JPS61114424U - - Google Patents

Info

Publication number
JPS61114424U
JPS61114424U JP19694884U JP19694884U JPS61114424U JP S61114424 U JPS61114424 U JP S61114424U JP 19694884 U JP19694884 U JP 19694884U JP 19694884 U JP19694884 U JP 19694884U JP S61114424 U JPS61114424 U JP S61114424U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amorphous silicon
thin film
film transistor
semiconductor layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19694884U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0532834Y2 (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1984196948U priority Critical patent/JPH0532834Y2/ja
Publication of JPS61114424U publication Critical patent/JPS61114424U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0532834Y2 publication Critical patent/JPH0532834Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案による液晶表示素子に用いら
れる薄膜トランジスタの一例を示す断面図、第2
図は液晶表示素子の一般的構成の一部を示す断面
図、第3図はゲートバス及びソースバスと薄膜ト
ランジスタと表示電極との関係を示す等価回路図
、第4図は第3図の液晶表示素子の平面図、第5
図はそのAA線断面図、第6図は従来の液晶表示
素子に用いられる薄膜トランジスタの断面図であ
る。 11,12:透明電極、14:液晶、15:表
示電極、16:共通電極、15a:ドレイン電極
、19:ソースバス、19a:ソース電極、21
:アモルフアスシリコン半導体層、22:ゲート
絶縁膜、23:ゲート電極、27:遮光層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 2枚の透明基板の間に液晶が封入され、その一
    方の透明基板の内面に複数の表示電極が形成され
    、その表示電極にドレイン電極が接続されて薄膜
    トランジスタがその透明基板に形成された液晶表
    示素子において、 上記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイ
    ン電極はそのゲート電極よりもその薄膜トランジ
    スタが形成された透明基板側に形成され、 上記薄膜トランジスタの半導体層はアモルフア
    スシリコンで構成され、 そのアモルフアスシリコン半導体層と上記薄膜
    トランジスタが形成された透明基板との間にアモ
    ルフアスシリコン半導体層と接して、そのアモル
    フアスシリコンのエネルギーバンド幅よりもエネ
    ルギーバンド幅が狭く、且つ比抵抗が上記アモル
    フアスシリコン半導体層と同程度以上のアモルフ
    アスシリコンを含む化合物半導体から成る遮光層
    が形成されていることを特徴とする液晶表示素子
JP1984196948U 1984-12-28 1984-12-28 Expired - Lifetime JPH0532834Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1984196948U JPH0532834Y2 (ja) 1984-12-28 1984-12-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1984196948U JPH0532834Y2 (ja) 1984-12-28 1984-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61114424U true JPS61114424U (ja) 1986-07-19
JPH0532834Y2 JPH0532834Y2 (ja) 1993-08-23

Family

ID=30754892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1984196948U Expired - Lifetime JPH0532834Y2 (ja) 1984-12-28 1984-12-28

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0532834Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62299082A (ja) * 1986-06-18 1987-12-26 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5888781U (ja) * 1981-12-11 1983-06-16 エムデン無線工業株式会社 アンテナ用タ−ミナル
JPS58159516A (ja) * 1982-03-18 1983-09-21 Seiko Epson Corp 液晶表示パネル

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5888781U (ja) * 1981-12-11 1983-06-16 エムデン無線工業株式会社 アンテナ用タ−ミナル
JPS58159516A (ja) * 1982-03-18 1983-09-21 Seiko Epson Corp 液晶表示パネル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62299082A (ja) * 1986-06-18 1987-12-26 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0532834Y2 (ja) 1993-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60172131U (ja) カラ−液晶表示器
EP0270323A3 (en) A thin-film transistor
KR870004325A (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
EP0157489A3 (en) Amorphous silicon field-effect transistors, method for their manufacture and their use in liquid crystal display devices
ATE89673T1 (de) Aktive fluessigkristall-anzeigeeinrichtung in matrixanordnung.
JPS61114424U (ja)
JPS6459216A (en) Thin film transistor array for liquid crystal display and its manufacture
JPS61157927U (ja)
JPS61116325U (ja)
JPS61116324U (ja)
JPS62113326U (ja)
JPH0281529U (ja)
JPH01104051U (ja)
JPS6186778U (ja)
JPS61160428U (ja)
JPS6021721U (ja) 液晶表示装置
JPH02118954U (ja)
JPS5978566A (ja) アクテイブマトリツクス基板
JPS566464A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
CA2150679A1 (en) Improved Structure for CdSe TFT
JPS6252949U (ja)
JPH03119829U (ja)
JPS6092281U (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
JPH0185819U (ja)
JPS61137924U (ja)