JPS61112360A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS61112360A
JPS61112360A JP59233207A JP23320784A JPS61112360A JP S61112360 A JPS61112360 A JP S61112360A JP 59233207 A JP59233207 A JP 59233207A JP 23320784 A JP23320784 A JP 23320784A JP S61112360 A JPS61112360 A JP S61112360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
leads
stress
semiconductor device
sealing material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59233207A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuichi Kobayashi
小林 龍一
Teruhisa Takashika
高鹿 照久
Noburo Tanimura
谷村 信朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59233207A priority Critical patent/JPS61112360A/ja
Publication of JPS61112360A publication Critical patent/JPS61112360A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • H01L23/49551Cross section geometry characterised by bent parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本完明は、半導体装置に係り、特に、半導体装置用リー
ドに適用して有効な技術に関するものである。
〔背景技術〕
近年、半導体装置の高集積化、高機能化が進み、半導体
素子(半導体ペレット)が大型化してきている。一方、
システムの小型化のため、パッケージは小型化しなけれ
ばならない。この結果、少なくとも従来のパッケージに
大きな半導体素子を収−納しなければならない。
これらの目的を達成するため、実装基板に実装するため
のリード間隔は規定の寸法でのままとする一方、樹脂封
止部を大きくする手法が考えられる。
しかし、この手法では、第7図に示すように、レジン等
の封止材1とリード2との間に、リート2の折り曲げ時
の応力(ストレス)が作用してパッケージにダメージを
与え、リード2の封止材1に覆われているインナ一部(
以下、インナーリードという)2Aと封止材1との界面
に隙間Sが発生し、耐湿性の信頼度に重大な影響を及ぼ
すことがわかった。
これらの改善策として、第8図に示すように。
リード2の封止材1に覆われていない部分(以下、アウ
ターリードという)2Bの折り曲げ部2Cを曲げ易くす
るために、アウターリード2Bに切り欠き又は貫通孔等
の応力集中部2Dを設けることが考えられる。これは特
開昭52−52370号公報に示されるように、ガラス
封止型半導体装置において用いられるリードフレームで
ある。あるいは、インナーリード2Aのアウタリード2
Bに近い部分に、突起部2Eを設けている。なお、第8
図において、3は半導体ペレット、4はポンディングパ
ッド、5は金(Au)線等のボンディングワイヤ、6は
タブ、6Aはタブ吊りリードである。
しかし、前記のようにリー82を構成しても、リード2
が剛体であり、かつ、直線部分が多いために、リード2
に外部応力や温度サイクル等の熱応力が加わると、封止
材とり一ド2との境界面に隙間ができたり、封止部に亀
裂ができることがある。
そこで、その解決策として、第9図に示すように、リー
ド2のインナーリード2Aの複数個所にくびれ部7等の
応力集中部又はひっかけ部8を設けたことにより、該リ
ード2に外部応力や温度サイクル等の熱応力が加わって
も、封止材とり−ド2との境界面に隙間が発生したり、
封止部に亀裂が発生したりすることを防止し、半導体装
置の信頼性の向−ヒ及び長寿命化をはかったもの(特願
昭59−116374号を参照)が提案されている。
しかしながら、本発明者は、かかる技術を検討した結果
、前記技術手段では、半導体装置の高集積化、高機能化
が進むにつれてインナーリードのパターンが複雑となり
、その製作が困難であることを見い呂した。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、リードに外部応力や温度サイクル等の
熱応力が加わっても、封止材とリードとの境界面に隙間
が発生したり、封止材に亀裂が発生したりすることを防
止して、半導体装置の信頼性の向上及び長寿命化をはか
ることができ、かつその製作が容易にできる技術手段を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。     
                     1・、す
なわち、半導体装置におけるリードの封止部分の所定位
置に、その厚さ方向の凹凸部を設けて。
リードに外部応力や温度サイクル等の熱応力が加わって
も、封止材とリードとの境界面に隙間が発生したり、封
止材に亀裂が発生したりすることを防止することにより
、半導体装置の信頼性の向上及び長寿命化をはかること
ができ、かつその製作が容易にできるようにしたもので
ある。
以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する
〔実施例〕
第1図及び第2図は1本発明を樹脂封止型半導体装置に
適用した一実施例の構成を説明するための図であり、第
1図は、この樹脂封止型半導体装置の封止材を取り外し
たインナーリードの形状を示す平面図、第2図は、第1
図の■−■切断線における断面図である。
第1図及び第2図において、第4図と同一機能を有する
ものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する
第1図及び第2図において、10はインナーリード2A
の所定位置に設けられたその厚さ方向の凹凸部であり、
例えば、第3図乃至第6図に示すような形状になってい
る。この凹凸部10は、レジン等の封止材1内にくいこ
んで、リード2に外部応力や温度サイクル等の熱応力が
加わってインナーリート2Aが動こうとしても、前記凹
凸部10が封止材1にひっかかって動かないようになっ
ている。また、この凹凸部10の部分は外部応力や温度
サイクル等の熱応力を吸収する役目もする。
前記凹凸部10をインナーリード2Aのそれぞれの複数
個所に設けて、リード2をさらに強固に固定することも
できる。
前述のことかられかるように、本実施例によれば、イン
ナーリード2Aの所定位置にその厚さ方向の凹凸部lO
を設けて、リード2に外部応力や温度サイクル等の熱応
力が加わっても、凹凸部10が封止材にひっかかり、そ
の部分で応力を吸収し、インナーリード2Aの少なくと
もボンディング領域が動かないようにしたので、封止材
とり一ドとの境界面に隙間が発生したり、封止部に亀裂
が発生したりすることを防止することができる。
〔効果〕
以上説明したように、本願で開示した新規な技術手段に
よれば、次のような効果を得ることができる。
(1)半導体装置におけるリードのインナーリードの1
個所以上の位置に、その部の厚さ方向の凹凸部を設ける
ことにより、該リードに外部応力や温度サイクル等の熱
応力が加わっても、凹凸部が↑゛11止材っかかり、そ
の部分で応力を吸収し、インナーリードの少なくともボ
ンディング領域が動かないようにしたので、封止材とリ
ードとの境界面に隙間が発生したり、封止部に亀裂が発
生したりすることを防止することができる。
(2)前記(1)により、半導体装置の信頼性の向上及
び長寿命化をはかることができる。
(3)前記(1)により、高集積化、高機能化された半
導体装置用のインナーリードパターンを簡単に製作する
ことができる。
以上、本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
はいうまでもない6例えば、前記凹凸部の形状は、前記
説明した機能を果すものであればどのようなものでもよ
い。    ゛また、これらを設ける位置は必要に応じ
て決定されるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は、本発明を樹脂封止型半導体装置に
適用した一実施例の構成を説明するための図であり、 第1図は、この樹脂封止型半導体装置の封止材を取り外
したインナーリードの形状を示す平面図、第2図は、第
1図の■−■切断線における断面図、 第3図乃至第6図は、本実施例のインナーリードに設け
られた凹凸部の実施例を示す斜視図、第7図乃至第9図
は、半導体装置用リードの問題点を説明するための図で
ある。 図中、1・・・封止材、2・・・リード、2A・・・イ
ンナーリード、3・・半導体ペレット、4・・・ボンデ
ィングパット、5・・ホンディングワイヤ、6・・タブ
。 6A・・・タブ吊りリード、10・・・凹凸部である。 第  1  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体装置におけるリードの封止部分の所定位置に
    厚さ方向の凹凸部を設けたことを特徴とする半導体装置
JP59233207A 1984-11-07 1984-11-07 半導体装置 Pending JPS61112360A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59233207A JPS61112360A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59233207A JPS61112360A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61112360A true JPS61112360A (ja) 1986-05-30

Family

ID=16951431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59233207A Pending JPS61112360A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61112360A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4862246A (en) Semiconductor device lead frame with etched through holes
US4943843A (en) Semiconductor device
JPH07161911A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS60261161A (ja) 半導体装置
US5886405A (en) Semiconductor device package having inner leads with slots
JPS6216553B2 (ja)
JPS61112360A (ja) 半導体装置
JPS611042A (ja) 半導体装置
JPH0685133A (ja) 半導体集積回路装置
JP3747991B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0233961A (ja) リードフレーム
JPS5812736B2 (ja) ジユシフウシガタハンドウタイソウチ
JPS63108761A (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR200148653Y1 (ko) 반도체의 리벳 히트싱크 패키지
KR200295664Y1 (ko) 적층형반도체패키지
KR0176113B1 (ko) 내부리이드의 말단부가 수직 절곡된 리드프레임과 이를 이용한 반도체 패키지
JPH02250338A (ja) 半導体装置
KR19980078723A (ko) 히트싱크를 갖는 고전력 패키지
KR100460072B1 (ko) 반도체패키지
JPH01206652A (ja) 半導体装置
JPS61267333A (ja) 半導体装置
KR19980016831U (ko) 반도체 패키지
KR100195506B1 (ko) 범용성을 갖는 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지
JPS61128551A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP2771475B2 (ja) 半導体装置