JPS61133726A - Majority decision logic circuit - Google Patents
Majority decision logic circuitInfo
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- JPS61133726A JPS61133726A JP25419684A JP25419684A JPS61133726A JP S61133726 A JPS61133726 A JP S61133726A JP 25419684 A JP25419684 A JP 25419684A JP 25419684 A JP25419684 A JP 25419684A JP S61133726 A JPS61133726 A JP S61133726A
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- Japan
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- channel mos
- trs
- gates
- mos transistors
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、CMO8半導体集積回路における多数決回
路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a majority circuit in a CMO8 semiconductor integrated circuit.
(従来の技術)
LSI電子回路の信号処理の信頼性を向上させる手段と
して3人力の多数決回路(rcMO8応用回路とトラブ
ル対策」杉勝著、CQ出版社、55年11月5版発行、
PP182〜184)が使用されることがある。これは
、たとえばある信号を三つの信号線に乗せて伝送し、受
信側では3線の信号を多数決回路に通し入力中の数の多
い方の信号を出力として得るものである。(Prior art) Three-man power majority circuit (rcMO8 application circuit and troubleshooting) as a means to improve the reliability of signal processing in LSI electronic circuits, written by Masaru Sugi, published by CQ Publishing Co., Ltd., November 5th edition, 1955.
PP182-184) may be used. In this method, for example, a certain signal is transmitted on three signal lines, and on the receiving side, the signals on the three lines are passed through a majority decision circuit, and the signal with the largest number of inputs is obtained as the output.
従来、この3人力多数決回路は第4図忙示すような構成
となっており、四つのNANDゲートIA〜IDで構成
され、相補型MO8の場合、PチャンネルMO8)ラン
ラスタ9個、NチャンネルMOSトランジスタ9個の合
計18個のトランジスタが必要であった。Conventionally, this three-person majority voting circuit has a configuration as shown in Figure 4, consisting of four NAND gates IA to ID, and in the case of a complementary MO8, nine P-channel MO8) run rasters, and an N-channel MOS transistor. Nine transistors were required for a total of 18 transistors.
(発明が解決しようとする問題点)
このように、従来の多数決回路では、素子数が多くなシ
、それだけ、素子面積が大きくなるとともに、製造工程
が増すものである。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the conventional majority circuit has a large number of elements, which increases the area of the elements and increases the number of manufacturing steps.
この発明は、前記従来技術が持っている問題点のうち、
素子数が多く、素子面積の縮み化を阻害している点につ
いて解決した多数決論理回路を提供するものである。This invention solves the problems of the above-mentioned prior art.
The present invention provides a majority logic circuit which solves the problem of a large number of elements, which hinders reduction of the element area.
(問題点を解決するための手段)
この発明は、多数決論理回路において、N本のN+1
人力(Nは奇数)のうち 。本の入力の組合わせのすべ
てをNチャンネルMOSトランジスタまたはPチャンネ
ルMOSトランジスタのゲートに接続し、このNチャン
ネルMO3)ランジヌタ同志のドレイン・ソースまたは
PチャンネルMOSトランジスタ同志のドレイン・ソー
スを2段直列にしたトランス7アゲートを複数個並列に
し、各トランス7アゲートの前段のNチャンネルMOS
トランジスタまたはPチャンネルMOSトランジスタの
ソースを電源電位または接地電位とし、後段の各Nチャ
ンネルMO3)ランリスタのドレインを共通にしたもの
である。(Means for Solving the Problems) This invention provides a majority logic circuit in which N+1 human power (N is an odd number) is used. Connect all the input combinations to the gates of N-channel MOS transistors or P-channel MOS transistors, and connect the drains and sources of these N-channel MOS transistors or the drains and sources of P-channel MOS transistors in series in two stages. A plurality of transformer 7 agates are connected in parallel, and an N-channel MOS is installed in front of each transformer 7 agate.
The source of the transistor or the P-channel MOS transistor is set to the power supply potential or the ground potential, and the drain of each subsequent N-channel MO3) run lister is made common.
(作 用)
この発明によれば、以上のように多数決論理回路を構成
したので、第1のトランス7アゲート詳Q各Nチヤンネ
ルMOSトランジスタおよび第2のトランス7アゲート
群の各PチャンネルMOSトランジスタのゲートにそれ
ぞれ「HJレベルと「L」レベルの信号を加えることに
よりオンまたはオフさせて、出力側に伝達させて数の多
い入力を出力して多数決を行う。(Function) According to the present invention, since the majority logic circuit is configured as described above, each N-channel MOS transistor of the first transformer 7 agate group and each P-channel MOS transistor of the second transformer 7 agate group By applying "HJ level" and "L" level signals to the gates, they are turned on or off, and transmitted to the output side to output the largest number of inputs to perform majority voting.
(実施例)
以下、この発明の多数決論理回路の実施例について図面
に基づき説明する。第1図はその一実施例の回路図であ
る。この第1図において、符号1〜3はそれぞれ第1〜
第3の入力端子である。また、11〜16は第1のトラ
ンス7アゲート群を構成するNチャンネルMOSトラン
シスタテアリ、21〜26は第2のトランス7アゲート
群を構成するPチャンネルMOSトランジスタである。(Example) Hereinafter, an example of the majority logic circuit of the present invention will be described based on the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment. In this FIG. 1, the numbers 1 to 3 are respectively
This is the third input terminal. Further, 11 to 16 are N-channel MOS transistors forming the first transformer 7 agate group, and 21 to 26 are P-channel MOS transistors forming the second transformer 7 agate group.
第1の入力端子1はNチャンネルMOSトランジスタ1
1.14のゲートおよびPチャンネルMOSトランジス
タ21.24のゲートに接続され、第2の入力端子2は
NチャンネルMO8)ランジヌタ13.16のゲートお
よびPチャンネルMOSトランジスタ23.26のゲー
トに接続され、第3の入力端子3はNチャンネルMO8
)ランジヌタ15.12のゲートおよびPチャンネルM
OSトランジスタ25.22のゲートに接続されている
。The first input terminal 1 is an N-channel MOS transistor 1
1.14 and the gate of P-channel MOS transistor 21.24, the second input terminal 2 is connected to the gate of N-channel MO8) range nut 13.16 and the gate of P-channel MOS transistor 23.26, The third input terminal 3 is an N-channel MO8
) Langinuta 15.12 gate and P channel M
Connected to the gates of OS transistors 25 and 22.
NチャンネルMO3)ランリスタ11,13゜15のソ
ースは接地端子GNDに接続され、ドレインはそれぞれ
NチャンネルMOSトランジスタ12.14.16のソ
ースに接続されている。かくして、NチャンネルMOS
トランジスタ11と12.13と14.15と16によ
シそれぞれトランスファゲートを形成している。The sources of the N-channel MO3) run listers 11, 13, and 15 are connected to the ground terminal GND, and the drains are connected to the sources of the N-channel MOS transistors 12, 14, and 16, respectively. Thus, N-channel MOS
Transistors 11, 12, 13, 14, 15, and 16 form transfer gates, respectively.
一方、PチャンネルMOSトランジスタ21゜23.2
5のソースは電源端子VDDK接続され、その各ドレイ
ンはそれぞれPチャンネルMO3)ランジヌタ22,2
4.26のソースに接続されている。On the other hand, P-channel MOS transistor 21°23.2
The source of 5 is connected to the power supply terminal VDDK, and each drain is connected to a P-channel MO3) range nullator 22, 2.
4.26 source.
NチャンネルMOSトランジスタ12,14゜16のド
レインおよびPチャンネルMOSトランジスタ22.2
4.26のドレインはNチャンネルMOSトランジスタ
17とPチャンネルMOSトランジスタ27とで構成さ
れるインバータの入力端子4に接続されている。かくし
て、Pチャ/ネルMOSトランジスタ21と22.23
と24.25と26とによりそれぞれトランス7アゲー
トを形成している。なお、5はインバータの出力端子で
ある。Drains of N-channel MOS transistors 12, 14, 16 and P-channel MOS transistors 22.2
The drain of 4.26 is connected to the input terminal 4 of an inverter composed of an N-channel MOS transistor 17 and a P-channel MOS transistor 27. Thus, P-channel/channel MOS transistors 21 and 22.23
and 24, 25 and 26 form a transformer 7 agate, respectively. Note that 5 is an output terminal of the inverter.
次に、以上のように構成され念この発明の多数決論理回
路の動作について説明する。第1ないし第3の入力端子
1〜3の入力端子すべてに「HJレベルが入力される場
合、NチャンネルMOSトランジスタ11〜16はオン
状態、PチャンネルMO3)ランリスタ21〜26はオ
フ状態となるため、インバータの入力端子4にはrLJ
レベルが加わり、出力端子5には「H」レベルが現われ
る。Next, the operation of the majority logic circuit of the present invention constructed as described above will be explained. When the HJ level is input to all of the first to third input terminals 1 to 3, the N channel MOS transistors 11 to 16 are in the on state, and the P channel MO3) run listers 21 to 26 are in the off state. , rLJ is connected to input terminal 4 of the inverter.
level is added, and an "H" level appears at the output terminal 5.
次K、第1ないし第3の三つの入力端子1〜3のうち二
つに「H」レベルが入力される場合(−例として第1の
入力端子1と第2の入力端子2が「H」レベル、第3の
入力端子3がrLJレベルの場合を考える)、Nチャン
ネルMOSトランジスタ11,13,14.16および
PチャンネルMOS)ランリスタ22.25がオン状態
、NチャンネルMOS)ランリスタ12,15およびP
チャンネルMOS)ランリスタ21.23,24゜26
がオフ状態となるため、NチャンネルMOSトランジス
タ13.14を通してインバータの入力端子4には「L
」レベルが加わり、出力端子5にはやはり「HJレベル
が現われる。Next K, when the "H" level is input to two of the three input terminals 1 to 3 (for example, the first input terminal 1 and the second input terminal 2 are "H" level) '' level, the third input terminal 3 is at rLJ level), N-channel MOS transistors 11, 13, 14.16 and P-channel MOS) run listers 22, 25 are on, N-channel MOS) run listers 12, 15 and P
Channel MOS) Run lister 21.23, 24°26
is in the off state, the input terminal 4 of the inverter is supplied with "L" through the N-channel MOS transistors 13 and 14.
'' level is added, and the ``HJ level'' also appears at the output terminal 5.
次に、第1の入力端子lおよび第3の入力端子3が「H
」レベルで、第2の入力端子2が「L」レベルの場合、
また、第2および第3の入力端子2.3が「H」レベル
で、第1の入力端子1がrLJレベルの場合も同様に出
力端子5VC「H,Jレベルが現われる。Next, the first input terminal l and the third input terminal 3 are connected to “H”.
” level and the second input terminal 2 is at the “L” level,
Similarly, when the second and third input terminals 2.3 are at the "H" level and the first input terminal 1 is at the rLJ level, the "H, J level" appears at the output terminal 5VC.
次に、第1ないし第3の入力端子1〜3の三つの入力端
子のうち、一つだけに「H」レベルが入力される場合(
−例として、第1の入力端子1が「H」レベル、第2の
入力端子2と第3の入力端子3が「L」レベルの場合を
考える)、Nチャ/ネルMOSトランジスタ11.14
およびPチャ/ネルMOSトランジスタ22.23.2
5.26がオン状態、NチャンネルMOS)ランリスタ
12.13,15.16およびPチャンネルMOSトラ
ンジスタ21.24がオフ状態となるため、Pチャンネ
ルMOSトランジスタ25.26を通してインバータの
入力端子4には「HJレベルが加わシ、その出力端子5
にはrLJレベルが現われる。Next, when the "H" level is input to only one of the three input terminals 1 to 3 (first to third input terminals 1 to 3),
- As an example, consider the case where the first input terminal 1 is at "H" level and the second input terminal 2 and third input terminal 3 are at "L" level), N-channel MOS transistor 11.14
and P-channel/channel MOS transistor 22.23.2
5.26 is in the on state, and the N-channel MOS) run listers 12.13, 15.16 and the P-channel MOS transistor 21.24 are in the off state. When HJ level is added, its output terminal 5
The rLJ level appears.
また、第1ないし第3の入力端子1〜3の三つの入力端
子すべてにrLJレベルが入力される場合はNチャンネ
ルMOS)う/ラスタ11〜16はオフ状態、Pチャン
ネルMOSトランジスタ21〜26はオン状態となるた
め、インバータの入力端子4には「HJレベルが加わシ
、その出力端子5には「L」レベルが現われる。In addition, when the rLJ level is input to all three input terminals of the first to third input terminals 1 to 3, the N channel MOS transistors 11 to 16 are in the off state, and the P channel MOS transistors 21 to 26 are in the off state. Since the inverter is in the on state, the "HJ level" is applied to the input terminal 4 of the inverter, and the "L" level appears at the output terminal 5 thereof.
以上の結果より、第1ないし第3の入力端子1〜3のレ
ベルと出力端子5のレベルの関係は次の第1表のように
なシ、3人力多数決回路がNチャンネルMOS)ランジ
スタフ個、PチャンネルMOSトランジスタ7個の計1
4個で実現できることがわかる。From the above results, the relationship between the levels of the first to third input terminals 1 to 3 and the level of the output terminal 5 is as shown in Table 1 below. 1 total of 7 P-channel MOS transistors
You can see that it can be achieved with 4 pieces.
く 第 1 表 〉
また、第2図および第3図はそれぞれこの発明の他の実
施例を示すもので、第2図はNチャンネルMOSトラン
ジスタ31〜36のへとプルダウン抵抗R1で3人力多
数決回路を構成したものであシ、第3図はPチャンネル
MOSトランジスタ41〜46の6個とプルアップ抵抗
R2で3人力多数決回路を構成したものである。Table 1 In addition, FIGS. 2 and 3 respectively show other embodiments of the present invention, and FIG. In FIG. 3, a three-person majority decision circuit is constructed with six P-channel MOS transistors 41 to 46 and a pull-up resistor R2.
このうち、第2図では、第1の入力端子1t−Nチャン
ネルMOSトランジスタ31と34のゲートに接続し、
第2の入力端子2をNチャンネルMOSトランジスタ3
3.36のゲートに接続し、さらK、第3の入力端子3
をNチャンネルMOSトランジスタ32.35のゲート
忙接続している。Among these, in FIG. 2, the first input terminal 1t is connected to the gates of N-channel MOS transistors 31 and 34,
The second input terminal 2 is connected to an N-channel MOS transistor 3.
3. Connect to the gate of 36, further K, the third input terminal 3
is connected to the gates of N-channel MOS transistors 32 and 35.
NチャンネルMOSトランジスタ31,33゜35のソ
ーヌは電源端子に接続するようKしておシ、Nチャンネ
ルMOSトランジスタ31,33゜35のドレインとN
チャンネルMOSトランジスタ32.34.36のソー
7がそれぞれ接続されている。このNチャンネルMOS
)ランリスタ32.34.36のドレインはインバータ
の入力端子4に接続されているとともに、プルアップ抵
抗R1を介して接地されている。The terminals of the N-channel MOS transistors 31, 33° 35 are connected to the power supply terminal, and the drains of the N-channel MOS transistors 31, 33° 35 are connected to the N-channel MOS transistors 31, 33° 35.
The sources 7 of channel MOS transistors 32, 34, and 36 are connected to each other. This N channel MOS
) The drains of the run listers 32, 34, 36 are connected to the input terminal 4 of the inverter and are also grounded via a pull-up resistor R1.
これらのNチャンネルMOS)ランリスタ31〜36の
第1ないし第3のゲートに「H」レベルを印加するとオ
ンとなシ、「L″」レベルを印加するとオフとなり、こ
れらの第1ないし第3の入力端子1〜3に「H」レベル
と「L」レベルを適宜組み合わせて印加することによシ
、上記実施例と同様に3人力多数決回路として作動する
。When "H" level is applied to the first to third gates of these N-channel MOS) run listers 31 to 36, they are turned on, and when "L" level is applied, they are turned off, and these first to third gates are turned on. By applying a suitable combination of "H" level and "L" level to the input terminals 1 to 3, the circuit operates as a three-person majority voting circuit in the same manner as in the above embodiment.
また、第3図の場合は、第1の入力端子1はPチャンネ
ルMOSトランジスタ41.44のゲートに接続され、
第2の入力端子2はPチャンネルMOSトランジスタ4
3.46のゲートに接続され、第3の入力端子3はPチ
ャンネルMOSトランジスタ42.45のゲートに接続
されている。In the case of FIG. 3, the first input terminal 1 is connected to the gates of P-channel MOS transistors 41 and 44,
The second input terminal 2 is a P-channel MOS transistor 4
The third input terminal 3 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor 42.45.
PチャンネルMOSトランジスタ41,43゜45のソ
ースは接地され、そのドレインとPチャンネルMOSト
ランジスタ42.44.46のソースがそれぞれ接続さ
れ、PチャンネルMO8)ランジヌタ42.44.46
のドレインはインバータの入力端子4に接続されている
とともに、プルアップ抵抗R2を介して電源端子に接続
するようになっている。The sources of P-channel MOS transistors 41, 43, 45 are grounded, and the drains thereof are connected to the sources of P-channel MOS transistors 42, 44, 46, respectively.
The drain of is connected to the input terminal 4 of the inverter, and is also connected to the power supply terminal via a pull-up resistor R2.
この第3の場合は、第1ないし第3の入力端子1〜3に
それぞれ「HJレベルを印加すると、オフとなシ、rL
Jレベルを印加するとオンとなり、それを適宜組み合わ
せることにより、3人力多数決回路として作動する。In this third case, when the HJ level is applied to the first to third input terminals 1 to 3, the rL
When the J level is applied, it turns on, and by appropriately combining them, it operates as a three-person majority voting circuit.
なお、この発明の多数決論理回路において、グランド電
位と電源電圧を入れ替えることにより、論理的には、イ
ンバータを省略することができる。Note that in the majority logic circuit of the present invention, the inverter can be logically omitted by replacing the ground potential and the power supply voltage.
しかし、この場合は、出力のレベルが「H」の場合は低
下し、rLJの場合は上昇する。However, in this case, when the output level is "H", it decreases, and when it is rLJ, it increases.
ま九、上記各実施例の場合は3人力の例を示し、従来1
8個のトランジスタが必要であったのを14個で構成で
き、さらにそれ以上のたとえば、5人ると、62個で実
現できる。In each of the above embodiments, an example of three-manpower is shown, and conventional one
What used to be 8 transistors can be configured with 14, and with more people, for example, 62 transistors.
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、この発明によれば、N+1
N本の入力のうち□本の入力の組合わせのすべてをNチ
ャンネルまたはPチャンネルMOSトランジスタのゲー
トに接続し、このNチャンネルMOSトランジスタ同志
またはPチャンネルMOSトランジスタのドレイン・ソ
ースを2段直列にしたトランヌファゲートを複数並列に
し、前段のソースを電源電位または接地電位とし、後の
ドレインを共通にして、ゲートに加わる「L」レベルま
たは「H」レベルの入力信号を伝達してその多数決t−
取るようにしたので、トランジスタ素子数t−犬幅に減
少できる。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, all of the combinations of □ inputs out of N+1N inputs are connected to the gate of an N-channel or P-channel MOS transistor. A plurality of transfer gates in which the drains and sources of two N-channel MOS transistors or P-channel MOS transistors are connected in series are connected in parallel, the source of the first stage is set to the power supply potential or ground potential, the drain of the second stage is set to common, and the gate is connected to the gate. The input signal of "L" level or "H" level is transmitted and the majority decision t-
Since the number of transistor elements is taken, the number of transistor elements can be reduced to t-width.
これにともない、製造工程数の削減と素子面積の縮少化
が可能となる。Accordingly, it becomes possible to reduce the number of manufacturing steps and the element area.
第1図はこの発明の多数決論理回路の一実施例の回路図
、第2図および第3図はそれぞれこの発明の多数決論理
回路の他の実施例の回路図、第4図は従来の多数決回路
の回路図である。
1・・・第1の入力端子、2・・・第2の入力端子、3
・・・第3の入力端子、11〜16,17.31〜36
・・・NチャンネルMOSトランジスタ、21〜26゜
27.41〜46・・・PチャンネルMOSトランジス
タ、R1,R2・・・プルアップ抵抗。
特許出願人 沖電気工業株式会社
第1図
1:¥1の入75塙)
2−t2のλカニ1を
3:不うのベカブ島′シ
11〜16,17: N+ヤン壬ルMO5トランジスタ
21〜26,27: P 4z−ン才LMt)S15ン
’;’ス5’第2図 第、。
第4図
−1:FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the majority logic circuit of the present invention, FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams of other embodiments of the majority logic circuit of the present invention, and FIG. 4 is a conventional majority logic circuit. FIG. 1...First input terminal, 2...Second input terminal, 3
...Third input terminal, 11-16, 17.31-36
...N-channel MOS transistor, 21-26°27.41-46...P-channel MOS transistor, R1, R2...Pull-up resistor. Patent Applicant: Oki Electric Industry Co., Ltd. Figure 1 1: ¥1 inlet 75 layers) 2-t2's λ crab 1 3: Bekabu Island's side 11 to 16, 17: N+Yanjinru MO5 transistor 21 ~26,27: P 4z-n LMt) S15';'s 5' Figure 2. Figure 4-1:
Claims (1)
の組合わせのすべてをNチャンネルMOSトランジスタ
またはPチャンネルMOSトランジスタのゲートに接続
し、このNチャンネルMOSトランジスタ同志のドレイ
ン・ソースまたはPチャンネルMOSトランジスタ同志
のドレイン・ソースを2段直列にしたトランスファゲー
トを複数個並列にし、各トランスファゲートの前段のN
チャンネルMOSトランジスタまたはPチャンネルMO
Sトランジスタのソースを電源電位または接地とし、後
段の各NチャンネルMOSトランジスタまたはPチャン
ネルMOSトランジスタのドレインを共通にして上記入
力の「H」レベルまたは「L」レベルの数の多い方を取
り出すことを特徴とする多数決論理回路。Out of N inputs (N is an odd number), all combinations of (N+1)/2 inputs are connected to the gates of N-channel MOS transistors or P-channel MOS transistors, and the drain and source of these N-channel MOS transistors are connected to each other. Alternatively, connect multiple transfer gates in parallel with the drains and sources of P-channel MOS transistors connected in two stages in series, and
Channel MOS transistor or P channel MO
The source of the S transistor is set to the power supply potential or grounded, and the drains of each of the subsequent N-channel MOS transistors or P-channel MOS transistors are made common, and the input with the greater number of "H" level or "L" level is taken out. Characteristic majority logic circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25419684A JPS61133726A (en) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | Majority decision logic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25419684A JPS61133726A (en) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | Majority decision logic circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61133726A true JPS61133726A (en) | 1986-06-21 |
Family
ID=17261577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25419684A Pending JPS61133726A (en) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | Majority decision logic circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61133726A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4745325A (en) * | 1984-12-26 | 1988-05-17 | Hitachi, Ltd. | Heater for indirect-heated cathode |
US8638623B2 (en) | 2010-11-19 | 2014-01-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Timing generation circuit, semiconductor storage device and timing generation method |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP25419684A patent/JPS61133726A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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