JPS61101043A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング装置

Info

Publication number
JPS61101043A
JPS61101043A JP59222152A JP22215284A JPS61101043A JP S61101043 A JPS61101043 A JP S61101043A JP 59222152 A JP59222152 A JP 59222152A JP 22215284 A JP22215284 A JP 22215284A JP S61101043 A JPS61101043 A JP S61101043A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding
wedge
coating
bonding part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59222152A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Shirai
優之 白井
Ken Okuya
謙 奥谷
Takeo Yamada
健雄 山田
Kanji Otsuka
寛治 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59222152A priority Critical patent/JPS61101043A/ja
Publication of JPS61101043A publication Critical patent/JPS61101043A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、ワイヤボンディング技術、特に、ワイ・＼・
表面の被覆物を除去する技術に関し、例えば、半導体装
置の製造において使用されるワイヤボンディング装置に
利用して有効な技術に関する。
［背景技術〕 半導体装置の高密度化に対策するため、ボンディングワ
イヤの表面を絶縁材料からなる被覆物で被覆することが
、考えられる。
しかし、一般的なワイヤボンディング装置においては、
ワイヤの表面に被覆物が付着していると、ボンディング
が不能に５なるという問題点があることが、本発明者に
よって明らかにされた。
なお、ワイヤボンディング技術を述べである例としては
、株式会社工業調査会発行「電子材料１９８３年１１月
号別冊」昭和５８年１１月１５日発行　Ｐ１４０〜Ｐ１
４５、がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、ワイヤ表面の被覆物を除去することが
できるワイヤボンディング技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は〜本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ワイヤのボンディング部位にエネルギ線を照
射することにより、被覆物を除去するようにしたもので
ある。
〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例であるワイヤボンディング装
置を示す一部切断正面図、第２図はその拡大部分断面図
である。
本実施例において、このワイヤボンディング装置は、リ
ードフレーム１とペレット２とにワイヤ３をボンディン
グするものとして構成されている。
ワイヤ３はアルミニュうム（Ａ１）から細線に形成され
ており、ワイヤ３の表面には絶縁材料からなる被覆物４
が被着されている。被覆物４の構成材料としては、エネ
ルギ線としてのレーザまたは赤外線等の照射によって焼
失させることが可能な絶縁材料を使用することが望まし
く、このような材料としては、例えば、エポキシ系樹脂
、フェノール系樹脂等の有機物質が考えられる。
リードフレーム１はθテーブル５に保持されるようにな
っており、θテーブル５により水平面内において回動し
得るようになっている。θテーブル５の片膝にはＸＹテ
ーブル６が配設されており、ＸＹテーブル６上にはレバ
ー７が上下駆動装置８により上下方向に回動されるよう
に配設されている。レバー７のθテーブル５側の端部に
はボンディングアーム９の一端部が水平方向に摺動し得
るように支持されており、ボンディングアーム９は超音
波発生装置１０により発振する発振子１１に連携されて
いる。ボンディングアーム９の自由端部にはボンディン
グ工具としてのウェッジ１２が略垂直に支持されており
、ウェッジ１２の下端にはワイヤ挿通孔１３がリール３
ａに巻装されたワイヤ３を繰り出し可能に挿通するよう
に開設されている。
ウェッジ１２はサファイア、ルビー等のような透光性を
有し、かつ、耐摩耗性を有する材料により形成されてお
り、ウェッジ１２の上端面には、導波路としての光ファ
イバ１６がエネルギ線としてのレーザ１５をウェッジ１
２の内部に導くように接続されている。ウェッジ１２の
表面には反射面層１４が銀めっきを施す等のような適当
な手段により、ワイヤ挿通孔Ｉ３および光ファイバ１６
との接続部を除いで被着されている。光ファイバ１６の
他端部はレーザ投射装置１７に臨まされており、レーザ
投射装置１７はウェッジ１２に対して適当な（つ置に配
設されている。
次に作用を説明する。
リードフレームｌがθテーブル５上に固定的に保持され
ると、ウェッジ１２によりワイヤ３がペレット２および
リードフレーム１のボンディングパソドに順次押接され
、超音波振動が発振子１１、ボンディングアーム９を通
して付勢される。この超音波振動エネルギと、この付勢
に伴う摩擦熱等によりワイヤ３はボンディングバンド上
にボンディングされ、リードフレーム１とペレット２と
はボンディングワイヤ３によって電気的に接続されるこ
とになる。
ところが、ワイヤ３の表面に被覆物４が被着していると
、超音波振動が付勢されてもワイヤ３はボンディングパ
ソドにボンディングされない。
そこで、本実施例においては、ワイヤ３の表面に被着さ
れている被覆物４をボンディングする部位に限り除去す
ることにより、被覆物４を被着されたワイヤ３について
のボンディングを実現するようにしている。
すなわち、ワイヤ３のボンディング部位がウェッジ１２
の挿通孔１３を通過している時、ウェッジ］２のボンデ
ィング作動に連携させる等の適当な手段によって制御さ
れることにより、レーザ投射装置１７はレーザ１５を光
ファイバ１６に投射する。レーザ１５は光ファイバ１６
によりウェッジ１２の内部に導かれ、ウェッジ１２の内
部において反射を繰り返して挿通孔１３に至る。挿通孔
１３には反射面層１４が形成されていないため、レーザ
１５は挿通孔１３の壁面を透過することにより、挿通孔
１３を通過しようとしているワイヤ３のボンディング部
位に照射することになる。
レーザ１５が照射されると、ワイヤ３に被着された被覆
物４はそのエネルギにより焼失されるため、ワイヤ３の
表面には被覆物４を除去されてなる被覆物除去部１８が
これからボンディング部位に対応する部分に形成される
ことになる。
このようにして、ボンディング部位に被覆物除去部１８
が予め形成されるため、ウェッジ１２の超音波振動付勢
によるボンディングが確実に実現されることになる。
なお、ボンディングが実施されると、次のボンディング
部位がウェッジ１２の挿通孔１３に達するまで、レーザ
投射装置１７はレーザ１５の投射を休止するため、ワイ
ヤ３におけるボンディング部位以外の表面は被覆物４に
より被覆されていることになる。
〔実施例２〕 第３図は本発明の他の実施例を示す第２図に相当する拡
大部分断面図である。
本実施例２はボンディング工具としてキャピラリー１２
Ａが使用されている場合を示している。
このキャピラリー１２Ａも透光性、耐摩耗性を備えた材
料により形成されており、その表面には反射面層１４Ａ
が、光ファイバ１６の接続部およびワイヤ挿通孔１３Ａ
の先端部を除いて形成されている。
キャピラリーが使用されるワイヤボンディングにおいて
は、ワイヤとして金（Ａｕ）線が使用されることが多い
が、被覆物の除去作用は前記実施例と同様に実現される
。
すなわち、金線ワイヤ３Ａの表面に被着された被覆物４
Ａはレーザ１５の照射によって焼失するように除去され
る。この場合、レーザ１５の照射によって金線３Ａに断
線等が発生しないように、レーザ、被覆物、金線の強度
の相関関係を選定することが望ましい。
〔効果〕
（１）　　ワイヤのボンディング部位にエネルギ線を照
射することにより、ボンディング部位におけるワイヤ表
面の被覆物を除去することができるため、被覆物を予め
被着されているワイヤを使用したボンディングを実現す
ることができる。
（２）　　ワイヤのボンディング部位にエネルギ線を照
射することにより、ワイヤ表面におけるボンディング部
位以外の部分に被覆物を残すことができるため、ボンデ
ィングワイヤの表面に絶縁層を形成することができる。
（３）ボンディングワイヤの表面に絶縁層を形成するこ
とにより、ボンディングワイヤ同士の接触による短絡を
防止することができるため、ボンディングワイヤの高密
度配線を実現することができ、高密度実装を推進するこ
とができる。
（４）　　エネルギ線をボンディング工具を通してワイ
ヤに照射することにより、エネルギ線をワイヤのボンデ
ィング部位に確実に照射することができるとともに、専
用の照射装置の付設を省略することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、エネルギ線としては、レーザに限らず、赤外線
等を使用することができる。
エネルギ線はボンディング工具を通してワイヤに照射す
るに限らず、専用の照射装置を付設してもよい。
除去すべき被覆物は絶縁のために積極的に被着したもの
に限らず、ワイヤの表面に不慮に形成されてしまった被
覆物等であってもよい。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おいて、リードフレームとベレットとを電気的に接続す
るワイヤボンディング装置に適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではなく、その他の電子
部品や電子機器についての配線を作るワイヤボンディン
グ装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例であるワイヤボンディング装
置を示す一部切断正面図、 第２図はその拡大部分断面図、 第３図は本発明の他の実施例を示す第２図に相当する拡
大部分断面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ワイヤのボンディング部位にエネルギ線を照射する
    ことにより、ボンディング部位の表面に形成されている
    被覆物を除去するように構成されているワイヤボンディ
    ング装置。 ２、エネルギ線が、透光材料で形成されているボンディ
    ング工具の内部を透過して被覆物に照射するように構成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    のワイヤボンディング装置。
JP59222152A 1984-10-24 1984-10-24 ワイヤボンデイング装置 Pending JPS61101043A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59222152A JPS61101043A (ja) 1984-10-24 1984-10-24 ワイヤボンデイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59222152A JPS61101043A (ja) 1984-10-24 1984-10-24 ワイヤボンデイング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61101043A true JPS61101043A (ja) 1986-05-19

Family

ID=16777994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59222152A Pending JPS61101043A (ja) 1984-10-24 1984-10-24 ワイヤボンデイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61101043A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4893742A (en) * 1988-12-21 1990-01-16 Hughes Aircraft Company Ultrasonic laser soldering
US5031821A (en) * 1988-08-19 1991-07-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, method for producing or assembling same, and producing or assembling apparatus for use in the method
JPH03257940A (ja) * 1990-03-08 1991-11-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置のワイヤボンディング装置
JPH05343461A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Nec Corp ワイヤボンディング方法及びその装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5031821A (en) * 1988-08-19 1991-07-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, method for producing or assembling same, and producing or assembling apparatus for use in the method
US4893742A (en) * 1988-12-21 1990-01-16 Hughes Aircraft Company Ultrasonic laser soldering
JPH03257940A (ja) * 1990-03-08 1991-11-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置のワイヤボンディング装置
JPH05343461A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Nec Corp ワイヤボンディング方法及びその装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3181600B2 (ja) 基板またはチップにフラックスなしで半田付けする方法および装置
AU610974B2 (en) Laser bonding apparatus and method
US6892927B2 (en) Method and apparatus for bonding a wire to a bond pad on a device
KR970020436A (ko) 복합 레이저를 이용한 납땜없는 전기 접속 방법과 광학 섬유 압착 접속 시스템
EP0217019B1 (en) Method of manufacturing interconnection circuit boards
US4587395A (en) Bonding leads to semiconductor devices
US4785156A (en) Soldering method using localized heat source
JPH02151047A (ja) ボンデイング装置
JPS61101043A (ja) ワイヤボンデイング装置
KR19990082491A (ko) 절연 와이어의 본딩 방법 및 장치
US5904868A (en) Mounting and/or removing of components using optical fiber tools
JPS5863142A (ja) ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法
TW201114532A (en) Method and system for exposing delicate structures of a device encapsulated in a mold compound
JP2770803B2 (ja) 電子部品搭載装置
JPS6333831A (ja) ボンデイングワイヤおよびワイヤボンデイング方法
JP3243906B2 (ja) 半導体装置と外部端子との接合方法
JPS5889831A (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
JPH11332051A (ja) レーザ被覆除去装置
JPS62245643A (ja) 被覆線の超音波ボンデイング方法
JP2792337B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH03210783A (ja) 被覆線半田づけ方法
JPS6141230Y2 (ja)
JPS6218725A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS62140428A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH07193100A (ja) ボンディング方法およびボンディング装置