JPS61114424U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61114424U JPS61114424U JP19694884U JP19694884U JPS61114424U JP S61114424 U JPS61114424 U JP S61114424U JP 19694884 U JP19694884 U JP 19694884U JP 19694884 U JP19694884 U JP 19694884U JP S61114424 U JPS61114424 U JP S61114424U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- thin film
- film transistor
- semiconductor layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
第1図はこの考案による液晶表示素子に用いら
れる薄膜トランジスタの一例を示す断面図、第2
図は液晶表示素子の一般的構成の一部を示す断面
図、第3図はゲートバス及びソースバスと薄膜ト
ランジスタと表示電極との関係を示す等価回路図
、第4図は第3図の液晶表示素子の平面図、第5
図はそのAA線断面図、第6図は従来の液晶表示
素子に用いられる薄膜トランジスタの断面図であ
る。 11,12:透明電極、14:液晶、15:表
示電極、16:共通電極、15a:ドレイン電極
、19:ソースバス、19a:ソース電極、21
:アモルフアスシリコン半導体層、22:ゲート
絶縁膜、23:ゲート電極、27:遮光層。
れる薄膜トランジスタの一例を示す断面図、第2
図は液晶表示素子の一般的構成の一部を示す断面
図、第3図はゲートバス及びソースバスと薄膜ト
ランジスタと表示電極との関係を示す等価回路図
、第4図は第3図の液晶表示素子の平面図、第5
図はそのAA線断面図、第6図は従来の液晶表示
素子に用いられる薄膜トランジスタの断面図であ
る。 11,12:透明電極、14:液晶、15:表
示電極、16:共通電極、15a:ドレイン電極
、19:ソースバス、19a:ソース電極、21
:アモルフアスシリコン半導体層、22:ゲート
絶縁膜、23:ゲート電極、27:遮光層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 2枚の透明基板の間に液晶が封入され、その一
方の透明基板の内面に複数の表示電極が形成され
、その表示電極にドレイン電極が接続されて薄膜
トランジスタがその透明基板に形成された液晶表
示素子において、 上記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極はそのゲート電極よりもその薄膜トランジ
スタが形成された透明基板側に形成され、 上記薄膜トランジスタの半導体層はアモルフア
スシリコンで構成され、 そのアモルフアスシリコン半導体層と上記薄膜
トランジスタが形成された透明基板との間にアモ
ルフアスシリコン半導体層と接して、そのアモル
フアスシリコンのエネルギーバンド幅よりもエネ
ルギーバンド幅が狭く、且つ比抵抗が上記アモル
フアスシリコン半導体層と同程度以上のアモルフ
アスシリコンを含む化合物半導体から成る遮光層
が形成されていることを特徴とする液晶表示素子
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984196948U JPH0532834Y2 (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984196948U JPH0532834Y2 (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61114424U true JPS61114424U (ja) | 1986-07-19 |
JPH0532834Y2 JPH0532834Y2 (ja) | 1993-08-23 |
Family
ID=30754892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984196948U Expired - Lifetime JPH0532834Y2 (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0532834Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62299082A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5888781U (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | エムデン無線工業株式会社 | アンテナ用タ−ミナル |
JPS58159516A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-21 | Seiko Epson Corp | 液晶表示パネル |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP1984196948U patent/JPH0532834Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5888781U (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | エムデン無線工業株式会社 | アンテナ用タ−ミナル |
JPS58159516A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-21 | Seiko Epson Corp | 液晶表示パネル |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62299082A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0532834Y2 (ja) | 1993-08-23 |
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