JPS61105732A - 磁気テ−プ等の金属薄膜媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 蒸着法或いはスパッタリング法等によってテープ状の高
分子フィルム上に磁性金属等の金属原子を析出させて形
成きれる磁気テープ等の金属薄膜媒体及びその製造方法
。

（ロ）従来の技術 いわゆる塗布型の磁気デーブ或いはディスクに代わる高
密度記録媒体として、真空蒸着法或は連続スパッタリン
グ法によって製造した金属薄膜を媒体とする磁気テープ
等の記録媒体が徐々に採用されつつある。

真空蒸着法による磁気テープの製造装置、或は連続スパ
ッタリング法による磁気テープの製造装置は例えば特公
昭５８−３３６２０号公報や特開昭５８−１８９３７０
号公報等によって公知に属する。

第４図に装置の模式図を示す前者の方法は、蒸着炉（１
）中で蒸発させたＣｏ−Ｃｒ等の磁性金属蒸気〈２〉を
、遮蔽板（３）のスリット（４）を介して、キャンロー
ラ（５）の周囲に纏周案内きれて定張力にて定速走行さ
れるフィルムベース（６）上に導びき、金属原子を析出
する方法でおる。

この金属析出工程において、供給ロール（７）から繰り
出されるＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製のフ
ィルムベース（６）は、キャンローラ（５）に纒周案内
されつつその表面に金属原子を析出した後に順次巻取ロ
ール（８）に巻取られて行く。その際に巻取ロール（８
）の駆動力、供給ロール（７）の制動力及びキャンロー
ラ（５）周面の摩擦等を加味してフィルムベース（６）
にはその長手方向く第６図ａ−ａ′）に沿って略一定の
テンションが付与されるが、その巾方向（第６図ｂ　−
ｂ　’）には何の配慮もされてはいない。

また第５図に装置の模式図を示す後者の方法では、真空
槽（図示せず）内に一対のＣｏ−Ｃｒ等のターゲット（
１１）（１２）を、一定のスパッタ空間（１３）を介し
て平行に対面配置すると共に、前記ターゲット対の側方
に設けたホルダ（１４）を案内体としてフィルムベース
（１５）を前記スパック空間（１３）に対面許せ乍ら、
ターゲット（１１）（１２）の並列方向に直交し、且つ
ターゲット対（’１１）（１２）の配列方向に平行に定
張力で移送し、コイルＬ、Ｌによって前記ターゲットに
垂直な方向に印加きれる磁界の影響によってスパッタ空
間内に封じ込められる高エネルギーの電子によりイオン
化が促進された金属原子を遮蔽板（１６）によって囲ま
れた案内窓（１７〉を介してフィルムベース（１５）の
表面に析出して行く。

この方法でも、フィルムベース（１５）の長手方向の張
力は、供給ロール（１７）と巻取ロール（１８）の制動
或は巻取力の制御によって達成することが出来るが、巾
方向の張力は同等制御していない。

この様な方法では金属析出工程においてフィルムベース
上に析出、付着きるべき金属分子の温度が高く且つ基板
となるフィルムベースの温度自体も比較的に高温となる
ために、両者の熱膨張係数の差によって金属薄膜媒体と
して仕上った磁気テープ或は磁気ディスク等のカーリン
グの原因となる。

このカーリング現象は、特に媒体の製造効率を向上する
ために、金属の析出速度を上げると共にフィルトベース
の移送速度を増した場合には更に顕著に現れる。

前述のカーリング現象を除く方法として、例えば金属析
出工程を経たテープ状媒体を、数１０乃至数１００度に
加熱したローラ対の間を通す等の方法が試みられている
が、その工程、装置が熱管理等の点で著しく複雑となる
たけでなく、高温によりフィルムベースが損傷を受は易
い等の欠点を否めない。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 ４一 本発明は上述の従来例の諸欠点、即ち金属析出法による
金属薄膜媒体に生ずるカーリング等の現象を複雑な熱管
理工程及び装置を用いることなく防止することを解決す
べき課題とする。

（ニ）問題点を解決するための手段 略定張力で走行するフィルムベースに金属原子を析出す
るに際して、前記フィルムベースの巾−Ｍ向に対して、
析出金属の熱膨張を吸収するに足る張力を付与する。

（ホ〉　作用 金属析出工程（蒸着、或はスパッタリング〉を経た後に
、フィルムベース上に析出した金属原子で形成される金
属薄膜が急冷され、熱収縮を起しても、前記析出工程に
おいてフィルムベースにはこの工程中の析出金属の熱膨
張を吸収すべくその長手方向及び巾方向に予め張力を付
与して９許伸展させであるので、金属薄膜とフィルムベ
ースとの間の熱膨張差による影響は完全に相殺され、カ
ーリング現象を防止する。

くべ〉　実施例 以下、本発明方法の実施に用いる装置の要部を示す第１
図乃至第３図を参照しつつ、本発明方法につき説明する
。

この実施例においては、金属析出の工程において第５図
に図示せるスパッタリング装置を用いる。

第１図及び第３図は、第５図のスパッタリング装置に本
発明方法に用いる張力付与装置（２０＞（２０＞を組込
んだ状態で、スパッタ空間（１３〉側からフィルムベー
ス（１５）を見た要部装置の底面図を示すものである。

両図において、（１６’）はスパッタ金属原子がホルタ
（１４）等のフィルムベース（１５）以外の部分に付着
するのを防止するためのステンレス製の遮蔽板である。

この洒蔽板り１６）は第５図に図示ゼる如く当然フィル
ムベース（１５）や張力付与装置（２０）の手前に配置
きれているが、図面を見易くするために点線で示しであ
る。

（２０）は、略一定の張力で長手方向に定速移送される
ＰＥＴのフィルトベース（１５）の巾方向に対して所定
の定張力をＵ−える前出の定張力付与装置で、その要部
斜視図は第２図に示されている。

（１４）は、フィルムベース（１５〉をその背面から支
え案内するテープパッドの機能を兼ねるボルタである。

前記張力付与装置（２０）は、互いに逆方向に相通的に
平行に移動し得る一対の平行支持枠（２１）（２２）と
、各々両端部分を支持枠上に枢支（２３）（２４）され
斉一平行回動し、前記平行する支持枠（２１）（２２）
に対する交叉角度Ｏを任意に変え得る支軸（２５）と、
ベアリング（２６）によりこの支軸の周りに遊嵌される
テフロン或はステンレス製の転接輪（２７）及び前記支
持枠＜２１　＞（２２）をその長手方向及び対向方向に
調整自在に移動する自在接合構造（３０）を備える。

この自在接合構造（３０）４Ｊ、一方の支持枠（２１）
の端部（２８）から内方にＬ字状に伸びる支持枠（２９
）の先端部に設けた長孔り３１）と、他方の支持枠（２
２）の先端部（３２）に設けた長孔（３３）とを貫通１
７、同長孔の交わる任意の位置で両支持枠（２２＞（２
９）とを螺止するボルト（３４）及びナツト（３５）を
備える。

この様な構成で、いま転接輪（２７）（２７）・・が、
前記ホルダ（１４）の案内面（３６）と相俟ってフィル
ムベース（１５）を定圧力で圧接する様に挟持移送する
様に、支持枠（２１）を固定し、ボルト（３４）を緩め
た状態で支持枠（２２〉をその長手方向に移動すると、
各転接輪（２７）（２７＞・　の支軸（２５）（２５＞
・・・は−斉に枢支軸（２３）（２４＞のまわりに回動
し、支持枠（２１〉（２２）との角度０１従って転接輪
（２７Ｈ２７）・・・の転接方向とフィルムベース（１
５）の移送方向のなす角度Ｏを変えることが出来る。こ
の角度はフィルムベース（１５）Ｑ）１−Ｊ方向に対し
、転接輪（２７＞（２７）・・・（２７）の摩擦力の分
力を与え、フィルムベースに巾方向の張力を付与する。

この張力は、金属析出工程における析出金属の熱膨張係
数とフィルムベースの熱膨張係数の差による冷却時のフ
ィルムベースの縮みを考慮して決める。

尚、スパッタリングの条件、フィルムベースの移送速度
等の変更に対応］７、或は張力制御の自動化を計る目的
で、前記ボルト（３４）とナツト（３５〉を単に両枠（
２２）（２９）の枢支軸として使用し、支持枠（２２）
の先端にザーボモータを駆動源とする支持枠の長手方向
の直線運動（駆動）手段を接続し、支持枠（２２〉の進
退を制御する様にすることも出来る。

スパックリングに際しては、予め支持枠（２２）を長手
方向に進退せしめて転接輪（２７＞（２７）・・のフィ
ルムベース（１５＞への転接角度θヲ’＆エテフイルｌ
、ヘース（１５）の巾方向の張力を前述の所定値となる
様に設定した状態で、フィルムベース（１５）をその長
手方向に−・定速度で移送しつつ、スパッタリングを行
なう。斯くすれば、フィルムベース（１５）七に析出さ
れる金属原子とフイ）レムヘースの熱膨張係数の相違は
実質的に相殺されるので、金属薄膜媒体にカーリングを
生しることはない。

−ヒ記サーボモータの駆動電圧として、スパッタ装置に
印加する電圧及びフィルム移送用の駆動モーフの駆動電
圧に比例する電圧を用いることが出来る。

次に、蒸着法に本発明の方法を適用する場合には、前記
両支持枠（２１）（２２＞をキルンローラ（５）の周面
に対してそのまわりに同心的な曲面を形成側る様に配置
するが、基本的にその原理は同しである。

（ト）効果 本発明に依れば、格別に熱管理を必要とり−る上述の再
熱処理装置及び工程を導入することなく、金属析出工程
においてフィルムベースにＩＪ方向の張力を加えるだけ
で、従来不可避とされたカーリングの防止が可能となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明方法に使用する装置に係り、
第１図及び第３図は各々要部の底面図を表わし、第２図
は張力付与装置の要部斜視図を表わすものである。 第４図乃至第６図は従来例を示すもので、第４図は蒸着
装置の模式図、第５図は連続対向スパッタリング装置の
模式図、第６図は第５図の装置の要部底面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）テープ状の高分子フィルムベースを定張力で走行
   せしめ、その表面に金属原子を析出せしめ金属薄膜媒体
   を形成する際に、同時に前記フィルムベースの巾方向に
   対して前記析出金属の熱膨張を吸収するに足る張力を付
   与することを特徴とする磁気テープ等の金属薄膜媒体の
   製造方法。