JPS61142726A - 多層形セラミツクコンデンサの製造方法 - Google Patents
多層形セラミツクコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS61142726A JPS61142726A JP26560684A JP26560684A JPS61142726A JP S61142726 A JPS61142726 A JP S61142726A JP 26560684 A JP26560684 A JP 26560684A JP 26560684 A JP26560684 A JP 26560684A JP S61142726 A JPS61142726 A JP S61142726A
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- JP
- Japan
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- ceramic
- electrode
- substrate
- ceramic capacitor
- film
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は多層形セラミックコンデンサの製造方法に係わ
る。
る。
［従来技術と問題点コ
第７図は従来のセラミックコンデンサの製造工程をブロ
ック図で示し、第８図、第８図は製造されたセラミック
コンデンサを示す。
ック図で示し、第８図、第８図は製造されたセラミック
コンデンサを示す。
第７図ブロック図に示すように、例えばチタン酸バリウ
ム等の粉末を混合して、これを焼結し、第８図に示すよ
うにその両面に電極膜１を焼付け、セラミック膜２の両
面に電極膜１を備える単体形のセラミックコンデンサが
得られ、また第９図に示すように、焼結されたセラミッ
ク膜２の片面に電極Ｍ！Ｘｔを片側に及ばないように焼
付けた素体を作り、これにより焼付けられた電極１％１
が一つおきに同一方向に揃うように、前記複数の素体を
積層して一つおきの素体のＮ極Ｉ！Ｘｔ間を銀ペースト
塗布による電極３で電気接続すれば、積層形のセラミッ
クコンデンサが得られる。
ム等の粉末を混合して、これを焼結し、第８図に示すよ
うにその両面に電極膜１を焼付け、セラミック膜２の両
面に電極膜１を備える単体形のセラミックコンデンサが
得られ、また第９図に示すように、焼結されたセラミッ
ク膜２の片面に電極Ｍ！Ｘｔを片側に及ばないように焼
付けた素体を作り、これにより焼付けられた電極１％１
が一つおきに同一方向に揃うように、前記複数の素体を
積層して一つおきの素体のＮ極Ｉ！Ｘｔ間を銀ペースト
塗布による電極３で電気接続すれば、積層形のセラミッ
クコンデンサが得られる。
セラミック粉末の混合、焼結といった作業は非常に人手
と時間を要するものであり、コスト高の要因の一つであ
る。
と時間を要するものであり、コスト高の要因の一つであ
る。
また、積層形のものについては、重なりに位置する電極
端部が、製造中におけるプレスによって、不均一な応力
を受け、耐圧上の弱点部となる。
端部が、製造中におけるプレスによって、不均一な応力
を受け、耐圧上の弱点部となる。
また、同心内情状に電極が位置する構造の円筒状コンデ
ンサは焼結による方法では製作困難である。
ンサは焼結による方法では製作困難である。
［問題を解決するための手段］
以上、前項において、セラミックコンデンサ製造におけ
る問題点を挙げたが、本発明はこれら問題点を解決する
ため、従来の焼結工程に変わって、セラミック粉末の溶
射によってセラミック膜を形成し、電極膜を付加するこ
とによってセラミックコンデンサを製造しようとするも
のである。
る問題点を挙げたが、本発明はこれら問題点を解決する
ため、従来の焼結工程に変わって、セラミック粉末の溶
射によってセラミック膜を形成し、電極膜を付加するこ
とによってセラミックコンデンサを製造しようとするも
のである。
セラミック類の溶射法は、火炎溶射法、プラズマ溶射法
および爆裂溶射法などに分けられ、セラミック゛の加熱
温度、飛行速度等それぞれの方式によって異なるが、本
発明の場合、材料の溶射性、生産性等の面から、プラズ
マ溶射法が好適であり、以下説明もこれによってなされ
るが、本発明は、必ずしもプラズマ溶射法による必要も
ない。
および爆裂溶射法などに分けられ、セラミック゛の加熱
温度、飛行速度等それぞれの方式によって異なるが、本
発明の場合、材料の溶射性、生産性等の面から、プラズ
マ溶射法が好適であり、以下説明もこれによってなされ
るが、本発明は、必ずしもプラズマ溶射法による必要も
ない。
第１図は本発明の製造工程をブロック図で示す。
誘電体用セラミック粉末が準備され、これが混合され、
溶射によりセラミック跣電体が形成され、電極が溶射ま
たは焼付けにより形成され、実装される。第２図は平板
形のコンデンサを製造する方法を示す。
溶射によりセラミック跣電体が形成され、電極が溶射ま
たは焼付けにより形成され、実装される。第２図は平板
形のコンデンサを製造する方法を示す。
図において４はプラズマ溶射ガンを示す。５はガスパイ
プであり、６は例えばタングステンよりなる電極、７は
ノズルであり、プラス電極として電極Ｂとの間にアーク
放電を生じ、ガスバイブ５よりアルゴン、窒素あるいは
これらのガスと水素との混合ガスが供給され、ノズル７
より高温プラズマジェットとして噴出す。
プであり、６は例えばタングステンよりなる電極、７は
ノズルであり、プラス電極として電極Ｂとの間にアーク
放電を生じ、ガスバイブ５よりアルゴン、窒素あるいは
これらのガスと水素との混合ガスが供給され、ノズル７
より高温プラズマジェットとして噴出す。
８はセラミック粉末供給用ホッパーであり、９は粉末を
示し、その供給口１０はノズル７の前方、高温プラズマ
ジェットが発生する領域に置かれる。
示し、その供給口１０はノズル７の前方、高温プラズマ
ジェットが発生する領域に置かれる。
セラミックが複数の組成よりなる場合、前記工程の混合
を廃して、複数の溶射ガン４を用いてそれぞれ粉末９を
供給し、同時に溶射してもよい。
を廃して、複数の溶射ガン４を用いてそれぞれ粉末９を
供給し、同時に溶射してもよい。
またｌ！は電極膜用金属粉末用ホッパーであり、必要に
応じ前記セラミック粉末供給用ホッパー８と同・じ位置
に配置させ、ホッパー８と切換え使用するか、別途電極
溶射ガンを用意してもよい。
応じ前記セラミック粉末供給用ホッパー８と同・じ位置
に配置させ、ホッパー８と切換え使用するか、別途電極
溶射ガンを用意してもよい。
１２は被溶射基板であり、高温プラズマジェットによる
粉末溶射を受ける位置に配置される。
粉末溶射を受ける位置に配置される。
セラミック粉末９を供給し、高温プラズマジェット発生
の状態で、基板１２に向けて溶射ガン４を移動させるか
、溶射ガン４に対して基板１２を移動させて、セラミッ
ク粉末９の溶射を行う。これによって薄いセラミック１
ｑ１３が形成される。この膜厚は溶射距離、時間等で調
節でき、その外形はマスキングすることによって整形す
ることができる。
の状態で、基板１２に向けて溶射ガン４を移動させるか
、溶射ガン４に対して基板１２を移動させて、セラミッ
ク粉末９の溶射を行う。これによって薄いセラミック１
ｑ１３が形成される。この膜厚は溶射距離、時間等で調
節でき、その外形はマスキングすることによって整形す
ることができる。
この表面に電極膜を形成するが、電極膜形成は導電塗料
を塗布してもよいが、金属溶射（メタリコン）によれば
、セラミック溶射と同様の一連の工程で可能となる。こ
のようなセラミック溶射および金属溶射を交互に施すこ
とによって、積層形のセラミックコンデンサを製造する
ことができる。
を塗布してもよいが、金属溶射（メタリコン）によれば
、セラミック溶射と同様の一連の工程で可能となる。こ
のようなセラミック溶射および金属溶射を交互に施すこ
とによって、積層形のセラミックコンデンサを製造する
ことができる。
第３図は円筒形コンデンサを製造する方法を示す。！４
は被溶射円筒基板である。高温プラズマジェット発生の
状態で、基板１４を回転させながら、基板１４に向けて
溶射ガン４を移動させるか、溶射ガン４に対して基板１
４を移動させて、セラミック粉末の溶射を行う。この上
に電極膜となる金属溶射を施せば、円筒状のコンデンサ
が形成され、これを交互に施すことによって、積層形の
セラミックコンデンサを製造することができる。
は被溶射円筒基板である。高温プラズマジェット発生の
状態で、基板１４を回転させながら、基板１４に向けて
溶射ガン４を移動させるか、溶射ガン４に対して基板１
４を移動させて、セラミック粉末の溶射を行う。この上
に電極膜となる金属溶射を施せば、円筒状のコンデンサ
が形成され、これを交互に施すことによって、積層形の
セラミックコンデンサを製造することができる。
第４図は円筒電極膜形成の金属溶射時に、マスキングを
工夫することによって、電極膜１を径方向で３分割し、
多相コンデンサとして構成するものであり、第５図は同
じく長さ方向で２分割して電極膜１を形成し、直列コン
デンサとして構成したものであるが、このように多相コ
ンデンサ、複数個の小コンデンサに分割された一体形の
コンデンサを作ることができ、直並列に接続できるフン
デン４を製作することができる。
工夫することによって、電極膜１を径方向で３分割し、
多相コンデンサとして構成するものであり、第５図は同
じく長さ方向で２分割して電極膜１を形成し、直列コン
デンサとして構成したものであるが、このように多相コ
ンデンサ、複数個の小コンデンサに分割された一体形の
コンデンサを作ることができ、直並列に接続できるフン
デン４を製作することができる。
第６図（イ）はセラミックコンデンサの積層製造法およ
び巻回形セラミックコンデンサ製造方法の他の実施例を
示す。
び巻回形セラミックコンデンサ製造方法の他の実施例を
示す。
図において１５は金属製の被溶射円筒基板の断面を示し
ており、矢印の方向に回転できるように支持５される。
ており、矢印の方向に回転できるように支持５される。
ｔｓ、ｔｔは第１および第２のセラミック溶射ガンであ
り、１８．１９は第１および第２の電極溶射ガンであり
、溶射ガンＩｆｔ、！７は円筒基板１５を間にして、直
線上にあって対向配置され、電極溶射ガン１８．１９は
前記溶射ガン１［ｉ、＋７の配置される直線と直交する
直線上で、前記円筒基板１５を間にして、対向配置され
る。
り、１８．１９は第１および第２の電極溶射ガンであり
、溶射ガンＩｆｔ、！７は円筒基板１５を間にして、直
線上にあって対向配置され、電極溶射ガン１８．１９は
前記溶射ガン１［ｉ、＋７の配置される直線と直交する
直線上で、前記円筒基板１５を間にして、対向配置され
る。
また図示していないが、セラミック溶射ガン１８゜１７
、電極溶射ガン１８．１９．は円筒基板１５を囲み、そ
の長さ方向に移動できるように支持されるか、円筒基板
１５自体が前記セラミック溶射ガン１６ｔ、１７および
電極溶射ガン１８．１９と同間隔を保ちながら横方向に
移動できるように構成されている。
、電極溶射ガン１８．１９．は円筒基板１５を囲み、そ
の長さ方向に移動できるように支持されるか、円筒基板
１５自体が前記セラミック溶射ガン１６ｔ、１７および
電極溶射ガン１８．１９と同間隔を保ちながら横方向に
移動できるように構成されている。
円筒基板１５の回転外画区間を４分割して、セラミック
溶射ガンＩＧのある空間を■限、電極溶射ガン＋８のあ
る空間を■限、セラミック溶射ガン１７のある空間を■
限、電極溶射ガン１９のある空間を■限とし、円筒基板
１５自体の回転および横方向移動の伏態で、■限と■限
にあるセラミック溶射ガンＩＧ、＋７を動作させて、（
ロ）図に示すように、セラミック膜Ｃを形成し、この溶
射をやめて、■限、■限にある電極溶射ガン１８．１９
を動作させて（に）図に示すように電極ＩＲＥを形成し
、これを繰返すことによって多層のセラミックコンデン
サを形成することができる。
溶射ガンＩＧのある空間を■限、電極溶射ガン＋８のあ
る空間を■限、セラミック溶射ガン１７のある空間を■
限、電極溶射ガン１９のある空間を■限とし、円筒基板
１５自体の回転および横方向移動の伏態で、■限と■限
にあるセラミック溶射ガンＩＧ、＋７を動作させて、（
ロ）図に示すように、セラミック膜Ｃを形成し、この溶
射をやめて、■限、■限にある電極溶射ガン１８．１９
を動作させて（に）図に示すように電極ＩＲＥを形成し
、これを繰返すことによって多層のセラミックコンデン
サを形成することができる。
また■限にあるセラミック溶射ガン！６によりセラミッ
ク膜Ｃを形成し、このセラミック膜Ｃの上に■限により
電極膜Ｅを形成し、■限で再びセラミック膜を形成し、
■限で電極膜Ｅを形成させることも可能となる。
ク膜Ｃを形成し、このセラミック膜Ｃの上に■限により
電極膜Ｅを形成し、■限で再びセラミック膜を形成し、
■限で電極膜Ｅを形成させることも可能となる。
また■限、■限のセラミック溶射ガン１７、電極溶射ガ
ン＋９を停止させてもよい。
ン＋９を停止させてもよい。
これらの使用法はセラミック膜厚、電極膜厚等の関係で
選択すればよい。
選択すればよい。
更に巻回形コンデンサは、各隅の溶射ガンを同時に連続
溶射する事によって、製作可能である。
溶射する事によって、製作可能である。
すなわち、■限のセラミック溶射ガンによって第１のセ
ラミック層が溶射され、■限でその上に第１の電極層が
形成され、■限で更にその上に第２のセラミック層、そ
して■限では第１の電極に対す、る第２の対向電極が形
成され、これらが連続して形成される為、あたかも２枚
のセラミックシートと２枚の電極を基板に巻きつけた様
な巻回形コンデンサが製作できる。溶射層の断面は、う
ずまき状となっている。
ラミック層が溶射され、■限でその上に第１の電極層が
形成され、■限で更にその上に第２のセラミック層、そ
して■限では第１の電極に対す、る第２の対向電極が形
成され、これらが連続して形成される為、あたかも２枚
のセラミックシートと２枚の電極を基板に巻きつけた様
な巻回形コンデンサが製作できる。溶射層の断面は、う
ずまき状となっている。
膜厚等は、各隅における溶射ガンの複数化、基板の回転
速度で調節できる。
速度で調節できる。
被溶射基板としては金属またはエポキシ樹脂のような材
料よりなるものが使用され、必要ある場合は被溶射面に
離形剤が予め塗布される。
料よりなるものが使用され、必要ある場合は被溶射面に
離形剤が予め塗布される。
［効果コ
本発明によれば、（１）従来の焼結方法に比べて、工程
に要する人手、時間がすくなくて済み、大幅なコストダ
ウンが可能である。■溶射による多層形コンデンサでは
、電極端部の弱点部が極めて少ない。（３）焼結に比べ
て薄膜化ができる。（４円筒形コンデンサの製造が可能
で、多相、直並列等複数のコンデンサが一体化したもの
が得られる。■セラミック溶射ガンと電極用ガンを２系
統ずつ用いることによって多届形および巻回形のセラミ
ックコンデンサの製造ができる等効果がある。
に要する人手、時間がすくなくて済み、大幅なコストダ
ウンが可能である。■溶射による多層形コンデンサでは
、電極端部の弱点部が極めて少ない。（３）焼結に比べ
て薄膜化ができる。（４円筒形コンデンサの製造が可能
で、多相、直並列等複数のコンデンサが一体化したもの
が得られる。■セラミック溶射ガンと電極用ガンを２系
統ずつ用いることによって多届形および巻回形のセラミ
ックコンデンサの製造ができる等効果がある。
第１図は本発明の製造工程を示すブロック図である。
第２図、第３図、第６図０）、（→は本発明の実施例を
示す。 第４図、第５図は本発明による分割形コンデンサ・を示
す。 第７図は従来のセラミックコンデンサの製造工程を示す
ブロック図である。 第８図は従来の方法により製造した単体形の平板セラミ
ックコンデンサを示す。 第９図は従来の方法によって製造した積層形のセラミッ
クコンデンサを示す。 ■・・・電極膜、２・・・セラミック膜、３・・・電極
、４・・・フラズマ溶射ガン、８・・・セラミック供給
用ホッパー、９・・・セラミック粉末、１２・・・被溶
射基板、１３・・・セラミック膜、１４．１５・・・被
溶射円筒基板、Ｉｉｉ、＋７・・・セラミック溶射ガン
、１８．１９・・・電極溶射ガン、Ｃ・・・セラミック
膜、Ｅ・・・電極膜。 第１図 才２図 第３図 才４図 才５図 肴６園
示す。 第４図、第５図は本発明による分割形コンデンサ・を示
す。 第７図は従来のセラミックコンデンサの製造工程を示す
ブロック図である。 第８図は従来の方法により製造した単体形の平板セラミ
ックコンデンサを示す。 第９図は従来の方法によって製造した積層形のセラミッ
クコンデンサを示す。 ■・・・電極膜、２・・・セラミック膜、３・・・電極
、４・・・フラズマ溶射ガン、８・・・セラミック供給
用ホッパー、９・・・セラミック粉末、１２・・・被溶
射基板、１３・・・セラミック膜、１４．１５・・・被
溶射円筒基板、Ｉｉｉ、＋７・・・セラミック溶射ガン
、１８．１９・・・電極溶射ガン、Ｃ・・・セラミック
膜、Ｅ・・・電極膜。 第１図 才２図 第３図 才４図 才５図 肴６園
Claims (3)
- （１）セラミック粉末を用い、基板に対する前記粉末の
溶射によるセラミック膜の形成と溶射等による電極膜形
成を交互に行なうことを特徴とする多層形セラミックコ
ンデンサの製造方法。 - （２）基板として円筒基板を用い、電極を複数に分割し
て複数のセラミックコンデンサとすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の多層形セラミックコンデン
サの製造方法。 - （３）基板として円筒基板を用い、前記円筒基板を囲ん
で、複数のセラミック溶射ガンと電極溶射ガンを配し、
前記基板を回転させながら、前記セラミック溶射ガンと
電極溶射ガンとで交互あるいは同時に溶射することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層形セラミック
コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26560684A JPS61142726A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 多層形セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26560684A JPS61142726A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 多層形セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142726A true JPS61142726A (ja) | 1986-06-30 |
Family
ID=17419466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26560684A Pending JPS61142726A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 多層形セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61142726A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123118A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric porcelain element |
| JPS5886713A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜コンデンサの製造方法 |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26560684A patent/JPS61142726A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123118A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric porcelain element |
| JPS5886713A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜コンデンサの製造方法 |
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