JPS6127687A - 電歪効果素子の製造方法 - Google Patents
電歪効果素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6127687A JPS6127687A JP13675984A JP13675984A JPS6127687A JP S6127687 A JPS6127687 A JP S6127687A JP 13675984 A JP13675984 A JP 13675984A JP 13675984 A JP13675984 A JP 13675984A JP S6127687 A JPS6127687 A JP S6127687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostrictive
- exposed
- laminate
- organic material
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
- H10N30/053—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明の方法は圧電又は電歪材料の電気・機械エネルギ
ー変換能力を利用した駆動素子や微小変位素子等のエレ
クトロメカニカルデバイスの製造方法に関するものであ
る。
ー変換能力を利用した駆動素子や微小変位素子等のエレ
クトロメカニカルデバイスの製造方法に関するものであ
る。
（従来技術とその問題点）
縦効果を利用し九電歪効果素子の構造において素子断面
積と同じ大きさの内部電極を有することが必要である。
積と同じ大きさの内部電極を有することが必要である。
これは電圧印加時に電歪材料又は圧電材料全体に均一な
電界を発生させるためである。内部電極面積が素子断面
よル小さいと電歪又は圧電材料内部の内部電極端部付近
に必ず電界の不均一な部分が生まれそれに伴って強い応
力集中が起こる。
電界を発生させるためである。内部電極面積が素子断面
よル小さいと電歪又は圧電材料内部の内部電極端部付近
に必ず電界の不均一な部分が生まれそれに伴って強い応
力集中が起こる。
また低電圧で大きな電界を発生させ大きな歪を得るため
には、内部電極相互の間隔１１００ミクロン程度にして
多数の内部電極を電歪又は圧電材料内部に形成すること
が必要である。
には、内部電極相互の間隔１１００ミクロン程度にして
多数の内部電極を電歪又は圧電材料内部に形成すること
が必要である。
以上２つの理由で縦効果を利用した電歪効果素子を電気
的に接続するのは従来の方法では非常に困難である０つ
まル前者の制約より積層セラミックコンデンサで行なわ
れるように素子端面全体を被うような外部電極による接
続方法は用いることができない。また後者の制約によシ
厚膜プロセス等で用いられている絶縁膜と導体の印刷に
よる形成法は精度上から適用が困難である。
的に接続するのは従来の方法では非常に困難である０つ
まル前者の制約より積層セラミックコンデンサで行なわ
れるように素子端面全体を被うような外部電極による接
続方法は用いることができない。また後者の制約によシ
厚膜プロセス等で用いられている絶縁膜と導体の印刷に
よる形成法は精度上から適用が困難である。
そこで本発明者等は先に電気泳動法により電歪又は圧電
材料積層体の端面に露出した内部電極層とその近傍のセ
ラミック上に一層おきに無機絶縁物を形成することを特
徴とする電気的接続方法を提案した。第１図はこの方法
によシミ気的接続を行なった電歪効果素子の外観図であ
る口電歪材料１．２と内部電極とが積層されて構成され
る素子の端面に露出した内部電極層およびその周辺のセ
ラミック上に一層おきに無機絶縁物５が形成されている
。裏側の端面には一層ずらした内部電極上に同じく、無
機絶縁物６が形成されているＯこの絶縁物および露出し
たままの内部電極４を横断して帯状の外部電極７が形成
されている。図中番号３と４で示される多数の内部電極
は一層おきにプラス側外部接続端子１０およびマイナス
側外部接続端子８にそれぞれ接続している。
材料積層体の端面に露出した内部電極層とその近傍のセ
ラミック上に一層おきに無機絶縁物を形成することを特
徴とする電気的接続方法を提案した。第１図はこの方法
によシミ気的接続を行なった電歪効果素子の外観図であ
る口電歪材料１．２と内部電極とが積層されて構成され
る素子の端面に露出した内部電極層およびその周辺のセ
ラミック上に一層おきに無機絶縁物５が形成されている
。裏側の端面には一層ずらした内部電極上に同じく、無
機絶縁物６が形成されているＯこの絶縁物および露出し
たままの内部電極４を横断して帯状の外部電極７が形成
されている。図中番号３と４で示される多数の内部電極
は一層おきにプラス側外部接続端子１０およびマイナス
側外部接続端子８にそれぞれ接続している。
この構造の素子の問題点は形成した絶縁物の巾が狭いこ
と７ｃある０第２図はこの構造の素子に直流電圧を印加
した時の構造図を示す。矢印は電気力線を示す。外部電
極７．９の形成面の近傍についてみると、絶縁物５，６
の巾が狭いため外部電極７，９と内部電極３，４との間
に他の部分より強い電界が発生するのがわかるＯその方
向も他の大部分の場所と異なって内部電極面に平行な成
分を持っている。その結果この部分に不均一な歪の発生
に寄因する応力集中が発生し１．５ｋＶ／ｍｍ以上の強
電界を素子に印加すると素子が破壊する０また電気泳動
法によシ内部電極露出層とその周辺のセラミック上を広
く被うと厚みも比例して増加し形成された絶縁物の体積
が犬きくな多素子の変位を抑圧する。また電気泳動法に
よシ絶縁を行なう場合、工程上の不良が発生するとシ目
−ト状態とな多素子は全く使用不能となる口故障モード
はオーブン状態の方が望ましいＯ （発明の目的） 本発明は絶縁の信頼度を向上させ、同時に電歪材料内部
の電界の均一化によシ高電界駆動と大きな歪の発生を得
ることができ、絶縁耐圧の向上が可能となる電歪効果素
子の製造方法を提供することを目的とする。
と７ｃある０第２図はこの構造の素子に直流電圧を印加
した時の構造図を示す。矢印は電気力線を示す。外部電
極７．９の形成面の近傍についてみると、絶縁物５，６
の巾が狭いため外部電極７，９と内部電極３，４との間
に他の部分より強い電界が発生するのがわかるＯその方
向も他の大部分の場所と異なって内部電極面に平行な成
分を持っている。その結果この部分に不均一な歪の発生
に寄因する応力集中が発生し１．５ｋＶ／ｍｍ以上の強
電界を素子に印加すると素子が破壊する０また電気泳動
法によシ内部電極露出層とその周辺のセラミック上を広
く被うと厚みも比例して増加し形成された絶縁物の体積
が犬きくな多素子の変位を抑圧する。また電気泳動法に
よシ絶縁を行なう場合、工程上の不良が発生するとシ目
−ト状態とな多素子は全く使用不能となる口故障モード
はオーブン状態の方が望ましいＯ （発明の目的） 本発明は絶縁の信頼度を向上させ、同時に電歪材料内部
の電界の均一化によシ高電界駆動と大きな歪の発生を得
ることができ、絶縁耐圧の向上が可能となる電歪効果素
子の製造方法を提供することを目的とする。
（発明の構成）
本発明は電歪材料と内部電極とを交互に積層し、該積層
体において内部電極端部が露出した相対向する二側面に
該内部電極端部と一層おきに接続する外部電極を形成す
る電歪効果素子の製造方法において、内部電極端部が露
出した積層体側面の一層おきの内部電極上に電着法によ
シ有機材料を析出させ加熱、固着させる工程、該積層体
側面の他の部分にガラス粉末を堆積させる工程、該積層
体を熱処理し、有機材料を分解させガラス粉末全焼付け
る工程、該積層体側面に一層おきに露出した内部電極端
部を接続する外部電極を当該側面上に形成する工程とを
備えたことを特徴とする電歪効果素子の製造方法。
体において内部電極端部が露出した相対向する二側面に
該内部電極端部と一層おきに接続する外部電極を形成す
る電歪効果素子の製造方法において、内部電極端部が露
出した積層体側面の一層おきの内部電極上に電着法によ
シ有機材料を析出させ加熱、固着させる工程、該積層体
側面の他の部分にガラス粉末を堆積させる工程、該積層
体を熱処理し、有機材料を分解させガラス粉末全焼付け
る工程、該積層体側面に一層おきに露出した内部電極端
部を接続する外部電極を当該側面上に形成する工程とを
備えたことを特徴とする電歪効果素子の製造方法。
（構成の詳細な説ＢＡ）
本発明は上述の方法をとるととによシ、従来の電気泳動
法による電歪効果素子の製造方法の問題点を解決した。
法による電歪効果素子の製造方法の問題点を解決した。
まず、絶縁物の形成を堆積によシ行なうこととしたため
絶縁の信頼性が大きく向上した。また不良のモードが接
続不良となシオープン状態となった結果不良素子の歪の
発生は数十分の一程度減少するものの素子としては充分
に使用できることになった。一方電着による有機材料の
形成によって絶縁パターン作製を行なうことにより絶縁
膜の開口部を狭くすることができるようになった。第３
図は以下に示す実施例の方法によシミ気的接続を行なっ
た電歪効果素子の概略図である。誘電率の低いガラス被
膜３１．３３が素子の端面な広く被っているため素子側
面の外部電極の影響を受けることなくセラミック内部に
均一な電界が発生し応力の集中が起こらなくなった。こ
こで２１．２２は電歪材料、２３．２４は内部電極、３
２．３４は外部電極、３５．３６は外部接続端子である
〇（実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。マグネシウムニオブ酸鉛およびチタン酸鉛を主成
分とする電歪材料予焼粉末に微量の有機バインダを添加
しこれを有機溶媒中に分散させたスラリーを準備した０
通常の積層セラミックコンデンサの製造に使用されるキ
ャスティング製膜装置によシこのスラリーをマイラーフ
ィルム上に約１００ミクロンの厚さに塗布し乾燥させた
。
絶縁の信頼性が大きく向上した。また不良のモードが接
続不良となシオープン状態となった結果不良素子の歪の
発生は数十分の一程度減少するものの素子としては充分
に使用できることになった。一方電着による有機材料の
形成によって絶縁パターン作製を行なうことにより絶縁
膜の開口部を狭くすることができるようになった。第３
図は以下に示す実施例の方法によシミ気的接続を行なっ
た電歪効果素子の概略図である。誘電率の低いガラス被
膜３１．３３が素子の端面な広く被っているため素子側
面の外部電極の影響を受けることなくセラミック内部に
均一な電界が発生し応力の集中が起こらなくなった。こ
こで２１．２２は電歪材料、２３．２４は内部電極、３
２．３４は外部電極、３５．３６は外部接続端子である
〇（実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。マグネシウムニオブ酸鉛およびチタン酸鉛を主成
分とする電歪材料予焼粉末に微量の有機バインダを添加
しこれを有機溶媒中に分散させたスラリーを準備した０
通常の積層セラミックコンデンサの製造に使用されるキ
ャスティング製膜装置によシこのスラリーをマイラーフ
ィルム上に約１００ミクロンの厚さに塗布し乾燥させた
。
これをフィルムから剥離し電歪材料グリーンシートを得
た。一部のグリーンシートにはさらに内部電極として白
金ペーストをスクリーン印刷した。
た。一部のグリーンシートにはさらに内部電極として白
金ペーストをスクリーン印刷した。
これらのグリーンシートを数百枚重ね、熱プレスによル
圧着一体化した後１２４０℃で焼成し電歪材料積層体を
得た。これを内部電極が一層おきに表面に露出するよう
な位置２ケ所で切断し、あられれた面に仮設外部電極を
塗布焼き付けし、さらに前記仮設外部電極形成面と異な
る側面２ケ所を切断し、内部電極全層な露出させた。
圧着一体化した後１２４０℃で焼成し電歪材料積層体を
得た。これを内部電極が一層おきに表面に露出するよう
な位置２ケ所で切断し、あられれた面に仮設外部電極を
塗布焼き付けし、さらに前記仮設外部電極形成面と異な
る側面２ケ所を切断し、内部電極全層な露出させた。
第４図は以上のようにして作製した仮設外部電極付電歪
材料積層体と以下に説明する方法で形成する有機物質膜
２７の形成位置を示す外観図でああ・ る０図中番号２１−Ｐよび２２は電歪材料、２３は内部
電極で一層おきにそれぞれ仮設外部電極２５と２６に接
続している。
材料積層体と以下に説明する方法で形成する有機物質膜
２７の形成位置を示す外観図でああ・ る０図中番号２１−Ｐよび２２は電歪材料、２３は内部
電極で一層おきにそれぞれ仮設外部電極２５と２６に接
続している。
系電着塗装用工１ルジョンと樹脂硬化剤および水とから
なる□との懸濁液を容器に満たし前記積層体および金メ
ッチ処理済のステンレス製対向電極板を沈め、前記仮設
外部電極の一方を直流電源のマイナス側端子に、前記対
向電極板をグラス側端子に接続し直流電圧を約５分間印
加するとｉイナス側端子に接続している内部電極露出部
の上に前記エマルジ９７粒子が付着する０これ’ｔ２０
０ｃ３０分間加熱して固着させ有機物質の帯状膜２７を
形成する。次にこの積層体を有機物質膜形成面を上にし
てホウケイ酸亜鉛系結晶化ガラス粉末とエタノールとか
らなる懸濁液中に１５分間靜装する。
なる□との懸濁液を容器に満たし前記積層体および金メ
ッチ処理済のステンレス製対向電極板を沈め、前記仮設
外部電極の一方を直流電源のマイナス側端子に、前記対
向電極板をグラス側端子に接続し直流電圧を約５分間印
加するとｉイナス側端子に接続している内部電極露出部
の上に前記エマルジ９７粒子が付着する０これ’ｔ２０
０ｃ３０分間加熱して固着させ有機物質の帯状膜２７を
形成する。次にこの積層体を有機物質膜形成面を上にし
てホウケイ酸亜鉛系結晶化ガラス粉末とエタノールとか
らなる懸濁液中に１５分間靜装する。
第５因は帯状有機物質膜を形成した端面にガラス粉末を
堆積した電歪材料積層体の外観図を示す口図中番号２８
は積層体端面上に堆積したガラス粉末、２９は有機物質
膜上に堆積したガラス粉末によろうね状の盛シあがｌｉ
−それぞれ示す。第６図はこの積層体の断面を示す。図
中番号２１と２２は電歪材料、２３と２４は内部電極、
２７は有機物質膜、２８と２９は堆積したガラス粉末を
それぞれ示す〇 次に有機物質膜上に堆積したガラス粉末２８のみをスク
レッパー等で削シ取る。その後５００℃３０分間加熱し
て有機物質膜２７ｔ−熱分解によるガス化によって取シ
除く。次に７００℃で１０分間焼成しガラス被膜３１を
形成するり 第７図は有機物質膜上のガラス粉を取シ除いた積層体の
断面を示す◇第８図は有機物質膜を熱分解によシ除去し
た積層体の断面図である。図中番号３０は有機物質膜の
消失した空間％２９は堆積したガラス粉を示す。第９図
および第１０図はガラスを焼き付けた積層体の断面図と
外観図である。
堆積した電歪材料積層体の外観図を示す口図中番号２８
は積層体端面上に堆積したガラス粉末、２９は有機物質
膜上に堆積したガラス粉末によろうね状の盛シあがｌｉ
−それぞれ示す。第６図はこの積層体の断面を示す。図
中番号２１と２２は電歪材料、２３と２４は内部電極、
２７は有機物質膜、２８と２９は堆積したガラス粉末を
それぞれ示す〇 次に有機物質膜上に堆積したガラス粉末２８のみをスク
レッパー等で削シ取る。その後５００℃３０分間加熱し
て有機物質膜２７ｔ−熱分解によるガス化によって取シ
除く。次に７００℃で１０分間焼成しガラス被膜３１を
形成するり 第７図は有機物質膜上のガラス粉を取シ除いた積層体の
断面を示す◇第８図は有機物質膜を熱分解によシ除去し
た積層体の断面図である。図中番号３０は有機物質膜の
消失した空間％２９は堆積したガラス粉を示す。第９図
および第１０図はガラスを焼き付けた積層体の断面図と
外観図である。
ガラスは溶解の過程で表面張力によシ角がとれやや広が
って積層体表面に固着する０図中番号３１は形成された
ガラス被膜、２４は露出している内部電極端部をそれぞ
れ示す０ガラス被膜の開口部は第２図に示す電気泳動法
によシガラス被膜を形成した場合にくらべて狭くなって
いる。本発明によればガラス軟化温度での保持時間金変
えることによりガラスの流れ具合をコントロールして開
口部の広さを決めることができる〇 同様の方法と手順で反対側の抱面の内部電極−要分だけ
ずらした位置にガラス被膜３３を形成する口 次に外部電極をペースト印刷と焼付けによル表側と裏側
の端面に形成する０第１１図は外部電極３２を形成した
積層体の外観図である。図中破線の位置で切断し最終素
子形状となる。第１２図は得られた電歪効果素子の外観
図である。第１３図は同じく構造図を示す。図中番号２
１と２２は電歪材料、３１と３３はガラス被膜、３２と
３４は外部電極、３５２３６はそれぞれプラス側マイナ
ス側の外部接続端子を示す。本発明による素子は有機絶
縁材料等でさらに外装することにょシ耐壊境性を向上さ
せるととが可能である。
って積層体表面に固着する０図中番号３１は形成された
ガラス被膜、２４は露出している内部電極端部をそれぞ
れ示す０ガラス被膜の開口部は第２図に示す電気泳動法
によシガラス被膜を形成した場合にくらべて狭くなって
いる。本発明によればガラス軟化温度での保持時間金変
えることによりガラスの流れ具合をコントロールして開
口部の広さを決めることができる〇 同様の方法と手順で反対側の抱面の内部電極−要分だけ
ずらした位置にガラス被膜３３を形成する口 次に外部電極をペースト印刷と焼付けによル表側と裏側
の端面に形成する０第１１図は外部電極３２を形成した
積層体の外観図である。図中破線の位置で切断し最終素
子形状となる。第１２図は得られた電歪効果素子の外観
図である。第１３図は同じく構造図を示す。図中番号２
１と２２は電歪材料、３１と３３はガラス被膜、３２と
３４は外部電極、３５２３６はそれぞれプラス側マイナ
ス側の外部接続端子を示す。本発明による素子は有機絶
縁材料等でさらに外装することにょシ耐壊境性を向上さ
せるととが可能である。
（発明の効果）
本発明の方法は一度端面の全面にガラス粉を堆積してか
ら不必要部分を除去しているので絶縁すべき筒所は確実
に絶縁されておシ絶縁不良によるシ目−トを主な原因と
していた歩留〕の低さが５０−から９５チへと大きく改
善された。絶縁物の巾が広がりうね状から膜状にと近づ
き堅固なガラス被膜が形成されたため、絶縁耐圧が５ｏ
ｏｖから９００■へと大きく改善された。また絶縁物が
広がった結果セラミック内部に発生する電界のうち内部
電極に対して平行な成分が大幅に減少して均一な電界が
発生する。その結果、２ｋＶ／ｍｍ以上の高電界で駆動
できて変位が大きくとれる。１ｋＶ／ｍｍ程度の通常の
電界強度での駆動では１億回以上の長期連続駆動時の不
良発生率が大きく減少する等の特性改善が得られた。
ら不必要部分を除去しているので絶縁すべき筒所は確実
に絶縁されておシ絶縁不良によるシ目−トを主な原因と
していた歩留〕の低さが５０−から９５チへと大きく改
善された。絶縁物の巾が広がりうね状から膜状にと近づ
き堅固なガラス被膜が形成されたため、絶縁耐圧が５ｏ
ｏｖから９００■へと大きく改善された。また絶縁物が
広がった結果セラミック内部に発生する電界のうち内部
電極に対して平行な成分が大幅に減少して均一な電界が
発生する。その結果、２ｋＶ／ｍｍ以上の高電界で駆動
できて変位が大きくとれる。１ｋＶ／ｍｍ程度の通常の
電界強度での駆動では１億回以上の長期連続駆動時の不
良発生率が大きく減少する等の特性改善が得られた。
第１図は電気泳動法を用いて作製し九電歪効果素子の斜
視図である。Ｍ２図は第１図の素子の断面と直流電圧印
加時の電気力線を示す図である０第３図は本発明の方法
によシ作製した電歪効果素子の断面と直流電圧印加時の
電気力線會示す図である。 第４図は端面に露出した内部電極とその周辺のセラミッ
ク上に一層おきに電着法によシ有機物質膜を形成し九電
歪材料積層体の外観図である０第５図と第６図はそれぞ
れ端面上にガラス粉末を堆積させた電歪材料積層体の斜
視図と断面図である。 第７図は有機物質膜上に堆積いたガラス粉末のみ金剛シ
取りた電歪材料積層体の断面図であシ、第８図は同積層
体をＳＯＯ℃で加熱し有機物質膜を熱分解して除去せし
めたものの断面図を示す０第９図はこの積層体を７００
℃で焼成しガラス被膜を形成したものの断面図であシ、
第１０図は同じ積層体のガラス被膜形成面を示す斜視図
である。第１１図は前記ガラス被膜形成面に複数の外部
電極を形成させ九電歪材料積層体を示す斜視図である。 第１２図は反対側端面にも同様にガラス被膜と外部電極
を形成した後最終形状に切断して得た電歪効果素子金示
す外観図であ〕、第１３図は同じく断面図である。 図中番号１． ２． ２１． ２２は電歪材料、３゜４
．２３，２４は内部電極、５と６はガラス被膜、７．８
，９．１０はそれぞれ外部接続端子を示す。 ２５と２６はそれぞれマイナス側プラス側の仮設外部電
極を示す。２７は有機物質膜を示す。 ２８．２９はそれぞれ有機物質膜上、電歪材料上に堆積
したガラス粉末を示す。３０は有機物質膜の熱分解によ
る消失によって生まれた空へきを、３１．３３はガラス
被膜を示す。３２と３４はそれぞれプラス側マイナス側
の外部電極を示す。 ３５と３６はそれぞれプラス側マイナス側の外部接続端
子を３７は直流電源を示す。 弔１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第７図 ２４ Ｚｊ
ｔ３ ｔｔ４第１０図 倒１１図
視図である。Ｍ２図は第１図の素子の断面と直流電圧印
加時の電気力線を示す図である０第３図は本発明の方法
によシ作製した電歪効果素子の断面と直流電圧印加時の
電気力線會示す図である。 第４図は端面に露出した内部電極とその周辺のセラミッ
ク上に一層おきに電着法によシ有機物質膜を形成し九電
歪材料積層体の外観図である０第５図と第６図はそれぞ
れ端面上にガラス粉末を堆積させた電歪材料積層体の斜
視図と断面図である。 第７図は有機物質膜上に堆積いたガラス粉末のみ金剛シ
取りた電歪材料積層体の断面図であシ、第８図は同積層
体をＳＯＯ℃で加熱し有機物質膜を熱分解して除去せし
めたものの断面図を示す０第９図はこの積層体を７００
℃で焼成しガラス被膜を形成したものの断面図であシ、
第１０図は同じ積層体のガラス被膜形成面を示す斜視図
である。第１１図は前記ガラス被膜形成面に複数の外部
電極を形成させ九電歪材料積層体を示す斜視図である。 第１２図は反対側端面にも同様にガラス被膜と外部電極
を形成した後最終形状に切断して得た電歪効果素子金示
す外観図であ〕、第１３図は同じく断面図である。 図中番号１． ２． ２１． ２２は電歪材料、３゜４
．２３，２４は内部電極、５と６はガラス被膜、７．８
，９．１０はそれぞれ外部接続端子を示す。 ２５と２６はそれぞれマイナス側プラス側の仮設外部電
極を示す。２７は有機物質膜を示す。 ２８．２９はそれぞれ有機物質膜上、電歪材料上に堆積
したガラス粉末を示す。３０は有機物質膜の熱分解によ
る消失によって生まれた空へきを、３１．３３はガラス
被膜を示す。３２と３４はそれぞれプラス側マイナス側
の外部電極を示す。 ３５と３６はそれぞれプラス側マイナス側の外部接続端
子を３７は直流電源を示す。 弔１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第７図 ２４ Ｚｊ
ｔ３ ｔｔ４第１０図 倒１１図
Claims (1)
- 電歪材料と内部電極とを交互に積層し、該積層体にお
いて内部電極端部が露出した相対向する二側面に該内部
電極端部と一層おきに接続する外部電極を形成する電歪
効果素子の製造方法において、内部電極端部が露出した
積層体側面の一層おきの内部電極上に電着法により有機
材料を析出させ加熱、固着させる工程、該積層体側面の
他の部分にガラス粉末を堆積させる工程、該積層体を熱
処理し、有機材料を分解させガラス粉末を焼付ける工程
、該積層体側面に一層おきに露出した内部電極端部を接
続する外部電極を当該側面上に形成する工程とを備えた
ことを特徴とする電歪効果素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13675984A JPS6127687A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 電歪効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13675984A JPS6127687A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 電歪効果素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127687A true JPS6127687A (ja) | 1986-02-07 |
| JPH0256829B2 JPH0256829B2 (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=15182837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13675984A Granted JPS6127687A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 電歪効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127687A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645465U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| JPH0774410A (ja) * | 1994-09-06 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電歪積層板の製造方法 |
| CN104350559A (zh) * | 2012-06-04 | 2015-02-11 | 埃普科斯股份有限公司 | 多层构件以及用于制造多层构件的方法 |
| US9873952B2 (en) | 2012-06-19 | 2018-01-23 | Epos Ag | Method of producing a ceramic component having a main body with internal electrodes |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13675984A patent/JPS6127687A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645465U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| JPH0442947Y2 (ja) * | 1987-06-29 | 1992-10-12 | ||
| JPH0774410A (ja) * | 1994-09-06 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電歪積層板の製造方法 |
| CN104350559A (zh) * | 2012-06-04 | 2015-02-11 | 埃普科斯股份有限公司 | 多层构件以及用于制造多层构件的方法 |
| JP2015520517A (ja) * | 2012-06-04 | 2015-07-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 多層デバイスおよび多層デバイスの製造方法 |
| US10276306B2 (en) | 2012-06-04 | 2019-04-30 | Epcos Ag | Method of producing a multilayer component |
| US9873952B2 (en) | 2012-06-19 | 2018-01-23 | Epos Ag | Method of producing a ceramic component having a main body with internal electrodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256829B2 (ja) | 1990-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6127688A (ja) | 電歪効果素子およびその製造方法 | |
| JPS6317354B2 (ja) | ||
| JPH04253382A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPS6317355B2 (ja) | ||
| EP1381094A2 (de) | Isolierung für piezokeramische Vielschichtaktoren | |
| JPH0256826B2 (ja) | ||
| JPS6127687A (ja) | 電歪効果素子の製造方法 | |
| JPH10290031A (ja) | 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法 | |
| JPS6132835B2 (ja) | ||
| JPH0256827B2 (ja) | ||
| JPH02224311A (ja) | 積層型セラミックス電子部品の製造方法 | |
| JPH10208979A (ja) | 積層電子部品及びその製造方法 | |
| JPH02137280A (ja) | 電歪効果素子およびその製造方法 | |
| JPS6318352B2 (ja) | ||
| JPH04359577A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ素子の製造方法 | |
| JPH0519313B2 (ja) | ||
| JPH01300577A (ja) | 圧電効果素子の製造方法 | |
| JPH0496384A (ja) | 電歪効果素子及びその製造方法 | |
| JPS6086883A (ja) | 電歪効果素子の製造方法 | |
| JPS60236207A (ja) | 積層型電子部品の電極形成方法 | |
| JPS63174380A (ja) | 積層セラミツク圧電素子の製造方法 | |
| JPH07240545A (ja) | 積層型圧電素子 | |
| JPS6225475A (ja) | 電歪効果素子およびその製造方法 | |
| JPH02166777A (ja) | 積層型圧電アクチュエータの製造方法 | |
| JPH0256828B2 (ja) |