JPS61115357A - 光検知装置 - Google Patents

光検知装置

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Publication number
JPS61115357A
JPS61115357A JP59237116A JP23711684A JPS61115357A JP S61115357 A JPS61115357 A JP S61115357A JP 59237116 A JP59237116 A JP 59237116A JP 23711684 A JP23711684 A JP 23711684A JP S61115357 A JPS61115357 A JP S61115357A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amorphous semiconductor
substrate
photodiodes
semiconductor layers
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP59237116A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Kaneiwa
兼岩　実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59237116A priority Critical patent/JPS61115357A/ja
Publication of JPS61115357A publication Critical patent/JPS61115357A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
    • H01L31/1055—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、光の入射方向を検知する光検知装置に関する
ものである、 〈従来技術〉 従来、光の入射方向を知る検知装置としては、第６図に
示すように、レンズ１と筒２と、複数のフォトダイオー
ド３を組み合わせた構造のものであった。
このように、従来構造はレンズｌと筒２を使用している
ために、光の入射方向としては狭い範囲内のものしか識
別することができず、また装置も大型化する欠点があっ
た。
〈発明の目的〉 本発明は、上記した従来の欠点に鑑み、構造を簡単なも
のにし、大きさも小さく、そして低価格で光の入射方向
を知る光検知装置を提供することを目的とする。
〈実施例〉 第１図、第２図は本発明の一実施例を示す斜視図とその
断面図である。本例は可撓性基板としてステンレスを用
いた場合である。
第２図に明らかなように、ステンレス基板１１゜Ｐ型ア
モルファス層１２．１型アモルファス層１３゜Ｎ型７モ
ル７７１層１４．透明電極膜１５かもなるフォトダイオ
ードＰＤＩ、ＰＤ２がある。
すなわち、表面が導体となっている可撓性基板（例えば
上述のステンレス基板１１）上に、プラズマ法、スパッ
タ法、光ＣＤＶ法等でＰＩＮ構造のアモルファス半導体
層を形成し、その上に透明電極膜１５を蒸着法、スパッ
タ法等で分離形成し、複数のフォトダイオードＰＤＩ、
ＰＤ２を構成させる、 そして、可撓性基板（ステンレス基板１１）を湾曲させ
た状態で、分離形成された各透明電極膜１５より端子を
取り出し、複数のフォトダイオードＰＤＩ、ＰＤ２間の
出力の差から生じる向きを測ることによって、光の入射
方向を検知する。
例えば、Ａの方向から光が入射している場合、第１図、
第２図ではフォトダイオードＰＤＩの方がＰＤ２　より
出力電流が大きく、その結果電流はａの向きに流れる。
同様に、Ｂの方向から光が入射している場合は、ｂの向
きに電流が流れる。従って、電流の向きを測ることによ
って光の入射方向を検知できる、 第３図、第４図も、可撓性基板としてステンレスを用い
た場合であるが、第１図、第２図が上方に凸状に湾曲さ
せているのに対して、第３図、第４図のように、凹状に
湾曲させることもできる。
ただし、この場合、第４図に図示のように、光の入射方
向に対する電流の向きは先の例とは逆になる。
可撓性基板がポリイミド系耐熱性有機高分子のような絶
縁材料であれば、アモルファス半導体層を形成する前に
導電膜を形成すればよい。
また、可撓性基板がポリエステルフィルムやフッ素系樹
脂等の可視光をよく通すものであれば、基板を光の入射
側にすることもできる。
第５図（ａ）（ｂ）に、透明な可撓性基板を用いた場合
の断面図を示す。構造は、それぞれ光の入射側から、透
明な可撓性基板１６．蒸着法やスパッタ法等で形成され
た透明導電膜１７．Ｐ型アモルファス層“１１．Ｉ型ア
モルファス層１３．Ｎｕアモルファス層１４．分離形成
された金属電極１８からなっている。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、構造が簡単で大きさも小
さく、また湾曲しているため入射光面も大きくとれる、
安価で有用な光検知装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第１
図の断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す斜視図
、第４図は第３図の断面図、第５図（ａ）（ｂ）は本発
明のさらに他の実施例を示す断面図、第６図は従来例を
示す断面図である。 １１・・ステンレス基板、１２・−Ｐ型アモルファス半
導体層、＋３−Ｉ型アモルファス半導体層。 １４−Ｎ型アモルファス半導体層、１５　・透明電極膜
、１６　　・透明可撓性基板、　　＋７　　・透明導電
膜。 １８　金属電極。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）第２図 第４＠

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、可撓性基板上に同時に複数のアモルファス半導体層
    を用いたフォトダイオードを形成し、該基板を湾曲する
    ことにより、前記フォトダイオードの光入射面の向きに
    角度をもたせ、前記フォトダイオードの出力の差を電流
    の向きによって測り、光の入射方向を検知することを特
    徴とする光検知装置。
JP59237116A 1984-11-09 1984-11-09 光検知装置 Pending JPS61115357A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59237116A JPS61115357A (ja) 1984-11-09 1984-11-09 光検知装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP59237116A JPS61115357A (ja) 1984-11-09 1984-11-09 光検知装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61115357A true JPS61115357A (ja) 1986-06-02

Family

ID=17010646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59237116A Pending JPS61115357A (ja) 1984-11-09 1984-11-09 光検知装置

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JP (1) JPS61115357A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288256U (ja) * 1988-12-26 1990-07-12

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288256U (ja) * 1988-12-26 1990-07-12

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