JPS61139958A - 光熱磁気記録媒体 - Google Patents
光熱磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61139958A JPS61139958A JP26221084A JP26221084A JPS61139958A JP S61139958 A JPS61139958 A JP S61139958A JP 26221084 A JP26221084 A JP 26221084A JP 26221084 A JP26221084 A JP 26221084A JP S61139958 A JPS61139958 A JP S61139958A
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- JP
- Japan
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- amorphous alloy
- recording medium
- temperature
- film
- element consisting
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光熱磁気記録、熱転写記録などに用いられ、レ
ーデ−光等の熱及び光を用いて情報の記録、再生を行な
う光熱磁気記録媒体に関する。
ーデ−光等の熱及び光を用いて情報の記録、再生を行な
う光熱磁気記録媒体に関する。
一般に、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有し、かつ室
温より高いキューリ温度を有する磁性薄膜はレーデ−光
等の光ビームを照射することによっ【数μｍ以下の情報
を記録、再生することができるので、高密度の光熱磁気
記録媒体として使用することが可能である。現在、この
ような光熱磁気記録媒体として、ＭｎＢ１ 、ＭｎＡｔ
Ｇｅ等の多結晶金属薄膜、ＧｄＣｏ及びＧｄＦｅ等の希
土類−鉄族の非結晶質合金薄膜、Ｇｄ１Ｇ（ガドリニウ
ム鉄ガーネット）に代表される化合物単結晶薄膜などの
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する強磁性薄膜が知
られている。
温より高いキューリ温度を有する磁性薄膜はレーデ−光
等の光ビームを照射することによっ【数μｍ以下の情報
を記録、再生することができるので、高密度の光熱磁気
記録媒体として使用することが可能である。現在、この
ような光熱磁気記録媒体として、ＭｎＢ１ 、ＭｎＡｔ
Ｇｅ等の多結晶金属薄膜、ＧｄＣｏ及びＧｄＦｅ等の希
土類−鉄族の非結晶質合金薄膜、Ｇｄ１Ｇ（ガドリニウ
ム鉄ガーネット）に代表される化合物単結晶薄膜などの
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する強磁性薄膜が知
られている。
ＭｎＢ１に類される多結晶金属薄膜は、キューリ温度を
利用して蓄き込みが行なわれ、％にカー回転角が大きく
、かつ室温で数ｋｏｅという大きな保磁力を有している
ため、光熱磁気記録媒体として優れている。しかし、キ
ューり温度が高い（ＭｎＢｌではＴｃ＝３６’Ｏ℃程度
）ために大きな書き込みエネルギーを必要とするという
欠点がある。また、多結晶体であるため化学量論的な組
成の薄膜を作製する必要があるが、こうした薄膜の作製
が技術的に困難であるという欠点がある。
利用して蓄き込みが行なわれ、％にカー回転角が大きく
、かつ室温で数ｋｏｅという大きな保磁力を有している
ため、光熱磁気記録媒体として優れている。しかし、キ
ューり温度が高い（ＭｎＢｌではＴｃ＝３６’Ｏ℃程度
）ために大きな書き込みエネルギーを必要とするという
欠点がある。また、多結晶体であるため化学量論的な組
成の薄膜を作製する必要があるが、こうした薄膜の作製
が技術的に困難であるという欠点がある。
一方、ＧｄＩＧに代表される化合物単結晶では、ガドリ
ニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）単結晶基板上に磁
性単結晶薄膜が形成されるため、単結晶基板の不均一性
によって磁気特性が′影響を受げ易いこと１．また大面
積の単結晶基板を作製することが困難であるという欠点
がある。
ニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）単結晶基板上に磁
性単結晶薄膜が形成されるため、単結晶基板の不均一性
によって磁気特性が′影響を受げ易いこと１．また大面
積の単結晶基板を作製することが困難であるという欠点
がある。
これに対して、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅなどのような希土類
（ＲＥ）−鉄族（ＴＭ）の非晶質合金膜では上述したよ
うな結晶質の磁性薄膜と異なり非晶質であるため任意の
基体上に大面積の磁性薄膜を作製することが可能である
こと、非晶質合金膜の組成制御が容易であること、及び
結晶粒子がないので再生Ｃハ比の良い信号が得られるこ
となど優れた利点があることが知られている。膜面に垂
直方向に磁化容易軸を有するＧｄＣｏ 、ＧｄＦｅなど
の非晶質合金膜はキー−り温度あるいは磁気補償温度を
利用して書き込みを行なうことができる。
（ＲＥ）−鉄族（ＴＭ）の非晶質合金膜では上述したよ
うな結晶質の磁性薄膜と異なり非晶質であるため任意の
基体上に大面積の磁性薄膜を作製することが可能である
こと、非晶質合金膜の組成制御が容易であること、及び
結晶粒子がないので再生Ｃハ比の良い信号が得られるこ
となど優れた利点があることが知られている。膜面に垂
直方向に磁化容易軸を有するＧｄＣｏ 、ＧｄＦｅなど
の非晶質合金膜はキー−り温度あるいは磁気補償温度を
利用して書き込みを行なうことができる。
例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦａの非晶質合金膜の膜面に局
部的に焦点を合わせ℃レーデビームを照射し、それぞれ
の膜物質の磁気補償温度あるいはキューリ温度付近の温
度まで加熱する。次に１その膜の加熱領域に対して膜面
に垂直に記録したい方向に外部磁場を印加し、その上冷
却するとその部分において反転磁区が形成され、情報が
記録される。
部的に焦点を合わせ℃レーデビームを照射し、それぞれ
の膜物質の磁気補償温度あるいはキューリ温度付近の温
度まで加熱する。次に１その膜の加熱領域に対して膜面
に垂直に記録したい方向に外部磁場を印加し、その上冷
却するとその部分において反転磁区が形成され、情報が
記録される。
ところが、従来のＧｄＣｏ 、ＧｄＦｅの非晶質合金膜
はカー回転角が大きい反面、磁気補償温度近傍で書き込
°みを行なうので、高保磁力を得ることのできる書き込
み温度範囲、記録媒体の組成範囲が非常に狭く、記録さ
れた情報が不安定で、かつ外部磁場の影響を受は易いと
いう欠点がある。
はカー回転角が大きい反面、磁気補償温度近傍で書き込
°みを行なうので、高保磁力を得ることのできる書き込
み温度範囲、記録媒体の組成範囲が非常に狭く、記録さ
れた情報が不安定で、かつ外部磁場の影響を受は易いと
いう欠点がある。
また、ＧｄＦ＠、ＴｂＦ＠のようなＦｅを含む非晶質合
金膜は、ＧｄＣｏ、ＴｂＣｏのようなＣｏを含むものに
比べて酸化され易く、そのため特性の変化が著しく、長
期間の使用に耐えられないとい５欠点がある。
金膜は、ＧｄＣｏ、ＴｂＣｏのようなＣｏを含むものに
比べて酸化され易く、そのため特性の変化が著しく、長
期間の使用に耐えられないとい５欠点がある。
更に、ＴｂＣｏ 、ＴｂＧｄＣｏ 、ＤｙＣｏのような
ＲＥ−Ｃｏ系の非晶質合金膜は、高保磁力を有し、耐食
性が良好である反面、キューリ温度が４００℃以上であ
り、かつ結晶化温度より高いため、情報の記録に大きい
レーデ・母ワーが必要となり、記録ｇ度が低下したり、
結晶化して消去不可能となったりする欠点がある。
ＲＥ−Ｃｏ系の非晶質合金膜は、高保磁力を有し、耐食
性が良好である反面、キューリ温度が４００℃以上であ
り、かつ結晶化温度より高いため、情報の記録に大きい
レーデ・母ワーが必要となり、記録ｇ度が低下したり、
結晶化して消去不可能となったりする欠点がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ファラ
デー効果及びカー効果に優れ、高密度及び高感襄の光磁
気メモリに適した光熱磁気記録媒体を提供することを目
的とするものである。
デー効果及びカー効果に優れ、高密度及び高感襄の光磁
気メモリに適した光熱磁気記録媒体を提供することを目
的とするものである。
本発明の光熱磁気記録媒体は、膜面と垂直な方向に磁化
容易軸を有し、次式 ＲＸ（ｃｏ、−、−、−ｃＭｎ、ｓｂ’ｒｃ）１−Ｘ（
ただし、ＲはＴｂ。
容易軸を有し、次式 ＲＸ（ｃｏ、−、−、−ｃＭｎ、ｓｂ’ｒｃ）１−Ｘ（
ただし、ＲはＴｂ。
Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの５ち少なくとも１種からなる
重希土類元素、ＳはＮｌ＋Ｃｕ、Ｚｎ＋ＲｕｔＲｈ、Ｐ
ｄ、Ｒｅ、Ｏａ。
重希土類元素、ＳはＮｌ＋Ｃｕ、Ｚｎ＋ＲｕｔＲｈ、Ｐ
ｄ、Ｒｅ、Ｏａ。
Ｔｒ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種からなる元素、
ＴはＢｉ 、Ｉｎ＋Ｓｎ、Ｓｂ＋Ｐｂ＋Ａｓ、Ｇａのう
ち少なくとも１程からなる元素であり、ｘ、ａ、ｂ、ｃ
はそれぞれ０、１＜、ｘ＜０．５ 、０．０５≦ａ≦０
．３ 、０．０１≦ｂ≦０．３ 、０．０１≦ｃ≦０．
１５ ｔ Ｏ，１＜ａ ＋ ｂ ＋ ｅ ＜０．４の関
係を満足する数である。）で表わされる非晶質合金膜を
具備したことを特徴とするものである。
ＴはＢｉ 、Ｉｎ＋Ｓｎ、Ｓｂ＋Ｐｂ＋Ａｓ、Ｇａのう
ち少なくとも１程からなる元素であり、ｘ、ａ、ｂ、ｃ
はそれぞれ０、１＜、ｘ＜０．５ 、０．０５≦ａ≦０
．３ 、０．０１≦ｂ≦０．３ 、０．０１≦ｃ≦０．
１５ ｔ Ｏ，１＜ａ ＋ ｂ ＋ ｅ ＜０．４の関
係を満足する数である。）で表わされる非晶質合金膜を
具備したことを特徴とするものである。
本発明の光熱磁気記録媒体はキューリ温度を利用して情
報を記録するものであり、特にキューリ温度（Ｔｃ）が
５０℃＜Ｔ ａ≦２５０℃の範囲であることが望ましい
。
報を記録するものであり、特にキューリ温度（Ｔｃ）が
５０℃＜Ｔ ａ≦２５０℃の範囲であることが望ましい
。
本発明の光熱磁気記録媒体において、ＲはＴｂ ？ Ｇ
ｄ ＠ Ｄｙ ｒ Ｈｏ ＋ Ｅ ｒのうち少なくと
も１種からなる重希土類元素であり、このような元素を
含む場合１、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非
晶質合金膜が得られる。このＲの含有量を表わすＸは０
，１≦ｘ≦０．５であることが必要である。
ｄ ＠ Ｄｙ ｒ Ｈｏ ＋ Ｅ ｒのうち少なくと
も１種からなる重希土類元素であり、このような元素を
含む場合１、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非
晶質合金膜が得られる。このＲの含有量を表わすＸは０
，１≦ｘ≦０．５であることが必要である。
また、ＣＧは耐酸化性などを向上して非晶質合金膜の磁
気特性が経済的に変化するのを防止するのに必要な成分
である。
気特性が経済的に変化するのを防止するのに必要な成分
である。
また、Ｓ （Ｎｉ、ＣｕｔＺｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ＋Ａｕの５ち少なくとも１種から
なる元素）はキューｙ温度を情報の記録に適した範囲（
５０〜２５０℃）に調整するのに必要な成分であり、Ｍ
ｎ及びＴ（ＢｉｔＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ＊Ａｓ、Ｇａ
のうち少なくとも１種からなる元素）はファラデー回転
角やカー回転角の増加に寄与する成分である。特に、Ｍ
ｎのみあるいはＴのみでは効果が小さいのでＭｎとでと
は両者が含まれることが必要である。これらＭｎ及びＴ
を添加することにより、Ｓを添加することに伴うファラ
デー回転角やカー回転角の低下を防止することができる
。
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ＋Ａｕの５ち少なくとも１種から
なる元素）はキューｙ温度を情報の記録に適した範囲（
５０〜２５０℃）に調整するのに必要な成分であり、Ｍ
ｎ及びＴ（ＢｉｔＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ＊Ａｓ、Ｇａ
のうち少なくとも１種からなる元素）はファラデー回転
角やカー回転角の増加に寄与する成分である。特に、Ｍ
ｎのみあるいはＴのみでは効果が小さいのでＭｎとでと
は両者が含まれることが必要である。これらＭｎ及びＴ
を添加することにより、Ｓを添加することに伴うファラ
デー回転角やカー回転角の低下を防止することができる
。
この場合、これらの添加量を示す＆ ＋ ｔ） ＊ ０
はそれぞれ０．０５≦ａ≦０．３ 、０．０１＜ｂ＜０
．３ 、０．０１≦ｃく０．１５及び０．１≦８＋ｂ
＋ ｃ ＜０．４を満足するよ５に設定される。これは
ａが０．０５未満、Ｃが０．０１未満ではファラデー回
転角やカー回転角の低下を防止する効果が少なく、ｂが
０．０１未満ではキューリ温度範囲を調整する効果が少
なく、ａ＋ｂ＋ｃが０１１未満ではこれら両方の効果が
得られないからであり、一方ａが０．３、ｂが０．３、
Ｃが０．１５、ａ＋ｂ＋ｃが０，４をそれぞれ超えルト
キューリ温度が室温以下となり、記録ができなくなるた
めである。
はそれぞれ０．０５≦ａ≦０．３ 、０．０１＜ｂ＜０
．３ 、０．０１≦ｃく０．１５及び０．１≦８＋ｂ
＋ ｃ ＜０．４を満足するよ５に設定される。これは
ａが０．０５未満、Ｃが０．０１未満ではファラデー回
転角やカー回転角の低下を防止する効果が少なく、ｂが
０．０１未満ではキューリ温度範囲を調整する効果が少
なく、ａ＋ｂ＋ｃが０１１未満ではこれら両方の効果が
得られないからであり、一方ａが０．３、ｂが０．３、
Ｃが０．１５、ａ＋ｂ＋ｃが０，４をそれぞれ超えルト
キューリ温度が室温以下となり、記録ができなくなるた
めである。
この工５に本発明の光熱磁気記録媒体は、ＲＥ−Ｃｏを
主成分とし、Ｍｎ、Ｓ及びＴを適度に添加した組成を有
する非晶質合金膜を具備することにより、高保磁力を有
し耐食性が優れているとともに磁気光学効果（ファラデ
ー回転角やカー回転角）を低下させず、キューリ温度１
利用した記録が可能となる。
主成分とし、Ｍｎ、Ｓ及びＴを適度に添加した組成を有
する非晶質合金膜を具備することにより、高保磁力を有
し耐食性が優れているとともに磁気光学効果（ファラデ
ー回転角やカー回転角）を低下させず、キューリ温度１
利用した記録が可能となる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
ｊまず
、第１図に示す高周波スパッタリング装置を用いて各種
組成の非晶質合金膜を作製した。
ｊまず
、第１図に示す高周波スパッタリング装置を用いて各種
組成の非晶質合金膜を作製した。
第１図において、チャンバー１にはガス導入パルプ２と
排気パルプ３とが設ゆられている。また、チャンバー１
内にはガラス基板４とターゲット５とが対向して設けら
れ、ターゲット５には高周波電源６が接続されている。
排気パルプ３とが設ゆられている。また、チャンバー１
内にはガラス基板４とターゲット５とが対向して設けら
れ、ターゲット５には高周波電源６が接続されている。
前記ターｒヮト５としてはＣｏ層の上にＲ（Ｔｂ 。
Ｇｄ、Ｄｙ、１（ｏｉｒ ） ｔ Ｍｎｐ８（Ｎｉ＋Ｃ
ｕｅＺｎｐＲｕ、ＲｂｔＰｄｔＲａｔＯｓ Ｉ Ｔ ｒ
ＨＰ ｔ ＊ Ａｕ ）及びＴ（Ｂｉ 、ｌ［ｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｐｂ＋Ａｓ＋Ｇａ）の薄いチ、グを所定の組
成になるように所定数量を置いた１０種の複合ターｒア
トを用いた。そして、チャンバー１内の真空度をｌＸｌ
ｏＴｏｒｒ以上にした後、チャンバー１内に高純度のア
ルゴンを導入し、２Ｘ１０ Ｔｏｒｒの圧力でスパッ
タリングを行ない、ターダッ）５に対向して配置された
ガラス基板４の表面に２００〜２０００Ｘの合金膜７を
形成した。
ｕｅＺｎｐＲｕ、ＲｂｔＰｄｔＲａｔＯｓ Ｉ Ｔ ｒ
ＨＰ ｔ ＊ Ａｕ ）及びＴ（Ｂｉ 、ｌ［ｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｐｂ＋Ａｓ＋Ｇａ）の薄いチ、グを所定の組
成になるように所定数量を置いた１０種の複合ターｒア
トを用いた。そして、チャンバー１内の真空度をｌＸｌ
ｏＴｏｒｒ以上にした後、チャンバー１内に高純度のア
ルゴンを導入し、２Ｘ１０ Ｔｏｒｒの圧力でスパッ
タリングを行ない、ターダッ）５に対向して配置された
ガラス基板４の表面に２００〜２０００Ｘの合金膜７を
形成した。
以上のよ５１Ｃして作製された合金ＭＸ７をＸ線回折で
調べたところすべて非晶質であった。また、組成を分析
した結果、それぞれ下記表に示す組成を有することがわ
かった。また、試料振動形磁力計を用い磁気特性を調べ
たところ、非晶質合金膜の膜面に垂直方向に磁化容易軸
を有することがわかりた。また、キ乳−り＠度の測定結
果を下記表に併記する。更に、これら非晶質合金膜から
なる光熱磁気記録媒体のカー効果による再生ＣＡ比の値
を調べた結果を下記表に併記する。
調べたところすべて非晶質であった。また、組成を分析
した結果、それぞれ下記表に示す組成を有することがわ
かった。また、試料振動形磁力計を用い磁気特性を調べ
たところ、非晶質合金膜の膜面に垂直方向に磁化容易軸
を有することがわかりた。また、キ乳−り＠度の測定結
果を下記表に併記する。更に、これら非晶質合金膜から
なる光熱磁気記録媒体のカー効果による再生ＣＡ比の値
を調べた結果を下記表に併記する。
上記表から明らかなように、比較例１はＭｎ。
Ｓ及びＴを含まないので再生Ｃ７Ｎ比が低（、キューリ
温度が高い。また、比較例２についてもＳを含まないの
で再生Ｃ７Ｎ比が低く、キューリ温度が高い。これに対
して実施例１〜８はいずれも高い再生Ｃ４比と情報の記
録に適した範囲（５０〜２５０℃）のキューリ温度を示
している。
温度が高い。また、比較例２についてもＳを含まないの
で再生Ｃ７Ｎ比が低く、キューリ温度が高い。これに対
して実施例１〜８はいずれも高い再生Ｃ４比と情報の記
録に適した範囲（５０〜２５０℃）のキューリ温度を示
している。
また、実施例１の非晶質合金膜上に５１３Ｎ４膜及び高
分子封止層の保護膜を形成したディスクを作製した。そ
して、これを８３０ ｎｍの半導体レーデ、フォーカシ
ング・トラッキングサーブ系。
分子封止層の保護膜を形成したディスクを作製した。そ
して、これを８３０ ｎｍの半導体レーデ、フォーカシ
ング・トラッキングサーブ系。
信号検出系を具備した光学記録再生システムにセットし
、１８００ ｒＴＩｍで回転し、５’ＯＯｎｇｅｅの周
期で２００ ｎｓ＠ｃ幅ｔ ８ ｍ Ｗ 、直径１μｍ
の光／Ｊルスビームを照射し、記録磁界３０００ｅを印
加して記録ピットを形成した。その後、３ｒｎＷ、直径
１μｍの連続レーデビームを照射してビット信号の再生
を行なったところ、再生信号のＣ／Ｎ比として５５ ｄ
Ｂを得た。次に、記録ビットの形状を偏光顕微鏡で観察
したところ、直径約１μｍの円形磁区がコントラストよ
く観察された。また、記録後の前記ディスクを温度４０
℃、湿度８５チに保持された恒温槽中に放置し、１ケ月
後及び３ケ月後における再生信号Ｃ趣比を測定したとこ
ろ、それぞれ５４ ｄＢ及び５５ ｄＢであった。
、１８００ ｒＴＩｍで回転し、５’ＯＯｎｇｅｅの周
期で２００ ｎｓ＠ｃ幅ｔ ８ ｍ Ｗ 、直径１μｍ
の光／Ｊルスビームを照射し、記録磁界３０００ｅを印
加して記録ピットを形成した。その後、３ｒｎＷ、直径
１μｍの連続レーデビームを照射してビット信号の再生
を行なったところ、再生信号のＣ／Ｎ比として５５ ｄ
Ｂを得た。次に、記録ビットの形状を偏光顕微鏡で観察
したところ、直径約１μｍの円形磁区がコントラストよ
く観察された。また、記録後の前記ディスクを温度４０
℃、湿度８５チに保持された恒温槽中に放置し、１ケ月
後及び３ケ月後における再生信号Ｃ趣比を測定したとこ
ろ、それぞれ５４ ｄＢ及び５５ ｄＢであった。
このように測定誤差内で初期値との間に有意差が認めら
れず、磁気特性の経時的変化も少ないことが確認された
。
れず、磁気特性の経時的変化も少ないことが確認された
。
一方、比較例１の非晶質合金膜を用いて上記と同様な光
熱磁気記録特性を測定したところ、再生信号が得られず
、記録ビットも確認されなかった。
熱磁気記録特性を測定したところ、再生信号が得られず
、記録ビットも確認されなかった。
以上詳述した如く本発明の光熱磁気記録媒体によれば、
キューリ温度を利用した記録が可能となり、再生におけ
るＣ／Ｎ比が改善され、長期間にわたって情報の高密度
、高速度の記録、再生、消去ができる等顕著な効果を奏
するものである。
キューリ温度を利用した記録が可能となり、再生におけ
るＣ／Ｎ比が改善され、長期間にわたって情報の高密度
、高速度の記録、再生、消去ができる等顕著な効果を奏
するものである。
図は本発明の実施例において用いられた高周波ス／４ツ
タリング装置の概略構成図である。 １・・・チャンバー、２・・・ガス導入パルプ、３・・
・排気パルプ、４・・・ガラス基板、５・・・ター？ｙ
ト、６・・・高周波電源、７・・・合金膜。
タリング装置の概略構成図である。 １・・・チャンバー、２・・・ガス導入パルプ、３・・
・排気パルプ、４・・・ガラス基板、５・・・ター？ｙ
ト、６・・・高周波電源、７・・・合金膜。
Claims (2)
- （１）膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、次式Ｒ＿
ｘ（Ｃｏ＿１＿−＿ａ＿−＿ｂ＿−＿ｃＭｎ＿ａＳ＿ｂ
Ｔ＿ｃ）＿１＿−＿ｘ（ただし、ＲはＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ
、Ｈｏ、Ｅｒのうち少なくとも１種からなる重希土類元
素、ＳはＮｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、
Ｏｓ、Ｔｒ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種からなる
元素、ＴはＢｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｇａ
のうち少なくとも１種からなる元素であり、ｘ、ａ、ｂ
、ｃはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．５、０．０５≦ａ≦０
．３、０．０１≦ｂ≦０．３、０．０１≦ｃ≦０．１５
、０．１≦ａ＋ｂ＋ｃ≦０．４の関係を満足する数であ
る。）で表わされる非晶質合金膜を具備したことを特徴
とする光熱磁気記録媒体。 - （２）キューリ温度（Ｔｃ）が、５０℃≦Ｔｃ≦２５０
℃であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光熱磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26221084A JPS61139958A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 光熱磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26221084A JPS61139958A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139958A true JPS61139958A (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=17372604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26221084A Pending JPS61139958A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 光熱磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61139958A (ja) |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP26221084A patent/JPS61139958A/ja active Pending
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