JPS59176750A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59176750A JPS59176750A JP5091383A JP5091383A JPS59176750A JP S59176750 A JPS59176750 A JP S59176750A JP 5091383 A JP5091383 A JP 5091383A JP 5091383 A JP5091383 A JP 5091383A JP S59176750 A JPS59176750 A JP S59176750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- polyimide
- amide
- injection blocking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、感光層にアモルファスシリコンを用いた電
子写真感光体に関し、より詳しくは電荷保持力を増した
アモルファスシリコン電子写真感光体に関するものであ
る。
子写真感光体に関し、より詳しくは電荷保持力を増した
アモルファスシリコン電子写真感光体に関するものであ
る。
従来、この種のものとして、第１図の構造のものがあっ
た。図において、（１）は導電性基板としてのアルミニ
ウム基板であり、窒化シリコン層（２）ヲその上にスパ
ッタリング法等で蒸着し、最後にシリコン含有率が５０
重量％以上のアモルファスシリコン感光層（３）をプラ
ズマＣＶ Ｄ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で７〜２０μｍ程度に蒸着する
ことにより、電子写真感光体（４）が形成される。
た。図において、（１）は導電性基板としてのアルミニ
ウム基板であり、窒化シリコン層（２）ヲその上にスパ
ッタリング法等で蒸着し、最後にシリコン含有率が５０
重量％以上のアモルファスシリコン感光層（３）をプラ
ズマＣＶ Ｄ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で７〜２０μｍ程度に蒸着する
ことにより、電子写真感光体（４）が形成される。
次に作用効果について説明する。
ます、この従来の電子写真感光体（４）は暗中で正ある
いは負（以下では正の場合についてのみ説明する）に帯
電される。帯電後アモルファスシリコン感光層（３）上
の正帯電々荷が暗中でアルミニウム基板（１）から注入
される負電荷（矢印で示す）により中和されるのを防ぐ
目的で、窒化シリコン層（２）が設けられている。
いは負（以下では正の場合についてのみ説明する）に帯
電される。帯電後アモルファスシリコン感光層（３）上
の正帯電々荷が暗中でアルミニウム基板（１）から注入
される負電荷（矢印で示す）により中和されるのを防ぐ
目的で、窒化シリコン層（２）が設けられている。
次に、第１図の右半分にモデル化して示したように、像
光（５）が照射されると電子−正孔対（６）が生成され
、電子がアモルファスシリコン層（３）の表面側に、正
孔がアルミニウム基板（１）側に各々移動し、アモルフ
ァスシリコン感光層（３）上に予め帯電された正帯電電
荷を放電させる。このように、暗部Ａは正帯電々荷を維
持し、明部Ｂだけ正帯電々荷を放電させる上で窒化シリ
コン層（２）の役割は重要である。また、暗帯電時のア
モルファスシリコン層（３）に加わる電界は３Ｘ１０５
Ｖ／ｃｍ以上にも及ぶため、アルミニウム基板（１）か
ら負電荷の注入を阻止する窒化シリコン層（２）も当然
この高電界条件下で負電荷の注入阻止効果を有すること
が必要となる。
光（５）が照射されると電子−正孔対（６）が生成され
、電子がアモルファスシリコン層（３）の表面側に、正
孔がアルミニウム基板（１）側に各々移動し、アモルフ
ァスシリコン感光層（３）上に予め帯電された正帯電電
荷を放電させる。このように、暗部Ａは正帯電々荷を維
持し、明部Ｂだけ正帯電々荷を放電させる上で窒化シリ
コン層（２）の役割は重要である。また、暗帯電時のア
モルファスシリコン層（３）に加わる電界は３Ｘ１０５
Ｖ／ｃｍ以上にも及ぶため、アルミニウム基板（１）か
ら負電荷の注入を阻止する窒化シリコン層（２）も当然
この高電界条件下で負電荷の注入阻止効果を有すること
が必要となる。
しかしながら、従来の窒化シリコン層（２）は高電界領
域では、アルミニウム基板（１）からの電荷の注入を完
全に阻止できなくなる。これは、窒化シリコン層（２）
中の電子の移動度が比較的大きなため、空間電荷制限電
流による電荷の注入を生じるためである。このため、従
来の電子写真感光体（４）では暗減衰速度が速くかつ電
位の最簡到達値か低くなるという欠点があった。
域では、アルミニウム基板（１）からの電荷の注入を完
全に阻止できなくなる。これは、窒化シリコン層（２）
中の電子の移動度が比較的大きなため、空間電荷制限電
流による電荷の注入を生じるためである。このため、従
来の電子写真感光体（４）では暗減衰速度が速くかつ電
位の最簡到達値か低くなるという欠点があった。
この発明は上記のような従来の電子写真感光体の欠点を
除去するためになされたもので、注入阻止層を窒化シリ
コンよりも移動度を小さくできるポリイミド系の高分子
材料を用いて形成することにより、電位の保持性を大幅
に改善した電子写真感光体を提供することを目的として
いる。
除去するためになされたもので、注入阻止層を窒化シリ
コンよりも移動度を小さくできるポリイミド系の高分子
材料を用いて形成することにより、電位の保持性を大幅
に改善した電子写真感光体を提供することを目的として
いる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第２図は、この発明の一実施例による電子写真ミ ド、
ポリイ ミ ド・アミ ド、ポリエステルイ ミ ド、
ポリエステルイミド・アミド等を０．５〜１５μｍ程度
の厚みに塗布して形成された耐熱性の高分子注入阻止層
岳である。次にこの注入阻止Ｒ（７）上にアモルファス
シリコン感光層（３）を形成する。このアモルファスシ
リコン感光層形成時に２００〜３００℃ｔでフルミニラ
ム基板（１）が昇温する。このため注入阻止層（７）が
耐熱性を有することが不可欠の要件となっている。この
条件を満たすことができるのが、上記のポリイミド、ポ
リイミド・アミド、ポリエステルイミド、ポリエステル
イミド・アミド等の耐熱性菌分子材料であり、本発明で
は、このポリイミド、ポリイミド・アミド、ポリエステ
ルイミド、ポリエステルイミド・アミドのいずれかを主
剤として注入阻止層（７）を形成している。
ポリイ ミ ド・アミ ド、ポリエステルイ ミ ド、
ポリエステルイミド・アミド等を０．５〜１５μｍ程度
の厚みに塗布して形成された耐熱性の高分子注入阻止層
岳である。次にこの注入阻止Ｒ（７）上にアモルファス
シリコン感光層（３）を形成する。このアモルファスシ
リコン感光層形成時に２００〜３００℃ｔでフルミニラ
ム基板（１）が昇温する。このため注入阻止層（７）が
耐熱性を有することが不可欠の要件となっている。この
条件を満たすことができるのが、上記のポリイミド、ポ
リイミド・アミド、ポリエステルイミド、ポリエステル
イミド・アミド等の耐熱性菌分子材料であり、本発明で
は、このポリイミド、ポリイミド・アミド、ポリエステ
ルイミド、ポリエステルイミド・アミドのいずれかを主
剤として注入阻止層（７）を形成している。
次に作用効果について説明する。
この発明の電子写真感光体（８）では、第２図に示すよ
うに、例えば正帯電した時には反対極性の負電荷のアル
ミニウム基板（１）からの注入を注入阻止層（７）によ
り完全に阻止できる。これらのポリイミド系の耐熱性菌
分子材料は、正２よび負のいずれの電荷担体に対しても
ＩＱ”−’ ｃｎ１２／Ｖ−ｓｅｃ より低い移動度
を有しているため、アルミニウム基板（１）からの電荷
の注入による表面正電荷の暗減衰の少ない、商電位に帯
電できる電子写真感光体を提供−できるものである。
うに、例えば正帯電した時には反対極性の負電荷のアル
ミニウム基板（１）からの注入を注入阻止層（７）によ
り完全に阻止できる。これらのポリイミド系の耐熱性菌
分子材料は、正２よび負のいずれの電荷担体に対しても
ＩＱ”−’ ｃｎ１２／Ｖ−ｓｅｃ より低い移動度
を有しているため、アルミニウム基板（１）からの電荷
の注入による表面正電荷の暗減衰の少ない、商電位に帯
電できる電子写真感光体を提供−できるものである。
な２、この発明の電子写真感光体（８）では、その構造
上、耐熱性菌分子注入阻止層（７）に蓄積される電荷の
除去が必要となるが、そのためには記録プロセス中に交
流コロナあるいは交流コロナと同時露光あるいはスコロ
トロンタイプの帯電器等による除電のプロセスを導入す
ればよい。
上、耐熱性菌分子注入阻止層（７）に蓄積される電荷の
除去が必要となるが、そのためには記録プロセス中に交
流コロナあるいは交流コロナと同時露光あるいはスコロ
トロンタイプの帯電器等による除電のプロセスを導入す
ればよい。
この発明の構造の電子写真感光体では、従来のアモルフ
ァスシリコンおよびアモルファスシリコン・ゲルマニウ
ム等の電子写真感光体匿比べ、２倍以上の初期電位およ
び暗減衰時定数が実現できた。
ァスシリコンおよびアモルファスシリコン・ゲルマニウ
ム等の電子写真感光体匿比べ、２倍以上の初期電位およ
び暗減衰時定数が実現できた。
なお、上記実施例では説明の便宜上基板材料をアルミニ
ウムとしたが、導電性を示す限り特定の材料に限定され
るものではない。又、アモルファスシリコン感光層の表
面に表面改良層を設けてもよい。
ウムとしたが、導電性を示す限り特定の材料に限定され
るものではない。又、アモルファスシリコン感光層の表
面に表面改良層を設けてもよい。
以上詳述したように、この発明によれば注入阻止層を窒
化シリコンよりも移動度の小さいポリイミド系の高分子
材料を用いて形成したので、従来のアモルファスシリコ
ン感光体よりも暗減衰特性および初期電位の帯電特性を
大幅に改善できるという効果をもつものである。
化シリコンよりも移動度の小さいポリイミド系の高分子
材料を用いて形成したので、従来のアモルファスシリコ
ン感光体よりも暗減衰特性および初期電位の帯電特性を
大幅に改善できるという効果をもつものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のアモルファスシリコン電子写真感光体の
代表的構造を示す断面図、第２図はこの発明の一実施例
によるアモルファスシリコン電子写真感光体を示す断面
図である。 （１）・・・アルミニウム基板（導電性基板）、（７）
・・・耐熱性高分子注入阻止層、（３）・・・アモルフ
ァスシリコン感光層、（８）・・・電子写真感光体。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図
代表的構造を示す断面図、第２図はこの発明の一実施例
によるアモルファスシリコン電子写真感光体を示す断面
図である。 （１）・・・アルミニウム基板（導電性基板）、（７）
・・・耐熱性高分子注入阻止層、（３）・・・アモルフ
ァスシリコン感光層、（８）・・・電子写真感光体。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図
Claims (1)
- （１） 導電性基板と、ポリイミド、ポリイミド・ア
ミド、ポリエステルイミド、ポリエステルイミド・アミ
ドのいずれかを主剤とし上記導電性基板上に形成された
耐熱性の烏分子注入阻止層と、該注入阻止層上に蒸着に
より形成されたシリコン含有率が５０重量％以上である
アモルファス層とを備えたことを特徴とする電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5091383A JPS59176750A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5091383A JPS59176750A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59176750A true JPS59176750A (ja) | 1984-10-06 |
Family
ID=12872014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5091383A Pending JPS59176750A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59176750A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156372A1 (en) * | 2000-05-19 | 2001-11-21 | NexPress Solutions LLC | Novel polymer and photoconductive element having a polymeric barrier layer |
| US6593046B2 (en) | 2000-05-19 | 2003-07-15 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Photoconductive elements having a polymeric barrier layer |
| US6866977B2 (en) | 2000-05-19 | 2005-03-15 | Eastman Kodak Company | Photoconductive elements having a polymeric barrier layer |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP5091383A patent/JPS59176750A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156372A1 (en) * | 2000-05-19 | 2001-11-21 | NexPress Solutions LLC | Novel polymer and photoconductive element having a polymeric barrier layer |
| US6593046B2 (en) | 2000-05-19 | 2003-07-15 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Photoconductive elements having a polymeric barrier layer |
| US6866977B2 (en) | 2000-05-19 | 2005-03-15 | Eastman Kodak Company | Photoconductive elements having a polymeric barrier layer |
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