JPS61117191A - シリコン単結晶の製造装置 - Google Patents
シリコン単結晶の製造装置Info
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- JPS61117191A JPS61117191A JP23789184A JP23789184A JPS61117191A JP S61117191 A JPS61117191 A JP S61117191A JP 23789184 A JP23789184 A JP 23789184A JP 23789184 A JP23789184 A JP 23789184A JP S61117191 A JPS61117191 A JP S61117191A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- control valve
- single crystal
- degree
- flow rate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、引上げ法（チ三１クラルスキー、Ｃ７法）に
よりシリコン単結晶を製造する装置に関する。
よりシリコン単結晶を製造する装置に関する。
［従来の技術］
従来、シリコン多結晶を石英ガラスるつぼ内で溶融し、
これに核となる種子結晶を浸漬し徐々に引上げてシリコ
ン単結晶を育成する引上げ法によるシリコン単結晶の製
造装置においては、石英ガラスるつぼと溶融シリコン等
とが化学反応を起し、反応生成物のＳｉＯガス等がチャ
ンバー内に大量に堆積し、スリップ、多結晶化の原因と
なり、単結晶化を阻害するのを防止するため、チャンバ
ーに真空ポンプとアルゴンガスタンクとを接続し、チャ
ンバー内を真空ポンプにより排気しつつチャンバー内に
一定量のアルゴンガスを供給し、チャンバー内を１０数
Ｔ ｏｒｒの減圧アルゴンガス雰囲気に保持している。
これに核となる種子結晶を浸漬し徐々に引上げてシリコ
ン単結晶を育成する引上げ法によるシリコン単結晶の製
造装置においては、石英ガラスるつぼと溶融シリコン等
とが化学反応を起し、反応生成物のＳｉＯガス等がチャ
ンバー内に大量に堆積し、スリップ、多結晶化の原因と
なり、単結晶化を阻害するのを防止するため、チャンバ
ーに真空ポンプとアルゴンガスタンクとを接続し、チャ
ンバー内を真空ポンプにより排気しつつチャンバー内に
一定量のアルゴンガスを供給し、チャンバー内を１０数
Ｔ ｏｒｒの減圧アルゴンガス雰囲気に保持している。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記装置においては、シリコン単結晶の
引上げが進行するにつれて反応生成物の発生ｍが多（な
るものの、真空ポンプによる排気が定量的に行われるた
め、チャンバー内の圧力が上昇してアルゴンガスの流れ
が悪化し、シリコン単結晶の不良発生を招来しており、
かかる傾向は、石英るつぼの直径、ポリシリコンのチャ
ージ糧が増大するほど顕著となっている。
引上げが進行するにつれて反応生成物の発生ｍが多（な
るものの、真空ポンプによる排気が定量的に行われるた
め、チャンバー内の圧力が上昇してアルゴンガスの流れ
が悪化し、シリコン単結晶の不良発生を招来しており、
かかる傾向は、石英るつぼの直径、ポリシリコンのチャ
ージ糧が増大するほど顕著となっている。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、上記問題点を解決するため、チャンバー内に
石英ガラスるつぼを収容し、前記チャンバー内を真空ポ
ンプにより排気しつつこのチャンバー内に一定量のアル
ゴンガスを供給しながら石英ガラスるつぼ内の溶融シリ
コンを引上げて単結晶を製造するシリコン単結晶の製造
装置において、前記チャンバーにこのチャンバー内の真
空度を検出して出力する真空計を付設し、前記チャンバ
ーと真空ポンプとを接続する管路に、真空計からの出力
によりチャンバー内が常時一定または任意の圧力となる
ように開度が制御される流量制御弁を介挿したものであ
る。
石英ガラスるつぼを収容し、前記チャンバー内を真空ポ
ンプにより排気しつつこのチャンバー内に一定量のアル
ゴンガスを供給しながら石英ガラスるつぼ内の溶融シリ
コンを引上げて単結晶を製造するシリコン単結晶の製造
装置において、前記チャンバーにこのチャンバー内の真
空度を検出して出力する真空計を付設し、前記チャンバ
ーと真空ポンプとを接続する管路に、真空計からの出力
によりチャンバー内が常時一定または任意の圧力となる
ように開度が制御される流量制御弁を介挿したものであ
る。
し作 用］
流量制御弁の開度を制御してチャンバー内を常時一定ま
ｌＣは任意の圧力に保持することにより、チャンバー内
におけるアルゴンガスの流れがスムースに行われ、かつ
ＳｉＯガス等の反応生成物がチャンバー外へ排出される
。
ｌＣは任意の圧力に保持することにより、チャンバー内
におけるアルゴンガスの流れがスムースに行われ、かつ
ＳｉＯガス等の反応生成物がチャンバー外へ排出される
。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
図において本発明に係る製造装置の−・部を構成する引
上げ装置１は、チャンバー２内にカーボン製のるつぼ受
３によって補強支持した石英ガラスるつぼ４を回転軸５
を介して回転可能に収容しである。また、チャンバー２
内には、石英ガラスるつぼ４内の高純度多結晶シリコン
を約１４５０’Ｃの温度で加熱して溶融シリコン６とす
るカーボンヒーター７および保温筒８，９を収容しであ
る。
上げ装置１は、チャンバー２内にカーボン製のるつぼ受
３によって補強支持した石英ガラスるつぼ４を回転軸５
を介して回転可能に収容しである。また、チャンバー２
内には、石英ガラスるつぼ４内の高純度多結晶シリコン
を約１４５０’Ｃの温度で加熱して溶融シリコン６とす
るカーボンヒーター７および保温筒８，９を収容しであ
る。
１０はチャンバー２の上端に装着した引上げ機構で、シ
リコン単結晶を育成すべく溶融シリコン６に浸漬した種
子結晶１１をチェーン等の引上げ＠１２を介して徐々に
引上げるためのものである。
リコン単結晶を育成すべく溶融シリコン６に浸漬した種
子結晶１１をチェーン等の引上げ＠１２を介して徐々に
引上げるためのものである。
一方、チャンバー２の上端付近は、可変形の第１流ｍ制
御弁１３を介挿した管路１４を介してアルゴンガスを充
填したタンク１５と接続してあり、また、チャンバー２
の下部付近は、可変形の第２流ａ制御井１６を介挿した
管路１７により真空ポンプ１８と接続しである。
御弁１３を介挿した管路１４を介してアルゴンガスを充
填したタンク１５と接続してあり、また、チャンバー２
の下部付近は、可変形の第２流ａ制御井１６を介挿した
管路１７により真空ポンプ１８と接続しである。
他方、チャンバー２には、このチャンバー２内の真空度
を検出して検出信号を出力する真空計１９を付設してあ
り、この真空計１９からの検出信号は、制御器２０に入
力しである。制御器２０は、タンク１５からチャンバー
２内に常時一定量のアルゴンガスを供給すべく第１流量
制御弁１３の開度を制御するとともに、チャンバー２内
が常時一定または任意の圧力となるように管路１７のコ
ンダクタンスを変化させるべく第２流量制御井１６の開
度を制御するものである。
を検出して検出信号を出力する真空計１９を付設してあ
り、この真空計１９からの検出信号は、制御器２０に入
力しである。制御器２０は、タンク１５からチャンバー
２内に常時一定量のアルゴンガスを供給すべく第１流量
制御弁１３の開度を制御するとともに、チャンバー２内
が常時一定または任意の圧力となるように管路１７のコ
ンダクタンスを変化させるべく第２流量制御井１６の開
度を制御するものである。
しかして、上記引上げ装置１においては、引上げ機構１
０によるシリコン単結晶の引上げが進行するにつれて反
応生成物の発生が増加する傾向があるが、真空計１９か
らの出力信号が制御器２０に入力され、制御２１Ｉ器２
０により第２流ｆｆｉ ｍ１ｉ−弁１６の開度が増大さ
れるので、チャンバー２内の圧力は、はぼ一定に保持さ
れる。
０によるシリコン単結晶の引上げが進行するにつれて反
応生成物の発生が増加する傾向があるが、真空計１９か
らの出力信号が制御器２０に入力され、制御２１Ｉ器２
０により第２流ｆｆｉ ｍ１ｉ−弁１６の開度が増大さ
れるので、チャンバー２内の圧力は、はぼ一定に保持さ
れる。
なお、上記実施例においては、第１流酪制御弁１３を可
変形としその開度を制御器２０によって制御する場合に
ついて述べたが、第１流量制御弁を固定形とし制御器２
０による制御を行わないようにしてもよいものである。
変形としその開度を制御器２０によって制御する場合に
ついて述べたが、第１流量制御弁を固定形とし制御器２
０による制御を行わないようにしてもよいものである。
［発明の効果］
以上の如く本発明によれば、チャンバー内を常時一定ま
たは任意の圧力となるように保持することにより、アル
ゴンガスの流れがスムースになり、かつＳｉＯガス等の
反応生成物がアルゴンガスと共にチャンバー外に排出さ
れるので、極めて純度の高いシリコン単結晶を製造する
ことができる。
たは任意の圧力となるように保持することにより、アル
ゴンガスの流れがスムースになり、かつＳｉＯガス等の
反応生成物がアルゴンガスと共にチャンバー外に排出さ
れるので、極めて純度の高いシリコン単結晶を製造する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す概略構成説明図である。
Claims (1)
- チャンバー内に石英ガラスるつぼを収容し、前記チャン
バー内を真空ポンプにより排気しつつこのチャンバー内
に一定量のアルゴンガスを供給しながら石英ガラスるつ
ぼ内の溶融シリコンを引上げて単結晶を製造するシリコ
ン単結晶の製造装置において、前記チャンバーにこのチ
ャンバー内の真空度を検出して出力する真空計を付設し
、前記チャンバーと真空ポンプとを接続する管路に、真
空計からの出力によりチャンバー内が常時一定または任
意の圧力となるように開度が制御される流量制御弁を介
挿したことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23789184A JPS61117191A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | シリコン単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23789184A JPS61117191A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | シリコン単結晶の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117191A true JPS61117191A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17021950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23789184A Pending JPS61117191A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | シリコン単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664992A (ja) * | 1991-08-13 | 1994-03-08 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JP2011001223A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131600A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | Toshiba Corp | 高分解圧化合物半導体単結晶の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP23789184A patent/JPS61117191A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131600A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | Toshiba Corp | 高分解圧化合物半導体単結晶の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664992A (ja) * | 1991-08-13 | 1994-03-08 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JP2011001223A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 |
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