JPS61116324U - - Google Patents

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JPS61116324U
JPS61116324U JP20143884U JP20143884U JPS61116324U JP S61116324 U JPS61116324 U JP S61116324U JP 20143884 U JP20143884 U JP 20143884U JP 20143884 U JP20143884 U JP 20143884U JP S61116324 U JPS61116324 U JP S61116324U
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JP
Japan
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thin film
film transistors
liquid crystal
gate
electrode
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JP20143884U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は液晶表示素子の一般的構成の一部を示
す断面図、第２図はその表示電極、薄膜トランジ
スタの電気回路を示す回路図、第３図は第２図に
おける表示電極、薄膜トランジスタ１６の平面図
、第４図は第３図のＡＡ線断面図、第５図はこの
考案による液晶表示素子の要部を示す第３図と対
応した平面図、第６図は第５図のＡＡ線断面図、
第７図は第５図のＢＢ線断面図、第８図は第５図
のＣＣ線断面図、第９図は第５図のＤＤ線断面図
、第１０図は透明基板上に遮光層を形成した状態
を示す平面図、第１１図は第５図に示した表示電
極、薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図、
第１２図は表示電極、ソースバスを形成した状態
の平面図、第１３図は半導体層を形成した状態の
平面図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ２枚の透明基板が近接対向して配され、これら
    透明基板間に液晶が封入され、上記一方の透明基
    板の内面に複数の表示電極が設けられ、これら各
    表示電極にドレン側がそれぞれ接続された薄膜ト
    ランジスタが上記透明基板に形成され、上記複数
    の表示電極と対向して他方の透明基板の内面に共
    通電極が形成され、上記薄膜トランジスタを選択
    的にスイツチング制御して上記表示電極を選択的
    に表示する液晶表示素子において、 上記各薄膜トランジスタのゲート電極に接続さ
    れたゲートバスの上記トランジスタが形成された
    透明基板側には、上記薄膜トランジスタの半導体
    層及びゲート絶縁膜が延長形成され、上記薄膜ト
    ランジスタの半導体層と対向して上記ゲート電極
    と反対側に光を遮断する遮光層が形成され、その
    遮光層は上記ゲートバスとゲート電極との接続部
    のゲートバスに対向する部分にのみ延長されて阻
    止領域とされていることを特徴とする液晶表示素
    子。
JP20143884U 1984-12-30 1984-12-30 Pending JPS61116324U (ja)

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JPS61116324U true JPS61116324U (ja) 1986-07-23

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232385A (ja) * 1983-06-15 1984-12-27 株式会社東芝 アクテイブマトリクス型表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232385A (ja) * 1983-06-15 1984-12-27 株式会社東芝 アクテイブマトリクス型表示装置

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