JPS61113284A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS61113284A JPS61113284A JP59235584A JP23558484A JPS61113284A JP S61113284 A JPS61113284 A JP S61113284A JP 59235584 A JP59235584 A JP 59235584A JP 23558484 A JP23558484 A JP 23558484A JP S61113284 A JPS61113284 A JP S61113284A
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- resistance
- protective film
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- photovoltaic
- generating portion
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、絶縁基板上に形成され、表面が保護樹脂膜に
よって被覆された、例えばアモルファスシリコン太陽ｔ
ａのような光起電力装置に関する。
よって被覆された、例えばアモルファスシリコン太陽ｔ
ａのような光起電力装置に関する。
絶縁基板を用いた光起電力装置としては、例えばガラス
板上に透明ｔＦｉ＋、ｐｉｎ構造を有するアモルファス
シリコン膜、金属電極を積層した太陽電池が知られ、保
護のために１−両辺下の厚さのエポキシ樹脂等からなる
コーティング塗料によって被覆されている。しかしこの
ような太陽電池は、外面が絶縁物からなるため、第２図
に示すように静電気を帯電している人体１によって触れ
た場合、光起電力発生部３を挟む絶縁基板２と保護膜３
の帯電により光起電力発生部３に電圧が加わり、太陽電
池の特性破壊が起きるという欠点があった。
板上に透明ｔＦｉ＋、ｐｉｎ構造を有するアモルファス
シリコン膜、金属電極を積層した太陽電池が知られ、保
護のために１−両辺下の厚さのエポキシ樹脂等からなる
コーティング塗料によって被覆されている。しかしこの
ような太陽電池は、外面が絶縁物からなるため、第２図
に示すように静電気を帯電している人体１によって触れ
た場合、光起電力発生部３を挟む絶縁基板２と保護膜３
の帯電により光起電力発生部３に電圧が加わり、太陽電
池の特性破壊が起きるという欠点があった。
本発明は、上述の欠点を除去して静電破壊耐量の向上し
た光起電力装置を提供することを目的とする。
た光起電力装置を提供することを目的とする。
本発明は、絶縁基板上に形成された光起電力発生部を被
覆する保護膜が炭素の添加された樹脂からなり、厚さ方
向の抵抗が１０７〜１０’Ωであることによって上記の
目的を達成する。
覆する保護膜が炭素の添加された樹脂からなり、厚さ方
向の抵抗が１０７〜１０’Ωであることによって上記の
目的を達成する。
静電気破壊は、人体へ帯電している静電気の漏洩挙動に
依存する。第３図は、人体が光起電力装置へ触れたとき
の電気的挙動の等価回路を示す。 人体の静電気容量Ｃに充電された静電気は、抵抗Ｒを有
する保護膜で被覆された光起電力装置への接触、すなわ
ちスイフチＳを閉しることにより放電される。この放電
の時定数をＴとすると、次式であられされる。 Ｔ端ＣＲ 今、人体静電気容量Ｃが１８０ＰＦで、初期帯電電位を
６ｋＶとして、Ｒが１０９Ω、 １０”Ωの場合の人体
帯電位の減衰をそれぞれ第１図ｆａ＋および山）に示す
、６ｋＶから２．２ＫＶまで減衰するのにそれぞれ０゜
１８秒、１８０秒が必要である。このことから従来の１
０１１Ω以上の抵抗を有した保護膜を被覆した太陽電池
では長い時間高電位にあることがわかり、静電破壊の防
止のためには保護膜４の厚さ方向の抵抗を１０９Ω以下
とすることが必要である。一方、アモルファスシリコン
等を用いた高抵抗の光起電力素子の抵抗は約１０’Ωで
あり、絶縁保護のためには保護膜の抵抗は２桁多い１０
１Ωにしておく必要がある。このような抵抗を育する保
護膜は、炭素を添加した導電性樹脂を従来の絶縁樹脂に
光起電力装置の寸法に応じて混合させ、スプレー塗布、
スクリーン印刷により光起電力発生部上に形成する。
依存する。第３図は、人体が光起電力装置へ触れたとき
の電気的挙動の等価回路を示す。 人体の静電気容量Ｃに充電された静電気は、抵抗Ｒを有
する保護膜で被覆された光起電力装置への接触、すなわ
ちスイフチＳを閉しることにより放電される。この放電
の時定数をＴとすると、次式であられされる。 Ｔ端ＣＲ 今、人体静電気容量Ｃが１８０ＰＦで、初期帯電電位を
６ｋＶとして、Ｒが１０９Ω、 １０”Ωの場合の人体
帯電位の減衰をそれぞれ第１図ｆａ＋および山）に示す
、６ｋＶから２．２ＫＶまで減衰するのにそれぞれ０゜
１８秒、１８０秒が必要である。このことから従来の１
０１１Ω以上の抵抗を有した保護膜を被覆した太陽電池
では長い時間高電位にあることがわかり、静電破壊の防
止のためには保護膜４の厚さ方向の抵抗を１０９Ω以下
とすることが必要である。一方、アモルファスシリコン
等を用いた高抵抗の光起電力素子の抵抗は約１０’Ωで
あり、絶縁保護のためには保護膜の抵抗は２桁多い１０
１Ωにしておく必要がある。このような抵抗を育する保
護膜は、炭素を添加した導電性樹脂を従来の絶縁樹脂に
光起電力装置の寸法に応じて混合させ、スプレー塗布、
スクリーン印刷により光起電力発生部上に形成する。
本発明によれば、絶縁基板上の光起電力発生部を被覆す
る保護膜の樹脂材料に炭素を添加することにより厚さ方
向の抵抗を１０７〜１０９Ωとすることによって静電気
を帯電している人体が触れた場合も静電気の分散が容易
になり、取扱いによる光起電力発生装置の破壊が防止さ
れる。
る保護膜の樹脂材料に炭素を添加することにより厚さ方
向の抵抗を１０７〜１０９Ωとすることによって静電気
を帯電している人体が触れた場合も静電気の分散が容易
になり、取扱いによる光起電力発生装置の破壊が防止さ
れる。
第１図は本発明の効果を説明する抵抗を通じての放電の
際の人体帯電位の減衰曲線で、（♂）は抵抗が１０’Ω
の場合、（ｂｌは抵抗がＩＱＩ冨Ωの場合は、第２図は
人体の接触によろ静電破壊の原理を示す断面図、第３図
はその等価回路図である。
際の人体帯電位の減衰曲線で、（♂）は抵抗が１０’Ω
の場合、（ｂｌは抵抗がＩＱＩ冨Ωの場合は、第２図は
人体の接触によろ静電破壊の原理を示す断面図、第３図
はその等価回路図である。
Claims (1)
- １）絶縁基板上に形成され、表面が保護膜によって被覆
されるものにおいて、保護膜が炭素の添加された樹脂か
らなり、厚さ方向の抵抗が１０＾７〜１０＾９Ωである
ことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235584A JPS61113284A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235584A JPS61113284A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113284A true JPS61113284A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=16988158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235584A Pending JPS61113284A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113284A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209474A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Canon Inc | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| US7057102B2 (en) | 2000-11-10 | 2006-06-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell module and portable electronic apparatus with it |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235584A patent/JPS61113284A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209474A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Canon Inc | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| US7057102B2 (en) | 2000-11-10 | 2006-06-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell module and portable electronic apparatus with it |
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