JPS61112254A - 半導体電子デイスクシステム - Google Patents
半導体電子デイスクシステムInfo
- Publication number
- JPS61112254A JPS61112254A JP59232420A JP23242084A JPS61112254A JP S61112254 A JPS61112254 A JP S61112254A JP 59232420 A JP59232420 A JP 59232420A JP 23242084 A JP23242084 A JP 23242084A JP S61112254 A JPS61112254 A JP S61112254A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- data
- circuit
- disk
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体記憶素子を用いた半導体電子ディスクシ
ステムに関するもので、特にデータの高信頼性のための
データ二重書きに関するものである。
ステムに関するもので、特にデータの高信頼性のための
データ二重書きに関するものである。
−・わゆる電子計算機と呼ばれる情報処理システムにお
いて、その構成要素となる中央処理装置及び主記憶装置
は近年、その性能をめざましく向上させてきている。こ
れは前記各装置を構成する論理素子や記憶素子の高速化
、高集積化、システム内のデータ転送幅のワイド化によ
る。なかでも記憶素子の近年の大容量化、低価格化は著
し℃・。
いて、その構成要素となる中央処理装置及び主記憶装置
は近年、その性能をめざましく向上させてきている。こ
れは前記各装置を構成する論理素子や記憶素子の高速化
、高集積化、システム内のデータ転送幅のワイド化によ
る。なかでも記憶素子の近年の大容量化、低価格化は著
し℃・。
一方、前記情報処理/ステムにおいて外部補助記憶装置
の主たる地位を築いている磁気ディスク装置は大容量化
が進んではいるものの高速化の伸びは、前記中央処理装
置及び主記憶装置に比べ著しく低いものである。
の主たる地位を築いている磁気ディスク装置は大容量化
が進んではいるものの高速化の伸びは、前記中央処理装
置及び主記憶装置に比べ著しく低いものである。
このため、磁気ディスク装置の性能が前記情報処理シス
テムの性能に多大な影響を与えている。
テムの性能に多大な影響を与えている。
上記状況を鑑み、前記主記憶装置に用いられている半導
体素子の大容量化、低価格に着目し、磁気ディスク装置
のかわりに上記半導体素子による半導体電子ディスク装
置も使用可能にした外部補助記憶ソステム、即ち半導体
電子ディスクシステムが考えられた。
体素子の大容量化、低価格に着目し、磁気ディスク装置
のかわりに上記半導体素子による半導体電子ディスク装
置も使用可能にした外部補助記憶ソステム、即ち半導体
電子ディスクシステムが考えられた。
本発明は、前記半導体電子ディスクシステムに含まれる
半導体電子ディスク装置において、半導体記憶回路を二
重化することにより、高信頼性半導体電子ディスクシス
テムを提供することを目的とする。
半導体電子ディスク装置において、半導体記憶回路を二
重化することにより、高信頼性半導体電子ディスクシス
テムを提供することを目的とする。
本発明によれば、チャネルに接続されるチャネルインタ
フェース回路を少なくとも一つ有する基本ディレクタ装
置と、該基本ディレクタ装置に接続される半導体電子デ
ィスク装置と、該半導体電子ディスク装置のデータが退
避される磁気ディスク装置と、上記半導体電子ディスク
装置と上記磁気ディスク装置との間でデータの退避及び
復帰を行う退避制御回路とを有し、上記半導体電子ディ
スク装置は、上記基本ディレクタ装置に接続される少な
くとも一つのデバイスインタフェース回路2二り と、複會組の半導体記憶回路と、上記デバイスインタフ
ェース回路を介し、上記基本ディレクタ装置と上記二組
の半導体記憶回路との間のデータ転送及び上記二組の半
導体記憶回路へのデータの書込み及び読出し制御を行う
半導体ディスク制御回路とを有することを特徴とする半
導体電子ディスクシステムが得られる。
フェース回路を少なくとも一つ有する基本ディレクタ装
置と、該基本ディレクタ装置に接続される半導体電子デ
ィスク装置と、該半導体電子ディスク装置のデータが退
避される磁気ディスク装置と、上記半導体電子ディスク
装置と上記磁気ディスク装置との間でデータの退避及び
復帰を行う退避制御回路とを有し、上記半導体電子ディ
スク装置は、上記基本ディレクタ装置に接続される少な
くとも一つのデバイスインタフェース回路2二り と、複會組の半導体記憶回路と、上記デバイスインタフ
ェース回路を介し、上記基本ディレクタ装置と上記二組
の半導体記憶回路との間のデータ転送及び上記二組の半
導体記憶回路へのデータの書込み及び読出し制御を行う
半導体ディスク制御回路とを有することを特徴とする半
導体電子ディスクシステムが得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
、・本発明
の理解を容易にするため、第2図に示した従来の半導体
電子ディスクシステムをまず説明する。電源投入により
システムの初期化が終わると、半導体ディスク制御回路
40は退避制御回路60を介して、磁気ディスク装置7
0かも退避データを吸上げ、半導体記憶回路50へ書込
む。この状態で半導体ディスダ装置はオンライン可能状
態となる。
の理解を容易にするため、第2図に示した従来の半導体
電子ディスクシステムをまず説明する。電源投入により
システムの初期化が終わると、半導体ディスク制御回路
40は退避制御回路60を介して、磁気ディスク装置7
0かも退避データを吸上げ、半導体記憶回路50へ書込
む。この状態で半導体ディスダ装置はオンライン可能状
態となる。
チャネル1と半導体電子ディスクンステム2とのデータ
転送は磁気ディスク装置による通常の外部補助記憶シス
テムと同様に行われる。
転送は磁気ディスク装置による通常の外部補助記憶シス
テムと同様に行われる。
電源切断時には、半導体ディスク制御回路40は、半導
体記憶回路50からデータを全て読出し。
体記憶回路50からデータを全て読出し。
退避制御回路60を介して磁気ディスク装置70へ退避
させたのち電源を落として動作を終了する。
させたのち電源を落として動作を終了する。
第1図は1本発明による半導体電子ディスクシステムに
含まれる半導体電子ディスク装置を示す。
含まれる半導体電子ディスク装置を示す。
まず、電源投入により、半導体ディスク制御回路40は
第2図のそれと同じように退避データをインタフェース
線401を介して、退避記憶装置5から吸上げ、データ
線402を介して半導体記憶回路51.52に書込む。
第2図のそれと同じように退避データをインタフェース
線401を介して、退避記憶装置5から吸上げ、データ
線402を介して半導体記憶回路51.52に書込む。
制御線404.405は半導体記憶回路51.52に対
する書込み指示線である。
する書込み指示線である。
ンタフェース回路30を介して基本ディレクタ装置3に
対し、復帰動作終了の報告をし、基本ディレクタ装置3
からの動作指示を待つ。
対し、復帰動作終了の報告をし、基本ディレクタ装置3
からの動作指示を待つ。
基本ディレクタ装置3からデータの書込み指示がデバイ
スインタフェース回路30を介して半導体ディスク制御
回路40へ届くと、半導体ディスク回路40は、書込み
指示に続いて送られてくる制御データより計算されたア
ドレスをアドレス線II O3にのせ、同じく書込み指
示に続いて送られてくる書込みデータをデータ線402
にのせ、書込み指示線404,405により半導体記憶
回路51.52に書込む。
スインタフェース回路30を介して半導体ディスク制御
回路40へ届くと、半導体ディスク回路40は、書込み
指示に続いて送られてくる制御データより計算されたア
ドレスをアドレス線II O3にのせ、同じく書込み指
示に続いて送られてくる書込みデータをデータ線402
にのせ、書込み指示線404,405により半導体記憶
回路51.52に書込む。
半導体ディスク制御回路40は、書込むべきデータを全
て書込むと、書込みと並行して作成l−だエラー検出訂
正コードを続けて書込み、書込み動作が終了すると、終
了をデバイスインタフェース回路30を介して、基本デ
ィレクタ装置3へ報告する。
て書込むと、書込みと並行して作成l−だエラー検出訂
正コードを続けて書込み、書込み動作が終了すると、終
了をデバイスインタフェース回路30を介して、基本デ
ィレクタ装置3へ報告する。
また、基本ディレクタ装置3からデータの読出し指示が
デバイスインタフェース回路3oを介して、半導体制御
回路40へ届くと、半導体ディスせ、これにより読出さ
れたデータ511をデータ選択回路80を介して受取り
、デバイスインタフェース回路30を介して基本ディレ
クタ装置3へ送る。
デバイスインタフェース回路3oを介して、半導体制御
回路40へ届くと、半導体ディスせ、これにより読出さ
れたデータ511をデータ選択回路80を介して受取り
、デバイスインタフェース回路30を介して基本ディレ
クタ装置3へ送る。
半導体ディスク制御回路4oは、読出すべきデータとそ
れに付随して書込まれているエラー検出訂正コードを読
出している間にエラー検出訂正コードの解読を行う。こ
の結果、エラーが検出されなければ、正常に読出したこ
とをデバイスインタフェース回路30を介して基本ディ
レクタ装置3に報告する。エラーを検出しそのエラーが
訂正可能なものであれば訂正可能エラーが発生したこと
をそのエラーが訂正不可能なものであれば訂正不可能エ
ラーが発生したことを同様にして、基本ディレクタ装置
3へ報告する。
れに付随して書込まれているエラー検出訂正コードを読
出している間にエラー検出訂正コードの解読を行う。こ
の結果、エラーが検出されなければ、正常に読出したこ
とをデバイスインタフェース回路30を介して基本ディ
レクタ装置3に報告する。エラーを検出しそのエラーが
訂正可能なものであれば訂正可能エラーが発生したこと
をそのエラーが訂正不可能なものであれば訂正不可能エ
ラーが発生したことを同様にして、基本ディレクタ装置
3へ報告する。
訂正不可能エラー発生報告を受けて、上位装置がメモリ
切替えを決断すると、基本ディレクタ装置3からデバイ
スインタフェース回路30を介して、メモリ切替指示が
半導体ディスク制御回路40へ届くと、半導体ディスク
制御回路40は制御線406により、データ選択回路8
0でのデータ線選択をデータ線511からデータ線52
1へ切替える。以上の説明は、半導体記憶回路51を主
、半導体記憶回路52を副とした場合について行われた
が、それは−例にすぎない。
切替えを決断すると、基本ディレクタ装置3からデバイ
スインタフェース回路30を介して、メモリ切替指示が
半導体ディスク制御回路40へ届くと、半導体ディスク
制御回路40は制御線406により、データ選択回路8
0でのデータ線選択をデータ線511からデータ線52
1へ切替える。以上の説明は、半導体記憶回路51を主
、半導体記憶回路52を副とした場合について行われた
が、それは−例にすぎない。
以上のように本発明によれば、半導体電子ディスク装置
内に二組の半導体記憶回路を持ち、書込みの際は、同時
に書込み、読出し時に訂正不可能エラーが発生した場合
、読出す半導体記憶回路を切替えることにより、エラー
を復旧することがで 1、!き、半導体電子ディスクシ
ステムの信頼性を高めることができる。
内に二組の半導体記憶回路を持ち、書込みの際は、同時
に書込み、読出し時に訂正不可能エラーが発生した場合
、読出す半導体記憶回路を切替えることにより、エラー
を復旧することがで 1、!き、半導体電子ディスクシ
ステムの信頼性を高めることができる。
以下余白
第1図は本発明の一実施例の主要部を示すブロック図、
第2図は従来の半導体電子ディスクシステムのブロック
図である。。 1・・チャネル、2・・・半導体電子ディスクンステム
、3・・・基本ディレクタ装置、4・・・半導体電子デ
ィスク装置、5・・・退避記憶装置、10・・・チャネ
ルインタフェース回路、30・・・デバイスインタフェ
ース回路、40・・・半導体ディスク制御回路。 50.51.52・・・半導体記憶回路、60・・・退
避制御回路、70・・・磁気ディスク装置。 第1図
第2図は従来の半導体電子ディスクシステムのブロック
図である。。 1・・チャネル、2・・・半導体電子ディスクンステム
、3・・・基本ディレクタ装置、4・・・半導体電子デ
ィスク装置、5・・・退避記憶装置、10・・・チャネ
ルインタフェース回路、30・・・デバイスインタフェ
ース回路、40・・・半導体ディスク制御回路。 50.51.52・・・半導体記憶回路、60・・・退
避制御回路、70・・・磁気ディスク装置。 第1図
Claims (1)
- 1、チャネルに接続されるチャネルインタフェース回路
を少なくとも一つ有する基本ディレクタ装置と、該基本
ディレクタ装置に接続される半導体電子ディスク装置と
、該半導体電子ディスク装置のデータが退避される磁気
ディスク装置と、上記半導体電子ディスク装置と上記磁
気ディスク装置との間でデータの退避及び復帰を行う退
避制御回路とを有し、上記半導体電子ディスク装置は、
上記基本ディレクタ装置に接続される少なくとも一つの
デバイスインタフェース回路と、二組の半導体記憶回路
と、上記デバイスインタフェース回路を介し、上記基本
ディレクタ装置と上記二組の半導体記憶回路との間のデ
ータ転送及び上記二組の半導体記憶回路へのデータの書
込み及び読出し制御を行う半導体ディスク制御回路とを
有することを特徴とする半導体電子ディスクシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59232420A JPS61112254A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | 半導体電子デイスクシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59232420A JPS61112254A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | 半導体電子デイスクシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61112254A true JPS61112254A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16938974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59232420A Pending JPS61112254A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | 半導体電子デイスクシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61112254A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03130824A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Nec Corp | データ処理方式 |
US5991859A (en) * | 1994-06-23 | 1999-11-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor storage device having on-the-fly adaptable storage capacity |
-
1984
- 1984-11-06 JP JP59232420A patent/JPS61112254A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03130824A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Nec Corp | データ処理方式 |
US5991859A (en) * | 1994-06-23 | 1999-11-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor storage device having on-the-fly adaptable storage capacity |
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