厚は２８０Ｘで表面抵抗２
５０Ω／口、透過率は８０％であった。
％ガ Ｘ ’： Ａｒ ７５Ｃ
ＣＭ圧 力 ： ： ３Ｘ１０ ”Ｔｏｒ
ｒ印加電圧 ：３８０Ｖ ライｌレム速度： ０．５ ｍ ／ ｍｉｎこの様にし
て形成された透明導電層の膜厚は２８０Ｘで表面抵抗２
５０Ω／口、透過率は８０％であった。
中間層の効果を調べるため、耐擦ｆａ試験を行なった。
耐擦傷試験は１００２荷重下鹿皮により１００回摩耗し
た後の表面抵抗の変化をみた。
た後の表面抵抗の変化をみた。
Ｔ ｉＯｘ中間層がない場合は試験後、表面抵抗は約２
倍に上昇するがＴ ｉｏｘ層が存在すると１１倍とほと
んど変化がなかった。
倍に上昇するがＴ ｉｏｘ層が存在すると１１倍とほと
んど変化がなかった。
第１図は本発明フィルムの断面略示図である。
１は有機高分子フィルム
２は中間層
３は導電性表面層である。
特許出願人 ダイセル化学工業株式会社勇１図
Claims (1)
- 有機高分子フィルムの片面に極薄な酸化インジウム以外
の金属酸化物からなる中間層とこの中間層を介して酸化
インジウムを含む導電性表面層とからなることを特徴と
する透明導電性積層フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26880384A JPS61146533A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 透明導電性積層フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26880384A JPS61146533A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 透明導電性積層フイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61146533A true JPS61146533A (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=17463480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26880384A Pending JPS61146533A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 透明導電性積層フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61146533A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183810A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-16 | 三井東圧化学株式会社 | 透明電極 |
| JPS63267540A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Teijin Ltd | 蒸着用積層ポリエステルフイルム及びその製造方法 |
| JPS63267539A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Teijin Ltd | 導電性積層フイルム及びその製造方法 |
| US5772862A (en) * | 1988-03-03 | 1998-06-30 | Asahi Glass Company Ltd. | Film comprising silicon dioxide as the main component and method for its productiion |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59204545A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | 積層導電フイルム |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP26880384A patent/JPS61146533A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59204545A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | 積層導電フイルム |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183810A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-16 | 三井東圧化学株式会社 | 透明電極 |
| JPS63267540A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Teijin Ltd | 蒸着用積層ポリエステルフイルム及びその製造方法 |
| JPS63267539A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Teijin Ltd | 導電性積層フイルム及びその製造方法 |
| US5772862A (en) * | 1988-03-03 | 1998-06-30 | Asahi Glass Company Ltd. | Film comprising silicon dioxide as the main component and method for its productiion |
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