JPH02232577A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

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JPH02232577A
JPH02232577A JP1051963A JP5196389A JPH02232577A JP H02232577 A JPH02232577 A JP H02232577A JP 1051963 A JP1051963 A JP 1051963A JP 5196389 A JP5196389 A JP 5196389A JP H02232577 A JPH02232577 A JP H02232577A
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JP
Japan
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output
circuit
test
state
control signal
Prior art date
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Application number
JP1051963A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Tanoi
聡 田野井
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To enable fast operation with a reduction in the number of elements by building a circuit having a diver control circuit, two compound gates and an output means. CONSTITUTION:This circuit is made up of a driver control circuit 10 comprising two input NANDs, two compound gates 21 and 22, an inverter 23, and an output drive circuit 20 comprising PMOS and NMOS transistors Tr 24 and 25. Then, at a normal mode, the circuit 10 outputs a tristate control signal DOE by inversion and two gates 21 and 22 also output output signals by inversion separately. According to the signals, any one state of a high level HL, a low level LL and a high impedance HI is outputted. At a test mode, the circuit 10 outputs a HL state, the gate 21 a LH state and the gate 22 a HL state separately. An output means outputs any one of the HL, LL and HI according to the states of test control signals Q, R and S. A circuit thus arranged allows a very small number of elements-- 18 of transistors -- and an output signal Din only passes through a double stage gate thereby enabling fast operation.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体集積回路の出力回路に関し、さらに詳し
くは直流テストを容易にする機能を備えた出力回路に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an output circuit for a semiconductor integrated circuit, and more particularly to an output circuit having a function of facilitating DC testing.

[従来の技術] 一般に、半導体集積回路は相互に接続された入力回路、
内部論理回路及び出力回路から構成されている。
[Prior Art] Generally, a semiconductor integrated circuit has input circuits connected to each other,
It consists of an internal logic circuit and an output circuit.

この半導体集禎回路のテストとしては、内部論理回路の
論理機能を確認するa!能テスト及び直流テスト等があ
る。機能テストは半導体集積回路の動作周波数(1〜5
0MHz )又は動作周波数に近い周波数のクロック信
号を半導体集積回路に加えることにより行なう。又、直
流テストは、例えば出力回路の出力がローレベルrLJ
になるように、出力回路への人力信号の論理レベル及び
内部論理回路の状態を設定しておき、一定のシンク電流
条件下で実際の出力回路の論理レベルを測定し、出力回
路の良、不良を判定するテストである。
To test this semiconductor integrated circuit, check the logic function of the internal logic circuit a! There are performance tests, DC tests, etc. The functional test is performed at the operating frequency of the semiconductor integrated circuit (1 to 5
This is done by applying a clock signal of a frequency close to the operating frequency (0 MHz) or a frequency close to the operating frequency to the semiconductor integrated circuit. Also, in the DC test, for example, the output of the output circuit is at a low level rLJ.
The logic level of the human input signal to the output circuit and the state of the internal logic circuit are set so that This is a test to determine.

直流テストは全く別に新たに内部論理回路の状態を設定
する手順が必要なので、機能テストとは手順を別けて別
に行なう。
Since the DC test requires a completely separate procedure to newly set the state of the internal logic circuit, it is performed separately from the functional test.

なお、直流テストはテストする装置の制約等から一つの
出力回路毎に行ない、一つの出力回路のテストに数票S
程度を要する。
Note that the DC test is performed for each output circuit due to limitations of the equipment being tested, and several votes are required for testing one output circuit.
It takes a certain degree.

ところで、内部論理回路が高集積化、複雑化した今日に
おいては、出力回路がテスト用の論理レベル、即ちハイ
レベル『H』、ローレベルrLJ及びハイインピーダン
スrZJ等を出力するように、内部論理回路の状態を設
定するためには、多くのクロック信号及び複雑な手順が
必要になっている。
Nowadays, internal logic circuits have become highly integrated and complex, so that the output circuit outputs logic levels for testing, such as high level "H", low level rLJ, high impedance rZJ, etc. Many clock signals and complicated procedures are required to set the state of the .

この結果、直流テストに要する時間が非常に長くなって
しまう。雪のため、内部論理ロ路の状態に拘らず、出力
回路を任意の論理レベルに設定できる出力回路が提案さ
れている。
As a result, the time required for the DC test becomes extremely long. Because of this, output circuits have been proposed that allow the output circuit to be set to any logic level regardless of the state of the internal logic lows.

第2図は特開昭82−2B94.18号公報に記載され
ている出力回路の回路図である。この出力回路は選択回
路40、出力ドライバ制御回路50及び出力ドライブ回
路60から構成されている。
FIG. 2 is a circuit diagram of an output circuit described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 82-2B94.18. This output circuit is composed of a selection circuit 40, an output driver control circuit 50, and an output drive circuit 60.

選択回路40はトライステートインバータ41、42及
びインバータ43から構成されており、テスト制御信号
T。一制御により、内部論理回路(図示せず)からの出
力信号(以下、単に出力信号という)”In及びテスト
専用出力信号TD1nのうち、いずれか一方を出力する
。選択回路40はテスト制御信号” OBがハイレベル
『H』 (又は、ローレベルrLJ )のときは出力信
号T1nを、テスト制御信号ToEがローレベルrLJ
  (又はハイレベル『H」)のときはテスト専用出力
信号TD, nを接続端子Qに出力する。
The selection circuit 40 is composed of tri-state inverters 41, 42 and an inverter 43, and receives a test control signal T. Under one control, either one of the output signal (hereinafter simply referred to as output signal) "In" and the test-dedicated output signal TD1n from the internal logic circuit (not shown) is output. The selection circuit 40 outputs the test control signal "In" When OB is at high level "H" (or low level rLJ), the output signal T1n is output, and the test control signal ToE is at low level rLJ.
(or high level "H"), outputs the test-only output signal TD, n to the connection terminal Q.

なお、接続端子Qは接続端子Cがハイインピーダンスで
ない状態のときに、ローレベルrLJの状態又はハイレ
ベルrHJの状態を切り換える信号を入力する端子であ
る。
Note that the connection terminal Q is a terminal to which a signal for switching between the low level rLJ state and the high level rHJ state is input when the connection terminal C is not in a high impedance state.

出力ドライバ制御回路50はN O R 51及び52
から構成されており、テスト制御信号T。E及びリセッ
ト信号RSTに基づいて、接続端子Cからトライステー
ト制御信号D。Eをそのまま出力し、又はトライステー
ト制御信号DoEと無関係にハイレベルrHJ又はロー
レベルrLJを出力するかを制御する。
The output driver control circuit 50 has N O R 51 and 52
and a test control signal T. A tri-state control signal D from the connection terminal C based on E and the reset signal RST. It controls whether to output E as is or to output high level rHJ or low level rLJ regardless of the tristate control signal DoE.

出力ドライブ回路BOはNAND6L82、インバータ
63、NMOS }ランジスタ64及びNMOS トラ
ンジスタB5から構成されており、選択回路40及び出
力ドライバ制a回路50の制御に従って、出力端子OU
Tにハイレベル『H』、ローレベルrLJ又はハイイン
ピーダンスrZJの3状態のうち、いずれか一つの状態
を出力する。即ち、出力ドライブ回路60はトライステ
ート出力回路である。
The output drive circuit BO is composed of a NAND6L82, an inverter 63, an NMOS transistor 64, and an NMOS transistor B5.
One of the three states of high level "H", low level rLJ, or high impedance rZJ is output to T. That is, the output drive circuit 60 is a tri-state output circuit.

このように、従来の出力回路は出方信号Dir+及びト
ライステート1リ御信号D。。を選択回路4o及び出力
ドライバ制御回路50を介して出力ドライブ回路60に
出力するので、内部論理回路の状態に拘らず、3本のテ
スト信号線”Jn’ ” OE及びRSTにより直接、
出力ドライブ回路6oの出力端子OUTをハイレベル『
H』、ローレベルrLJ又はハイインピーダンスrZJ
の状態.1ζ設定できる。
Thus, the conventional output circuit outputs the output signal Dir+ and the tri-state 1 control signal D. . is output to the output drive circuit 60 via the selection circuit 4o and the output driver control circuit 50, so regardless of the state of the internal logic circuit, the three test signal lines "Jn'" OE and RST directly
The output terminal OUT of the output drive circuit 6o is set to high level "
H'', low level rLJ or high impedance rZJ
The state of. 1ζ can be set.

[発明が解決しようとする課題] しかし、上記構成の従来の出力回路は全部で34個のM
OS }ランジスタから構成されている。即ち、トライ
ステートインバータ41及び42が4個、NAND43
が4個、NOR51及び52が3個、NAND81, 
132が3個、インバータB3、B4が4個、出力トラ
ンジスタ65及びB6が1個のMOsトランジスタがら
それぞれ構成されている。このため、出力回路の構成が
複雑になるという問題点があった。
[Problem to be solved by the invention] However, the conventional output circuit with the above configuration has a total of 34 M
OS } Consists of transistors. That is, four tri-state inverters 41 and 42, NAND43
4 pieces, 3 pieces of NOR51 and 52, NAND81,
132, four inverters B3 and B4, and one output transistor 65 and B6, respectively. Therefore, there was a problem that the configuration of the output circuit became complicated.

なお、トライステートインバータ41及び42を第3図
に示すように素子数の少ないクロックド・インバー夕で
それぞれ実現するものとして、出力回路の素子数を数え
た。
The number of elements in the output circuit was counted assuming that the tri-state inverters 41 and 42 are each realized by a clocked inverter with a small number of elements as shown in FIG.

このように出力回路を構成する素子数が多いことは、特
に多数の入出力回路から構成されているゲートアレイ等
において、集積度の向上を妨げ、又歩留まりを低下させ
る要因になる。
Such a large number of elements constituting an output circuit hinders an increase in the degree of integration and is a factor in reducing yield, especially in gate arrays and the like composed of a large number of input/output circuits.

さらに、出力信号D1nは出力端子outに到達するま
でに、4段のゲートを通るので、実際に出力回路を動作
させるときに、動作速度が遅くなるという問題点があっ
た。
Furthermore, since the output signal D1n passes through four stages of gates before reaching the output terminal out, there is a problem that the operating speed becomes slow when the output circuit is actually operated.

本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
素子数が少なく、高速動作が可能な、テストが容易にで
きる出力回路を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems,
It is an object of the present invention to provide an output circuit that has a small number of elements, can operate at high speed, and can be easily tested.

[課題を解決するための手段] 本発明に係る出力回路は、トライステート制御信号及び
第1のテスト制御信号が入力され、ノーマルモードのと
きは、トライステート制御信号を反転出力し、テストモ
ードのときは、ハイレベルの状態を出力するドライバ制
御回路と、内部論理回路からの出力信号、ドライバ制御
回路の反転出力信号及び第2のテスト!1御信号が入力
され、ノーマルモードのときは、出力信号を反転出力し
、テストモードのときは、ローレベルの状態を出力する
第1の複合ゲートと、出力信号、ドライバ制御回路の出
力信号及び第3のテスト制御信号が入力され、ノーマル
モードのときは、出力信号を反転出力し、テストモード
のときは、ハイレベルの状態を出力する第2の複合ゲー
トと、複合ゲート及びの出力が入力され、ノーマルモー
ドのときは、出力信号及びトライステート制御信号に応
じて、ハイレベル、ローレベル及びハイインピーダンス
のうち、いずれか一つの状態を出力し、テストモードの
ときは、第1のテスト制御信号、第2のテスト制御信号
及び第3のテスト制御信号の状態に応じて、ハイレベル
、ローレベル及びハイインピーダンスのうち、いずれか
一つの状態を出力する出力手段とを備えている。
[Means for Solving the Problems] An output circuit according to the present invention receives a tri-state control signal and a first test control signal, inverts and outputs the tri-state control signal in the normal mode, and outputs the tri-state control signal in the test mode. When the driver control circuit outputs a high level state, the output signal from the internal logic circuit, the inverted output signal of the driver control circuit, and the second test! 1 control signal is input, and outputs an inverted output signal when in normal mode, and outputs a low level state when in test mode, an output signal, an output signal of the driver control circuit, and A second composite gate receives the third test control signal, inverts the output signal when in normal mode, and outputs a high level state when in test mode, and outputs from the composite gate and In the normal mode, one of high level, low level, and high impedance is output according to the output signal and the tristate control signal, and in the test mode, the first test control and output means for outputting any one of a high level, a low level, and a high impedance according to the states of the test signal, the second test control signal, and the third test control signal.

[作 用コ 上記構成の出力回路は、ノーマルモードの場合、ドライ
バ制御回路がトライステート$I1御信号を反転出力し
、第1の複合ゲート及び第2の複合ゲートが出力信号を
反転出力し、出力手段が出力信号及びトライステート制
御信号に応じて、ハイレベル、ローレベル及びハイイン
ピーダンスのいずれか一つの状態を出力する。
[Function] In the output circuit with the above configuration, in the normal mode, the driver control circuit inverts and outputs the tristate $I1 control signal, the first composite gate and the second composite gate invert and output the output signal, The output means outputs one of a high level, a low level, and a high impedance state according to the output signal and the tristate control signal.

又、テストモードの場合、ドライバ制御回路がハイレベ
ルの状態を出力し、第1の複合ゲートがローレベルの状
態を出力し、第2の複合ゲートがハイレベルの状態を出
力し、出力手段が第1のテスト制御信号、第2のテスト
制御信号及び第3のテスト制御信号の状態に応じて、ハ
イレベル、ローレベル及びハイインピーダンスのいずれ
が一つの状態を出力する。
In addition, in the case of the test mode, the driver control circuit outputs a high level state, the first composite gate outputs a low level state, the second composite gate outputs a high level state, and the output means outputs a high level state. Depending on the states of the first test control signal, the second test control signal, and the third test control signal, one state of high level, low level, and high impedance is output.

[実施例] 以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明の一実施例に係る出力回路の回路図であ
る。本実施例に係る出力回路は第1図に示すように、ド
ライバ制陣回路to及び出力ドライブ回路20から構成
されている。
FIG. 1 is a circuit diagram of an output circuit according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the output circuit according to this embodiment is composed of a driver control circuit TO and an output drive circuit 20.

ドライバ制御回路lOは2人力NANDにより構成され
ており、一方の入力にトライステート制御信号DoEが
、他方の入力にテスト制御信号Qがそれぞれ入力される
The driver control circuit IO is constituted by a two-way NAND, and the tristate control signal DoE is input to one input, and the test control signal Q is input to the other input.

ドライバ制御回路10はテスト制御信号Qがハイレベル
rI{Jのときは、トライステート制御信号DoEを反
転して接続端子Cに出力し、テスト制御信MQがローレ
ベルrLJのときは、トライステート制御信号DoEに
無関係に、ハイレベルrHJを接続端子でに出力する。
When the test control signal Q is at a high level rI{J, the driver control circuit 10 inverts the tristate control signal DoE and outputs it to the connection terminal C. When the test control signal MQ is at a low level rLJ, the driver control circuit 10 performs tristate control. High level rHJ is output at the connection terminal regardless of signal DoE.

ドライバ制御回路20は複合ゲート2L. 22、イン
バータ23、PMOS }ランジスタ24及びNMOS
 トランジスタ25から構成されている。
The driver control circuit 20 includes a composite gate 2L. 22, inverter 23, PMOS } transistor 24 and NMOS
It is composed of a transistor 25.

複合ゲート2lは2人力AND及び2人力NORを接続
した構成になっており、一方の入力端子a1に出力信号
plnが入力され、他方の入力端子a2にインバータ2
3を介してドライバ制御回路10の状態が入力される。
The composite gate 2l has a configuration in which a two-man power AND and a two-man power NOR are connected, and the output signal pln is input to one input terminal a1, and the inverter 2 is input to the other input terminal a2.
The state of the driver control circuit 10 is inputted via 3.

さらに、制御端子b1にテスト制御信号Rが入力される
Furthermore, a test control signal R is input to the control terminal b1.

又、複合ゲート22は2人力OR及び2人力NANDを
接続した構成になっており、一方の入力端子C に出力
信号DInが入力され、他方の入力端子C2にドライバ
制御回路10の状態が入力される。
Further, the composite gate 22 has a configuration in which a two-manpower OR and a two-manpower NAND are connected, and the output signal DIn is input to one input terminal C, and the state of the driver control circuit 10 is input to the other input terminal C2. Ru.

さらに、制御端子d1にテスト制御信号Sが入力される
Furthermore, a test control signal S is input to the control terminal d1.

第4図及び第5図は複合ゲート21及び22の回路図で
ある。なお、これらの回路の動作は周知であるので、そ
の説明は省略する。第4図及び第5図に示すように、複
合ゲート21はローレベルrLJのテスト制御信号Rを
入力にすることにより、NANDとして動作し、複合ゲ
ート22はハイレベルrHJのテスト制御信号Sを入力
にすることにより、NORとして動作することになる。
4 and 5 are circuit diagrams of composite gates 21 and 22. Note that since the operations of these circuits are well known, their explanation will be omitted. As shown in FIGS. 4 and 5, the composite gate 21 operates as a NAND by inputting the test control signal R of low level rLJ, and the composite gate 22 inputs the test control signal S of high level rHJ. By doing so, it will operate as a NOR.

第6図はテスト制御信号Q..R及びSを出力するテス
ト制御信号発生回路の回路図である。このテスト制御信
号発生回路は2本のテスト制御入力信号TESTO 、
TESTIによってテスト制御信号Q,R及びSを発生
する。
FIG. 6 shows the test control signal Q. .. 3 is a circuit diagram of a test control signal generation circuit that outputs R and S. FIG. This test control signal generation circuit has two test control input signals TESTO,
Test control signals Q, R and S are generated by TESTI.

第1表はテスト制御信号発生回路の真理値表である。な
お、テスト制御入力信号TESTO 、TESTIの各
条件に対応する出力回路の動作状態も併せて示す。
Table 1 is a truth table of the test control signal generation circuit. The operating states of the output circuit corresponding to each condition of the test control input signals TESTO and TESTI are also shown.

第1表 上述したテスト制御信号発生回路を一つ設けることによ
り、複数の出力回路を接続して同時に制御できるので、
集積回路全体の素子数が著しく増えるということがなく
、テストの制御をより単純な信号の組み合わせで行なう
ことができる。
Table 1 By providing one test control signal generation circuit as described above, multiple output circuits can be connected and controlled simultaneously.
The number of elements in the entire integrated circuit does not increase significantly, and testing can be controlled using a simpler combination of signals.

PMOS }ランジスタ24及びNMOS }ランジス
タ25はそれぞれゲート電極に複合ゲート21の出力n
1及び複合ゲート22の出力n2が接続されており、出
力n 及びn2により、それぞれオン・オフ動作をする
PMOS } transistor 24 and NMOS } transistor 25 each have a gate electrode connected to the output n of composite gate 21.
1 and the output n2 of the composite gate 22 are connected, and the outputs n and n2 turn on and off, respectively.

又、PMOSトランジスタ24のソース電極は電源電圧
Vccに、NMOSトランジスタ25のソース電極は接
地電位GNDにそれぞれ接続されている。
Further, the source electrode of the PMOS transistor 24 is connected to the power supply voltage Vcc, and the source electrode of the NMOS transistor 25 is connected to the ground potential GND.

さらに、PMOS }ランジスタ24及びNMOS }
ランジスタ25はドレイン電極が出力端子outにそれ
ぞれ接続されている。出力端子outは出力回路が良品
であるか否かを示す信号を出力する。
Furthermore, PMOS } transistor 24 and NMOS }
The drain electrodes of the transistors 25 are respectively connected to the output terminals out. The output terminal out outputs a signal indicating whether or not the output circuit is a good product.

なお、第1図に示した出力回路はドライバ制御回路10
、複合ゲート21を構成するPMOS トランジスタ2
6、NMOS }ランジスタ27及び複合ゲート22を
構成するPMOSトランジスタ28、IIHOS }ラ
ンジスタ29がテスト制御回路として動作する。
Note that the output circuit shown in FIG. 1 is the driver control circuit 10.
, PMOS transistor 2 constituting the composite gate 21
6. NMOS } transistor 27 and PMOS transistor 28 and IIHOS } transistor 29 forming the composite gate 22 operate as a test control circuit.

次に、第1図に示した出力回路の動作について、第2表
の真理値表を参照して説明する。
Next, the operation of the output circuit shown in FIG. 1 will be explained with reference to the truth table in Table 2.

第2表 まず、通常の出力回路として動作する場合について説明
する。
Table 2 First, the case where the circuit operates as a normal output circuit will be explained.

第2表の真理値表に示すように、テスト制御信号Q,R
及びSがそれぞれハイレベル『H』、ローレベルrLJ
及びハイレベルrHJのときは、出力回路は通常動作状
態になる。
As shown in the truth table in Table 2, the test control signals Q, R
and S are respectively high level "H" and low level rLJ
At high level rHJ, the output circuit is in a normal operating state.

従って、トライステート制御信号DoEがハイレベルr
HJのときは、内部論理回路の出力信号DInの論理レ
ベルと出力OUTの論理レベルとは同じになる。
Therefore, the tristate control signal DoE is at high level r
At the time of HJ, the logic level of the output signal DIn of the internal logic circuit and the logic level of the output OUT are the same.

又、トライステート制御信号DoEがローレベルrLJ
のときは、出力OUTはハイインピーダンスになる。
Moreover, the tri-state control signal DoE is at low level rLJ.
At this time, the output OUT becomes high impedance.

次に、出力回路をテストする場合の動作について説明す
る。
Next, the operation when testing the output circuit will be explained.

端子QがローレベルrLJになると、端子ではトライス
テート制御信号DoEの論理レベルに関わりなくハイレ
ベルrHJになり、出力回路がテスト状態になる。
When the terminal Q becomes the low level rLJ, the terminal becomes the high level rHJ regardless of the logic level of the tristate control signal DoE, and the output circuit enters the test state.

まず、テスト制御信号R及びSがともにハイレベルrH
Jのときは、複合ゲート21は出力信号D に無関係に
、出力n1がローレベルrLJにIn なり、PMOSトランジスタ24がオンになる。
First, both test control signals R and S are at high level rH.
When J, the output n1 of the composite gate 21 goes to low level rLJ regardless of the output signal D, and the PMOS transistor 24 turns on.

又、複合ゲート22はC 及びC2を入力とするl 2人力NORとして動作することになり、入力C がハ
イレベルrHJなので、出力信号D r , l:無関
係に出力n2がローレベルrLJになり、NMOSトラ
ンジスタ25がオフになる。
Also, the composite gate 22 operates as a 2-manual NOR with C and C2 as inputs, and since the input C is high level rHJ, the output n2 becomes low level rLJ regardless of the output signal Dr, l: NMOS transistor 25 is turned off.

従って、出力OUTはハイレベルrHJになり、ハイレ
ベルrHJのテストができる。
Therefore, the output OUT becomes high level rHJ, and high level rHJ can be tested.

次に、テスト制御信号R及びSがともにローレベルrL
Jのときは、複合ゲート21は人力をah及びa2とす
る2人力NANDとして動作することになり、入力a2
がローレベルrLJなので、出力信号D に無関係に出
力nlがハイレベルIn rHJになり、PMOS}ランジスタ24はオフになる
Next, test control signals R and S are both at low level rL.
When J, the composite gate 21 operates as a two-manpower NAND with human power as ah and a2, and the input a2
Since is at low level rLJ, the output nl becomes high level In rHJ regardless of the output signal D, and the PMOS transistor 24 is turned off.

又、複合ゲート22は入力C2がハイレベルrHJなの
で、出力信号D に無関係に出力n2がハイin レベルrHJになり、NMOSトランジスタ25がオン
になる。
Further, since the input C2 of the composite gate 22 is at the high level rHJ, the output n2 becomes the high level rHJ regardless of the output signal D, and the NMOS transistor 25 is turned on.

従って、出力OUTはローレベルrLJになり、ローレ
ベルrLJのテストができる。
Therefore, the output OUT becomes the low level rLJ, and the low level rLJ can be tested.

次に、テスト制御信号R及びSがそれぞれローレベルr
LJ及びハイレベルrHJになると、複合ゲート2lは
a 及びa2を入力とする2人力NANDとして動作す
るとともに、複合ゲート22はC 及びC2を入力とす
る2人力NORとして■ 動作する。
Next, the test control signals R and S are each at a low level r
When LJ and high level rHJ are reached, the composite gate 2l operates as a two-man NAND with inputs a and a2, and the composite gate 22 operates as a two-man NOR with inputs C and C2.

端子でかハイレベルrHJになっているので、複合ゲー
ト2lは内部論理回路の出力信号D1nの論理レベルに
関係なく、出力ntがハイレベルrHJになる。又、複
合ゲート22は出力n2がローレベルrLJになる。
Since the terminal is at the high level rHJ, the output nt of the composite gate 2l becomes the high level rHJ regardless of the logic level of the output signal D1n of the internal logic circuit. Further, the output n2 of the composite gate 22 becomes low level rLJ.

従って、出力OUTはハイインピーダンスrZJになり
、ハイインピーダンスrZJのテストかできる。
Therefore, the output OUT becomes high impedance rZJ, and high impedance rZJ can be tested.

このように、複合ゲート21及び複合ゲート22は端子
での論理レベルにより、出力n 及びn2のl 論理レベルが決まり、出力回路はテスト機能がないトラ
イステートドライブ回路と同じ動作をすることになる。
In this way, the logic levels at the terminals of the composite gates 21 and 22 determine the l logic levels of the outputs n and n2, and the output circuit operates in the same way as a tri-state drive circuit without a test function.

上述したように、出力回路はテストのときは、内部論理
回路に対して完全に独立し、テスト制御信号Q,R及び
SによりハイレベルrHJ 、O−レベルrLJ及びハ
イインピーダンスrZJの各状態のテストができる。
As mentioned above, the output circuit is completely independent from the internal logic circuit during testing, and the test control signals Q, R, and S are used to test each state of high level rHJ, O-level rLJ, and high impedance rZJ. Can be done.

なお、本実施例に係る出力回路はl8トランジスタで構
成され、32トランジスタで構成されている従来の出力
回路に比べて素子数が大幅に減少している。
Note that the output circuit according to this embodiment is composed of 18 transistors, and the number of elements is significantly reduced compared to a conventional output circuit composed of 32 transistors.

又、出力信号D1nは2段のゲートを通るだけで出力端
子0υTに到達するので、4段のゲートを通る従来の出
力回路に比べて高速動作が可能になる。
Furthermore, since the output signal D1n reaches the output terminal 0υT only by passing through two stages of gates, higher speed operation is possible compared to the conventional output circuit which passes through four stages of gates.

ところで、出力回路のテストを容易にするためには、N
MOSトランジスタ24及びPMOSトランジスタ25
をトライステート制御信号D。E及び出力信号Dlnと
は無関係にオン・オフできればよいことになる。
By the way, in order to easily test the output circuit, N
MOS transistor 24 and PMOS transistor 25
is the tristate control signal D. It is sufficient if it can be turned on and off independently of E and the output signal Dln.

従来の出力回路は第2図に示すように、テストをしてい
る間に出力ドライブ回路60の接続端子Q及びCをトラ
イステート制御信号D。一び出力信号Dlnとは無関係
に強制的にハイレベルrHJ及びローレベルrLJにす
ることにより、NMOSトランジスタ65及びPMOS
 }ランジスタ6Bをオン・オフしていた。
As shown in FIG. 2, a conventional output circuit connects connection terminals Q and C of an output drive circuit 60 to a tristate control signal D during testing. By forcibly setting the output signal to high level rHJ and low level rLJ regardless of the output signal Dln, the
}Ransistor 6B was being turned on and off.

このため、トライステート制御信号DoEが接続端子C
に、出力信号D1nが接続端子Qに、それぞれ到達する
までに2段以上の論理ゲート、選択回路等素子数の多い
回路を通っていた。
Therefore, the tristate control signal DoE is connected to the connection terminal C.
In addition, the output signal D1n passes through circuits with a large number of elements, such as two or more stages of logic gates and selection circuits, before reaching the connection terminals Q.

本発明では、出力ドライブ回路60の接続端子てをテス
トをしている間、強制的にローレベルrLJにしておく
と、PMOSトランジスタ64及びIIIMOS トラ
ンジスタ65はいずれもオフになることを利用して、接
続端子での直前及び各トランジスタ84、65のゲ−4
電極の直前の3か所にテスト制御信号R, S及びTに
より制御されるテスト制御回路を設けている。
The present invention takes advantage of the fact that if the connection terminals of the output drive circuit 60 are forcibly set to low level rLJ while testing, both the PMOS transistor 64 and the IIIMOS transistor 65 are turned off. Immediately before the connection terminal and the gate 4 of each transistor 84, 65
Test control circuits controlled by test control signals R, S, and T are provided at three locations immediately in front of the electrodes.

テスト制御回路を設けることにより、PMOS }ラン
ジスタ64のゲートと2人力NANDとの間に設けられ
たテスト制御回路は、ハイレベルrHJのテストのとき
に、PMOSトランジスタ64のゲートを強制的にロー
レベルrLJにするだけでよいことになる。
By providing the test control circuit, the test control circuit provided between the gate of the PMOS transistor 64 and the two-way NAND forces the gate of the PMOS transistor 64 to a low level when testing high level rHJ. All you need to do is set it to rLJ.

即ち、強制的にハイレベルrHJ及びローレベルrLJ
にする必要がないので、各テスト$1御回路が簡単な構
成になり、素子数を減らすことができるのである。
That is, forcibly high level rHJ and low level rLJ
Therefore, each test $1 control circuit has a simple configuration and the number of elements can be reduced.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、ノーマルモードの
場合、ドライバ制御回路によるトライステート制御信号
を反転出力、第1の複合ゲート及び第2の複合ゲートに
よる出力信号の反転出力により、出力手段が出力信号及
びトライステート制御信号の応じて、ハイレベル、ロー
レベル及びハイインピーダンスのいずれか一つの状態を
出力し、又、テストモードの場合、ドライバ制御回路に
よるハイレベルの状態の出力、第1の複合ゲートによる
ローレベルの状態の出力、第2の複合ゲートによるハイ
レベルの状態の出力により、出力手段が第1のテスト制
御信号、第2のテスト制御信号及び第3のテスト制御信
号の状態に応じて、ハイレベル、ローレベル及びハイイ
ンピーダンスのいずれか一つの状態を出力するようにし
たので、素子数が少なく、高速動作が可能な、テストが
容易にできる出力回路が得られるという効果を奏する。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in the normal mode, the tri-state control signal is inverted by the driver control circuit, and the output signals by the first composite gate and the second composite gate are inverted. Accordingly, the output means outputs one of high level, low level, and high impedance according to the output signal and the tristate control signal, and in the case of the test mode, the high level state is output by the driver control circuit. The output means outputs the first test control signal, the second test control signal and the third test by the output of the first composite gate in a low level state and the second composite gate in a high level state. Since it outputs one of high level, low level, and high impedance depending on the state of the control signal, an output circuit with a small number of elements, capable of high-speed operation, and easy to test can be obtained. It has the effect of being

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係る出力回路の回路図、第
2図は従来の出力回路の回路図、第3図は第2図に示し
たバスドライバの回路図、第4図及び第5図は第1図に
示した複合ゲートの回路図、第6図は第1図に示した出
力回路に入力するテスト制御信号を発生する回路の回路
図である。 10・・・ドライバ制御回路、20・・・出力ドライブ
回路、21, 22・・・複合ゲート、23・・・イン
バータ、24・・・PMOSトランジスタ、25・・・
NMOS }ランジスタ。 本発明の一実施例 第1図 複合ゲート11の回路 第4図 複合ゲート12の回路 第5図 テスト制御信号発生回路 第6図 手続補正書 (自発) 平成  年
FIG. 1 is a circuit diagram of an output circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional output circuit, FIG. 3 is a circuit diagram of the bus driver shown in FIG. 5 is a circuit diagram of the composite gate shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a circuit diagram of a circuit that generates a test control signal input to the output circuit shown in FIG. 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Driver control circuit, 20... Output drive circuit, 21, 22... Composite gate, 23... Inverter, 24... PMOS transistor, 25...
NMOS }Ran resistor. Embodiment of the present invention Figure 1 Circuit of composite gate 11 Figure 4 Circuit of composite gate 12 Figure 5 Test control signal generation circuit Figure 6 Procedural amendment (voluntary) 1998

Claims (1)

【特許請求の範囲】 トライステート制御信号及び第1のテスト制御信号が入
力され、ノーマルモードのときは、該トライステート制
御信号を反転出力し、テストモードのときは、ハイレベ
ルの状態を出力するドライバ制御回路と、 内部論理回路からの出力信号、前記ドライバ制御回路の
反転出力信号及び第2のテスト制御信号が入力され、ノ
ーマルモードのときは、出力信号を反転出力し、テスト
モードのときは、ローレベルの状態を出力する第1の複
合ゲートと、 前記出力信号、前記ドライバ制御回路の出力信号及び第
3のテスト制御信号が入力され、ノーマルモードのとき
は、該出力信号を反転出力し、テストモードのときは、
ハイレベルの状態を出力する第2の複合ゲートと、 前記第1の複合ゲート及び前記第2の複合ゲートの出力
が入力され、ノーマルモードのときは、前記出力信号及
び前記トライステート制御信号に応じて、ハイレベル、
ローレベル及びハイインピーダンスのうち、いずれか一
つの状態を出力し、テストモードのときは、前記第1の
テスト制御信号、前記第2のテスト制御信号及び前記第
3のテスト制御信号の状態に応じて、ハイレベル、ロー
レベル及びハイインピーダンスのうち、いずれか一つの
状態を出力する出力手段と、 を備えたことを特徴とする出力回路。
[Claims] A tri-state control signal and a first test control signal are input, and when in normal mode, the tri-state control signal is inverted and output, and when in test mode, a high level state is output. An output signal from the driver control circuit, an internal logic circuit, an inverted output signal of the driver control circuit, and a second test control signal are input, and when in normal mode, the output signal is inverted and outputted when in test mode. , a first composite gate that outputs a low level state; the output signal, the output signal of the driver control circuit, and a third test control signal are input, and when in normal mode, the output signal is inverted and output. , when in test mode,
a second composite gate that outputs a high level state, and the outputs of the first composite gate and the second composite gate are input, and when in normal mode, according to the output signal and the tristate control signal. Wow, high level.
Outputs one of low level and high impedance states, and when in test mode, depends on the states of the first test control signal, the second test control signal, and the third test control signal. An output circuit comprising: output means for outputting any one of a high level, a low level, and a high impedance state.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7463063B2 (en) 2006-05-23 2008-12-09 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2013009309A (en) * 2011-05-20 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device

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