JPS6111484B2 - - Google Patents

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JPS6111484B2
JPS6111484B2 JP54110801A JP11080179A JPS6111484B2 JP S6111484 B2 JPS6111484 B2 JP S6111484B2 JP 54110801 A JP54110801 A JP 54110801A JP 11080179 A JP11080179 A JP 11080179A JP S6111484 B2 JPS6111484 B2 JP S6111484B2
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JP
Japan
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amplifier
transistor
emitter
resistor
base
Prior art date
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JP54110801A
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English (en)
Other versions
JPS5634213A (en
Inventor
Kyomitsu Nishimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Priority to NLAANVRAGE8004413,A priority patent/NL188826C/xx
Priority to US06/176,102 priority patent/US4366441A/en
Priority to IT24309/80A priority patent/IT1132488B/it
Publication of JPS5634213A publication Critical patent/JPS5634213A/ja
Publication of JPS6111484B2 publication Critical patent/JPS6111484B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/34Muting amplifier when no signal is present or when only weak signals are present, or caused by the presence of noise signals, e.g. squelch systems
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3081Duplicated single-ended push-pull arrangements, i.e. bridge circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Noise Elimination (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、2個の増幅器よりなるブリツジ増幅
器において、増幅器内部の直流電圧を大巾に変え
ることなく信号ミユーテイングすることができる
信号ミユーテイング回路に関するものである。
従来、ブリツジ増幅器における信号ミユーテイ
ングとしては、各増幅器の動作を停止させること
によつて実施している場合が多く、このような時
には、増幅器内部の直流電圧が大巾に変動してお
り、信号ミユーテイングには、各直流電圧がはげ
しく変動し、後に低周波電力増幅器を接続した時
には、スピーカーからはげしい切換音が出、ま
た、低周波電力増幅器で信号ミユーテイングを行
つたときでも、直流電圧のはげしい変動により、
スピーカーからはげしい切換音がでるのが普通で
あつた。
本発明は、各増幅器の直流電圧を大巾に変える
〓〓〓〓
ことなく、従つて低周波電力増幅器に応用した場
合はスピーカーにより異常切換音を発生すること
なく、信号ミユーテイングを行うことができる信
号ミユーテイング回路を提供するものである。
第1図において、1,4は電圧利得の相等しい
非反転増幅器、2,3は電圧利得の相等しい非反
転緩衝増幅器であり、1と2、3と4でそれぞれ
増幅器1個づつを構成する。非反転緩衝増幅器と
は、たとえば低周波電力増幅器における最終段の
電流増幅用ダーリントン回路がある。増幅器1の
入力端子9により入つた信号は、増幅器1,2
(この増幅器をAとする)により増幅され、出力
端子10に出力される。端子10の出力は、帰還
抵抗5により、増幅器1の帰還端子17に帰還さ
れる。この帰還信号は、さらに、抵抗6により、
もう1個の増幅器Bを構成する増幅器4の帰還端
子16に入力される。増幅器4の同相入力端子1
5は接地されているため、増幅器Bとしては、い
わゆる反転増幅器となり、増幅器4,3により、
出力端子12には、帰還端子16の入力、従つて
出力端子10とは逆相の信号が出力される。上記
のごときいわゆるブリツジ増幅器において、電圧
利得GVは GV= 帰還抵抗5の抵抗値+帰還抵抗7の抵抗値/帰還抵抗
6の抵抗値…(1) で表わされ、帰還抵抗5と7の低抗値を等しくす
ることにより、 GV=2×(帰還抵抗5の抵抗値)/帰還抵抗6の抵抗値
…(2) で表わされる。帰還抵抗5と7の抵抗値を等しく
することにより、負荷11には、負荷11の他端
を接地したときに比べ2倍の出力電圧、4倍の出
力電力が供給される。増幅器2,3は電圧利得の
相等しい非反転増幅器であるので、端子30,3
1には、振幅が等しく位相が180度ずれた逆相の
信号が表われる。
かかるブリツジ増幅器において、端子30,3
1をスイツチ8により短絡したときを考える。信
号は端子30,31で逆相・等振幅であるため、
端子30,31の短絡により、増幅器1,2の、
従つて増幅器3,4の信号出力は消えてしまう。
抵抗5と7の値を等しくすることにより、端子3
0,31の短絡による減衰度は無限大になる。ま
た、端子30,31はもともとほぼ同電位であ
り、短絡によつて電位の変動はほとんどない。ゆ
えに、スイツチ短絡および切断によつても、出力
端子10,12には直流変動がほとんどなく、負
荷11両端の電位変動もほとんどない。本増幅器
が低周波電力増幅器で、負荷がスピーカーの場合
でも、スイツチ8の短絡および切断による異常音
は発生しない。なお、図において、13は電源端
子、14は接地端子である。
第2図は、第1図のスイツチ8のかわりに、
PNPトランジスタおよびダイオードをそれぞれ2
個づつ使つた電子スイツチを使つたものである。
第2図において、スイツチ8を閉じて抵抗25を
電源に接続するとNPNトランジスタ23が導通
し、電子スイツチを構成するPNPトランジスタ1
8,20のベース電流を吸込むことにより、トラ
ンジスタ18,20が導通する。トランジスタ1
8,20の導通により、第1図での説明と同じ
く、端子30,31の逆相信号はキヤンセルさ
れ、しかも直流電位にはほとんど変動がないの
で、出力端子10,12間(負荷両端)の電位変
動はほとんど生じない。なお、19,21はそれ
ぞれトランジスタ18,20のhFE変動およびバ
ラツキに対する緩衝用ダイオード、22,24は
抵抗である。
第3図は、抵抗28を接地することにより、ト
ランジスタ18,20を導通させ、信号ミユーテ
イングをおこなうようにしたものである。スイツ
チ8を短絡すると、ダイオード27に電流が流
れ、PNPトランジスタ26が導通する。この導通
によりトランジスタ23が導通し、第2図におけ
ると同様に、トランジスタ18,20が導通して
信号は減衰され、端子30,31ひいては出力端
子10,12に直流変動がほとんどないため、異
常切換音の原因とならない。
第4図は、第3図における緩衝増幅器2,3と
してトランジスタ2a,2b,2c,2d,2e
および3a,3b,3c,3d,3eよりなるプ
ツシユプル増幅器を使つた例を示すものである。
ダーリントントランジスタを構成するNPNトラ
ンジスタ2b,2cおよび3b,3cにより正の
半波が、同じくダーリントントランジスタを構成
するPNPトランジスタ2dとNPNトランジスタ
2eおよびPNPトランジスタ3dとNPNトラン
〓〓〓〓
ジスタ3eにより負の半数が増幅されるのはいう
までもない。PNPトランジスタ2a,3aは定電
流負荷であり、それぞれのベース端子2f,3f
には適当なバイアスがかけられる。
第4図において、スイツチ8による抵抗28の
接地→トランジスタ26導通→トランジスタ23
導通→トランジスタ18,20導通→信号の減衰
の過程は第3図におけると同様である。また、出
力端子10,12の直流変動はほとんどないこと
も何らかわりない。
上記実施例では主としてPNPトランジスタを使
つた場合について説明してきたが、トランジスタ
18,20にNPNトランジスタを使用したとき
も何ら変りない。その時には、トランジスタ23
をPNPトランジスタに、トランジスタ26を
NPNトランジスタに変更し、ダイオード19,
21,27の極性変換、抵抗24およびトランジ
スタ23のエミツタを電源端子に接続変更、トラ
ンジスタ26のエミツタおよびダイオード27の
カソードを接地端子へ接続変更、スイツチ8を電
源端子から接地端子へ(あるいはこの逆)に接続
変更しなければならないことはいうまでもない。
以上述べたように、本発明によれば、増幅器の
直流バイアスを大巾に変動することなく、従つて
異常な切換音を発生することなく、信号ミユーテ
イングをおこなうことができ、しかも集積回路化
も容易なすぐれた信号ミユーテイング回路を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第
2図、第3図および第4図はそれぞれこの発明の
他の実施例を示す回路図である。 図において、1,4は非反転増幅器、2,3は
非反転緩衝増幅器、5,6,7は帰還抵抗、8は
機械式スイツチ、13は電源端子、14は接地端
子、28,20,26,2a,2d,3a,3d
はPNPトランジスタ、19,21,27はダイオ
ード、22,24,25,28は抵抗、23,2
b,2c,2e,3b,3c,3eはNPNトラ
ンジスタである。なお、図中同一符号は同一また
は相当部分を示す。 〓〓〓〓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 2個の増幅器よりなるブリツジ増幅器におい
    て、上記各増幅器の最終段を構成する緩衝増幅器
    の入力間をスイツチで短絡することにより信号ミ
    ユーテイングするようにしたことを特徴とするブ
    リツジ増幅器における信号ミユーテイング回路。 2 緩衝増幅器の入力間にエミツタとコレクタが
    接続された第1のトランジスタと、この第1のト
    ランジスタのエミツタ、ベースおよびコレクタに
    それぞれコレクタ、ベースおよびエミツタが接続
    された第2のトランジスタと、コレクタが第1の
    抵抗を介して上記第1および第2のトランジスタ
    のベースに、エミツタが一方の電位源に、ベース
    が第2の抵抗を介して上記一方の電位源に接続さ
    れた第3のトランジスタと、この第3のトランジ
    スタのベースと他方の電位源間に第3の低抗を介
    して接続された第1の機械式スイツチとでスイツ
    チを構成してなる特許請求の範囲第1項記載のブ
    リツジ増幅器における信号ミユーテイング回路。 3 第3の抵抗と他方の電位源間にコレクタとエ
    ミツタが接続された第4のトランジスタと、上記
    第4のトランジスタのベースと一方の電位源間に
    第4の抵抗を介して接続された第2の機械式スイ
    ツチとで第1の機械式スイツチを構成してなる特
    許請求の範囲第2項記載のブリツジ増幅器におけ
    る信号ミユーテイング回路。 4 第4のトランジスタのベース・エミツタ間に
    はダイオードが接続されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第3項記載のブリツジ増幅器にお
    ける信号ミユーテイング回路。 5 緩衝増幅器はプツシユプル増幅器からなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項
    のいずれかに記載のブリツジ増幅器における信号
    ミユーテイング回路。 6 第1および第2のトランジスタのベース・エ
    ミツタ間には、それぞれダイオードが接続されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第2項乃至
    第5項のいずれかに記載のブリツジ増幅器におけ
    る信号ミユーテイング回路。
JP11080179A 1979-08-29 1979-08-29 Signal muting circuit in bridge amplifier Granted JPS5634213A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11080179A JPS5634213A (en) 1979-08-29 1979-08-29 Signal muting circuit in bridge amplifier
NLAANVRAGE8004413,A NL188826C (nl) 1979-08-29 1980-08-01 Signaalblokkeringsschakeling voor brugversterker.
US06/176,102 US4366441A (en) 1979-08-29 1980-08-07 Signal-muting circuit for bridge amplifier
IT24309/80A IT1132488B (it) 1979-08-29 1980-08-27 Circuito di messa in sordina di segnali per amplificatore a ponte

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Publication Number Publication Date
JPS5634213A JPS5634213A (en) 1981-04-06
JPS6111484B2 true JPS6111484B2 (ja) 1986-04-03

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US (1) US4366441A (ja)
JP (1) JPS5634213A (ja)
IT (1) IT1132488B (ja)
NL (1) NL188826C (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
NL188826B (nl) 1992-05-06
NL188826C (nl) 1992-10-01
NL8004413A (nl) 1981-03-03
IT1132488B (it) 1986-07-02
US4366441A (en) 1982-12-28
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