JPS6111375B2 - - Google Patents
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- JPS6111375B2 JPS6111375B2 JP54058697A JP5869779A JPS6111375B2 JP S6111375 B2 JPS6111375 B2 JP S6111375B2 JP 54058697 A JP54058697 A JP 54058697A JP 5869779 A JP5869779 A JP 5869779A JP S6111375 B2 JPS6111375 B2 JP S6111375B2
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- type manganese
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
第1図は本発明の実施例1に係わる結露センサ
を示す平面図、第2図は第1図の−線に相当
する部分の断面図、第3図は実施例1と比較例1
及び2における結露時の抵抗変化を示す特性図、
第4図は実施例1と比較例1及び2における結露
時の抵抗値変化を示す特性図である。 尚図面に用いられている符号において、1は基
板、2,3は電極、6は抵抗皮膜である。
を示す平面図、第2図は第1図の−線に相当
する部分の断面図、第3図は実施例1と比較例1
及び2における結露時の抵抗変化を示す特性図、
第4図は実施例1と比較例1及び2における結露
時の抵抗値変化を示す特性図である。 尚図面に用いられている符号において、1は基
板、2,3は電極、6は抵抗皮膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 吸湿性樹脂に導電性粉末としてγ型二酸化マ
ンガンの粉末を分散させた水分検知用抵抗体。 【特許請求の範囲】 本発明は、VTRにおける結露センサ等に使用
することが可能な水分検知用低抗体に関し、更に
詳細には、吸湿性樹脂に導電性粉末を分散させた
構成の水分検知用低抗体に関する。 吸湿性樹脂と導電性粉末としての炭素粉とから
なる抵抗皮膜を感湿抵抗体とした結露センサは既
にVTRのシリンダの結露センサとして使用され
ている。しかし、この結露センサは相対湿度の変
化に伴なつて抵抗値が変化するので、結露又は水
分が有る状態になつて時に抵抗値が変化しない。
結露又は水分の有無を明確に検知するためには、
結露又は水分の有る状態になつた時に急激に抵抗
値が変化することが望ましい。 そこで、本発明の目的は、相対湿度の変化に対
しての抵抗値の変化は少ないが、結露又は水分が
有る状態になつた時に抵抗値が急激に変化する水
分検知用抵抗体を提供することにある。 上記目的を達成するための本発明は、吸湿性樹
脂に導電性粉末としてγ型二酸化マンガンの粉末
を分散させた水分検知用抵抗体に係わるものであ
る。 以上本発明におけるγ型二酸化マンガンは、リ
ヨウマンガン鉱を硫酸で処理して得られる硫酸酸
性マンガン溶液を不溶解性陽極とステンレス陰極
とを用いて高温で電解することによつて陽極に析
出される活性度の高い電解二酸化マンガンが適す
る。またγ型二酸化マンガンを、吸湿性樹脂1重
量部に対して2〜8重量部分散させることが望ま
しい。γ型二酸化マンガンを8重量部よりも多く
すると、抵抗皮膜の機械的強度が弱くなり、例え
ば膜面にセロテープを貼り付けて剥離すると抵抗
皮膜の脱落が生じ、実用化が困難になる。又2重
量部より少なくなると、感湿特性が著しく低下
し、結露状態でも抵抗値がそれほど変化しなくな
り、実用化が困難である。又、γ型二酸化マンガ
ンに代えてα型又はβ型二酸化マンガンを使用す
ると、相対湿度の変化に伴なつて抵抗値が変化
し、結露又は水分が有する状態を的確に検知する
ことが困難になる。また応答速度も遅くなる。尚
γ型二酸化マンガンの粒径は0.2〜0.6μ程度が適
する。 本発明における吸湿性樹脂としては共重合ナイ
ロンのようなポリアミド樹脂、メチルセルロー
ズ、エチルセルローズ等が適し、特に作業を容易
にするためにアルコール可溶性の共重合ポリアミ
ド樹脂が適する。 上記本発明に係わる水分検知用抵抗体によれ
ば、雰囲気の湿度の変化に対する抵抗値の変化が
少なく且つ結露又は水分が有する状態で急激に抵
抗値が減少するセンサを提供することが出来る。 以下、本発明の実施例について述べる。 実施例 1 100重量部のフルフリルアルコールに10重量部
のアルコール可溶性ナイロン(東レ株式会社製
CM−4000)を加え、60℃に加熱してナイロンを
溶解し、この溶解樹脂50重量部に平均粒径0.4μ
のγ型二酸化マンガン22.7重量部を加えて充分に
分散させて抵抗体ペーストを作つた。尚このペー
ストのγ型二酸化マンガンMとナイロンNとの比
M/Nは5である。 一方、第1図に示すように、絶縁基板となるア
ルミナセラミツク基板1の上に酸化ルテニウム系
導電ペーストをスクリーン印刷で塗布して形成し
た一対のくし歯形電極2,3及びAg−Pbで形成
された一対の接続電極4,5を有するものを用意
した。尚一対の電極2,3の間隔は0.5mmであ
り、電極幅と長さの比は約150である。 次に、第2図に示す如く、基板1上の一対の電
極2,3を含むように上記の抵抗体ペーストをス
クリーン印刷法で塗布し、160℃、30分間の加熱
処理をすることによつて、厚さ約3μの抵抗皮6
を形成して結露センサを完成させた。 次に、この結露センサの特性を調べるために、
センサを5℃に冷却した後に25℃、相対湿度95%
の範囲気に投入して強制的に結露させた時の時間
に対する抵抗値の変化を求めたところ、第3図の
曲線aが得られた。この曲線aにおいて初期値は
230MΩであり、安定状態になつて時点での抵抗
値(以下結露値と呼ぶ)は1.2MΩであり、結露
値/初期値で示す変化率は5.2×10-3である。こ
の曲線aから明らかなように結露すると速い応答
特性で抵抗値が大幅に減少するので、結露を明確
に検知することが可能である。 またこのセンサの相対湿度と抵抗値の変化との
関係を求めるために、飽和塩を利用した25℃に於
ける種々の相対湿度槽を作り、ここにセンサを1
時間放置した後の抵抗値を求めたところ、第4図
の曲線dが得られた。この曲線dから明らかなよ
うに、相対湿度が100%に近づくと急激に抵抗が
減少し、それまでは殆んど変化しない。 実施例 2 γ型二酸化マンガンの量の変化による特性変化
を調べるために、γ型二酸化マンガンMとナイロ
ンNとの比M/N1.5、2、7、及び8の抵抗体
ペーストを実施例1と同様な方法で作り、これを
利用して実施例1と同様な方法で結露センサを作
つて、強制結露時の抵抗変化を実施例1と同様に
調べたところ次の結果が得られた。 【表】 但し、M/N=5のデータは実施例1のデータ
である。この結果から明らかなように、γ型二酸
化マンガンとナイロンとの比M/Nが2より小さ
くなると、変化率が著しく小さくて結露検知特性
が悪くなり、実用化が難しい。また比M/Nが8
よりも大きいものを作ると、膜強度が劣化し、例
えばセロテープを抵抗皮膜に貼つて剥離すること
によつてセロテープに抵抗皮膜の片が付くように
なり、実用化が難しい。 比較例 1 実施例1におけるγ型二酸化マンガンの代り
に、粒径0.38μのα型二酸化マンガンを導電性粉
末として使用し、実施例1と同様な方法で同様な
形状の結露センサを作り、結露時における抵抗値
変化を実施例1と同様な方法で求められたとこ
ろ、第3図の曲線bの特性が得られた。この曲線
bにおける初期値は220MΩであり、結露値は
26MΩであり、変化率は12×10-1である。また相
対湿度と抵抗値との関係を求めたところ、第4図
の曲線eが得られた。この結果から明らかなよう
にα型二酸化マンガンを使用したものは抵抗変化
率が小さく且つ応答特性が悪く更にまた湿度変化
に応じて抵抗値が変化するので、結露センサとし
て実用化するのが困難である。 上記はα型二酸化マンガンMaとナイロンNと
の比Ma/Nを5とした場合であるが、比Ma/N
を3、及び7にした場合の特性を測定したところ
次表となつた。 【表】 比較例 2 実施例1におけるγ型二酸化マンガンの代り
に、粒径0.41μのβ型二酸化マンガンを導電性粉
末として使用し、実施例1と同様な方法で同様な
形状の結露センサを作り、結露時における抵抗値
変化を実施例1を同様な方法で求めたところ、第
3図の曲線cの特性が得られた。この曲線cにお
ける初期値は180MΩであり、結露値は11MΩで
あり、変化率は6.1×10-1である。また相対湿度
と抵抗値との関係を求めたところ、第4図に曲線
fが得られた。この結果から明らかなように、比
較例2のものも比較例1と同様に実用化が困難で
ある。 尚上記はβ型二酸化マンガンM〓とナイロンN
との比M〓/Nを5とした場合であるが、この比
M〓/Nを3及び7とした場合の特性を測定した
ところ次表となつた。 【表】 以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明は上述の実施例に限定されるものではなく、本
発明の技術的思想から逸脱することなく、更に変
形可能なものである。例えば、吸湿性樹脂の溶解
を行う場合に、プロピレングリコール等を付加し
てもよい。また吸湿性樹脂として吸湿膨潤の大き
いメチルセルローズ、エチルセルローズ又は別の
アルコール可溶性供重合ポリアミド樹脂を使用し
てもよい。また電極2,3を酸化ルテニウムペー
ス以外の金属で形成してもよい。また基板1をガ
ラス合成樹脂等絶縁物基板としてもよい。また、
本発明に係わる作用効果を損わない範囲で吸湿性
樹脂に変性シリコーン樹脂等を分散させてもよ
い。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5869779A JPS55151251A (en) | 1979-05-15 | 1979-05-15 | Resistor for moisture detection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5869779A JPS55151251A (en) | 1979-05-15 | 1979-05-15 | Resistor for moisture detection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55151251A JPS55151251A (en) | 1980-11-25 |
JPS6111375B2 true JPS6111375B2 (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=13091715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5869779A Granted JPS55151251A (en) | 1979-05-15 | 1979-05-15 | Resistor for moisture detection |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55151251A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221052A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Tokyo Kosumosu Denki Kk | 結露センサ |
-
1979
- 1979-05-15 JP JP5869779A patent/JPS55151251A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55151251A (en) | 1980-11-25 |
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