JPS61110767A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPS61110767A JPS61110767A JP23053384A JP23053384A JPS61110767A JP S61110767 A JPS61110767 A JP S61110767A JP 23053384 A JP23053384 A JP 23053384A JP 23053384 A JP23053384 A JP 23053384A JP S61110767 A JPS61110767 A JP S61110767A
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- Japan
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- reaction gas
- gas
- tungsten hexafluoride
- temperature
- monosilane
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＶＤ装置に係わり、特にモノシランと六弗化
タングステンのガスによってタングステンシリサイドを
形成するＣＶＤ装置において、モノシランと六弗化タン
グステンのガスの噴出装置に冷却機構として例えば水冷
機構を設け、該噴出装置の温度上昇を抑止するようにし
た反応ガスの噴出機構に関するものである。
タングステンのガスによってタングステンシリサイドを
形成するＣＶＤ装置において、モノシランと六弗化タン
グステンのガスの噴出装置に冷却機構として例えば水冷
機構を設け、該噴出装置の温度上昇を抑止するようにし
た反応ガスの噴出機構に関するものである。
第５図は従来のＣＶＤ装置を説明するための断面図であ
る。
る。
タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）をＣＶＤ法で形成
するものとし１、この場合は加熱された基板の表面にモ
ノシラン（ＳｉＨ４）と六弗化タングステン（ＷＦ６
）のガス雰囲気でタングステンシリサイド膜を形成する
。
するものとし１、この場合は加熱された基板の表面にモ
ノシラン（ＳｉＨ４）と六弗化タングステン（ＷＦ６
）のガス雰囲気でタングステンシリサイド膜を形成する
。
反応容器１があり、噴射装置２に取りつけられた配管３
からモノシランガスを、配管４から六弗化タングステン
が供給されるが、反応ガスのそれぞれにガスの流量制御
装置が設けられており、これによって制御された反応ガ
スが噴射孔５がらモノシランガスを、噴射孔６から六弗
化タングステンが噴射されるもので、噴射されたこれら
の反応ガスは、加熱装置７上に置かれた基板８と反応し
て、基板上にタングステンシリサイドの成膜が行われる
。
からモノシランガスを、配管４から六弗化タングステン
が供給されるが、反応ガスのそれぞれにガスの流量制御
装置が設けられており、これによって制御された反応ガ
スが噴射孔５がらモノシランガスを、噴射孔６から六弗
化タングステンが噴射されるもので、噴射されたこれら
の反応ガスは、加熱装置７上に置かれた基板８と反応し
て、基板上にタングステンシリサイドの成膜が行われる
。
反応ガスの一定流量に制御するために、反応ガスの廃棄
孔９が容器の底部に設けられている。
孔９が容器の底部に設けられている。
従来の方法では、基板上に成膜されるタングステンシリ
サイド膜の抵抗と膜厚の分布を制御するためには、反応
ガスのそれぞれに設けられたガスの流量制御装置を加減
して反応ガスの流量を制御することによって行っていた
。
サイド膜の抵抗と膜厚の分布を制御するためには、反応
ガスのそれぞれに設けられたガスの流量制御装置を加減
して反応ガスの流量を制御することによって行っていた
。
一方、ノズル４から噴射される六弗化タングステンのガ
スは、温度が２００〜３００℃程度の比較的低温でも分
解してしまう性質があり、従ってガス噴出孔６の温度が
２００〜３００℃程度になると、六弗化タングステンの
ガスは容器内でモノシランガスと反応をする前に分解し
てしまい、所望のタングステンシリサイドが得られない
という欠点がある。
スは、温度が２００〜３００℃程度の比較的低温でも分
解してしまう性質があり、従ってガス噴出孔６の温度が
２００〜３００℃程度になると、六弗化タングステンの
ガスは容器内でモノシランガスと反応をする前に分解し
てしまい、所望のタングステンシリサイドが得られない
という欠点がある。
このように六弗化タングステンのガスの温度の制御をし
ないで、単に反応ガスの流量の制御を行うだけでは良質
のタングステンシリサイドの膜を得ることは回能である
。
ないで、単に反応ガスの流量の制御を行うだけでは良質
のタングステンシリサイドの膜を得ることは回能である
。
この対策として、六弗化タングステンの労スの噴出孔〇
の温度を２００〜３００℃以下にするように、加熱され
ている基板を反応ガスの噴出孔から引き離して、噴出孔
の温度が上昇しないようにしている、必ずしも成果が十
分でな（改善が要望されている。
の温度を２００〜３００℃以下にするように、加熱され
ている基板を反応ガスの噴出孔から引き離して、噴出孔
の温度が上昇しないようにしている、必ずしも成果が十
分でな（改善が要望されている。
上記の構成の、モノシランと六弗化タングステンのガス
によってタングステンシリサイドを形成するＣＶＤ装置
においては、モノシランと六弗化タングステンのガスの
噴出部分で、特に六弗化タングステンのガスの噴出部分
の温度が上昇することにより、六弗化タングステンのガ
スが分解してしまうのが問題点であり、そのために、所
望の成膜が得られ内という不具合を生ずる。
によってタングステンシリサイドを形成するＣＶＤ装置
においては、モノシランと六弗化タングステンのガスの
噴出部分で、特に六弗化タングステンのガスの噴出部分
の温度が上昇することにより、六弗化タングステンのガ
スが分解してしまうのが問題点であり、そのために、所
望の成膜が得られ内という不具合を生ずる。
本発明は上記問題点を解消したＣＶＤ装置を提供するも
ので、その手段は、反応容器と、該反応容器に設けられ
た反応ガスの供給孔と、反応ガスの廃棄孔と、基板加熱
装置を備えたＣＶＤ装置において、該反応ガスの噴出部
分の配管部に冷却機構を設け、該噴出部の温度上界を抑
止するようにしたことを特徴とするＣＶＤ装置によって
達成できる。
ので、その手段は、反応容器と、該反応容器に設けられ
た反応ガスの供給孔と、反応ガスの廃棄孔と、基板加熱
装置を備えたＣＶＤ装置において、該反応ガスの噴出部
分の配管部に冷却機構を設け、該噴出部の温度上界を抑
止するようにしたことを特徴とするＣＶＤ装置によって
達成できる。
本発明は、モノシランと六弗化タングステンのガスによ
ってタングステンシリサイドを形成するＣＶＤ装置にお
いて、特に六弗化タングステンのガスの噴出部分の温度
が上昇することにより、六弗化タングステンのガスが分
解してしまうために、所望のタングステンシリサイドの
成膜が得られないという不具合を生ずるので、上記反応
ガスの噴出部分に水冷配管を設け、その噴出部分の温度
上昇を抑止することで、六弗化タングステンガスの分解
を防止しゼ正常な反応ガスによるＣＶＤを行う装置を考
慮したものである。
ってタングステンシリサイドを形成するＣＶＤ装置にお
いて、特に六弗化タングステンのガスの噴出部分の温度
が上昇することにより、六弗化タングステンのガスが分
解してしまうために、所望のタングステンシリサイドの
成膜が得られないという不具合を生ずるので、上記反応
ガスの噴出部分に水冷配管を設け、その噴出部分の温度
上昇を抑止することで、六弗化タングステンガスの分解
を防止しゼ正常な反応ガスによるＣＶＤを行う装置を考
慮したものである。
第１図は、本発明の実施例であるＣＶＤ装置の反応ガス
の噴射装置の要部を説明するための断面図を示す。
の噴射装置の要部を説明するための断面図を示す。
タングステンシリサイドの成膜の一例として、タングス
テンシソサイドの膜厚を３０００人を形成した後、１０
００℃でアニールを行った比抵抗を５＊１〇−５Ωｃｍ
程度で成膜を行うとする。
テンシソサイドの膜厚を３０００人を形成した後、１０
００℃でアニールを行った比抵抗を５＊１〇−５Ωｃｍ
程度で成膜を行うとする。
反応ガスの供給装置におけるモノシランの流入孔１１と
、六弗化タングステン１２の供給孔が同軸状に設けてあ
り、モノシランは噴出孔１３、六弗化タングステンは噴
出孔１４から反応ガスが噴射されるものとする。
、六弗化タングステン１２の供給孔が同軸状に設けてあ
り、モノシランは噴出孔１３、六弗化タングステンは噴
出孔１４から反応ガスが噴射されるものとする。
本発明は、それぞれの反応ガスの温度を低温、且つ一定
に保持するために、一定温度の冷却水を用いて反応ガス
の配管系を冷却するもので、反応ガス噴出装置に設けら
れた冷却水路１５に矢印のように一定温度の冷却水を流
すことにより反応ガスの温度が制御される。
に保持するために、一定温度の冷却水を用いて反応ガス
の配管系を冷却するもので、反応ガス噴出装置に設けら
れた冷却水路１５に矢印のように一定温度の冷却水を流
すことにより反応ガスの温度が制御される。
冷却水は、噴射装置に供給される前に温度と水量が制御
装置（Ｗ、Ｔ、Ｃ）によって適量と所定温度に制御され
、給水孔１６から流入され、排水孔１７から排水される
ものである。
装置（Ｗ、Ｔ、Ｃ）によって適量と所定温度に制御され
、給水孔１６から流入され、排水孔１７から排水される
ものである。
このように冷却水で噴射孔を水冷することにより、噴射
孔の六弗化タングステンガスは５０°Ｃ以下になり、従
って六弗化タングステンガスがシランと反応する以前に
分解する恐れがなく、膜厚と膜質が均一であり且つ比抵
抗の小なる成膜ができるようになる。
孔の六弗化タングステンガスは５０°Ｃ以下になり、従
って六弗化タングステンガスがシランと反応する以前に
分解する恐れがなく、膜厚と膜質が均一であり且つ比抵
抗の小なる成膜ができるようになる。
通常、このようなＣＶＤ装置によって形成されたタング
ステンシリサイドの膜は、成膜の後工程で約１０００℃
のアニールが行われ、比抵抗が更に小になるもので、成
膜直後の比抵抗が７＊１０−’Ωｃｍ程度であるが、こ
のアニールを行うことにより、５’ｋｌＯ−５Ωｃｍに
なり、約１桁の減少になる。
ステンシリサイドの膜は、成膜の後工程で約１０００℃
のアニールが行われ、比抵抗が更に小になるもので、成
膜直後の比抵抗が７＊１０−’Ωｃｍ程度であるが、こ
のアニールを行うことにより、５’ｋｌＯ−５Ωｃｍに
なり、約１桁の減少になる。
第２図は、タングステンシリサンドを成膜する際に、六
弗化タングステンを一定にしてモノシランの流量を変化
した時の膜厚の変化を示したものであり、第３図は、タ
ングステンシリサンドを成膜する際にモノシランを一定
にして六弗化タングステンの流量を変化した時の膜厚の
変化を示したものであるが、これらの図から六弗化タン
グステンのガス量が、タングステンシリサイドの成膜に
大きく影響することが判り、それだけに六弗化タングス
テンのガス量の制御が重要になる。
弗化タングステンを一定にしてモノシランの流量を変化
した時の膜厚の変化を示したものであり、第３図は、タ
ングステンシリサンドを成膜する際にモノシランを一定
にして六弗化タングステンの流量を変化した時の膜厚の
変化を示したものであるが、これらの図から六弗化タン
グステンのガス量が、タングステンシリサイドの成膜に
大きく影響することが判り、それだけに六弗化タングス
テンのガス量の制御が重要になる。
第４図は、冷却水の水温の変化によるタングステンシリ
サイドの膜厚との特性図であるが、水温の温度管理によ
り成膜の厚みが極めて敏感に影響していることが明瞭で
ある。
サイドの膜厚との特性図であるが、水温の温度管理によ
り成膜の厚みが極めて敏感に影響していることが明瞭で
ある。
以上詳細に説明したように本発明のＣＶＤ装置は、特に
タングステンシリサイドを形成する際の膜質、膜厚、比
抵抗等の改善に供し得るものであり、効果大なるものが
ある。
タングステンシリサイドを形成する際の膜質、膜厚、比
抵抗等の改善に供し得るものであり、効果大なるものが
ある。
第１図は、本発明の実施例であるＣＶＤ装置の反応ガス
の噴射装置の要部の説明するための断面図、 第２図は、タングステンシリサンドを成膜する際の六弗
化タングステンを一定にしてモノシランの流量を変化し
た時の膜厚の変化を示す特性図、第３図はタングステン
シリサンドを成膜する際のモノシランを一定にして六弗
化タングステンの流量を変化した時の膜厚の変化を示す
特性図、第４図は水温による成膜の膜厚を示す特性図、
第５図は従来のＣＶＤ装置を説明するための断面図、 図において、１１はモノシランの供給孔、１２は六弗化
タングステンの供給孔、１３はモノシランの噴出孔、１
４は六弗化タングステンの噴出孔、１５は一定温度の冷
却水の通路、１６は冷却水の給水孔、１７は冷却水の排
水孔をそれぞれ示す。 第１図
の噴射装置の要部の説明するための断面図、 第２図は、タングステンシリサンドを成膜する際の六弗
化タングステンを一定にしてモノシランの流量を変化し
た時の膜厚の変化を示す特性図、第３図はタングステン
シリサンドを成膜する際のモノシランを一定にして六弗
化タングステンの流量を変化した時の膜厚の変化を示す
特性図、第４図は水温による成膜の膜厚を示す特性図、
第５図は従来のＣＶＤ装置を説明するための断面図、 図において、１１はモノシランの供給孔、１２は六弗化
タングステンの供給孔、１３はモノシランの噴出孔、１
４は六弗化タングステンの噴出孔、１５は一定温度の冷
却水の通路、１６は冷却水の給水孔、１７は冷却水の排
水孔をそれぞれ示す。 第１図
Claims (1)
- 反応容器と、該反応容器に設けられた反応ガスの供給
孔と、反応ガスの廃棄孔と、基板加熱装置を備えたＣＶ
Ｄ装置において、該反応ガスの噴出部分の配管部に冷却
機構を設け、該噴出部の温度上昇を抑止するようにした
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23053384A JPS61110767A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23053384A JPS61110767A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110767A true JPS61110767A (ja) | 1986-05-29 |
Family
ID=16909234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23053384A Pending JPS61110767A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110767A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383275A (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
| JPH07278816A (ja) * | 1994-12-14 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
| WO2002018680A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-03-07 | Aixtron Ag | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden insbesondere kristalliner schichten auf insbesondere kristallinen substraten |
| WO2006125777A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Lpe Spa | Device for introducing reaction gases into a reaction chamber and epitaxial reactor which uses said device |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP23053384A patent/JPS61110767A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383275A (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
| JPH07278816A (ja) * | 1994-12-14 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
| WO2002018680A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-03-07 | Aixtron Ag | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden insbesondere kristalliner schichten auf insbesondere kristallinen substraten |
| WO2006125777A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Lpe Spa | Device for introducing reaction gases into a reaction chamber and epitaxial reactor which uses said device |
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