JPS6110894A - 薄膜elパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜elパネルの製造方法Info
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- JPS6110894A JPS6110894A JP59132467A JP13246784A JPS6110894A JP S6110894 A JPS6110894 A JP S6110894A JP 59132467 A JP59132467 A JP 59132467A JP 13246784 A JP13246784 A JP 13246784A JP S6110894 A JPS6110894 A JP S6110894A
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
崖呈上皇肌朋分界
本発明は薄膜E Lパネルの製造方法に関し、詳しくは
マトリクス状に配置された電極層を有し、平面薄型ディ
スプレイ・デバイスとして使用される薄膜ELパネルの
製造方法に関するものである。
マトリクス状に配置された電極層を有し、平面薄型ディ
スプレイ・デバイスとして使用される薄膜ELパネルの
製造方法に関するものである。
従来圓荻籠
交流動作の薄膜ELに関して、発光層を誘電体層でサン
ドインチした三層構造の薄膜ELパネルが開発されてい
る。
ドインチした三層構造の薄膜ELパネルが開発されてい
る。
特公昭57−47559号公報に開示されている、薄膜
ELパネルの製造方法の従来例を第9図乃至第15図か
ら説明すると、まず第9図に示すようにガラス板等の透
光性の前面基板(1)上に、1.T、0.等よりなる透
明な第1の電極層(2) 、Y2 os等よりなる第1
の誘電体層(3)、Mn等をドープしたZnS等よりな
る発光層(4)、前記第1の誘電体層(3)と同様の第
2の誘電体層(5) 、Aj8等よりなる第2の電極層
(6)を順次積層することによりこの積層体からなる薄
膜EL素子(7)を形成する。
ELパネルの製造方法の従来例を第9図乃至第15図か
ら説明すると、まず第9図に示すようにガラス板等の透
光性の前面基板(1)上に、1.T、0.等よりなる透
明な第1の電極層(2) 、Y2 os等よりなる第1
の誘電体層(3)、Mn等をドープしたZnS等よりな
る発光層(4)、前記第1の誘電体層(3)と同様の第
2の誘電体層(5) 、Aj8等よりなる第2の電極層
(6)を順次積層することによりこの積層体からなる薄
膜EL素子(7)を形成する。
ここで上記第1及び第2の電極Ff (2) (6)
は、第10図に示すように発光層(4)を第1及び第2
の誘電体層(図示せず)を介して挟み込むことによりマ
トリクス状に形成され、第1及び第2の電極N (2)
(6)の一端部は前面基板(1)の周辺部に延設されて
夫々外部リード(図示せず)と電気的に接続されている
。更に図示しないがこの外部リードはi膜EL素子駆動
用の交流重圧源と電気的に接続されている。
は、第10図に示すように発光層(4)を第1及び第2
の誘電体層(図示せず)を介して挟み込むことによりマ
トリクス状に形成され、第1及び第2の電極N (2)
(6)の一端部は前面基板(1)の周辺部に延設されて
夫々外部リード(図示せず)と電気的に接続されている
。更に図示しないがこの外部リードはi膜EL素子駆動
用の交流重圧源と電気的に接続されている。
上記薄膜EL素子(7)の形成工程の後、第11図及び
第12図に示すように凹陥部を有する背面板、例えばカ
バーガラス(8)を薄1iQEL素子(7)を覆うよう
に前面基板(1)上に光硬化性樹脂材等の接着剤(9)
を介して固着させ、上記前面基板(1)及びカバーガラ
ス(8)からなる外囲器(10)を形成する。この外囲
器(10)のカバーガラス(8)の一部には注入孔(1
1)が穿設され、該注入孔(11)から外囲器(10)
の内部空間(12)へシリコングリース、シリコンオイ
ル等の絶縁性保護流体(13)を注入する。この絶縁性
保護流体(13)により薄膜EL素子(7)を覆うのは
薄膜EL素子(7)の耐湿性を向上させるためである。
第12図に示すように凹陥部を有する背面板、例えばカ
バーガラス(8)を薄1iQEL素子(7)を覆うよう
に前面基板(1)上に光硬化性樹脂材等の接着剤(9)
を介して固着させ、上記前面基板(1)及びカバーガラ
ス(8)からなる外囲器(10)を形成する。この外囲
器(10)のカバーガラス(8)の一部には注入孔(1
1)が穿設され、該注入孔(11)から外囲器(10)
の内部空間(12)へシリコングリース、シリコンオイ
ル等の絶縁性保護流体(13)を注入する。この絶縁性
保護流体(13)により薄膜EL素子(7)を覆うのは
薄膜EL素子(7)の耐湿性を向上させるためである。
即ち、上記薄膜EL素子(7)の発光層(4)に湿気等
が侵入すると素子特性の劣化等を引起こすので、これを
防止するため上記発光層(4)を第1及び第2の誘電体
層(3)(5)で被覆している。しかし第1及び第2の
誘電体層(3)(5)にはピンホールや微小クランク等
が生じ易く、そのため依然として第1及び第2の誘電体
層(3)(5)から湿気等が侵入する虞が残存するので
、薄膜EL素子(7)を絶縁性保護流体(13)で被覆
している。ところで上記絶縁性保護流体(13)を注入
するに際しては、外囲器(10)の内部空間(12)に
気泡が残存することを防止するため、第12図に示すよ
うに注入孔(11)内での絶縁性保護流体(13)の液
面がカバーガラス(8)の上面と略一致するように注入
される。
が侵入すると素子特性の劣化等を引起こすので、これを
防止するため上記発光層(4)を第1及び第2の誘電体
層(3)(5)で被覆している。しかし第1及び第2の
誘電体層(3)(5)にはピンホールや微小クランク等
が生じ易く、そのため依然として第1及び第2の誘電体
層(3)(5)から湿気等が侵入する虞が残存するので
、薄膜EL素子(7)を絶縁性保護流体(13)で被覆
している。ところで上記絶縁性保護流体(13)を注入
するに際しては、外囲器(10)の内部空間(12)に
気泡が残存することを防止するため、第12図に示すよ
うに注入孔(11)内での絶縁性保護流体(13)の液
面がカバーガラス(8)の上面と略一致するように注入
される。
上記絶縁性保護流体(13)の注入工程後、注入管その
ものをチップオフしたり、第13図に示すようにカバー
ガラス(8)の注入孔(11)をガラス板等のシール板
(14)で密封する。即ち、第14図に示すように上記
シール板(14)を樹脂接着剤(15)を介してカバー
ガラス(8)に押圧しながら固着させることにより注入
孔(11)を密閉して外囲器(10)を封止する。
ものをチップオフしたり、第13図に示すようにカバー
ガラス(8)の注入孔(11)をガラス板等のシール板
(14)で密封する。即ち、第14図に示すように上記
シール板(14)を樹脂接着剤(15)を介してカバー
ガラス(8)に押圧しながら固着させることにより注入
孔(11)を密閉して外囲器(10)を封止する。
上記工程を経て製造された薄膜ELパ呆ルを使用するに
際しては、第10図にも示すように薄膜EL素子(7)
における第1及び第2の電極N (2)(6)の交差点
に挟まれた発光層(4)の各部分がELナセル形成して
いるため、交流電圧源から外部リードを介して上記第1
及び第2の電極層(2)(6)に選択的に電圧を印加す
ることにより、各ELナセル選択的に発光させ、文字や
図形等の任意の画像を表示させている。
際しては、第10図にも示すように薄膜EL素子(7)
における第1及び第2の電極N (2)(6)の交差点
に挟まれた発光層(4)の各部分がELナセル形成して
いるため、交流電圧源から外部リードを介して上記第1
及び第2の電極層(2)(6)に選択的に電圧を印加す
ることにより、各ELナセル選択的に発光させ、文字や
図形等の任意の画像を表示させている。
発 (、シよ゛と る 占
上記薄膜ELパネルの製造時、外囲器(10)の内部空
間(12)に絶縁性保護流体(13)を注入した後、注
入孔(11)を密閉して外囲器(10)を封止すること
は容易なことではなく、外囲器(10)内の絶縁性保護
流体(13)に気泡が混入したり、或いは薄膜ELパネ
ルの信頼性テスト時、動作時にパネル温度上昇により絶
縁性保護流体(13)が熱膨張し、その体積増による内
部−圧で外囲器(10)の強度の弱い箇所、例えばカバ
ーガラス(8)と前面基板(1)との接合部に内部から
応力が加わってシ゛−ル破壊が生じるという問題点があ
り、また上記絶縁性保護流体(13)の熱膨張によりカ
バーガラス(8)の注入孔(11)のシール部分が破壊
したり、絶縁性保護流体(13)が漏洩するという罰題
点があった。そこで上記問題点を解決するための手段と
しては、例えば第15図に示すように絶縁性保護流体(
13)の注入後、カバーガラス(8)の注入孔(11)
をシリコンゴム等からなる変形可能なシール板(16)
で密閉し、更に該シール板(16)を覆うようにカバー
ガラス(8)に凹部付キャンプ(17)を固着する二重
構造のシール部分を形成する方法がある。このようにす
れば薄膜ELパネルの信頼性テスト時、動作時に絶縁性
保護流体(13)が熱膨張してもシール板(16)が図
示点線で示すように変形するため、体積増による内部圧
を吸収でき、前述したようなシール破壊や液漏れを防止
することが可能であるが、上記シール板(16)及び凹
部付キャンプ(17)を取付ける工程が複雑になると共
に工数アンプになるという問題点が残る。
間(12)に絶縁性保護流体(13)を注入した後、注
入孔(11)を密閉して外囲器(10)を封止すること
は容易なことではなく、外囲器(10)内の絶縁性保護
流体(13)に気泡が混入したり、或いは薄膜ELパネ
ルの信頼性テスト時、動作時にパネル温度上昇により絶
縁性保護流体(13)が熱膨張し、その体積増による内
部−圧で外囲器(10)の強度の弱い箇所、例えばカバ
ーガラス(8)と前面基板(1)との接合部に内部から
応力が加わってシ゛−ル破壊が生じるという問題点があ
り、また上記絶縁性保護流体(13)の熱膨張によりカ
バーガラス(8)の注入孔(11)のシール部分が破壊
したり、絶縁性保護流体(13)が漏洩するという罰題
点があった。そこで上記問題点を解決するための手段と
しては、例えば第15図に示すように絶縁性保護流体(
13)の注入後、カバーガラス(8)の注入孔(11)
をシリコンゴム等からなる変形可能なシール板(16)
で密閉し、更に該シール板(16)を覆うようにカバー
ガラス(8)に凹部付キャンプ(17)を固着する二重
構造のシール部分を形成する方法がある。このようにす
れば薄膜ELパネルの信頼性テスト時、動作時に絶縁性
保護流体(13)が熱膨張してもシール板(16)が図
示点線で示すように変形するため、体積増による内部圧
を吸収でき、前述したようなシール破壊や液漏れを防止
することが可能であるが、上記シール板(16)及び凹
部付キャンプ(17)を取付ける工程が複雑になると共
に工数アンプになるという問題点が残る。
占 ” るための
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、簡便且つ
確実で実用性のある製造方法を提供しようとするもので
あり、その技術的手段は前面基板上に薄膜EL素子を形
成する工程、薄膜EL素子を覆うように上記前面基板上
に背面板を固設し、前面基板及び背面板からなる外囲器
を形成する工程、外囲器の内部空間に背面板の注入孔か
ら絶縁性保護流体を注入する工程、シール板で注入孔を
密閉することにより封止する工程とを含む薄膜ELパネ
ルの製造方法において、上記絶縁性保護流体の注入工程
の後、外囲器の背面板を外部から加圧することにより外
囲器の内部空間を容積減少させ、この加圧状態でシール
板で注入孔を密閉することにより外囲器を封止するよう
にしたことを特徴とする。
確実で実用性のある製造方法を提供しようとするもので
あり、その技術的手段は前面基板上に薄膜EL素子を形
成する工程、薄膜EL素子を覆うように上記前面基板上
に背面板を固設し、前面基板及び背面板からなる外囲器
を形成する工程、外囲器の内部空間に背面板の注入孔か
ら絶縁性保護流体を注入する工程、シール板で注入孔を
密閉することにより封止する工程とを含む薄膜ELパネ
ルの製造方法において、上記絶縁性保護流体の注入工程
の後、外囲器の背面板を外部から加圧することにより外
囲器の内部空間を容積減少させ、この加圧状態でシール
板で注入孔を密閉することにより外囲器を封止するよう
にしたことを特徴とする。
皿
上記技術的手段によって絶縁性保護流体の注入孔の封止
工程の後、外囲器の背面板への加圧を除去すれば外囲器
の内部空間は負圧状態となり、この負圧状態によりシー
ル板の外囲器への密着度が強固なものになると共に、外
囲器の内部容積が正規容積よりも若干小さくなっている
ので、薄膜ELパネルの動作時の温度上昇により絶縁性
保護流体が熱膨張しても、前記内部容積の減少分で吸収
できるため、外囲器に応力が作用せずシール破壊が生じ
ない。
工程の後、外囲器の背面板への加圧を除去すれば外囲器
の内部空間は負圧状態となり、この負圧状態によりシー
ル板の外囲器への密着度が強固なものになると共に、外
囲器の内部容積が正規容積よりも若干小さくなっている
ので、薄膜ELパネルの動作時の温度上昇により絶縁性
保護流体が熱膨張しても、前記内部容積の減少分で吸収
できるため、外囲器に応力が作用せずシール破壊が生じ
ない。
災施拠
以下に本発明に係る薄膜ELパネルの製造方法の一実施
例を第1図乃至第8図を参照しながら説明する。第9図
乃至第14図と同一参照符号は同一物を示しその説明を
省略する。
例を第1図乃至第8図を参照しながら説明する。第9図
乃至第14図と同一参照符号は同一物を示しその説明を
省略する。
まず第9図及び第10図に示すように従来要領にて、前
面基板(1)上に、第1の電極層(2)、第1の誘電体
層(3)、発光N (4) 、第2゜の誘電体層(5)
、第2の電極層(6)を順次積層してなる薄膜EL素子
(7)を形成する。
面基板(1)上に、第1の電極層(2)、第1の誘電体
層(3)、発光N (4) 、第2゜の誘電体層(5)
、第2の電極層(6)を順次積層してなる薄膜EL素子
(7)を形成する。
その後更に第11図に示すように上記薄膜EL素子(7
)を覆うようにカバーガラス(8)を前面基板(1)上
に接着剤(9)を介して固着させ、前面基板(1)及び
カバーガラス(8)からなる外囲器(10)を形成する
。
)を覆うようにカバーガラス(8)を前面基板(1)上
に接着剤(9)を介して固着させ、前面基板(1)及び
カバーガラス(8)からなる外囲器(10)を形成する
。
この外囲器(10)のカバーガラス(8)の一部に設け
られた注入孔(11)から外囲器(10)の内部空間(
12)へシリコンオイル等の絶縁性保護流体(13)を
注入するが、この注入は第1図に示すように注入管(1
8)により行われる。
られた注入孔(11)から外囲器(10)の内部空間(
12)へシリコンオイル等の絶縁性保護流体(13)を
注入するが、この注入は第1図に示すように注入管(1
8)により行われる。
即ち、注入管(18)の先端部外周にはシリコンゴム製
のパツキン材(18a )が装着されており、この注入
管(18)の先端部を若干加圧しながらカバーガラス(
8)の注入孔(11)に嵌挿する。この状態で第2図に
示すように外囲器(10)を、内部に絶縁性保護流体(
13)を収容する液槽(19)を設けたベルジャ(20
)内に配置する。そしてベルジャ(20)に設けられた
排気口(20a )からの真空引きによりベルジャ(2
0)内を減圧し、外囲器(10)内の薄膜EL素子(7
)及び液槽(19)内の絶縁性保護流体(13)の加熱
ガス出しを行う。この真空状態を保持したまま、第3図
に示すように液槽(19)を上昇させて注入管(18)
の開口端を液槽(19)の絶縁性保護流体(13)内に
挿入配置する。その後、ベルジャ(20)内にN2ガス
等の不活性ガスを大気圧まで充填させることにより外囲
器(10)の内部空間(12)に、液槽(19)内の絶
縁性保護流体(13)を注入管(18)を介して注入す
る。
のパツキン材(18a )が装着されており、この注入
管(18)の先端部を若干加圧しながらカバーガラス(
8)の注入孔(11)に嵌挿する。この状態で第2図に
示すように外囲器(10)を、内部に絶縁性保護流体(
13)を収容する液槽(19)を設けたベルジャ(20
)内に配置する。そしてベルジャ(20)に設けられた
排気口(20a )からの真空引きによりベルジャ(2
0)内を減圧し、外囲器(10)内の薄膜EL素子(7
)及び液槽(19)内の絶縁性保護流体(13)の加熱
ガス出しを行う。この真空状態を保持したまま、第3図
に示すように液槽(19)を上昇させて注入管(18)
の開口端を液槽(19)の絶縁性保護流体(13)内に
挿入配置する。その後、ベルジャ(20)内にN2ガス
等の不活性ガスを大気圧まで充填させることにより外囲
器(10)の内部空間(12)に、液槽(19)内の絶
縁性保護流体(13)を注入管(18)を介して注入す
る。
上記絶縁性保護流体(13)の注入工程の後、カバーガ
ラス(8)の注入孔(11)から注入管(18)を抜き
取り、第4図に示すようにカバーガラス(8)の一部を
、例えば錘等を利用して外部から加圧する。この加圧に
より上記カバーガラス(8)を変形させて外囲器(10
)の内部空間(12)の容積を若干減少させる。この時
外囲器(10)内の気泡が注入孔(11)から脱泡され
ると共に絶縁性保護流体(13)の一部が若干量流出す
る。そこで第5図に示すようにこの流出した絶縁性保護
流体(13)を乾燥した布等で拭き取り、更に注入孔(
11)の周縁部分に残存した絶縁性保護流体(13)を
有機溶媒を用いて除去することによって注入孔(11)
内での絶縁性保護流体(13)の液面をカバーガラス(
8)の上面と略一致きせる。
ラス(8)の注入孔(11)から注入管(18)を抜き
取り、第4図に示すようにカバーガラス(8)の一部を
、例えば錘等を利用して外部から加圧する。この加圧に
より上記カバーガラス(8)を変形させて外囲器(10
)の内部空間(12)の容積を若干減少させる。この時
外囲器(10)内の気泡が注入孔(11)から脱泡され
ると共に絶縁性保護流体(13)の一部が若干量流出す
る。そこで第5図に示すようにこの流出した絶縁性保護
流体(13)を乾燥した布等で拭き取り、更に注入孔(
11)の周縁部分に残存した絶縁性保護流体(13)を
有機溶媒を用いて除去することによって注入孔(11)
内での絶縁性保護流体(13)の液面をカバーガラス(
8)の上面と略一致きせる。
その後上述したように加圧状態を保持したままで第6図
及び第7図に示すように注入孔(11)の周縁部分に沿
って間欠的に樹脂接着剤(15)を塗布し、その上から
例えばガラス製のシール板(14)を被せ、第8図に示
すようにこのシール板(14)を外部から押圧すること
により樹脂接着剤(15)の隙間から脱泡させながら上
記シール板(14)をカバーガラス(8)に固着させて
絶縁性保護流体(13)の注入孔(11)を密閉するこ
とにより外囲器(10)を封止する。
及び第7図に示すように注入孔(11)の周縁部分に沿
って間欠的に樹脂接着剤(15)を塗布し、その上から
例えばガラス製のシール板(14)を被せ、第8図に示
すようにこのシール板(14)を外部から押圧すること
により樹脂接着剤(15)の隙間から脱泡させながら上
記シール板(14)をカバーガラス(8)に固着させて
絶縁性保護流体(13)の注入孔(11)を密閉するこ
とにより外囲器(10)を封止する。
上記外囲器(10)の封止工程の後、カバーガラス(8
)への加圧を除去すると、カバーガラス(8)の弾性復
元力により外囲器(10)の内部空間(12)の容積を
元の状態に復帰させようとするため、上記内部空間(1
2)は負圧状態となる。この内部空間(12)の負圧状
態により、シール板(14)のカバーガラス(8)−1
の密着度が強固なものとなって、絶縁性保護流体(13
)の注入孔(11)の封止が確実となる。
)への加圧を除去すると、カバーガラス(8)の弾性復
元力により外囲器(10)の内部空間(12)の容積を
元の状態に復帰させようとするため、上記内部空間(1
2)は負圧状態となる。この内部空間(12)の負圧状
態により、シール板(14)のカバーガラス(8)−1
の密着度が強固なものとなって、絶縁性保護流体(13
)の注入孔(11)の封止が確実となる。
また上記工程を経て製造された薄膜ELパネルを使用す
るに際しては、従来要領にて薄膜EL素子(7)の第1
及び第2の電極層(2)(6)に選択的に電圧を印加す
ることにより各ELナセル選択的に発光させ、任意の画
像を表示させるが、この薄膜ELパネルの動作時、パネ
ル温度上昇により絶縁性保護流体(13)が熱膨張して
も、予め外囲器(10)の内部空間(12)を容積減少
させて負圧状態にしているため、熱膨張による絶縁性保
護流体(13)の体積増が相殺されてカバーガラス(8
)は正規状態に復帰しようとするだけであり、外囲器(
10)の強度の弱い箇所、例えばカバーガラス(8)と
前面基板(1)との接合部に内部から応力が加わること
はない。尚、上述したように外囲Is (10)の内部
空間(12)の容積減少量は、薄膜ELパネルの動作時
における温度上昇による絶縁性保護流体(]3)の体積
増加量と略同−に設定されるように外囲器(10) ’
のカバーガラス(8)を加圧する。
るに際しては、従来要領にて薄膜EL素子(7)の第1
及び第2の電極層(2)(6)に選択的に電圧を印加す
ることにより各ELナセル選択的に発光させ、任意の画
像を表示させるが、この薄膜ELパネルの動作時、パネ
ル温度上昇により絶縁性保護流体(13)が熱膨張して
も、予め外囲器(10)の内部空間(12)を容積減少
させて負圧状態にしているため、熱膨張による絶縁性保
護流体(13)の体積増が相殺されてカバーガラス(8
)は正規状態に復帰しようとするだけであり、外囲器(
10)の強度の弱い箇所、例えばカバーガラス(8)と
前面基板(1)との接合部に内部から応力が加わること
はない。尚、上述したように外囲Is (10)の内部
空間(12)の容積減少量は、薄膜ELパネルの動作時
における温度上昇による絶縁性保護流体(]3)の体積
増加量と略同−に設定されるように外囲器(10) ’
のカバーガラス(8)を加圧する。
発肌例班来
本発明によれば、外囲器内の絶縁性保護流体に気泡が混
入することなく、該絶縁性保護流体の注入孔を容易に封
止することができる。また薄膜ELパネルの動作時等に
、パネル温度上昇により絶縁性保護流体が熱膨張しても
、カバーガラスが元の状態に復元するだけで、外囲器に
体積増による応力が加わらないので、シール破壊が生じ
ることもなく、絶縁性保護流体の漏洩も未然に防止する
ことが可能となって信頼性も大幅に向上する。更に従来
のように外囲器のシール部分を二重構造にする必要もな
いので、作業の簡略化並びに工数低減を容易に実現する
ことが可能である。
入することなく、該絶縁性保護流体の注入孔を容易に封
止することができる。また薄膜ELパネルの動作時等に
、パネル温度上昇により絶縁性保護流体が熱膨張しても
、カバーガラスが元の状態に復元するだけで、外囲器に
体積増による応力が加わらないので、シール破壊が生じ
ることもなく、絶縁性保護流体の漏洩も未然に防止する
ことが可能となって信頼性も大幅に向上する。更に従来
のように外囲器のシール部分を二重構造にする必要もな
いので、作業の簡略化並びに工数低減を容易に実現する
ことが可能である。
第1図乃至第8図は本発明に係る薄膜E Lパネルの製
造方法の一実施例を説明するもので、第1図乃至第3図
は外囲器内への絶縁性保護流体の注入工程を説明するた
めの断面図、第4図及び第5図は注入工程後浴囲器を加
圧した状態を示す断面図、第6図は絶縁性保護流体の注
入孔の封止工程を説明するための断面図、第7図は外囲
器のシール部分(シール板)を示す拡大平面図、第8図
は第7図の側断面図である。第9図乃至第15図は従来
の薄膜ELパネルの製造方法の具体例を説明するもので
、第9図は前面基板上に薄膜EL素子を形成する工程を
説明するための断面図、第10図は第9図の部分平面図
、第11図は絶縁性保護流体の注入工程を説明するため
の□断面図、第12図は絶縁性保護流体の注入後の部分
拡大断面図、第13図は絶縁性保護流体の注入孔の封止
工程を説明するための断面図、第14図は第13図の部
分拡大断面図、第15図は絶縁性保護流体の注入孔の他
の封止構造を説明するための部分拡大断面図である。 (1)−−一前面基板、(7) −薄膜EL素子、(8
L−1背面板(カバーガラス)、(10) −外囲器、
(11)−・−注入孔、(12) −内部空間、(13
) −・絶縁性保護流体、(14) −シール板、(1
5) −樹脂接着剤。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 合圧 原
秀 1111 図 第211 1JII第4m 第11図 1112図
造方法の一実施例を説明するもので、第1図乃至第3図
は外囲器内への絶縁性保護流体の注入工程を説明するた
めの断面図、第4図及び第5図は注入工程後浴囲器を加
圧した状態を示す断面図、第6図は絶縁性保護流体の注
入孔の封止工程を説明するための断面図、第7図は外囲
器のシール部分(シール板)を示す拡大平面図、第8図
は第7図の側断面図である。第9図乃至第15図は従来
の薄膜ELパネルの製造方法の具体例を説明するもので
、第9図は前面基板上に薄膜EL素子を形成する工程を
説明するための断面図、第10図は第9図の部分平面図
、第11図は絶縁性保護流体の注入工程を説明するため
の□断面図、第12図は絶縁性保護流体の注入後の部分
拡大断面図、第13図は絶縁性保護流体の注入孔の封止
工程を説明するための断面図、第14図は第13図の部
分拡大断面図、第15図は絶縁性保護流体の注入孔の他
の封止構造を説明するための部分拡大断面図である。 (1)−−一前面基板、(7) −薄膜EL素子、(8
L−1背面板(カバーガラス)、(10) −外囲器、
(11)−・−注入孔、(12) −内部空間、(13
) −・絶縁性保護流体、(14) −シール板、(1
5) −樹脂接着剤。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 合圧 原
秀 1111 図 第211 1JII第4m 第11図 1112図
Claims (1)
- (1)前面基板上に薄膜EL素子を形成する工程、薄膜
EL素子を覆うように上記前面基板上に背面板を固設し
、前面基板及び背面板からなる外囲器を形成する工程、
前記外囲器の内部空間に絶縁性保護流体を注入する工程
、外囲器を封止する工程とを含む薄膜ELパネルの製造
方法において、上記絶縁性保護流体の注入工程の後、外
囲器の背面板を外部から加圧することにより外囲器の内
部空間を容積減少させ、この加圧状態で外囲器を封止す
るようにしたことを特徴とする薄膜ELパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59132467A JPS6110894A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59132467A JPS6110894A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6110894A true JPS6110894A (ja) | 1986-01-18 |
Family
ID=15082053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59132467A Pending JPS6110894A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6110894A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177893A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | 日本精機株式会社 | Elパネルの製造方法 |
JPS6352297U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59132467A patent/JPS6110894A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177893A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | 日本精機株式会社 | Elパネルの製造方法 |
JPS6352297U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 |
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