JPS61116870A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61116870A JPS61116870A JP59239036A JP23903684A JPS61116870A JP S61116870 A JPS61116870 A JP S61116870A JP 59239036 A JP59239036 A JP 59239036A JP 23903684 A JP23903684 A JP 23903684A JP S61116870 A JPS61116870 A JP S61116870A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯ３型半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来の半導体装置の製造方法においては、ソース・ドレ
イン拡散層と接触する配線材料と基板間のリークを防く
ために、コンタクトホール形成後、拡散層と同極の不純
物を熱拡散する方法、あるいは同極不純物をイオン注入
した後に電気炉を用いて高温で長時間アニールする方法
が用いられてきた。従来の技術における熱処理の代表的
な条件を以下に示すと、 ■熱拡散法 温度・・・・・・８５０〜９００℃ 時間・・・・・・５０分 ■イオン注入＋熱アニール法における熱処理温度・・・
・・・１０００℃ 時間・・・・・・３０分 である。
イン拡散層と接触する配線材料と基板間のリークを防く
ために、コンタクトホール形成後、拡散層と同極の不純
物を熱拡散する方法、あるいは同極不純物をイオン注入
した後に電気炉を用いて高温で長時間アニールする方法
が用いられてきた。従来の技術における熱処理の代表的
な条件を以下に示すと、 ■熱拡散法 温度・・・・・・８５０〜９００℃ 時間・・・・・・５０分 ■イオン注入＋熱アニール法における熱処理温度・・・
・・・１０００℃ 時間・・・・・・３０分 である。
しかし、前述の従来技術では熱処理を長時間要するため
、既に形成したソース・ドレイン拡散層が広がり、その
ため半導体素子の特性が変化し、半導体素子の微細化を
困雉にするという欠点がある。そこで本発明はこのよう
な問題を解決するもので、その目的は高温長時間熱処理
によるソース・ドレイン拡散層の広がりを防ぎ、かつ配
線材料と基板間にリークのない良好な半導体素子を得る
ことにある。
、既に形成したソース・ドレイン拡散層が広がり、その
ため半導体素子の特性が変化し、半導体素子の微細化を
困雉にするという欠点がある。そこで本発明はこのよう
な問題を解決するもので、その目的は高温長時間熱処理
によるソース・ドレイン拡散層の広がりを防ぎ、かつ配
線材料と基板間にリークのない良好な半導体素子を得る
ことにある。
本発明による半導体装置の製造方法においてはコンタク
トホール形成後、拡散層と同極の不純物イオン注入し、
ランプにより短時間アニールすることを特徴とする。
トホール形成後、拡散層と同極の不純物イオン注入し、
ランプにより短時間アニールすることを特徴とする。
第１図は、本発明の実施例におけるＯＭＯＳ型半導体装
置の製造方法であり、コンタクトホール１０形成（α）
後、フォトレジストマスク１１にてＰｃｈ［ｌｌｌをお
おい、１ｔｃｈ コンタクトホール１２にリンあるい
はヒ素１３をイオン注入する（ｂ）。その後同様にフォ
トレジストマスク１４にてＮｃｈ 側をおおい、Ｉ’
６ｋｘ ：Ｉンタクトホール１５にボロン１６をイオ
ン注入する（Ｃ）。
置の製造方法であり、コンタクトホール１０形成（α）
後、フォトレジストマスク１１にてＰｃｈ［ｌｌｌをお
おい、１ｔｃｈ コンタクトホール１２にリンあるい
はヒ素１３をイオン注入する（ｂ）。その後同様にフォ
トレジストマスク１４にてＮｃｈ 側をおおい、Ｉ’
６ｋｘ ：Ｉンタクトホール１５にボロン１６をイオ
ン注入する（Ｃ）。
最後にレジストマスター４を剥離し、ランプ照射１７に
よりアニールを行い活性化することによな （１リＮｃｈ にはＮ型拡散層１８、Ｐｃｈ にはＰ型
拡散層１９がそれぞれ（ｄ）のように形成される。
よりアニールを行い活性化することによな （１リＮｃｈ にはＮ型拡散層１８、Ｐｃｈ にはＰ型
拡散層１９がそれぞれ（ｄ）のように形成される。
本発明におけるランアニールの代表的な条件は温度・・
・・・・１０００℃１時間・・・・・・６秒である。
・・・・１０００℃１時間・・・・・・６秒である。
本発明によれば短時間でアニールするため、ソース・ド
レイン拡散層が広がることなく、配線材料と基板（ウェ
ル）間のリークを防ぐことができる。ソース・ドレイン
拡散層の広がりを防止できるため、半導体素子の特性は
変わらず、また微細化も容易に行えるという効果を有す
る。
レイン拡散層が広がることなく、配線材料と基板（ウェ
ル）間のリークを防ぐことができる。ソース・ドレイン
拡散層の広がりを防止できるため、半導体素子の特性は
変わらず、また微細化も容易に行えるという効果を有す
る。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を示
すもので、（α）はコンタクトホール形成ｍ、（ｂ ）
はＮｃｈ コンタクトホール部へのヒ素あるいはリン
のイオン注入、（Ｃ）はＰｃｈ コ７り’）トホール
部へのボロンのイオン注入、（ｄ）はラングアニールに
よる活性化を表わしたそれぞれの断面図である。 同図において １・・・・・・Ｎ基板 ２ ・・・… ＰＷＥＬＬ ３ ・・・・・・ ＮＷＦｔＬＬ ４・・・・・・Ｆｉｅｄ萌化膜 ５・・・・・・ゲート電極 ６・・・・・・Ｎｃｈ ソース−ドレイン拡散層７・・
・・・・Ｐｃｈ ソース畢ドレイン拡散層８・・・・
・・ゲート酸化膜 ９・・・・・・層間絶縁膜 １０・・・コンタクトホール １１・１４・・・・・・７オトレジストマスク１２・・
・・・・Ｎｃｈ コンタクトホール１３・・・・・・
リンｏｒヒ素イオン １５・・・・・・Ｐｃｈ コンタクトホール１６・・
・・・・ボロンイオン １７・・・・・・ランプ照射 １８・・・・・・Ｎｃｈ ソース・ドレインと配線と
のリーク電流を防ぐＮ型拡散層 １９・・・・・・Ｂａｈ ソース・ドレインと配線と
のリーク電流を防ぐＰ型拡散層 ↓ ↓ ↓ ｙ／７ 第１図
すもので、（α）はコンタクトホール形成ｍ、（ｂ ）
はＮｃｈ コンタクトホール部へのヒ素あるいはリン
のイオン注入、（Ｃ）はＰｃｈ コ７り’）トホール
部へのボロンのイオン注入、（ｄ）はラングアニールに
よる活性化を表わしたそれぞれの断面図である。 同図において １・・・・・・Ｎ基板 ２ ・・・… ＰＷＥＬＬ ３ ・・・・・・ ＮＷＦｔＬＬ ４・・・・・・Ｆｉｅｄ萌化膜 ５・・・・・・ゲート電極 ６・・・・・・Ｎｃｈ ソース−ドレイン拡散層７・・
・・・・Ｐｃｈ ソース畢ドレイン拡散層８・・・・
・・ゲート酸化膜 ９・・・・・・層間絶縁膜 １０・・・コンタクトホール １１・１４・・・・・・７オトレジストマスク１２・・
・・・・Ｎｃｈ コンタクトホール１３・・・・・・
リンｏｒヒ素イオン １５・・・・・・Ｐｃｈ コンタクトホール１６・・
・・・・ボロンイオン １７・・・・・・ランプ照射 １８・・・・・・Ｎｃｈ ソース・ドレインと配線と
のリーク電流を防ぐＮ型拡散層 １９・・・・・・Ｂａｈ ソース・ドレインと配線と
のリーク電流を防ぐＰ型拡散層 ↓ ↓ ↓ ｙ／７ 第１図
Claims (1)
- ＭＯＳ半導体装置の製造工程において、コンタクトホー
ル形成後、ソース、ドレイン拡散層と同極の不純物をイ
オン注入し、次にランプを用いて短時間アニールするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239036A JPS61116870A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239036A JPS61116870A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116870A true JPS61116870A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17038920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59239036A Pending JPS61116870A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106782A (en) * | 1988-07-15 | 1992-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59239036A patent/JPS61116870A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106782A (en) * | 1988-07-15 | 1992-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
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