JPS611075A - レーザ出力連続可変装置 - Google Patents
レーザ出力連続可変装置Info
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- JPS611075A JPS611075A JP11211385A JP11211385A JPS611075A JP S611075 A JPS611075 A JP S611075A JP 11211385 A JP11211385 A JP 11211385A JP 11211385 A JP11211385 A JP 11211385A JP S611075 A JPS611075 A JP S611075A
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- Japan
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- laser
- output
- laser light
- attenuator
- theta
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
Landscapes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は直線偏光にて発振するレーザ発振器からのレ
ーザ出力を高速に可変制御する装置に関する〇 〔発明の技術的背景〕 ６４にピッ） 、 ２５６にビットのように大容量の半
導体メモリが開発されている。このようなメモリの集積
度が増すにつれ、回路パターンは微細化し、シリコン基
板や酸化膜などにおける欠陥によるメモリセル不良が誘
発される。このような不良の対策として、予備メモリセ
ルを設け、欠陥メモリがあった場合、予備メモリセルに
切り換えて歩留シを向上させるという技術（リダンダン
シー； Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）が適用されている。上
記切υ換えのために、効率の面から、ポリシリコンやア
ルミニウムからなるメモリチップ内の切シ換え配線をレ
ーザで切断するとか、あるいはレーザアニーリングによ
って導通状態にする手段をメモリチップ内で混在させて
実施した方がメモリー回路がシンプルだなる一方回路の
特性もそこなわれないといわれている。
ーザ出力を高速に可変制御する装置に関する〇 〔発明の技術的背景〕 ６４にピッ） 、 ２５６にビットのように大容量の半
導体メモリが開発されている。このようなメモリの集積
度が増すにつれ、回路パターンは微細化し、シリコン基
板や酸化膜などにおける欠陥によるメモリセル不良が誘
発される。このような不良の対策として、予備メモリセ
ルを設け、欠陥メモリがあった場合、予備メモリセルに
切り換えて歩留シを向上させるという技術（リダンダン
シー； Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）が適用されている。上
記切υ換えのために、効率の面から、ポリシリコンやア
ルミニウムからなるメモリチップ内の切シ換え配線をレ
ーザで切断するとか、あるいはレーザアニーリングによ
って導通状態にする手段をメモリチップ内で混在させて
実施した方がメモリー回路がシンプルだなる一方回路の
特性もそこなわれないといわれている。
アルミニウム配線の切断、ポリシリコン配線の切断およ
びレーザアニールという三橋類の加工に必要なレーザ出
力は異なる。これらめ加工をエネルギ別に区別して行う
と段取り時間に手間取シ、また、励起入力を変えたシす
るとレーザ出力パルスのパルス幅、横モード、出力安定
度などが変化してしまい、適切な加工ができなくなる。
びレーザアニールという三橋類の加工に必要なレーザ出
力は異なる。これらめ加工をエネルギ別に区別して行う
と段取り時間に手間取シ、また、励起入力を変えたシす
るとレーザ出力パルスのパルス幅、横モード、出力安定
度などが変化してしまい、適切な加工ができなくなる。
また、入力を変えずに減衰フィルタを光路に出入させる
手段ではその出入時間に時間が浪費されて非能率になっ
てしまうほかに、吸収性の減衰フィルタではレーザ光の
・吸収のためフィルタの熱歪みが発生し、レーザ出力の
波面の乱れをおこし、集光レンズで集光しても小さなス
ポット径に絞れないとか、減衰量が不連続なので加工に
対して適切なエネルギレベルにできないなどの問題点が
あった。
手段ではその出入時間に時間が浪費されて非能率になっ
てしまうほかに、吸収性の減衰フィルタではレーザ光の
・吸収のためフィルタの熱歪みが発生し、レーザ出力の
波面の乱れをおこし、集光レンズで集光しても小さなス
ポット径に絞れないとか、減衰量が不連続なので加工に
対して適切なエネルギレベルにできないなどの問題点が
あった。
この発明は種々の加工目的に応じそれらの加工に適する
出力を高速に一’＆化させて、能率の高い加工を行える
装置を提供するものである。
出力を高速に一’＆化させて、能率の高い加工を行える
装置を提供するものである。
〔発明の概要〕
一定条件で発振されたレーザ発振器から放出されるレー
ザ光路上に減衰器を設けさらにこの減衰器を経だレーザ
光の一部を検出して減衰量を制御する構成にするととも
に、別の減衰器でさらにレーザのエネルギを加工目的に
応じた値にして加工部に導く構成にしたものである。
ザ光路上に減衰器を設けさらにこの減衰器を経だレーザ
光の一部を検出して減衰量を制御する構成にするととも
に、別の減衰器でさらにレーザのエネルギを加工目的に
応じた値にして加工部に導く構成にしたものである。
第１図はこの発明の一実施例で、（１）は直線偏光にて
発振するレーザ発振器、（２）はこの発振器（１）から
放出されるレーザ光で、矢印（４）で示すように偏光面
は光軸に直交している。上記レーザ光（２）の光軸上に
減衰器（３）およびビームスプリッタ−（４）が順次設
けられている。上記の減衰器（３）は偏光面を高速で回
転する素子、たとえば重フリントガラス棒（５）とこの
周りに巻かれ後述する電流源よシ印加されるソレノイド
（６）とからなるファラデーローテータ（７）、および
グラン・レーザプリズムからなる検光子（８）とで構成
されている。また、（９）はビームスプリッタ（４）で
の偏光ビームを光電変換する光検知器、顛は光検知器（
９）から出力される信号を入力してソレノイド（６）に
印加しているプログラム電流源（１１）の印加電流を制
御する制御装置である。なお、検光子（８）はその偏光
面が図中に示す方向に進むし ′−ザ光（２）Ｋ対
して最大の透過率を存するように配置されている。
発振するレーザ発振器、（２）はこの発振器（１）から
放出されるレーザ光で、矢印（４）で示すように偏光面
は光軸に直交している。上記レーザ光（２）の光軸上に
減衰器（３）およびビームスプリッタ−（４）が順次設
けられている。上記の減衰器（３）は偏光面を高速で回
転する素子、たとえば重フリントガラス棒（５）とこの
周りに巻かれ後述する電流源よシ印加されるソレノイド
（６）とからなるファラデーローテータ（７）、および
グラン・レーザプリズムからなる検光子（８）とで構成
されている。また、（９）はビームスプリッタ（４）で
の偏光ビームを光電変換する光検知器、顛は光検知器（
９）から出力される信号を入力してソレノイド（６）に
印加しているプログラム電流源（１１）の印加電流を制
御する制御装置である。なお、検光子（８）はその偏光
面が図中に示す方向に進むし ′−ザ光（２）Ｋ対
して最大の透過率を存するように配置されている。
上記の構成において、ツレイツト責６）に電流を流しレ
ーザ光（２）の進行方向に対して磁界服を生じさせ、重
フリントガラス棒（５）のファラデ一定数をＶ、重フリ
ントガラス棒（５）の光軸方向の長さをｌとすると、入
射するレーザ光の偏光面は回転し、その角度θは次式で
表わされる。
ーザ光（２）の進行方向に対して磁界服を生じさせ、重
フリントガラス棒（５）のファラデ一定数をＶ、重フリ
ントガラス棒（５）の光軸方向の長さをｌとすると、入
射するレーザ光の偏光面は回転し、その角度θは次式で
表わされる。
θ＝ＶＨｘ／
ここで、ソレノイドに電流が印加され偏光面がθだけ回
転してに例示す位置になったとき、検光子（８）を通過
したレーザ光の強度は元のレーザ光の強度を■ｏとする
と、 ｌ０ＣＯ８２θとなる。しかしながら、θを一
定にしていても、レーザ発振器（１）内圧おける励起ラ
ンプの劣化でレーザ出力自体が低下するので、光検知器
（９）Ｋよ勺、その低下状態が検出され、制御装置（Ｉ
ｌでθの角度の変更が制御され加工に必要なレーザ出力
を安定して加工部に向けて供給することができる。なお
、図中矢印（Ａ” ）は検光子（８）通過後の偏光面で
ある。
転してに例示す位置になったとき、検光子（８）を通過
したレーザ光の強度は元のレーザ光の強度を■ｏとする
と、 ｌ０ＣＯ８２θとなる。しかしながら、θを一
定にしていても、レーザ発振器（１）内圧おける励起ラ
ンプの劣化でレーザ出力自体が低下するので、光検知器
（９）Ｋよ勺、その低下状態が検出され、制御装置（Ｉ
ｌでθの角度の変更が制御され加工に必要なレーザ出力
を安定して加工部に向けて供給することができる。なお
、図中矢印（Ａ” ）は検光子（８）通過後の偏光面で
ある。
第２図はこの発明の他の実施例で、上記実施例で示した
減衰器（３）と同様の構成になる減衰器（３）Ｉを設け
、制御装置（１（１’でこの減衰器（３）ｌを制御し加
工目的に応じた必要な出力レベルに高速に減衰もしくは
増加させる構成にしたものである。
減衰器（３）と同様の構成になる減衰器（３）Ｉを設け
、制御装置（１（１’でこの減衰器（３）ｌを制御し加
工目的に応じた必要な出力レベルに高速に減衰もしくは
増加させる構成にしたものである。
なお、減衰器は上記実施例の構成のほかに、ポッケルス
セルやカーセルあるいは高速応答するモータを用いて半
波長板などを回転させる構成に置き換えてもよい。
セルやカーセルあるいは高速応答するモータを用いて半
波長板などを回転させる構成に置き換えてもよい。
〔発明の効果〕
従来のたとえば励起ランプ入力を変えてレーザ出力レベ
ルを変化させる構成に比べて、出力パルスのパルス幅や
横モード、出力安定度の変化を伴わないでレーザ発振装
置からの出力レベルを高速にしかも安定して変えその状
態を維持させることは勿論、加工対象物、あるいは切断
やアニーリング等の加工目的に合った出力レベル即応で
きる効果を得ることができるようになった。
ルを変化させる構成に比べて、出力パルスのパルス幅や
横モード、出力安定度の変化を伴わないでレーザ発振装
置からの出力レベルを高速にしかも安定して変えその状
態を維持させることは勿論、加工対象物、あるいは切断
やアニーリング等の加工目的に合った出力レベル即応で
きる効果を得ることができるようになった。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図はこ
の発明の他の実施例を示す構成図である。 （１）・・レーザ発振器、（３）・・・減衰器、（４）
・・・ビームスプリッタ−１（９）・・・光検知器、Ｏ
Ｑ・・・制御装置、 ａｌｌ・・・プログラム電流
源。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 第２図 −３：
の発明の他の実施例を示す構成図である。 （１）・・レーザ発振器、（３）・・・減衰器、（４）
・・・ビームスプリッタ−１（９）・・・光検知器、Ｏ
Ｑ・・・制御装置、 ａｌｌ・・・プログラム電流
源。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 第２図 −３：
Claims (1)
- 直線偏向にて発振するレーザ発振器と、この発振器より
放出されたレーザ光の出力をこのレーザ光の偏向面の角
度をプログラム制御によって多段に変化させさらに上記
角度の変化に応じた透過量にして所定値に調整する第１
のエネルギ調整装置と、この第１のエネルギ調整装置を
経たレーザ光の一部を検知して上記角度の調整を再調整
する指令信号を送る検知手段と、この検知手段を経たレ
ーザ光の偏向面の角度をプログラム制御によって多段に
変化する第２のエネルギ調整装置とを備えたことを特徴
とするレーザ出力連続可変装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11211385A JPS611075A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | レーザ出力連続可変装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11211385A JPS611075A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | レーザ出力連続可変装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611075A true JPS611075A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14578485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11211385A Pending JPS611075A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | レーザ出力連続可変装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611075A (ja) |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP11211385A patent/JPS611075A/ja active Pending
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