JPS6113562Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6113562Y2 JPS6113562Y2 JP10269082U JP10269082U JPS6113562Y2 JP S6113562 Y2 JPS6113562 Y2 JP S6113562Y2 JP 10269082 U JP10269082 U JP 10269082U JP 10269082 U JP10269082 U JP 10269082U JP S6113562 Y2 JPS6113562 Y2 JP S6113562Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bell gear
- induction heating
- frequency induction
- vapor phase
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、高周波誘導加熱方式による気相成長
装置に係り、特に熱エネルギーの有効利用とスリ
ツプの発生防止に関する。
装置に係り、特に熱エネルギーの有効利用とスリ
ツプの発生防止に関する。
高周波誘導加熱方式による気相成長装置の一般
的な構造は、図に示すようにベース１の上面に内
側へ石英ガラス製のベルジヤ２と、その外側へ金
属ベルジヤ３を載置したものである。またベース
１の上方には図示していない駆動源により回転さ
れるサセプタ４があり、サセプタ４上のウエハ８
はサセプタ４の下方に設けた高周波誘導加熱コイ
ル５により加熱され、ノズル９から吹出される反
応ガスによつてウエハ８の表面（図において上
面）に薄膜を成長させる。なお気相成長時内側の
石英ガラスベルジヤ２の内部はベース１に設けた
排気口６により常時排気されている。しかして高
周波誘導加熱コイル５により昇温されたサセプタ
４はウエハ８を裏面から直接加熱するが、サセプ
タ４およびウエハ８の表面などから放出された輻
射エネルギーの相当多くの量は、金属ベルジヤ３
が図示しない冷却手段によつて冷却されているた
め、この金属ベルジヤ３を通つて逃げてしまう。
近時装置は大形化が志向されてきているが、それ
にともなつて省エネルギー化が強く要望されてい
る。また、ウエハ８はサセプタ４によつて裏面か
ら加熱され、表面から放熱するため、表裏で温度
差を生じ、これがスリツプの発生原因となつてい
た。
的な構造は、図に示すようにベース１の上面に内
側へ石英ガラス製のベルジヤ２と、その外側へ金
属ベルジヤ３を載置したものである。またベース
１の上方には図示していない駆動源により回転さ
れるサセプタ４があり、サセプタ４上のウエハ８
はサセプタ４の下方に設けた高周波誘導加熱コイ
ル５により加熱され、ノズル９から吹出される反
応ガスによつてウエハ８の表面（図において上
面）に薄膜を成長させる。なお気相成長時内側の
石英ガラスベルジヤ２の内部はベース１に設けた
排気口６により常時排気されている。しかして高
周波誘導加熱コイル５により昇温されたサセプタ
４はウエハ８を裏面から直接加熱するが、サセプ
タ４およびウエハ８の表面などから放出された輻
射エネルギーの相当多くの量は、金属ベルジヤ３
が図示しない冷却手段によつて冷却されているた
め、この金属ベルジヤ３を通つて逃げてしまう。
近時装置は大形化が志向されてきているが、それ
にともなつて省エネルギー化が強く要望されてい
る。また、ウエハ８はサセプタ４によつて裏面か
ら加熱され、表面から放熱するため、表裏で温度
差を生じ、これがスリツプの発生原因となつてい
た。
本考案はかかる観点からなされたものでその目
的は、高周波誘導加熱コイルからの熱エネルギー
を有効に利用することにより省エネルギー化を実
現すると共に、ウエハの表面も加熱してスリツプ
の発生防止を実現した気相成長装置を提供するこ
とにある。
的は、高周波誘導加熱コイルからの熱エネルギー
を有効に利用することにより省エネルギー化を実
現すると共に、ウエハの表面も加熱してスリツプ
の発生防止を実現した気相成長装置を提供するこ
とにある。
かかる目的を達成するための本考案は、内側に
石英ガラスベルジヤを外側に金属ベルジヤを設
け、石英ガラスベルジヤ内に高周波誘導加熱コイ
ルとこの高周波誘導加熱コイルによつて加熱され
るサセプタとを設けた気相成長装置において、金
属ベルジヤの内側表面に金の被膜を設けたもので
ある。
石英ガラスベルジヤを外側に金属ベルジヤを設
け、石英ガラスベルジヤ内に高周波誘導加熱コイ
ルとこの高周波誘導加熱コイルによつて加熱され
るサセプタとを設けた気相成長装置において、金
属ベルジヤの内側表面に金の被膜を設けたもので
ある。
以下本考案において一実施例を示した図により
説明する。なお符号１ないし６と８，９は既に説
明したので省略する。金属ベルジヤ３の内側表面
７は金の被膜１０で覆われている。なお、この被
膜１０は単層で金属ベルジヤ３の内側表面７に鍍
金、蒸着あるいは塗布などにより直接設けるか、
または図示しない他の中間膜を介在させた多層構
造として設けてもよい。
説明する。なお符号１ないし６と８，９は既に説
明したので省略する。金属ベルジヤ３の内側表面
７は金の被膜１０で覆われている。なお、この被
膜１０は単層で金属ベルジヤ３の内側表面７に鍍
金、蒸着あるいは塗布などにより直接設けるか、
または図示しない他の中間膜を介在させた多層構
造として設けてもよい。
次いで前記金の被膜１０の作用について説明す
る。サセプタ４は高周波誘導加熱コイル５によつ
て気相成長温度である1100〜1200℃に加熱され、
その上に置かれているウエハ８を裏面から直接加
熱する。前記のような高温に加熱されたサセプタ
４およびウエハ８は多くの輻射エネルギーを周囲
放出する。この輻射熱エネルギーのうち石英ガラ
スベルジヤ２を透過して金属ベルジヤ３に向つた
輻射エネルギーは、金の被膜１０に当つて反射さ
れ、石英ガラスベルジヤ２を透過してその中に戻
され、サセプタ４およびウエハ８の表面を加熱す
る。そこで、金属ベルジヤ３に吸収されて図示し
ない冷却手段によつて持ち去られる熱エネルギー
の量は減少し、気相成長装置としての熱効率が高
められる。また、ウエハ８の表面は、被膜１０か
ら反射した輻射エネルギーによつて加熱されるた
め、該ウエハ８の表裏の温度差が減少し、この温
度差に基くスリツプの発生が押えられる。
る。サセプタ４は高周波誘導加熱コイル５によつ
て気相成長温度である1100〜1200℃に加熱され、
その上に置かれているウエハ８を裏面から直接加
熱する。前記のような高温に加熱されたサセプタ
４およびウエハ８は多くの輻射エネルギーを周囲
放出する。この輻射熱エネルギーのうち石英ガラ
スベルジヤ２を透過して金属ベルジヤ３に向つた
輻射エネルギーは、金の被膜１０に当つて反射さ
れ、石英ガラスベルジヤ２を透過してその中に戻
され、サセプタ４およびウエハ８の表面を加熱す
る。そこで、金属ベルジヤ３に吸収されて図示し
ない冷却手段によつて持ち去られる熱エネルギー
の量は減少し、気相成長装置としての熱効率が高
められる。また、ウエハ８の表面は、被膜１０か
ら反射した輻射エネルギーによつて加熱されるた
め、該ウエハ８の表裏の温度差が減少し、この温
度差に基くスリツプの発生が押えられる。
なお、石英ガラスベルジヤ２は、波長が１μｍ
程度の赤外光である輻射エネルギーを透過する性
質を有しているが、金の被膜１０は前記のような
波長の輻射エネルギーを高効率で反射する性質を
有している。また、被膜１０は、その形成時はも
ちろん使用されても曇りを生じず、高い反射率を
有する状態を保たなければ、十分な効果が得られ
ないが、金はこの条件を満足し、特に腐食性のガ
スに触れる機会のある気相成長装置において有効
である。
程度の赤外光である輻射エネルギーを透過する性
質を有しているが、金の被膜１０は前記のような
波長の輻射エネルギーを高効率で反射する性質を
有している。また、被膜１０は、その形成時はも
ちろん使用されても曇りを生じず、高い反射率を
有する状態を保たなければ、十分な効果が得られ
ないが、金はこの条件を満足し、特に腐食性のガ
スに触れる機会のある気相成長装置において有効
である。
以上述べたように本考案によれば、高周波誘導
加熱方式に気相成長装置における熱効率を大巾に
高めることができると共に、この加熱方式の欠点
の一つであるスリツプの発生を押えることができ
る。また、金の被膜を金属ベルジヤに設けたた
め、該被膜は比較的低温に保たれ、長期間にわた
る使用が可能である等の効果が得られる。
加熱方式に気相成長装置における熱効率を大巾に
高めることができると共に、この加熱方式の欠点
の一つであるスリツプの発生を押えることができ
る。また、金の被膜を金属ベルジヤに設けたた
め、該被膜は比較的低温に保たれ、長期間にわた
る使用が可能である等の効果が得られる。
図は本考案の一実施例を示す概要断面図であ
る。 ２……石英ガラスベルジヤ、３……金属ベルジ
ヤ、４……サセプタ、５……高周波誘導加熱コイ
ル、８……ウエハ、１０……金の被膜。
る。 ２……石英ガラスベルジヤ、３……金属ベルジ
ヤ、４……サセプタ、５……高周波誘導加熱コイ
ル、８……ウエハ、１０……金の被膜。
Claims (1)
- 内側に石英ガラスベルジヤを外側に金属ベルジ
ヤを設け、前記石英ガラスベルジヤ内に高周波誘
導加熱コイルと同高周波誘導加熱コイルによつて
加熱されるサセプタとを設けた気相成長装置にお
いて、前記金属ベルジヤの内側表面に金の被膜を
設けたことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10269082U JPS599083U (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10269082U JPS599083U (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599083U JPS599083U (ja) | 1984-01-20 |
| JPS6113562Y2 true JPS6113562Y2 (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=30241927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10269082U Granted JPS599083U (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599083U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH047189Y2 (ja) * | 1985-05-21 | 1992-02-26 |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP10269082U patent/JPS599083U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS599083U (ja) | 1984-01-20 |
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