JPS61130326A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61130326A JPS61130326A JP25051184A JP25051184A JPS61130326A JP S61130326 A JPS61130326 A JP S61130326A JP 25051184 A JP25051184 A JP 25051184A JP 25051184 A JP25051184 A JP 25051184A JP S61130326 A JPS61130326 A JP S61130326A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- inorganic filler
- coupling agent
- silane coupling
- silane compound
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、２種類以上の界面処理剤を直接処理した無機
充填剤を添加配合することを特徴とする。
充填剤を添加配合することを特徴とする。
耐湿信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
関するものである。
関するものである。
現在、ＩＣ，ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体素子をシリ
コーン樹脂あるいはエポキシ樹脂を用いて封止する樹脂
封止法が広く採用されている。これらの中でも、エポキ
シ樹脂は比較的優れた気密性を与え、かつ安価であるこ
とから半導体封止用樹脂として汎用されている。しかし
、樹脂封止は気密封止に比べ耐湿信頼性に劣り、半導体
素子のアルミ配線やパッド部の腐蝕を引き起こす、上記
腐蝕の原因として、封止材料に含まれているイオン性不
純物や加水分解性塩素が樹脂中に浸透１−だ水により遊
離【１．金属を腐蝕すると考えられる。
コーン樹脂あるいはエポキシ樹脂を用いて封止する樹脂
封止法が広く採用されている。これらの中でも、エポキ
シ樹脂は比較的優れた気密性を与え、かつ安価であるこ
とから半導体封止用樹脂として汎用されている。しかし
、樹脂封止は気密封止に比べ耐湿信頼性に劣り、半導体
素子のアルミ配線やパッド部の腐蝕を引き起こす、上記
腐蝕の原因として、封止材料に含まれているイオン性不
純物や加水分解性塩素が樹脂中に浸透１−だ水により遊
離【１．金属を腐蝕すると考えられる。
これらの水や、水によって遊離した不純物は。
主に樹脂／無機充填剤界面より内部に浸透して半導体素
子に至り６腐蝕が始まると考えられる。故に樹脂封止の
耐湿信頼性を向上させるには、イオン性不純物や加水分
解性塩素の量を最小限に開開することと共に、樹脂組成
物の吸湿性を押えることが重要である。
子に至り６腐蝕が始まると考えられる。故に樹脂封止の
耐湿信頼性を向上させるには、イオン性不純物や加水分
解性塩素の量を最小限に開開することと共に、樹脂組成
物の吸湿性を押えることが重要である。
従来は、もっばら電気絶縁性の向上と機械強度の向上の
目的で無機充填剤の界面処理が行なわれて来た。界面処
理剤としては、有機マトリクスと化学結合できる官能基
（エポキシ基、アミノ基など）を有するシランカップリ
ング剤を無機充填剤に直接処理する直接処理法、あるい
はポリマーのコンパウンド時化シランカップリング剤を
添加するインテグラルブレンド法または両者の併用で界
面処理がなされて来た。
目的で無機充填剤の界面処理が行なわれて来た。界面処
理剤としては、有機マトリクスと化学結合できる官能基
（エポキシ基、アミノ基など）を有するシランカップリ
ング剤を無機充填剤に直接処理する直接処理法、あるい
はポリマーのコンパウンド時化シランカップリング剤を
添加するインテグラルブレンド法または両者の併用で界
面処理がなされて来た。
この様に処理された無機充填剤表面は、無処理表面より
も疎水性ではあるが、カップリング剤が極性官能基を有
するためにその表面の疎水性は弱く、耐湿信頼性に劣る
欠点があった。
も疎水性ではあるが、カップリング剤が極性官能基を有
するためにその表面の疎水性は弱く、耐湿信頼性に劣る
欠点があった。
本発明は上述の問題を解決するためになされたもので、
無機充填剤の表面に強い疎水性を付与す↓ るとともに、有機マトリクス化学結合できる官能基を与
えることによって、耐湿信頼性に優れしかも機械特性、
電気絶縁性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得ることを目的とする。
無機充填剤の表面に強い疎水性を付与す↓ るとともに、有機マトリクス化学結合できる官能基を与
えることによって、耐湿信頼性に優れしかも機械特性、
電気絶縁性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段］
すなわち本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤
、及びシランカップリング剤で処理した無機充填剤を本
質的に配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
おいて、上記無機充填側をＩ種以上の疎水性シラン化合
物（ａ）と１種以上のシランカップリング剤（ｂｌで処
理したものを使用することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に存する。
、及びシランカップリング剤で処理した無機充填剤を本
質的に配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
おいて、上記無機充填側をＩ種以上の疎水性シラン化合
物（ａ）と１種以上のシランカップリング剤（ｂｌで処
理したものを使用することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に存する。
上記疎水性シラン化合物（ａ）は一般式（Ｉ）Ｒｎ８↓
（０式）＠−ｎ （Ｉ）で表わされ、シラ
ンカップリング剤（ｂ）は一般式（１０％式％（） で表される。両式中、Ｒはアルキル基またはフェニル基
を表し、には水素原子または炭素ｔｉ ｔ−１個のアル
キル基を表し、Ｙはエポキシ基やアミノ基を有する一価
の有機基であり、ｎは１〜３の整数である。
（０式）＠−ｎ （Ｉ）で表わされ、シラ
ンカップリング剤（ｂ）は一般式（１０％式％（） で表される。両式中、Ｒはアルキル基またはフェニル基
を表し、には水素原子または炭素ｔｉ ｔ−１個のアル
キル基を表し、Ｙはエポキシ基やアミノ基を有する一価
の有機基であり、ｎは１〜３の整数である。
本発明は、シラン化合物（ａ）で無機充填剤表面を直接
処理することにより、疎水性の強い均一な表面を得るこ
とができるとともに、シランカップリング剤（１））で
処理することにより、有機マトリクスと化学結合し１機
械特性、電気特性に優れた半導体体封止用エポキシ樹脂
組成物を与える無機充填剤を得ることができる。特にシ
ラン化合物（ａ）としてＲにフェニル基を含むものを用
いると、疎水性の効果が高い。
処理することにより、疎水性の強い均一な表面を得るこ
とができるとともに、シランカップリング剤（１））で
処理することにより、有機マトリクスと化学結合し１機
械特性、電気特性に優れた半導体体封止用エポキシ樹脂
組成物を与える無機充填剤を得ることができる。特にシ
ラン化合物（ａ）としてＲにフェニル基を含むものを用
いると、疎水性の効果が高い。
本発明において用いられるエポキシ樹脂としては１例え
Ｆ％テラツクエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ系エポキ
シ樹脂、脂環族系エポキシ樹脂なト種々のタイプのエポ
キシ樹脂が使用可能であるが、高温特性のすぐれたノボ
ラック系エポキシ樹脂の使用が好ましい、これらのエポ
キシ樹脂は単独もしくは２種以上の使用も可能である。
Ｆ％テラツクエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ系エポキ
シ樹脂、脂環族系エポキシ樹脂なト種々のタイプのエポ
キシ樹脂が使用可能であるが、高温特性のすぐれたノボ
ラック系エポキシ樹脂の使用が好ましい、これらのエポ
キシ樹脂は単独もしくは２種以上の使用も可能である。
なお。
これらのエポキシ樹脂ととも釦、必要に応じて臭素化ノ
ボラックエポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ系エポ
キシ樹脂などのエポキシ樹脂も併用可能である。
ボラックエポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ系エポ
キシ樹脂などのエポキシ樹脂も併用可能である。
本発明において用いられる硬化剤としては１例えば、フ
ェノールノボラックなどのフェノール化金物や、メチル
ヘキサハイドロ無水７タル酸７．テトラヒドロ無水フタ
ル酸、メチレンエンドメチレン無水７タル酸、無水クロ
レンディック酸、無水ヒドロメリット酸、無水ドデセニ
ルサクセニツク酸などの酸無水物系化合物があげられる
。
ェノールノボラックなどのフェノール化金物や、メチル
ヘキサハイドロ無水７タル酸７．テトラヒドロ無水フタ
ル酸、メチレンエンドメチレン無水７タル酸、無水クロ
レンディック酸、無水ヒドロメリット酸、無水ドデセニ
ルサクセニツク酸などの酸無水物系化合物があげられる
。
本発明において用いられる硬化促進剤としては。
たとえばλ−エチルイミダゾール、−一メチルイミダゾ
ール、２．ダージメチルイミダゾール、λ−ｚ’ｙ−ル
＋１ ＋、！チルイミダゾール、ｌ−ペンシルーコーメ
チルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、ｌ
−ビニル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイ
ミダゾールなどのイミダゾール系化合物およびこれらの
前駆物質であるイミダシリン化合物や、たとえばトリエ
チルアミン。
ール、２．ダージメチルイミダゾール、λ−ｚ’ｙ−ル
＋１ ＋、！チルイミダゾール、ｌ−ペンシルーコーメ
チルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、ｌ
−ビニル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイ
ミダゾールなどのイミダゾール系化合物およびこれらの
前駆物質であるイミダシリン化合物や、たとえばトリエ
チルアミン。
コ、ダ、６−シメチルメチルアミノフエノール。
眞
ベンジルジメチルアミン、葵−メチルベンジルメチルア
ミン、ピペリジン、ジメチルラウリルアミン、ジアルキ
ルアミノメタノールアミン、テトラメチルグアニジン、
２−ジメチルアミノ−２−辷）” ｏ キシ７’ ｏ
／＜ ン、Ｎ 、 ｌ −ジメチルピペラジン、 −
Ｎ−メチルモルホリン、ピペラジン、λ−（ジメチルア
ミノメチル）フェノール、ヘキサメチレンテトラミン、
ｌ−ヒドロキシルエチルーコーヘグタデシルグリオキサ
リジンなどのＩＫＪＭＬアミンおよびその他のアミン系
化合物やイミダゾール系化合物などがあげられる。
ミン、ピペリジン、ジメチルラウリルアミン、ジアルキ
ルアミノメタノールアミン、テトラメチルグアニジン、
２−ジメチルアミノ−２−辷）” ｏ キシ７’ ｏ
／＜ ン、Ｎ 、 ｌ −ジメチルピペラジン、 −
Ｎ−メチルモルホリン、ピペラジン、λ−（ジメチルア
ミノメチル）フェノール、ヘキサメチレンテトラミン、
ｌ−ヒドロキシルエチルーコーヘグタデシルグリオキサ
リジンなどのＩＫＪＭＬアミンおよびその他のアミン系
化合物やイミダゾール系化合物などがあげられる。
本発明において用いられる無機充填剤としては。
結晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナなどを樹脂分１０
０重量部忙対して１００〜６０ｏｘ＊邪の範囲で用いら
れる。
０重量部忙対して１００〜６０ｏｘ＊邪の範囲で用いら
れる。
本発明の特徴である界面処理剤の一般式（Ｉ）で表わさ
れるシラン化合物（ａ）としては、ＰＪえば、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシシラン、トリ
メチルメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ヘ
キシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルジメチルエ
トキシシラン、フェニルトリペントキシシラン、トリフ
ェニｋ シ’ｆ７ ／−ルなどがあげられ、特にフェニ
Ａ／ ）、 ＩＪメトヤシシラン、フェニルトリエトキ
シシランなどのフェニル基を持つシラン化合物が好まし
い。
れるシラン化合物（ａ）としては、ＰＪえば、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシシラン、トリ
メチルメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ヘ
キシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルジメチルエ
トキシシラン、フェニルトリペントキシシラン、トリフ
ェニｋ シ’ｆ７ ／−ルなどがあげられ、特にフェニ
Ａ／ ）、 ＩＪメトヤシシラン、フェニルトリエトキ
シシランなどのフェニル基を持つシラン化合物が好まし
い。
Ｏ
また、一般式一で表わされるシランカップリング剤（ｂ
ｉとしては５例えばｒ−グリシドキシプロビルトリメト
キシシラン、ｒ−グリシドキシプロビルトリベントキシ
シラン、β−（、ｙ、ａ−エポキシシクロヘキシル）エ
チルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシランなどがあげられる。
ｉとしては５例えばｒ−グリシドキシプロビルトリメト
キシシラン、ｒ−グリシドキシプロビルトリベントキシ
シラン、β−（、ｙ、ａ−エポキシシクロヘキシル）エ
チルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシランなどがあげられる。
上記界面処理剤は、シラン化合物（ａ）の１種以上とシ
ランカップリング剤（ｂｌの１種以上を無機充填剤に対
しヘンシェルミキサーなど忙より直接処理され、必要に
応じて有機マトリックス中に添加スることもできる。ま
た、無機充填剤に直接処理を行なう際に、界面処理剤を
水やエチルアルコール。
ランカップリング剤（ｂｌの１種以上を無機充填剤に対
しヘンシェルミキサーなど忙より直接処理され、必要に
応じて有機マトリックス中に添加スることもできる。ま
た、無機充填剤に直接処理を行なう際に、界面処理剤を
水やエチルアルコール。
イソプロピルアルコールなどの溶媒またはこれらの混合
溶媒に溶解し用いることもできる。この直接処理は、、
無機充填剤に対しシラン化合物（ａｌとシランカップリ
ング剤（ｂ）とを同時に処理してもよく。
溶媒に溶解し用いることもできる。この直接処理は、、
無機充填剤に対しシラン化合物（ａｌとシランカップリ
ング剤（ｂ）とを同時に処理してもよく。
又は任意の順序で処理してもよい。
ここで、界面処理剤であるシラン化合物（ａ）とシラン
カップリング剤（１））の配合量は無機充填剤に対して
３重量多板下、好ましくは０． ／−２重量％配合され
る。また、シラン化合物（ａ）とシランカップリング剤
（ｂｌの重量配合比は、シラン化合物（ａ）／シランカ
ップリング剤（１：＋ｌ ＝ ０．１〜１ＯＸｉｋ比の
範囲で配合される。
カップリング剤（１））の配合量は無機充填剤に対して
３重量多板下、好ましくは０． ／−２重量％配合され
る。また、シラン化合物（ａ）とシランカップリング剤
（ｂｌの重量配合比は、シラン化合物（ａ）／シランカ
ップリング剤（１：＋ｌ ＝ ０．１〜１ＯＸｉｋ比の
範囲で配合される。
上記界面処理剤の無機充填剤に対する配合量がＱ、１重
量％未満では、疎水化の効果が少なくまた有機マ） Ｉ
Ｊクス／無機充填剤の界面の化学結合が十分でなく機械
特性電気特性の向上の効果が少ない。３重量％以上を配
合すると、過剰の界面処理剤が、吸湿した水により遊離
し、それらが金属の腐蝕を促進する。また、上記のシラ
ン化合物（ａｌとシランカップリング剤（ｂ）の重量配
合比がθ、１重量比未満では、無機充填剤表面の疎水化
の効果が少ない。１０重量比より多いと有機マトリクス
／無機充填剤の界面の化学結合が起こりにく（なり。
量％未満では、疎水化の効果が少なくまた有機マ） Ｉ
Ｊクス／無機充填剤の界面の化学結合が十分でなく機械
特性電気特性の向上の効果が少ない。３重量％以上を配
合すると、過剰の界面処理剤が、吸湿した水により遊離
し、それらが金属の腐蝕を促進する。また、上記のシラ
ン化合物（ａｌとシランカップリング剤（ｂ）の重量配
合比がθ、１重量比未満では、無機充填剤表面の疎水化
の効果が少ない。１０重量比より多いと有機マトリクス
／無機充填剤の界面の化学結合が起こりにく（なり。
機械特性、電気特性の向上の効果が少なく、未反応の官
能基のため疎水化の効果も低下する。
能基のため疎水化の効果も低下する。
本発明の組成物には、必要に応じてカーボンブラックな
どの着色剤、カルナウバワックス、ポリエチレンワック
スなどの離型剤や三酸化アンチモンなどの難燃剤を添加
することができる。
どの着色剤、カルナウバワックス、ポリエチレンワック
スなどの離型剤や三酸化アンチモンなどの難燃剤を添加
することができる。
本発明の組成物は、無機充填剤の界ガ処理を行なうため
のヘンシェルミキサーやナウターミキサ−などの粉体温
合装置と、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂のｖＩ４＃な
どに使用されている公知の混合装置５例えばロール、ニ
ーダ、ライカイ機などを用いて容易に調製できる。
のヘンシェルミキサーやナウターミキサ−などの粉体温
合装置と、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂のｖＩ４＃な
どに使用されている公知の混合装置５例えばロール、ニ
ーダ、ライカイ機などを用いて容易に調製できる。
Ｃ実施例〕
以下実ｍ例および比較例をあげて本発明を説明する。
ｆｇｔ表および第２表に示した組成のシラン化合物およ
びシランカッブリング剤で界面処理した無機充填剤を、
ヘンシェルミキサーにより１００σ−でｌＱ分間攪拌混
合して調製した。実施例１〜デ。
びシランカッブリング剤で界面処理した無機充填剤を、
ヘンシェルミキサーにより１００σ−でｌＱ分間攪拌混
合して調製した。実施例１〜デ。
比較ＰＩ ／ −？において、それぞれ第３表および第
グ表に示した割合でエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤
、上記のよ５？ｃ調展した無機充填剤、界面処理剤０着
色剤、および離型剤を配合し、ニーダを用いてａＯ℃で
１０分間減圧混合してエポキシ樹脂組成物を得たー 耐熱信頼性評価用半導体素子の封止と１機械特持 性、を気贋性評価用試験片の成形は、ｉｒｏ℃。
グ表に示した割合でエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤
、上記のよ５？ｃ調展した無機充填剤、界面処理剤０着
色剤、および離型剤を配合し、ニーダを用いてａＯ℃で
１０分間減圧混合してエポキシ樹脂組成物を得たー 耐熱信頼性評価用半導体素子の封止と１機械特持 性、を気贋性評価用試験片の成形は、ｉｒｏ℃。
−分間で硬化後、１１０３．６時間アフタキュアという
条件で行った、得られた組成物のガラス転位点１曲げ弾
性率、１！気伝導率、および耐湿性を評価した結果をｆ
＄３表（実＃Ｊ例）および算６表（比較例）にそれぞれ
示した。
条件で行った、得られた組成物のガラス転位点１曲げ弾
性率、１！気伝導率、および耐湿性を評価した結果をｆ
＄３表（実＃Ｊ例）および算６表（比較例）にそれぞれ
示した。
ガラス転移点は、粘弾性スペクトロメータ（７口２）で
損失弾性率の１度変化を測定し、＃大の損失弾性率を与
える温度とした。電気伝導車は、試験片をｌコ／’Ｃ，
２ａｔｍ相対湿度ｌθ０％の条件下でＰｒｅｓｇｎｒｅ
Ｃｏｏｋｓｒ Ｔｅｇｔ （Ｐ ＣＴ ）を行ない、
１０００時間経過した試料に直流！θ０ｖを印加した時
の値で評価した。耐湿性の評価は、耐湿性評価用半導体
素子を上記条件でｐｃ’ｒを行い不良発生時間で行った
。
損失弾性率の１度変化を測定し、＃大の損失弾性率を与
える温度とした。電気伝導車は、試験片をｌコ／’Ｃ，
２ａｔｍ相対湿度ｌθ０％の条件下でＰｒｅｓｇｎｒｅ
Ｃｏｏｋｓｒ Ｔｅｇｔ （Ｐ ＣＴ ）を行ない、
１０００時間経過した試料に直流！θ０ｖを印加した時
の値で評価した。耐湿性の評価は、耐湿性評価用半導体
素子を上記条件でｐｃ’ｒを行い不良発生時間で行った
。
ｌ１表 界面活性剤１ｔＬｊｌした修梼亨墳剤の細度
（実施例）第１表 界面活性剤処理した無機充填剤の組
成 （比較例）算３表 実施例組成表 （単位：重
量部）瀉ダ表 比較例組成表 ｃ単位：重量
部）第５表および第６表から明らかな様に１本発明忙よ
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物は１機械特性の低下
が少なく、耐湿性忙優れ、湿熱劣化による電気特性の低
下も少な（、ＬＳＩやｖｒ、ｓｒの封止樹脂としてきわ
めて有用であることがわかる。
（実施例）第１表 界面活性剤処理した無機充填剤の組
成 （比較例）算３表 実施例組成表 （単位：重
量部）瀉ダ表 比較例組成表 ｃ単位：重量
部）第５表および第６表から明らかな様に１本発明忙よ
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物は１機械特性の低下
が少なく、耐湿性忙優れ、湿熱劣化による電気特性の低
下も少な（、ＬＳＩやｖｒ、ｓｒの封止樹脂としてきわ
めて有用であることがわかる。
以上のように本発明忙よれば、耐湿信頼性に優れしかも
機械特性、！気持性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂
組成物が得られる。
機械特性、！気持性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂
組成物が得られる。
Claims (4)
- （１）エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及びシラン
カップリング剤で処理した無機充填剤を本質的に配合し
てなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記
無機充填剤を１種以上の疎水性シラン化合物（ａ）と１
種以上のシランカップリング剤（ｂ）で処理したものを
使用することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。 - （２）疎水性シラン化合物（ａ）が一般式（ I ）Ｒｎ
Ｓｉ（ＯＲ′）＿４＿−＿ｎ（ I ） で表され、シランカップリング剤（ｂ）が一般式（II）
ＹｎＳｉ（ＯＲ′）＿４＿−＿ｎ（II） （両式中、Ｒはアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ
′は水素原子または炭素数１〜５個のアルキル基を表し
、Ｙはエポキシ基やアミノ基を有する一価の有機基であ
り、ｎは１〜３の整数である）で表される特許請求の範
囲第１項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - （３）シラン化合物（ａ）とシランカップリング剤（ｂ
）の重量混合比が、シラン化合物（ａ）／シランカップ
リング剤（ｂ）＝０．１〜１０の範囲であり、かつシラ
ン化合物（ａ）及びシランカップリング剤を無機充填剤
に対して３重量％以下添加配合する特許請求の範囲第１
項または第２項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
。 - （４）一般式（ I ） ＲｎＳｉ（ＯＲ′）＿４＿−＿ｎ（ I ） で表されるシラン化合物（ａ）が、Ｒに少なくとも１つ
のフェニル基を有するシラン化合物である特許請求の範
囲第２項または第３項記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25051184A JPS61130326A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25051184A JPS61130326A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130326A true JPS61130326A (ja) | 1986-06-18 |
| JPS6325009B2 JPS6325009B2 (ja) | 1988-05-24 |
Family
ID=17208974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25051184A Granted JPS61130326A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61130326A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202621A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH0276248A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH02110126A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| US5571851A (en) * | 1994-01-28 | 1996-11-05 | J.M. Huber Corporation | Reinforcing fillers for plastics systems |
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1984
- 1984-11-29 JP JP25051184A patent/JPS61130326A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325009B2 (ja) | 1988-05-24 |
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