JPS61101076A - Mosfet - Google Patents
MosfetInfo
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- JPS61101076A JPS61101076A JP22218484A JP22218484A JPS61101076A JP S61101076 A JPS61101076 A JP S61101076A JP 22218484 A JP22218484 A JP 22218484A JP 22218484 A JP22218484 A JP 22218484A JP S61101076 A JPS61101076 A JP S61101076A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41775—Source or drain electrodes for field effect devices characterised by the proximity or the relative position of the source or drain electrode and the gate electrode, e.g. the source or drain electrode separated from the gate electrode by side-walls or spreading around or above the gate electrode
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トラ
ンジスタ）を有する半導体装置における容量低減技術に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a capacitance reduction technique in a semiconductor device having a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).
ＭＯＳＦＥＴをパワーデバイスとして実現させるために
は耐圧および電流容量が最も問題とされている。In order to realize MOSFET as a power device, breakdown voltage and current capacity are the most important issues.
パワーＭＯ８ＦＥＴには横形構造と縦形構造（工業調査
会発行電子材料１９８１年９月パワーＭＯ８ＦＥＴの最
近の進歩 伊藤満夫他、ｐ２２−ｐ２８）とがあるが、
このうち横形パワーＭＯ８ＦＥＴについては高耐圧化の
ために第３図に示すようにフィールドプレート構造が採
用されている。同図において、１はｐ−型シリコン基板
、２はソースとなるｎ＋型型数散層３はドレインとなる
ｎ＋型型数散層４はｎ−型オフセット部（高耐圧部）、
５は絶縁膜、６はゲート、７はアルミニウムよりなるソ
ース電極でその一部はフィールドプレートとしてゲート
全面を覆っている。なお８はドレイン電極である。Power MO8FETs have a horizontal structure and a vertical structure (Recent Advances in Power MO8FETs published by Kogyo Kenkyukai, September 1981, Mitsuo Ito et al., p.22-p.28).
Among these, the horizontal power MO8FET adopts a field plate structure as shown in FIG. 3 in order to increase the withstand voltage. In the figure, 1 is a p- type silicon substrate, 2 is an n + type scattered layer 3 which is a source, and an n + type scattered layer 4 is a drain, which is an n - type offset part (high breakdown voltage part).
5 is an insulating film, 6 is a gate, and 7 is a source electrode made of aluminum, a part of which serves as a field plate and covers the entire surface of the gate. Note that 8 is a drain electrode.
このような横形パワーＭＯ８ＦＥＴにおける高周波化に
関係がある入力容量Ｃ１５ｓはゲート絶縁膜５による入
力容量Ｃ４と、ゲート６とフィールドプレート金属膜８
との間の絶縁膜５′による入力容量Ｃ！とがあり、この
うちゲート絶縁膜５による容量ＣＩが８０％を占めてい
る。この容量Ｃ１を低減する手段としてはゲート長２を
小さくすることが有効そあるが、現在力ホトレジスト技
術、耐圧設計技術ではゲート長ｐの微細化に限界がある
。The input capacitance C15s related to high frequency in such a horizontal power MO8FET is the input capacitance C4 due to the gate insulating film 5, the gate 6 and the field plate metal film 8.
The input capacitance C! due to the insulating film 5' between Of this, the capacitance CI due to the gate insulating film 5 accounts for 80%. An effective means for reducing the capacitance C1 is to reduce the gate length 2, but there is a limit to the miniaturization of the gate length p with the current photoresist technology and withstand voltage design technology.
本発明は上記の問題を克服するためになされたもので、
その目的とするところはゲート長をこれ以上微細化する
ことなしにＣｉ ｓｓを低減し、高周波特性にすぐれた
ＭＯＳＦＥＴを提供することにある。The present invention has been made to overcome the above problems.
The purpose is to reduce Ciss without further miniaturizing the gate length and to provide a MOSFET with excellent high frequency characteristics.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、絶縁ゲートを有し、このゲート位置をはさん
で半導体基体の表面にソース及びドレインが形成され、
ソースに接続する電極の一部がゲート上に絶縁膜を介し
て延在するＭＯＳＦＥＴにおいて、上記ソースに接続す
る電極はＭＯＳＦＥＴの高耐圧化に必要な部分を残して
ゲートと重なる不要部分を欠除させ、あるいは格子状に
形成されていることにより、ゲートとソースに接続する
電極ｉの重なり部分の容量を低減し、前記発明の目的を
達成できる。That is, it has an insulated gate, and a source and a drain are formed on the surface of the semiconductor substrate across the gate position,
In a MOSFET in which a part of the electrode connected to the source extends over the gate via an insulating film, the electrode connected to the source has an unnecessary part that overlaps with the gate, leaving only the part necessary for increasing the withstand voltage of the MOSFET. By forming the electrodes in a lattice pattern or in a lattice shape, the capacitance of the overlapping portion of the electrode i connected to the gate and source can be reduced, and the object of the invention described above can be achieved.
第１図は本発明の一実施例を示′すものであり、横形パ
ワーＭＯ８ＦＥＴの一部平面図でハツチングした部分は
ソース・フィールドプレートを含ムアルミニウム電極（
配線）をあられす。点線で示す部分がゲート電極である
。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, in which the hatched area in a partial plan view of a horizontal power MO8FET includes an aluminum electrode (including a source field plate).
wiring). The part indicated by the dotted line is the gate electrode.
第２図は第１図におけるＡ−Ａ切断断面図である。同図
において、第３図と共通の構成部分には同じ指示番号、
記号が使用されている。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 1. In this figure, the same designation numbers are given to the parts common to those in Figure 3.
symbols are used.
このＭＯ８Ｆ、ＥＴにおいて、ソース電極の一部である
ソース・フィールドプレート７のうち必要部分だけ残し
て不要の部分（第１図で空白な７８部分、第２図で点線
で示す７ｓ部分）をなくし、フィールドプレートとソー
ス電極は格子状（又はメツシー）に形成することで部分
的に数か所つなぎ、フィールドプレート部分の抵抗によ
る応答の遅延を防ぐようにしている。In this MO8F, ET, only the necessary part of the source field plate 7, which is a part of the source electrode, is left and the unnecessary part (the blank 78 part in Fig. 1, the 7s part indicated by the dotted line in Fig. 2) is eliminated. The field plate and source electrode are formed in a lattice shape (or mesh) and are connected at several locations to prevent delay in response due to resistance in the field plate portion.
以上実施例で述べた本発明によれば、下記のように効果
が得られる。According to the present invention described in the embodiments above, the following effects can be obtained.
すなわち、フィールドプレートをドレイン耐圧を確保す
るに必要とする部分だけ残し、フィールドプレートとゲ
ートとの間の重なりをなくしたことにより、その部分で
生じる入力容量Ｃ１５ｓ（Ｃｙ）を、例えば５〜６％低
減することができる。In other words, by leaving only the part of the field plate necessary to ensure drain breakdown voltage and eliminating the overlap between the field plate and the gate, the input capacitance C15s (Cy) generated in that part can be reduced by, for example, 5 to 6%. can be reduced.
Ｃ１５ｓを５〜６％低減することで、Ｐ、Ｇ、（パワー
ゲイン）が０．４６ｄＢ程度向上し、又、遮断周波数を
上げることができる。By reducing C15s by 5 to 6%, P, G, (power gain) can be improved by about 0.46 dB, and the cutoff frequency can be increased.
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
たとえば、ソース・フィールドプレートの一部を細いア
ミ目（メツシュ）状に形成してもよい。For example, a part of the source field plate may be formed into a thin mesh.
本発明はフィールドプレート構造の横形及び縦形のＭＯ
ＳＦＥＴ一般に適用することができる。The present invention provides horizontal and vertical MOs with field plate structure.
It can be applied to SFET in general.
本発明は、特に、フィールドプレート構造の横形パワー
ＭＯ８ＦＥＴに利用した場合に有効である。The present invention is particularly effective when applied to a horizontal power MO8FET having a field plate structure.
第１図は本発明の一実施例を示し、横形パワーＭＯ８Ｆ
ＥＴの一部平面図である。 ′第２図は第１図にお
けるＡ−Ａ切断断面図である。
第３図はこれまでの横形バフ−ＭＯ８ＦＥＴＶ’）−例
を示す断面図である。
１・・・ｐ−型シリコン基板、２・・・ソースｎ＋型層
、３・・・ドレインｎ＋型層、４・・・ｎ−型高耐圧層
、５・・・ゲート絶縁膜、６・・・ゲート、７・・・ソ
ース電極、ソース・フィールドプレート、８・・・ドレ
イン電極。
手続補正書（方式）
事件の表示
昭和５９年特許願第２２２１８４号
発明の名称
エムオーニスエフイーティー
補正をする者
事件との関係 特 許 出 願 人名 称 ＜Ｓ
＋Ｏ）株式会ン］ 日 立 製 作 所（ほか１名）
代 理 人
−」と補正する。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, in which a horizontal power MO8F
It is a partial plan view of ET. 'FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1. FIG. 3 is a sectional view showing an example of a conventional horizontal buff (MO8FETV'). DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...p-type silicon substrate, 2...source n+ type layer, 3...drain n+ type layer, 4...n-type high breakdown voltage layer, 5...gate insulating film, 6... - Gate, 7...source electrode, source/field plate, 8...drain electrode. Procedural amendment (method) Indication of the case Patent application No. 222184 of 1982 Name of the invention
+ O) Hitachi Ltd. (and 1 other person) Agent -”
Claims (1)
体の表面にソース及びドレインが形成され、ソースに接
続する電極の一部がゲート上に延在するＭＯＳＦＥＴで
あって、上記ソースに接続する電極はＭＯＳＦＥＴの高
耐圧化に必要な部分を残してゲートと重なる不要部分が
欠除されていることを特徴とするＭＯＳＦＥＴ。 ２、上記ソースに接続する電極はゲート上を空白部とす
る格子状に形成されている特許請求の範囲第１項に記載
のＭＯＳＦＥＴ。[Claims] 1. A MOSFET having an insulated gate, a source and a drain formed on the surface of a semiconductor across the gate position, and a part of an electrode connected to the source extending over the gate. The MOSFET is characterized in that the electrode connected to the source has an unnecessary part overlapping the gate, leaving a part necessary for increasing the withstand voltage of the MOSFET. 2. The MOSFET according to claim 1, wherein the electrode connected to the source is formed in a lattice shape with a blank space above the gate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22218484A JPS61101076A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | Mosfet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22218484A JPS61101076A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | Mosfet |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101076A true JPS61101076A (en) | 1986-05-19 |
Family
ID=16778471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22218484A Pending JPS61101076A (en) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | Mosfet |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61101076A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009023615A (en) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Honda Motor Co Ltd | Vehicle body structure for automobile |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP22218484A patent/JPS61101076A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009023615A (en) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Honda Motor Co Ltd | Vehicle body structure for automobile |
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