JPS61109053A - 投影光学装置 - Google Patents
投影光学装置Info
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- JPS61109053A JPS61109053A JP59228914A JP22891484A JPS61109053A JP S61109053 A JPS61109053 A JP S61109053A JP 59228914 A JP59228914 A JP 59228914A JP 22891484 A JP22891484 A JP 22891484A JP S61109053 A JPS61109053 A JP S61109053A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、所定の像を投影する投影光学装置にかかるも
のであり、特に、その光学的特性の変化の検出化量する
ものである。
のであり、特に、その光学的特性の変化の検出化量する
ものである。
ラフイ装置として使用される縮小投影型露光装置C以下
単に「ステッパ」という)では、近年の生産性増強の要
求によりスループットが向上し、このため、単位時間内
に投影光学系を通過する露光光も増加している。この露
光光のエネルギーの一部は、投影光学系のレンズに吸収
されて熱となシ、レンズの屈折率や形状等に変化を与え
ることになる。かかる熱による光学系の変化が一足取1
になると、焦点位曾や結像倍率などの結像特性に無視し
得ない影響を与えることkなる。
単に「ステッパ」という)では、近年の生産性増強の要
求によりスループットが向上し、このため、単位時間内
に投影光学系を通過する露光光も増加している。この露
光光のエネルギーの一部は、投影光学系のレンズに吸収
されて熱となシ、レンズの屈折率や形状等に変化を与え
ることになる。かかる熱による光学系の変化が一足取1
になると、焦点位曾や結像倍率などの結像特性に無視し
得ない影響を与えることkなる。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであシ、その
目的は、光学系の光学特性の変化を随時検出することが
できる投影光学装置を提供することである。
目的は、光学系の光学特性の変化を随時検出することが
できる投影光学装置を提供することである。
本発明の他の目的は、検出した光学特性の変化を是正す
ることができる投影光学装置を提供することである。
ることができる投影光学装置を提供することである。
本発明は、結像光学系に所定の偏光のモニター光束を入
射する手段と、結像光学系を通過したモニター光束を受
光し、これを電気信号に変換する光電検出手段と、この
手段の出力に基づいて結像光学系の光学特性の変化を検
出する検出手段とを含むことを特徴とするものである。
射する手段と、結像光学系を通過したモニター光束を受
光し、これを電気信号に変換する光電検出手段と、この
手段の出力に基づいて結像光学系の光学特性の変化を検
出する検出手段とを含むことを特徴とするものである。
結像光学系(投影レンズL)に熱的要因により光学特性
の変化が生ずると、入射手段(光源14゜30、50.
70.偏光板16.32.52.鏡181°66゜54
.74)によって結像光学系に入射したモニター光束(
MB)が複屈折により影響を受ける。これが光電検出手
段(光センサ24.42,58,84)によって電気信
号に変換され、更には検出手段(演算装ft26,44
.60)によって光学特性のダ化が検出される。
の変化が生ずると、入射手段(光源14゜30、50.
70.偏光板16.32.52.鏡181°66゜54
.74)によって結像光学系に入射したモニター光束(
MB)が複屈折により影響を受ける。これが光電検出手
段(光センサ24.42,58,84)によって電気信
号に変換され、更には検出手段(演算装ft26,44
.60)によって光学特性のダ化が検出される。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について、添付図面を参照的なが
ら詳細に説明する。
ら詳細に説明する。
第1図には、本発明にかかる投影光学装置の第1実施例
が示されている。この図において、露光対象であるウニ
/N Wは、x、 y、 z方向に移動可能なステージ
10上に載置されている。このステージ10は、X#Y
方向に移動可能なXYステージ10Aと、2方向に移動
可能な2ステージ10Bとによって構成されている。
が示されている。この図において、露光対象であるウニ
/N Wは、x、 y、 z方向に移動可能なステージ
10上に載置されている。このステージ10は、X#Y
方向に移動可能なXYステージ10Aと、2方向に移動
可能な2ステージ10Bとによって構成されている。
ウェハW上には、投影レンズLが配置されており、この
投影レンズLの上方には、マスク(ナイしはレチクル)
Mを介して露光照明用のコンデンサレンズ12が配置さ
れている。
投影レンズLの上方には、マスク(ナイしはレチクル)
Mを介して露光照明用のコンデンサレンズ12が配置さ
れている。
露光光は、コンデンサレンズ12の上方からコンデンサ
レンズ12に入射し、更には、マスクMをa過して投影
レンズL、に入射する。この露光光は、投影レンズLの
入射瞳epを通ってウニ)s Wに達し、マスクMのパ
ターンがウニ/%W上に投影されることとなる。この露
光光束は、破1jAtで示されている。
レンズ12に入射し、更には、マスクMをa過して投影
レンズL、に入射する。この露光光は、投影レンズLの
入射瞳epを通ってウニ)s Wに達し、マスクMのパ
ターンがウニ/%W上に投影されることとなる。この露
光光束は、破1jAtで示されている。
次に、光学特性の検出系について説明するO投影レンズ
Lの近傍上方には、光源14が設けられており、この光
源14から射出されたモニター光束MBは、第10偏光
板16及び′418を介して投影レンズLの入射11e
pに入射するようになっている。また、投影レンズLを
透過したモニター光束MBは、第2の鏡20及び偏光板
22を介して光センサ24に入射するようになっている
。これらの装置のうち、WA18.20は光路を変更し
てモニター光束Mlが投影レンズL内を通過させるもの
で、いずれも露光光束りをさえぎることがないようその
配電が考慮されている。偏光板16は、光源14のモニ
タ:光束MBを直線偏光するためのもので、偏光板22
は出力調整のために設けられている。すなわち、投影レ
ンズLIC露光光束tが入射されていない熱的に安定し
た状態において、偏光板22を回転し、光センサ24の
出力が最小となるようにする。
Lの近傍上方には、光源14が設けられており、この光
源14から射出されたモニター光束MBは、第10偏光
板16及び′418を介して投影レンズLの入射11e
pに入射するようになっている。また、投影レンズLを
透過したモニター光束MBは、第2の鏡20及び偏光板
22を介して光センサ24に入射するようになっている
。これらの装置のうち、WA18.20は光路を変更し
てモニター光束Mlが投影レンズL内を通過させるもの
で、いずれも露光光束りをさえぎることがないようその
配電が考慮されている。偏光板16は、光源14のモニ
タ:光束MBを直線偏光するためのもので、偏光板22
は出力調整のために設けられている。すなわち、投影レ
ンズLIC露光光束tが入射されていない熱的に安定し
た状態において、偏光板22を回転し、光センサ24の
出力が最小となるようにする。
次に、光センサ24は、後述する演nを行う演算装置2
6に接続されており、この演算装置26は、制御装置°
28を介して駆動モータ30に接続されている。この1
IAlthモータ60は、2ステージ10Bを上下方向
すなわち2方向に移動させるためのものである。
6に接続されており、この演算装置26は、制御装置°
28を介して駆動モータ30に接続されている。この1
IAlthモータ60は、2ステージ10Bを上下方向
すなわち2方向に移動させるためのものである。
次に、上記実施例の全体的動作について説明する。まず
、上述したように、偏光板22を回転させて光センサ2
4の出力が最小となるように調査を行う。この後に、露
光光束tが投影レンズLに入射され、この光束の一部が
吸収されて温度が上昇すると、投影レンズLの光学的特
性が変化する。
、上述したように、偏光板22を回転させて光センサ2
4の出力が最小となるように調査を行う。この後に、露
光光束tが投影レンズLに入射され、この光束の一部が
吸収されて温度が上昇すると、投影レンズLの光学的特
性が変化する。
詳述すると、投影レンズL内の光学素子に歪みが生じて
いない場合には、当社の状態が保存されており、直線偏
光又は円偏光さnた光は、そのままの偏光で投影レンズ
Lを通瀞することとなる。
いない場合には、当社の状態が保存されており、直線偏
光又は円偏光さnた光は、そのままの偏光で投影レンズ
Lを通瀞することとなる。
しかしながら、露光光束の一部吸収による発、熱がある
と、光学素子に歪みが生ずるようになり、こ過する光M
Bは楕円偏光となる。この楕円の程度は、光学素子の歪
みの大きさと一義的な関係にある。
と、光学素子に歪みが生ずるようになり、こ過する光M
Bは楕円偏光となる。この楕円の程度は、光学素子の歪
みの大きさと一義的な関係にある。
楕円偏光されたモニター光束MBは、偏光板22で直線
偏光に変換されるが、変換後の光強度は、楕円の程度す
なわち光学素子の歪みの程度に対応している。かかる光
強度に対応する信号が光センサ24から出力これる。
偏光に変換されるが、変換後の光強度は、楕円の程度す
なわち光学素子の歪みの程度に対応している。かかる光
強度に対応する信号が光センサ24から出力これる。
第2図(5)には、投影レンズLK露光光束tを入射さ
せたときの焦点Fの変化ΔFが示されている。
せたときの焦点Fの変化ΔFが示されている。
!た、同図(B)には、かかる焦点Fの変化に対応する
光センサ24の出力Sが示されている。4≠ミ(A)、
(B)において、時刻toないし1.では、露光光点軍
の変イヒはなく、ΔFはゼロである。他方、光センサ2
4の出力Sは、投影レンズLの残留歪の値に対応した1
isoとなっている。
光センサ24の出力Sが示されている。4≠ミ(A)、
(B)において、時刻toないし1.では、露光光点軍
の変イヒはなく、ΔFはゼロである。他方、光センサ2
4の出力Sは、投影レンズLの残留歪の値に対応した1
isoとなっている。
次に、時刻t1において投影レンズLに単位時間当り一
定債の露光光束tが入射されたとすると、温度上昇によ
り光学特性が質化し、投影レンズLの焦点Fは、曲線f
、に旧って変化する。このため、光センサ24の出力S
は、曲線hK沿って曲線f里にほぼ比例して変化するこ
ととなる。そして、一定時間が経過−rると、焦点Fは
一定状態となり、光センサ24の出力Sも一定状態とな
る。すなわち、焦点Fは、Δ2増大し、出力SはΔS増
大することとなる。
定債の露光光束tが入射されたとすると、温度上昇によ
り光学特性が質化し、投影レンズLの焦点Fは、曲線f
、に旧って変化する。このため、光センサ24の出力S
は、曲線hK沿って曲線f里にほぼ比例して変化するこ
ととなる。そして、一定時間が経過−rると、焦点Fは
一定状態となり、光センサ24の出力Sも一定状態とな
る。すなわち、焦点Fは、Δ2増大し、出力SはΔS増
大することとなる。
次に、時刻−で露光光束tの投影レンズLに対する入射
が終わると、温度も下がりけじめ、投影レンズLの焦点
Fは曲Hfsに沿って変化し、光センサ24の出力Sも
曲Hfsに沿って曲線f2にほぼ比例しながら変化する
こととなる。
が終わると、温度も下がりけじめ、投影レンズLの焦点
Fは曲Hfsに沿って変化し、光センサ24の出力Sも
曲Hfsに沿って曲線f2にほぼ比例しながら変化する
こととなる。
以上のように、投影レンズLの焦点Fの変イヒと光セン
サ24の出力Sの変化とはほぼ比例するので、一定状態
であるた、?富のときの焦点変動値Δ2を、試し露光や
あるいは投影レンズLを通したスルーザレンズの観察光
学系による焦点検出等によってあらかじめ求め、これに
対応する光センサ24の出力Sの変化ΔSとに対し、次
の係数Kを算出しておく。
サ24の出力Sの変化とはほぼ比例するので、一定状態
であるた、?富のときの焦点変動値Δ2を、試し露光や
あるいは投影レンズLを通したスルーザレンズの観察光
学系による焦点検出等によってあらかじめ求め、これに
対応する光センサ24の出力Sの変化ΔSとに対し、次
の係数Kを算出しておく。
そうすれば、この係数にと、光センサ24の出力Sの変
化ΔSとから焦点Fの変動値Δ2を求めることができる
。投影レンズLの倍率変動も同様である。これらの演算
は、演算装置26によって行なわれ、光センサ24の出
力に基づいて投影レンズLの焦点変化址、倍率変化tが
求められる。そして、これらの変化量は、制御装[28
に入力され、かかる変化量に対応して駆動モータ30が
駆動されることとなり、投影レンズLの光学特性の変化
のうち焦点Kmに対応するように、すなわち、常に最適
な結像状態が得られるように、ワエへWが上下方向に移
動されることとなる。この第1実施例は、ウェハWへの
露光作業中においても投影レンズ、Lの結像特性の変化
をモニターできるという特徴がある。
化ΔSとから焦点Fの変動値Δ2を求めることができる
。投影レンズLの倍率変動も同様である。これらの演算
は、演算装置26によって行なわれ、光センサ24の出
力に基づいて投影レンズLの焦点変化址、倍率変化tが
求められる。そして、これらの変化量は、制御装[28
に入力され、かかる変化量に対応して駆動モータ30が
駆動されることとなり、投影レンズLの光学特性の変化
のうち焦点Kmに対応するように、すなわち、常に最適
な結像状態が得られるように、ワエへWが上下方向に移
動されることとなる。この第1実施例は、ウェハWへの
露光作業中においても投影レンズ、Lの結像特性の変化
をモニターできるという特徴がある。
次に、第6図を参照しながら、本発明の第2実施例につ
いて説明する。第6図において、投影しンズLの近傍上
方には、光源50が設けられており、この光源50から
射出さ九たモニター光束は、第1の偏光板62.ビーム
スプリッタ−64及び鏡36を透過反射して投影レンズ
Lに入射するようになっている。投影レンズLを通過し
たモニター光束は、ステージ10上に設けられた境68
によって反射されて投影レンズLに再び入射し、更には
、436及びビームスプリッタ−64によって第2の偏
光板40に入射する。この偏光板40を透過した光は、
光センサ42に入射するようになっている。
いて説明する。第6図において、投影しンズLの近傍上
方には、光源50が設けられており、この光源50から
射出さ九たモニター光束は、第1の偏光板62.ビーム
スプリッタ−64及び鏡36を透過反射して投影レンズ
Lに入射するようになっている。投影レンズLを通過し
たモニター光束は、ステージ10上に設けられた境68
によって反射されて投影レンズLに再び入射し、更には
、436及びビームスプリッタ−64によって第2の偏
光板40に入射する。この偏光板40を透過した光は、
光センサ42に入射するようになっている。
光センサ42は、演算装置44に接続されており、この
演算波[44は、制御装#46に接続されている。
演算波[44は、制御装#46に接続されている。
この実施例の基本的な作用は、上述した第1実施例と同
様であるが、投影レンズLに入射したモニター光束を*
38によって再び投影レンズLに入射せしめ、これをビ
ームスプリッタ−34で分離する点で異なっている。こ
の実施例によれば、モニター光束がステージ10上のウ
ェハWを照射する構成となっているため、このモニター
光束とウェハWとマスクMのアライント用のレーザ光と
を兼用することができる。後述する第3実施例について
も同様である。なお、アライメント用のレーザ光は、こ
れによってウニ/%Wのマークを照射したときに、その
マークからの散乱光あるいは回折光を投影レンズLを介
して検出し、アライメント用のレーザ光のスポット位置
又はマスクMの位置に対するウェハWの位置を検出する
ものである。
様であるが、投影レンズLに入射したモニター光束を*
38によって再び投影レンズLに入射せしめ、これをビ
ームスプリッタ−34で分離する点で異なっている。こ
の実施例によれば、モニター光束がステージ10上のウ
ェハWを照射する構成となっているため、このモニター
光束とウェハWとマスクMのアライント用のレーザ光と
を兼用することができる。後述する第3実施例について
も同様である。なお、アライメント用のレーザ光は、こ
れによってウニ/%Wのマークを照射したときに、その
マークからの散乱光あるいは回折光を投影レンズLを介
して検出し、アライメント用のレーザ光のスポット位置
又はマスクMの位置に対するウェハWの位置を検出する
ものである。
また、この実施例では、投影レンズLの下側の機411
が簡単になるという特徴があり、ステージ10上に設け
られている位置合せ用の基準マークないしフィデューシ
ャルマークを有する光反射性の板を境61に兼用できる
という利点もある。
が簡単になるという特徴があり、ステージ10上に設け
られている位置合せ用の基準マークないしフィデューシ
ャルマークを有する光反射性の板を境61に兼用できる
という利点もある。
なお、木実總例では、マスクMの下方からモニター光束
を投影レンズL内に入射させているが、マスク■°の上
方から入射させるようにしてもよい0後述する第6実施
例についても同様である0次に、第4図を参照しながら
、本発明の第3実施例について説明する。第4図におい
て、光源52は、投影レンズLの近傍上方に設けられて
おり、これから射出さ゛れたモニター光束は、偏光板5
2を透過して@54により反射されて投影レンズLに入
射するようになっている。投影レンズLを透過したモニ
ター光束は、ステージ10上に設けられた偏光&56を
透過して光センサ58に入射するようになっている。こ
の光センサ58は、演算装置60に接続され、この演算
装fIIIL60は制御装置62に接続されている。
を投影レンズL内に入射させているが、マスク■°の上
方から入射させるようにしてもよい0後述する第6実施
例についても同様である0次に、第4図を参照しながら
、本発明の第3実施例について説明する。第4図におい
て、光源52は、投影レンズLの近傍上方に設けられて
おり、これから射出さ゛れたモニター光束は、偏光板5
2を透過して@54により反射されて投影レンズLに入
射するようになっている。投影レンズLを透過したモニ
ター光束は、ステージ10上に設けられた偏光&56を
透過して光センサ58に入射するようになっている。こ
の光センサ58は、演算装置60に接続され、この演算
装fIIIL60は制御装置62に接続されている。
この実施例の動作は、上述した第1実施例と同様である
が、偏光板56及び光センサ58がステージ10上に設
けられている点で異なる。この実施例によれば、ステー
ジ10が走行中のヨーイング等により回転すると、偏光
板56がzy平面内で回転するようになるが、この回転
の程度は1秒程度であるからこれによる検出誤差は十分
無視できる。尋 次に第5図を参照しながら、本発明の第4実施例につい
て説明する。この実施例は、第3図に示した第2実施例
と同様に1投影レンズL内に入射したモニター光束を反
射させて再び投影レンズL内に入射させるようにしたも
のであるが、モニター光束の反射手段を投影レンズL@
に固定したものである。
が、偏光板56及び光センサ58がステージ10上に設
けられている点で異なる。この実施例によれば、ステー
ジ10が走行中のヨーイング等により回転すると、偏光
板56がzy平面内で回転するようになるが、この回転
の程度は1秒程度であるからこれによる検出誤差は十分
無視できる。尋 次に第5図を参照しながら、本発明の第4実施例につい
て説明する。この実施例は、第3図に示した第2実施例
と同様に1投影レンズL内に入射したモニター光束を反
射させて再び投影レンズL内に入射させるようにしたも
のであるが、モニター光束の反射手段を投影レンズL@
に固定したものである。
第5図において、投影レンズLの近傍上方のうち左側に
は、光源70が設けられており、この光源70から射出
されたモニター光束MBは、偏光板72を介して鏡74
に入射し、更には474に反射されて投影レンズLに入
射するようになっている。
は、光源70が設けられており、この光源70から射出
されたモニター光束MBは、偏光板72を介して鏡74
に入射し、更には474に反射されて投影レンズLに入
射するようになっている。
投影レンズしに入射したモニター光束MBは、入射瞳e
pを透過して第5図の実線矢印で示すように進行するが
、投影レンズLの出射側には、境76.78が設けられ
ており、これによって投影レンズLを透過したモニター
光MBが垂直に90゜づつ反射され、再び投影レンズ内
に入射するようになっている。
pを透過して第5図の実線矢印で示すように進行するが
、投影レンズLの出射側には、境76.78が設けられ
ており、これによって投影レンズLを透過したモニター
光MBが垂直に90゜づつ反射され、再び投影レンズ内
に入射するようになっている。
再度投影レンズL内に入射したモニター光は、投影レン
ズIL内を透過し、@801/Cよって反射され、偏光
板82を介して光センサ84に入射するようになってい
る。なお、4A74.76、78.80Fi露光光束t
をさえぎらないよう忙装置されることが好ましい。また
、476.78は、投影レンズLに一体に配置すると都
合がよい〇 この実施例では、前述した゛第2実施例と同様に反射式
であるため、モニター光束MBtf、投影しなズLを2
回通過することとなる。このため、検出の感度が2倍に
なるという効果がある。また、第2実施例と比較して、
再度モニター光束MBを投影レンズL内に入射させる反
射手段がステージ10上には配置されていないので、露
光作業中であっても光学特性の変化の検出動作を行うこ
とができ、リアルタイムで光学特性の修正あるいはウェ
ハWの移動を行うことができる◎ ま念、モニター光束MBの投影レンズL内における往路
と復路とが異なるため、光学素子の比較的広い領域にお
ける歪みの状態を検出することができるという利点があ
る。
ズIL内を透過し、@801/Cよって反射され、偏光
板82を介して光センサ84に入射するようになってい
る。なお、4A74.76、78.80Fi露光光束t
をさえぎらないよう忙装置されることが好ましい。また
、476.78は、投影レンズLに一体に配置すると都
合がよい〇 この実施例では、前述した゛第2実施例と同様に反射式
であるため、モニター光束MBtf、投影しなズLを2
回通過することとなる。このため、検出の感度が2倍に
なるという効果がある。また、第2実施例と比較して、
再度モニター光束MBを投影レンズL内に入射させる反
射手段がステージ10上には配置されていないので、露
光作業中であっても光学特性の変化の検出動作を行うこ
とができ、リアルタイムで光学特性の修正あるいはウェ
ハWの移動を行うことができる◎ ま念、モニター光束MBの投影レンズL内における往路
と復路とが異なるため、光学素子の比較的広い領域にお
ける歪みの状態を検出することができるという利点があ
る。
なお、この実施例では、境76.78の2つによってモ
ニター光束MBを反射するようにしたが、鏡76のみを
投影レンズLに一体に形成し、これによってモニター光
束MBを投影レンズL内に反射するようにしてもよい。
ニター光束MBを反射するようにしたが、鏡76のみを
投影レンズLに一体に形成し、これによってモニター光
束MBを投影レンズL内に反射するようにしてもよい。
次に、投影レンズLの光学特性に変化が認められた場合
の是正方法について説明する。
の是正方法について説明する。
まず、焦点に変動が生じた場合の是正方法としては、第
1図に示した実施例のように、ウニ/%Wを上下させる
方法がある。そしてこの場合に、投影レンズLとウニ・
・Wとの間隔を計測するセンサ一手段があるときには、
適当なオフセットをかけることにより合焦として検出さ
れる零点を焦点の変動に追従させるようにする。
1図に示した実施例のように、ウニ/%Wを上下させる
方法がある。そしてこの場合に、投影レンズLとウニ・
・Wとの間隔を計測するセンサ一手段があるときには、
適当なオフセットをかけることにより合焦として検出さ
れる零点を焦点の変動に追従させるようにする。
次に倍率に変動が生じた場合の是正方法としては、まず
投影レンズLとマスクMとの間隔を変える方法がある。
投影レンズLとマスクMとの間隔を変える方法がある。
この方法では、焦点位置も補正する必要がある。次に、
ウェハホルダー内に発熱・冷却素子を埋設してウェハW
を熱的に伸縮させるかあるいはマスクMを伸縮させる方
法がある。
ウェハホルダー内に発熱・冷却素子を埋設してウェハW
を熱的に伸縮させるかあるいはマスクMを伸縮させる方
法がある。
そして、いずれの変動にも適用できる方法としては、ま
ず、投影レンズを構成する光学レンズ間の空気間隔内の
気体の圧力を調整する方法がある。
ず、投影レンズを構成する光学レンズ間の空気間隔内の
気体の圧力を調整する方法がある。
また、投影レンズLの全体の温度を発熱・冷却素子によ
って調整する方法がある。
って調整する方法がある。
実用的には、ウェハWを上下させる方法、光学レンズ間
の空気間隔内の圧力を調整する方法がすぐれている。特
にこの圧力調整の方法は、機械的な移動を伴うことなく
、また応答性がよいので、高精度で再現性よく微小量の
補正を簡易に行うことができる。以下、これらの方法を
、第6図及び第7図を参照しながら説明する。
の空気間隔内の圧力を調整する方法がすぐれている。特
にこの圧力調整の方法は、機械的な移動を伴うことなく
、また応答性がよいので、高精度で再現性よく微小量の
補正を簡易に行うことができる。以下、これらの方法を
、第6図及び第7図を参照しながら説明する。
第6図は、ウェハWの上下方向の位置を検出する装置の
一例を示すもので、特開昭56−42205号会報に開
示されてiるものである。この第6、図において、ウェ
ハWは、上下方向すなわち2方向(第1図参照)に移動
可能な2ステージ10B上に載置されている。ウニ/%
Wの上方には、投影レンズLがあるが、この投影レンズ
Lの両側近傍には、ウェハ・W上にスリット像を斜め方
向から投影する投光器100と、このスリット像のウェ
ハWによる反射像を受光し、この受光器f11に応じた
アナログ的な検出信号を出力する受光器102とが各々
配置されている。受光器102は、前記スリット像の反
射像を受光するスリットと、このスリットの透過光を光
電検出する受光素子とを含み、反射像とスIJ −7)
は相対的に撮動走査され、光電信号に一定の変調が行な
われており、同期検波して検出されるようになっている
。受光器1012は、サーボ制御回路104に接続され
ている。
一例を示すもので、特開昭56−42205号会報に開
示されてiるものである。この第6、図において、ウェ
ハWは、上下方向すなわち2方向(第1図参照)に移動
可能な2ステージ10B上に載置されている。ウニ/%
Wの上方には、投影レンズLがあるが、この投影レンズ
Lの両側近傍には、ウェハ・W上にスリット像を斜め方
向から投影する投光器100と、このスリット像のウェ
ハWによる反射像を受光し、この受光器f11に応じた
アナログ的な検出信号を出力する受光器102とが各々
配置されている。受光器102は、前記スリット像の反
射像を受光するスリットと、このスリットの透過光を光
電検出する受光素子とを含み、反射像とスIJ −7)
は相対的に撮動走査され、光電信号に一定の変調が行な
われており、同期検波して検出されるようになっている
。受光器1012は、サーボ制御回路104に接続され
ている。
サーボ制御回路104には、上述した実施例の演算装置
26,44.60からの信号りが入力されており、その
出力は、2ステージIOBの駆動モータ60に対して行
なわれるようになっている。
26,44.60からの信号りが入力されており、その
出力は、2ステージIOBの駆動モータ60に対して行
なわれるようになっている。
以上のような構成において、投影レンズLが露光光束t
の照射を受けず、安定した初期の状態にあるときに投影
レンズLの結像面とウェハWの表面とが一致すると、受
光器102から出力されるアナログ的だ検波信号は零に
なるように調整される。サーボ制御回路104は、受光
器102からの検波信号を受けて駆動モータ60を駆動
し、かかる検波信号が常に零になるように2ステージI
OBを上下に移動させる。
の照射を受けず、安定した初期の状態にあるときに投影
レンズLの結像面とウェハWの表面とが一致すると、受
光器102から出力されるアナログ的だ検波信号は零に
なるように調整される。サーボ制御回路104は、受光
器102からの検波信号を受けて駆動モータ60を駆動
し、かかる検波信号が常に零になるように2ステージI
OBを上下に移動させる。
演jE装f124.44.60 カらノ信号aFi@2
図(B)で説明したような特性を有し、仁の信号りは、
オフセット値としてサーボ制御回路104に入力される
。このため、サーボ制御回路104は、かかるオフセッ
トのもとに駆動モータ60を駆動して2ステージIOH
の上下動を行うため、投影レンズLの焦点位置の変動に
ウニ^Wの位置が追従するようになる。
図(B)で説明したような特性を有し、仁の信号りは、
オフセット値としてサーボ制御回路104に入力される
。このため、サーボ制御回路104は、かかるオフセッ
トのもとに駆動モータ60を駆動して2ステージIOH
の上下動を行うため、投影レンズLの焦点位置の変動に
ウニ^Wの位置が追従するようになる。
なお、演算装置から出力される変動情報りに応じて投光
器100からのスリット像の結像位置を、例えば平行平
板ガラスの傾きを変えること等によって投影レンズLの
光軸方向にずらすようにしても、同様の効果を得ること
ができる。
器100からのスリット像の結像位置を、例えば平行平
板ガラスの傾きを変えること等によって投影レンズLの
光軸方向にずらすようにしても、同様の効果を得ること
ができる。
第7図は、レンズ間の空隙の圧力調整を行うものである
。第7図において、投影レンズL内に設けられているレ
ンズ素子負、G雪によって挾まれた空気室A、を密封し
、この空気室A(I K外部よシバイブ110を介して
所定の圧力の気体例えばドライエアを供給する。パイプ
110に接続されたエアタンり112には、fE ′f
Ik5F (又はニードル弁)114を有するパイプ1
16と、電磁弁(又はニードル弁)118を有するパイ
プ120が接続されており、また、圧力計122が設け
られている。電磁弁114゜118及び圧力計122は
、圧力制御回路124に各々接続されており、この圧力
制御回路124には、演算装置26,44.60からの
信号りが人力さ九ている。
。第7図において、投影レンズL内に設けられているレ
ンズ素子負、G雪によって挾まれた空気室A、を密封し
、この空気室A(I K外部よシバイブ110を介して
所定の圧力の気体例えばドライエアを供給する。パイプ
110に接続されたエアタンり112には、fE ′f
Ik5F (又はニードル弁)114を有するパイプ1
16と、電磁弁(又はニードル弁)118を有するパイ
プ120が接続されており、また、圧力計122が設け
られている。電磁弁114゜118及び圧力計122は
、圧力制御回路124に各々接続されており、この圧力
制御回路124には、演算装置26,44.60からの
信号りが人力さ九ている。
パイプ116は、外部からエアをエアタンク112内に
送り込むもので、パイプ120は、エアタンク112内
のエアを外部に排気するためのものである。圧力制御回
路124は、演算装置26.44.60から入力される
信号DK基づいて電磁弁114.118の開閉を制御す
る。これ釦よってエアタンク112内の圧力が変(17
すると、このエアタンク112にパイプ110によって
接続されている空気室ムの圧力も変化することとなる。
送り込むもので、パイプ120は、エアタンク112内
のエアを外部に排気するためのものである。圧力制御回
路124は、演算装置26.44.60から入力される
信号DK基づいて電磁弁114.118の開閉を制御す
る。これ釦よってエアタンク112内の圧力が変(17
すると、このエアタンク112にパイプ110によって
接続されている空気室ムの圧力も変化することとなる。
空気室A、の圧力が変化すると、投影レンズL全体の光
学的特性、特に倍率や焦点(結gR面の位置)が微小量
だけ変化することとなる。この光学的特性の変化と、空
気室A0の圧力とは一義的な関係にある。この光学的特
性が変化すると、演算装置26,44.60の信号りも
変化する。従って、信号りが初期の値に維持されるよう
に空気室ム内の圧力をフィードバック制御する◎この方
式では、リアルタイムで投影レンズLの光学的特性を一
定の値に維持し次シ、是正したりできる。
学的特性、特に倍率や焦点(結gR面の位置)が微小量
だけ変化することとなる。この光学的特性の変化と、空
気室A0の圧力とは一義的な関係にある。この光学的特
性が変化すると、演算装置26,44.60の信号りも
変化する。従って、信号りが初期の値に維持されるよう
に空気室ム内の圧力をフィードバック制御する◎この方
式では、リアルタイムで投影レンズLの光学的特性を一
定の値に維持し次シ、是正したりできる。
なお、以上の実施例においては、適宜の光源と偏光板の
組み合せで直線偏光のモニター光束を得ているが、半導
体レーザやHe −Neレーザなどのように1出力光が
直線偏光である光源を用いるようにすれば、投影レンズ
に対して入射側の偏光板は不要となる。また、上記実施
例では、各々1本のモニター光束によって光学特性の変
化を検出するようになっているが、複数のモニター光束
と、これらを検知するセンナ手段を複数用い、これらの
出力のリニアコンビネーション等の演算を行うことによ
って光学特性の変化の検出精度を向上させることができ
る。
組み合せで直線偏光のモニター光束を得ているが、半導
体レーザやHe −Neレーザなどのように1出力光が
直線偏光である光源を用いるようにすれば、投影レンズ
に対して入射側の偏光板は不要となる。また、上記実施
例では、各々1本のモニター光束によって光学特性の変
化を検出するようになっているが、複数のモニター光束
と、これらを検知するセンナ手段を複数用い、これらの
出力のリニアコンビネーション等の演算を行うことによ
って光学特性の変化の検出精度を向上させることができ
る。
モニター光束の波長としては、投影レンズを通過するも
のであればいずれの波長であってもよいが、フォトレジ
ストに対して反応しない波長であれば、露光時の結像の
外乱とならないので好ましいものとなる。なお、モニタ
ー光束の吸収による光学特性の変化が生じないように1
モニタ一光束の投影レンズによる吸収が露光光束の吸収
に比べ′て十分小さいようにすることが好ましい。この
場合。モニター光束の検出光量が小さくなってシへ此の
低下を伴うことになるが、モニター光に一定の輝度変調
を行なうようにし、これを復調して検出するようだすれ
は、”/N比を改善することができる〇 ま念、モニター光束の光源における強度は一定に保たれ
るのが望ましいが、変動がある場合には、ビームスプリ
ッタ−等を使用して投影レンズに入射する前のモニター
光束の強度を検出し、この強度とセンサ手段による検出
信号との比をとるよう忙すれば強度変動による検出誤差
の発生を防止することができる。
のであればいずれの波長であってもよいが、フォトレジ
ストに対して反応しない波長であれば、露光時の結像の
外乱とならないので好ましいものとなる。なお、モニタ
ー光束の吸収による光学特性の変化が生じないように1
モニタ一光束の投影レンズによる吸収が露光光束の吸収
に比べ′て十分小さいようにすることが好ましい。この
場合。モニター光束の検出光量が小さくなってシへ此の
低下を伴うことになるが、モニター光に一定の輝度変調
を行なうようにし、これを復調して検出するようだすれ
は、”/N比を改善することができる〇 ま念、モニター光束の光源における強度は一定に保たれ
るのが望ましいが、変動がある場合には、ビームスプリ
ッタ−等を使用して投影レンズに入射する前のモニター
光束の強度を検出し、この強度とセンサ手段による検出
信号との比をとるよう忙すれば強度変動による検出誤差
の発生を防止することができる。
更に1上記実織例では、直線偏光のモニター光束を用い
ているが、例えば4分の1波長板を用いて円偏光のモニ
ター光束を用いるようにしてもよい。この場合には、受
光手段の前段に4分の1波長板を設けて円偏光のモニタ
ー光束を直線偏光に近い状態忙戻し、その後忙光電変換
を行うようにする。
ているが、例えば4分の1波長板を用いて円偏光のモニ
ター光束を用いるようにしてもよい。この場合には、受
光手段の前段に4分の1波長板を設けて円偏光のモニタ
ー光束を直線偏光に近い状態忙戻し、その後忙光電変換
を行うようにする。
上記実施例及び変形例は、いずれもステッパーの場合で
あるが、本発明は何らこれに限定されるものではなく、
その他の光学itに対しても適用されるものである。そ
の他、光学系の光学的特性が許容値以上となった場合に
は、装置の動作を停止させたり、あるいは警報を出すよ
うにしてもよい。また、上記実施例は、露光光束の吸収
による熱的な光学特性の変化に着目しているが、環境温
度や大気圧の急激な変化あるいは外部からの衝撃に基づ
く光学特性の変化のモニターにも本発明は適用し得るも
のである。
あるが、本発明は何らこれに限定されるものではなく、
その他の光学itに対しても適用されるものである。そ
の他、光学系の光学的特性が許容値以上となった場合に
は、装置の動作を停止させたり、あるいは警報を出すよ
うにしてもよい。また、上記実施例は、露光光束の吸収
による熱的な光学特性の変化に着目しているが、環境温
度や大気圧の急激な変化あるいは外部からの衝撃に基づ
く光学特性の変化のモニターにも本発明は適用し得るも
のである。
以上説明したように、本発明による投影光学装置によれ
ば、適当な偏光を受けたモニター光束を対象となる光学
系に通過させ、このモニター光束の変化から対象となる
光学系の光学特性の変イヒを検出するようにしたので、
光学系の使用時における熱的変(t’に伴う焦点変動や
倍率変動等を随時検出することができ、また必要に応じ
てかかる光学特性の変化に対応する制御あるいは光学特
性の変化を修正する制御をリアルタイムで行うことがで
きるという効果がある。
ば、適当な偏光を受けたモニター光束を対象となる光学
系に通過させ、このモニター光束の変化から対象となる
光学系の光学特性の変イヒを検出するようにしたので、
光学系の使用時における熱的変(t’に伴う焦点変動や
倍率変動等を随時検出することができ、また必要に応じ
てかかる光学特性の変化に対応する制御あるいは光学特
性の変化を修正する制御をリアルタイムで行うことがで
きるという効果がある。
第1図は本発明にかかる投影光学装置の一実施例を示す
説明図、第2図(4)、(B)は第1図に示す装置にお
ける焦点Fの変化例と、対応するセンサの出力信号Sの
l”(ヒ例を示すグラフ、第6図は本発明の第2実施例
を示す説明図、第4図は本発明の第6実施例を示す説明
図、第5図は本発明の第4実施例を示す説明図、第6図
はウエノ1を上下動させる手段の一例を示すブロック図
、第7図は光学素子の光学特性を是正する手段の一例を
示すブロック図である。 14.30,50.70・・・光源、16.22.32
.40゜52.56,72.82・・・偏光板、i8t
20t 36t 38t54.74.80・、・境、
24.42.58.84・・・光センサ、26,44.
60・・・演算装置、 L・・・投影レンズ、MB・・
・モニター光束。 代理人 弁瑯士 木 村 三 朗 第 ブ 図 第3図 第4図 ″ H
説明図、第2図(4)、(B)は第1図に示す装置にお
ける焦点Fの変化例と、対応するセンサの出力信号Sの
l”(ヒ例を示すグラフ、第6図は本発明の第2実施例
を示す説明図、第4図は本発明の第6実施例を示す説明
図、第5図は本発明の第4実施例を示す説明図、第6図
はウエノ1を上下動させる手段の一例を示すブロック図
、第7図は光学素子の光学特性を是正する手段の一例を
示すブロック図である。 14.30,50.70・・・光源、16.22.32
.40゜52.56,72.82・・・偏光板、i8t
20t 36t 38t54.74.80・、・境、
24.42.58.84・・・光センサ、26,44.
60・・・演算装置、 L・・・投影レンズ、MB・・
・モニター光束。 代理人 弁瑯士 木 村 三 朗 第 ブ 図 第3図 第4図 ″ H
Claims (2)
- (1)所定の像を結像光学系により投影する投影光学装
置において、前記結像光学系に所定の偏光のモニター光
束を入射する手段と、 前記結像光学系を通過し、前記結像光学系の光学特性の
変化に応じて偏光状態の変化した前記モニター光束を受
光することにより、その受光量に応じた電気信号を出力
する光電検出手段と、該光電検出手段の出力に基づいて
前記結像光学系の光学特性の変化を検出する検出手段と
を含むことを特徴とする投影光学装置。 - (2)前記光電検出手段は、受光するモニター光束のう
ち直線偏光成分をとり出すための偏光板と、該とり出さ
れた直線偏光成分の光を電気信号に変換する光電変換部
とを有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の投影光学装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59228914A JPH0652708B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 投影光学装置 |
US06/792,764 US4701606A (en) | 1984-11-01 | 1985-10-30 | Projection optical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59228914A JPH0652708B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 投影光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61109053A true JPS61109053A (ja) | 1986-05-27 |
JPH0652708B2 JPH0652708B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=16883829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59228914A Expired - Lifetime JPH0652708B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 投影光学装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4701606A (ja) |
JP (1) | JPH0652708B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008544507A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 偏光アナライザ、偏光センサおよびリソグラフィ装置の偏光特性を判定するための方法 |
US8233137B2 (en) | 2004-12-20 | 2012-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9170498B2 (en) | 2005-02-25 | 2015-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method for determining a polarization property of a projection system using an adjustable polarizer and interferometric sensor |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4945220A (en) * | 1988-11-16 | 1990-07-31 | Prometrix Corporation | Autofocusing system for microscope having contrast detection means |
US5072126A (en) * | 1990-10-31 | 1991-12-10 | International Business Machines Corporation | Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens |
US5674652A (en) * | 1991-02-28 | 1997-10-07 | University Of New Mexico | Diffracted light from latent images in photoresist for exposure control |
JP3841824B2 (ja) * | 1994-01-24 | 2006-11-08 | エスヴィージー リトグラフィー システムズ インコーポレイテッド | 格子−格子干渉型位置合わせ装置 |
KR0156800B1 (ko) * | 1995-02-10 | 1998-12-15 | 이대원 | 레이저 다이오드를 이용한 자동 초점 조절 장치 |
JPH10116766A (ja) | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
IL132432A0 (en) | 1997-04-18 | 2001-03-19 | Nikon Corp | An exposure apparatus exposure method using the same and method of manufacture of circuit device |
IL132431A0 (en) * | 1997-04-18 | 2001-03-19 | Nikon Corp | Method and device for exposure control method and device for exposure and method of manufacture of device |
US5898479A (en) * | 1997-07-10 | 1999-04-27 | Vlsi Technology, Inc. | System for monitoring optical properties of photolithography equipment |
JP4026943B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
WO1999052130A1 (fr) * | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, appareil d'exposition, son procede de production, dispositif et son procede de fabrication |
US6020966A (en) * | 1998-09-23 | 2000-02-01 | International Business Machines Corporation | Enhanced optical detection of minimum features using depolarization |
JP3315658B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2002-08-19 | キヤノン株式会社 | 投影装置および露光装置 |
US6057914A (en) * | 1999-04-09 | 2000-05-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for detecting and identifying a lens aberration by measurement of sidewall angles by atomic force microscopy |
JP3774590B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6850313B2 (en) * | 1999-10-01 | 2005-02-01 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and its making method, device manufacturing method, and device |
JP2001274056A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造装置 |
JP3869999B2 (ja) | 2000-03-30 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置および半導体デバイス製造方法 |
JP2002093695A (ja) * | 2000-05-02 | 2002-03-29 | Canon Inc | 投影露光装置 |
US7239447B2 (en) * | 2001-05-15 | 2007-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with crystal lenses |
KR20040015251A (ko) * | 2001-05-15 | 2004-02-18 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템 |
DE10162796B4 (de) * | 2001-12-20 | 2007-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie photolithographisches Fertigungsverfahren |
US6906305B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
US6828542B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
US6807503B2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1904895A1 (en) * | 2005-06-13 | 2008-04-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection system and projection lens polarization sensor |
NL2003818A (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
WO2012144903A2 (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer and a substrate for use in such a lithography system |
NL2008679C2 (en) | 2011-04-22 | 2013-06-26 | Mapper Lithography Ip Bv | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark. |
US9383662B2 (en) | 2011-05-13 | 2016-07-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56101112A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-13 | Fujitsu Ltd | Exposure method |
JPS59141226A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Canon Inc | 観察装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2274906A1 (fr) * | 1974-12-05 | 1976-01-09 | France Etat | Photo-elasticimetre bidimensionnel ponctuel a visualisation |
JPS5642205A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Focus detecting method |
US4585342A (en) * | 1984-06-29 | 1986-04-29 | International Business Machines Corporation | System for real-time monitoring the characteristics, variations and alignment errors of lithography structures |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP59228914A patent/JPH0652708B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-10-30 US US06/792,764 patent/US4701606A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56101112A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-13 | Fujitsu Ltd | Exposure method |
JPS59141226A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Canon Inc | 観察装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8233137B2 (en) | 2004-12-20 | 2012-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8462312B2 (en) | 2004-12-20 | 2013-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9116443B2 (en) | 2004-12-20 | 2015-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9329494B2 (en) | 2004-12-20 | 2016-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US9417535B2 (en) | 2004-12-20 | 2016-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US9835960B2 (en) | 2004-12-20 | 2017-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US10248035B2 (en) | 2004-12-20 | 2019-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US9170498B2 (en) | 2005-02-25 | 2015-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method for determining a polarization property of a projection system using an adjustable polarizer and interferometric sensor |
JP2008544507A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 偏光アナライザ、偏光センサおよびリソグラフィ装置の偏光特性を判定するための方法 |
JP2008546218A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影システムおよび投影レンズ偏光センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4701606A (en) | 1987-10-20 |
JPH0652708B2 (ja) | 1994-07-06 |
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