JPS61139024A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS61139024A JPS61139024A JP26107384A JP26107384A JPS61139024A JP S61139024 A JPS61139024 A JP S61139024A JP 26107384 A JP26107384 A JP 26107384A JP 26107384 A JP26107384 A JP 26107384A JP S61139024 A JPS61139024 A JP S61139024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- jar
- bell jar
- vapor phase
- inner bell
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、気相成長装置に関する。
従来、ウェハの表面に所望の気相成長膜を形成するため
に気相成長装置が使用されている。
に気相成長装置が使用されている。
気相成長装置は、排気口を設けた石英製の密閉型インナ
ーベルジャーの外側に所定間隔を設けて金属製のアウタ
ーベルジャーを設けた二重構造になっている。インナー
ベルジャー内には、反応ガスを噴出するノズルが立設し
ている。このノズルを中心にしてサセプタが回転自在に
設けられている。サセプタの直下には、高周波による誘
導加熱コイルが設けられている。サセプタ上には、被処
理体であるウェハが載置されるようになっている。アウ
ターベルジャーは、インナーベルジャーを保護すると共
に、気相成長膜を形成するためにサセプタを熱した際の
熱が外部へ放散するのを防止するために設けられている
。
ーベルジャーの外側に所定間隔を設けて金属製のアウタ
ーベルジャーを設けた二重構造になっている。インナー
ベルジャー内には、反応ガスを噴出するノズルが立設し
ている。このノズルを中心にしてサセプタが回転自在に
設けられている。サセプタの直下には、高周波による誘
導加熱コイルが設けられている。サセプタ上には、被処
理体であるウェハが載置されるようになっている。アウ
ターベルジャーは、インナーベルジャーを保護すると共
に、気相成長膜を形成するためにサセプタを熱した際の
熱が外部へ放散するのを防止するために設けられている
。
而して、このように構成された従来の気相成長装置は、
インナーベルジャーに対向するアクタ−ペルツヤ−の内
面は、金属面を露出したままの状態になっている。この
ため、透明な石英製インナーベルジャーを透過した熱は
、アウタ−ペルジャーに吸収される。その結果、アウタ
ーベルジャーを水冷管等を利用して十分に冷却しなけれ
ばならない。アウターベルジャーが十分に冷却されると
、インナーペル・シャーからの熱の放散も更に促進され
る。このためサセプタに密着したウェハの裏面側は高温
になシ、表面側はこれに比べて低温になる。その結果、
ウェハに熱歪が生じ、気相成長膜の形成の際にスリップ
が発生して高品質の気相成長膜を形成できない問題があ
った。
インナーベルジャーに対向するアクタ−ペルツヤ−の内
面は、金属面を露出したままの状態になっている。この
ため、透明な石英製インナーベルジャーを透過した熱は
、アウタ−ペルジャーに吸収される。その結果、アウタ
ーベルジャーを水冷管等を利用して十分に冷却しなけれ
ばならない。アウターベルジャーが十分に冷却されると
、インナーペル・シャーからの熱の放散も更に促進され
る。このためサセプタに密着したウェハの裏面側は高温
になシ、表面側はこれに比べて低温になる。その結果、
ウェハに熱歪が生じ、気相成長膜の形成の際にスリップ
が発生して高品質の気相成長膜を形成できない問題があ
った。
本発明は、インナーペル・シャーかも放散される熱を有
効に利用して、スリップの発生を抑制し高品質の気相成
長膜をウェハ上に容易に形成できる気相成長装置を提供
することをその目的とするものである。
効に利用して、スリップの発生を抑制し高品質の気相成
長膜をウェハ上に容易に形成できる気相成長装置を提供
することをその目的とするものである。
からなる赤外線反射手段を設けたことによ）、インナー
ベルジャーから放散される熱を有効に利用して、スリッ
プの発生がない高品質の気相成長膜をウェハ上に容易に
形成できる気相成長装置で本る。
ベルジャーから放散される熱を有効に利用して、スリッ
プの発生がない高品質の気相成長膜をウェハ上に容易に
形成できる気相成長装置で本る。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である０図中１は、石英製の密閉型インナーベルジャー
である。インナーベルジャー１の底部には、反応ブスの
排気口２が形成されている。インナーベルジャー１の略
中央部には、反応ブスの噴出口３を多数個形成した反応
がス噴出ノズル４が立設されている。
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である０図中１は、石英製の密閉型インナーベルジャー
である。インナーベルジャー１の底部には、反応ブスの
排気口２が形成されている。インナーベルジャー１の略
中央部には、反応ブスの噴出口３を多数個形成した反応
がス噴出ノズル４が立設されている。
反応ガス噴出ノズル４を中心として略円板形のサセ・ブ
タ５が回転自在に設けられている。
タ５が回転自在に設けられている。
サセプタ５０表面には、被処理体であるウェハ６が複数
載置される載置部が形成されている。
載置される載置部が形成されている。
サセプタ５の直下には、高周波による誘導加熱コイル７
が設けられている。インナーベルジャー１の外側には、
所定間隔を設けてステンレス鋼等からなる金属製のアウ
ターベルジャー８が、インナーベルジャー１を覆うよう
にして設けられている。アウターベルジャー８の内壁面
には、赤外線反射膜からなる赤外線反射手段９が貼着さ
れている。赤外線反射膜は赤外線の反射率が大きい例え
ば金メッキ膜で形成されている。なお、同図中１０は、
インナーベルジャー１とアクタ−ペルジャー８間に介在
され九〇−リングであり、１１は、インナーベルジャー
１とその床部との間に介在されたｒＯ−リングである。
が設けられている。インナーベルジャー１の外側には、
所定間隔を設けてステンレス鋼等からなる金属製のアウ
ターベルジャー８が、インナーベルジャー１を覆うよう
にして設けられている。アウターベルジャー８の内壁面
には、赤外線反射膜からなる赤外線反射手段９が貼着さ
れている。赤外線反射膜は赤外線の反射率が大きい例え
ば金メッキ膜で形成されている。なお、同図中１０は、
インナーベルジャー１とアクタ−ペルジャー８間に介在
され九〇−リングであり、１１は、インナーベルジャー
１とその床部との間に介在されたｒＯ−リングである。
また、インナーベルジャー１には、図示しない冷却手段
が接続されている。
が接続されている。
このように構成され九気相成長装置すサセグタ５上にウ
ェハσを複数枚載置し、所定の回転数で回転させながら
噴出口３から反応がスを噴出してウェハ６の表面に所望
の気相成長膜を形成する。このとき、サセプタ５は、誘
導加熱コイルＩＫよ）通常１１００〜１２００℃に加熱
されている。気相成長膜の形成に伴りてインナーベルジ
ャー１内に溜った熱エネルギーは、赤外線となってイン
ナーベルジャー１を透過し、アウターベルジャー８に向
って放散される。しかしながら、アウターベルジャー８
の内壁面には赤外線反射手段９が設けられているので、
放散された赤外線は赤外線反射手段９で反射し、再びイ
ンナーベルジャー１内に熱となって放散される。つまり
、サセプタ５の温度が高くなると赤外線反射手段９で反
射される赤外線の量が多くなシ、逆にサセプタの温度が
低い場合は、赤外線反射手段９で反射してインナーベル
ジャー１内に戻る熱量も少なくなる。換言すると、イン
ナーベルジャー１内は気相成長膜の形成温度に応じ自動
的に温度調節がなされることになる。その結果、ウェハ
６の表面側の温度と裏面側の温度の差を小さくすること
ができる。その結果、ウェハ６に熱歪が４生じるのを阻
止して、気相成長膜の形成の際のスリップの発生を抑制
し、高品質の気相成長膜を容易に形成できる。
ェハσを複数枚載置し、所定の回転数で回転させながら
噴出口３から反応がスを噴出してウェハ６の表面に所望
の気相成長膜を形成する。このとき、サセプタ５は、誘
導加熱コイルＩＫよ）通常１１００〜１２００℃に加熱
されている。気相成長膜の形成に伴りてインナーベルジ
ャー１内に溜った熱エネルギーは、赤外線となってイン
ナーベルジャー１を透過し、アウターベルジャー８に向
って放散される。しかしながら、アウターベルジャー８
の内壁面には赤外線反射手段９が設けられているので、
放散された赤外線は赤外線反射手段９で反射し、再びイ
ンナーベルジャー１内に熱となって放散される。つまり
、サセプタ５の温度が高くなると赤外線反射手段９で反
射される赤外線の量が多くなシ、逆にサセプタの温度が
低い場合は、赤外線反射手段９で反射してインナーベル
ジャー１内に戻る熱量も少なくなる。換言すると、イン
ナーベルジャー１内は気相成長膜の形成温度に応じ自動
的に温度調節がなされることになる。その結果、ウェハ
６の表面側の温度と裏面側の温度の差を小さくすること
ができる。その結果、ウェハ６に熱歪が４生じるのを阻
止して、気相成長膜の形成の際のスリップの発生を抑制
し、高品質の気相成長膜を容易に形成できる。
また、インナーベルジャー１から一度放散された熱を再
利用するので、誘導加熱コイル７の消受電力を少なくす
ることができる。再に、アウターベルジャー８に吸収さ
れる熱が少なくなるので、アウターベルジャー８の過熱
を防止できると共に、アクタ−ペルジャー８の冷却手段
を簡単なものＫすることができる。
利用するので、誘導加熱コイル７の消受電力を少なくす
ることができる。再に、アウターベルジャー８に吸収さ
れる熱が少なくなるので、アウターベルジャー８の過熱
を防止できると共に、アクタ−ペルジャー８の冷却手段
を簡単なものＫすることができる。
また、本発明の他の実施例として、第２図に示す如く、
赤外線反射手段を複数枚の赤外線反射板２１で形成し、
これをインナーベルジヤーノとアウターペルシャー８の
間に、サセプタ５上のウェハ６の被処理面に応じて所定
の角度で傾いた状態に設定して、ウェハ６の表面温度を
調節するようにしたものとしても良い。
赤外線反射手段を複数枚の赤外線反射板２１で形成し、
これをインナーベルジヤーノとアウターペルシャー８の
間に、サセプタ５上のウェハ６の被処理面に応じて所定
の角度で傾いた状態に設定して、ウェハ６の表面温度を
調節するようにしたものとしても良い。
以上説明した如く、本発明に係る気相成長装置によれば
、インナーベルジャーから放散される熱を有効に利用し
てスリップの発生がない高品質の気相成長膜をウェハ上
に容易に形成できる等顕著な効果を有するものである。
、インナーベルジャーから放散される熱を有効に利用し
てスリップの発生がない高品質の気相成長膜をウェハ上
に容易に形成できる等顕著な効果を有するものである。
ｆｇ１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
、第２図は、本発明の他の実施例の概略構成を示す説明
図である。 １・・・インナーベルジャー２・・・排気口、３・・・
噴出口、４・・・反応がス噴出ノズル、５・・・サセプ
タ、６・・・ウェハ、７・・・誘導加熱コイル、８・・
・アウターベルジャー、９，２１・・・赤外線反射手段
、１０．１１・・・ローリング、２０．３０・・・気相
成長装置
、第２図は、本発明の他の実施例の概略構成を示す説明
図である。 １・・・インナーベルジャー２・・・排気口、３・・・
噴出口、４・・・反応がス噴出ノズル、５・・・サセプ
タ、６・・・ウェハ、７・・・誘導加熱コイル、８・・
・アウターベルジャー、９，２１・・・赤外線反射手段
、１０．１１・・・ローリング、２０．３０・・・気相
成長装置
Claims (1)
- 排気口を有する密閉型のインナーベルジャーと、該イ
ンナーベルジャーの外側を所定間隔を設け覆うように設
けられたアウターベルジャーと、前記インナーベルジャ
ー内に立設された反応ガスの噴出ノズルと、該噴出ノズ
ルを中心に回転自在に設けられたサセプタと、該サセプ
タの表面に形成された被処理体の載置部とを有する気相
成長装置において、インナーベルジャーとアウターベル
ジャーの間の領域に赤外線反射手段を設けたことを特徴
とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26107384A JPS61139024A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26107384A JPS61139024A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139024A true JPS61139024A (ja) | 1986-06-26 |
Family
ID=17356700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26107384A Pending JPS61139024A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61139024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5680502A (en) * | 1995-04-03 | 1997-10-21 | Varian Associates, Inc. | Thin film heat treatment apparatus with conductively heated table and surrounding radiation shield |
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6046439A (en) * | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP26107384A patent/JPS61139024A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5680502A (en) * | 1995-04-03 | 1997-10-21 | Varian Associates, Inc. | Thin film heat treatment apparatus with conductively heated table and surrounding radiation shield |
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6403925B1 (en) | 1995-07-10 | 2002-06-11 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6046439A (en) * | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6399921B1 (en) | 1996-06-17 | 2002-06-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
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