JPS6097647A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS6097647A JPS6097647A JP58204677A JP20467783A JPS6097647A JP S6097647 A JPS6097647 A JP S6097647A JP 58204677 A JP58204677 A JP 58204677A JP 20467783 A JP20467783 A JP 20467783A JP S6097647 A JPS6097647 A JP S6097647A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aromatic
- semiconductor device
- polymer
- formula
- coated
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係り、更に詳しくは、素子の表
面を特定のポリイミド重合体で保護コートした半導体装
置に関する。
面を特定のポリイミド重合体で保護コートした半導体装
置に関する。
従来から素子の表面をポリイミド重合体で保護コートし
た半導体装置は知られていた。しかしながら、芳香族ポ
リイミド系重合体は一般に有機溶剤に不溶であるため、
コーティングする際には、その前駆体であるポリアミド
酸の溶液をコートした後、溶剤除去とともに、加熱閉環
反応を起こさせる。したがって、処理温度は高温を必要
とするが、高温処理は作業性という点から以外にも、高
温ではボンディング部に好ましからざるＡｕ−Ａｔの合
金が生成し、半導体装置の耐湿性が低下しやすいという
点からも好ましくない。
た半導体装置は知られていた。しかしながら、芳香族ポ
リイミド系重合体は一般に有機溶剤に不溶であるため、
コーティングする際には、その前駆体であるポリアミド
酸の溶液をコートした後、溶剤除去とともに、加熱閉環
反応を起こさせる。したがって、処理温度は高温を必要
とするが、高温処理は作業性という点から以外にも、高
温ではボンディング部に好ましからざるＡｕ−Ａｔの合
金が生成し、半導体装置の耐湿性が低下しやすいという
点からも好ましくない。
本発明は、上記の欠点に鑑み、低温可能な耐熱性ポリイ
ミドすなわち、溶剤可溶型の芳香族ポリイミド重合体で
コートした半導体装置を提供することを目的とする。
ミドすなわち、溶剤可溶型の芳香族ポリイミド重合体で
コートした半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、素子表面が、一般式（Ｉ）
・・・（Ｉ）
〔但し、Ａｒ及びＲは、二価の芳香族残基金示す。〕で
表わされるくり返し単位を有する芳香族ポリエーテルイ
ミド重合体でコートされていることを特徴とする半導体
装置にある。
表わされるくり返し単位を有する芳香族ポリエーテルイ
ミド重合体でコートされていることを特徴とする半導体
装置にある。
本発明において、芳香族ポリエーテルイミド重合体から
なるコート膜の厚さは、１〜３００μｍの範囲から選ば
れる。特に、半導体装置がメモリでアシ、α線によるソ
フトエラーを防止するため、保鰻コートする場合には、
３０〜１００９ｍが選ばれる。
なるコート膜の厚さは、１〜３００μｍの範囲から選ば
れる。特に、半導体装置がメモリでアシ、α線によるソ
フトエラーを防止するため、保鰻コートする場合には、
３０〜１００９ｍが選ばれる。
本発明において用いられる芳香族ポリエーテルアミド重
合体は、一般式（Ｉｎ）で示される芳香族ジアミンのジ
ニトロ７タルイミドと一般式（ｌｉｔ）のアルカリ金属
ジフェノキシドとの重縮合０ ０ Ｍｏ−Ａ ｒ −ＯＭ （ＩＩ［） あるいは、一般式（ＩＶ）のビス（エーテル酸無水物）
と一般式（Ｖ）の芳香族ジアミンとの重縮合によって ＨＥＮ ＲＮＨ２ （Ｖ） 得られる（但し、上記式（ＩＩ）〜（Ｖ）において、Ａ
ｒ及びＲは二価の芳香族残基であり、Ｍはアルカリ金属
をあられす）。
合体は、一般式（Ｉｎ）で示される芳香族ジアミンのジ
ニトロ７タルイミドと一般式（ｌｉｔ）のアルカリ金属
ジフェノキシドとの重縮合０ ０ Ｍｏ−Ａ ｒ −ＯＭ （ＩＩ［） あるいは、一般式（ＩＶ）のビス（エーテル酸無水物）
と一般式（Ｖ）の芳香族ジアミンとの重縮合によって ＨＥＮ ＲＮＨ２ （Ｖ） 得られる（但し、上記式（ＩＩ）〜（Ｖ）において、Ａ
ｒ及びＲは二価の芳香族残基であり、Ｍはアルカリ金属
をあられす）。
本発明において用いられる芳香族ポリエーテルイミドの
製造に用いられる二価フェノールの具体例をあげると、
２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４
．４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、ハイドロキ
ノン、カテコール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、４．４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、”
４．４’−ジヒドロキ７ペンゾフエノン、４．４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、２．２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル） −１，１，１，３，３゜３−へ
キサフルオロプロパン、２． ５−シヒ）’。
製造に用いられる二価フェノールの具体例をあげると、
２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４
．４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、ハイドロキ
ノン、カテコール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、４．４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、”
４．４’−ジヒドロキ７ペンゾフエノン、４．４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、２．２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル） −１，１，１，３，３゜３−へ
キサフルオロプロパン、２． ５−シヒ）’。
キシトルエン、４．４’−ジヒドロキシ−３，３′−ジ
メチルジフェニル、３ｊ３’ 、５．５’−テトラメチ
ル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−（
４−ヒドロキシフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス
（４−（４−ヒドロキクフェノキシ）フェニル〕エーテ
ル、４．４′−ジ（Ｐ−ヒドロキシフェノキシ）ベンゾ
フェノンなトカあげられる。
メチルジフェニル、３ｊ３’ 、５．５’−テトラメチ
ル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−（
４−ヒドロキシフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス
（４−（４−ヒドロキクフェノキシ）フェニル〕エーテ
ル、４．４′−ジ（Ｐ−ヒドロキシフェノキシ）ベンゾ
フェノンなトカあげられる。
また、本発明に用いられる芳香族ポリエーテルイミドの
製造に用いられる芳香族ジアミンの例をあけると、ｍ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４．４
’−ジアミノジフェニルプロパン、４．４’−ジアミノ
ジフェニルスルフィ）”、４．４’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、４゜４′−ジアミノジフェニルエーテル、
１，５−ジアミノナフタリン、２，４−ジアミノトルエ
ン、２．６−ジアミノトルエン、４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン、４．４’−ジアミノベンゾフェノン、
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン、２．２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２．２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕１．１，１，３，３．３−へキサフ
ルオロプロパン−４，４’ −（ｐ−アミノフェノキシ
）ベンゾフェノン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ
）フェニルコメタン、ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテルなどがあげられる。
製造に用いられる芳香族ジアミンの例をあけると、ｍ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４．４
’−ジアミノジフェニルプロパン、４．４’−ジアミノ
ジフェニルスルフィ）”、４．４’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、４゜４′−ジアミノジフェニルエーテル、
１，５−ジアミノナフタリン、２，４−ジアミノトルエ
ン、２．６−ジアミノトルエン、４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン、４．４’−ジアミノベンゾフェノン、
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン、２．２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２．２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕１．１，１，３，３．３−へキサフ
ルオロプロパン−４，４’ −（ｐ−アミノフェノキシ
）ベンゾフェノン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ
）フェニルコメタン、ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテルなどがあげられる。
前記芳香族ポリエーテルイ４ミド重合体は、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ −メチルピロ
リドン、ジメチルスルホキシド等に溶解して、フェスの
形態にし、これを菓子に塗布して１００〜２００Ｃの温
度条件にて製膜することができる。その後、たとえば、
エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などで封
止される。
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ −メチルピロ
リドン、ジメチルスルホキシド等に溶解して、フェスの
形態にし、これを菓子に塗布して１００〜２００Ｃの温
度条件にて製膜することができる。その後、たとえば、
エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などで封
止される。
実施例１
５２重量部の２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキ
シフェノキシ）フェニル〕プロパンニ無水物、４１重量
部の２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、１０００重量部のＮ−メチルピロリド
ン及び３００重量部のトルエンの混合物を室温で約１時
間攪拌した後、１５０Ｃで約１時間還流した。この際、
生成する水を共沸によシ留去した。更にトルエン２００
部を加えて、トルエンを留去しながら１８０Ｃまで昇温
した後、冷却した。このようにして得られた芳香族ポリ
エーテルイミド重合体ｅＮ−メチルピロリド７１５％溶
液に調製した。これをＭＯ８型ＬＳＩに塗布し、１００
Ｃ１３０分、１５０ Ｃｓ１時間、２００Ｃ，２時間加
熱して厚さ約４０μｍの膜を素子表面に形成した。
シフェノキシ）フェニル〕プロパンニ無水物、４１重量
部の２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、１０００重量部のＮ−メチルピロリド
ン及び３００重量部のトルエンの混合物を室温で約１時
間攪拌した後、１５０Ｃで約１時間還流した。この際、
生成する水を共沸によシ留去した。更にトルエン２００
部を加えて、トルエンを留去しながら１８０Ｃまで昇温
した後、冷却した。このようにして得られた芳香族ポリ
エーテルイミド重合体ｅＮ−メチルピロリド７１５％溶
液に調製した。これをＭＯ８型ＬＳＩに塗布し、１００
Ｃ１３０分、１５０ Ｃｓ１時間、２００Ｃ，２時間加
熱して厚さ約４０μｍの膜を素子表面に形成した。
その後、エポキシ樹脂でトランスファ成形し封止した。
この半導体装置の８０Ｃ１９０％ＲＨ１１０００時間後
の故障率はＯ／９０と優れていた。
の故障率はＯ／９０と優れていた。
実施例２
ｏ、１モルの２．２−ビス（４−（３，４−ジカルボキ
シフェノキシ）フェニル〕プロパンニ無水物と、０．１
モルのメタフェニレンジアミンとよシ実施例１と同様に
して芳香族ポリエーテルイミド重合体を得た。同様にし
て固形分１５％のワニス會調製し、ＭＯ８型ＬＳＩに塗
布した。この半導体装置の８０Ｃ５９０％での耐湿性は
良好でおった。
シフェノキシ）フェニル〕プロパンニ無水物と、０．１
モルのメタフェニレンジアミンとよシ実施例１と同様に
して芳香族ポリエーテルイミド重合体を得た。同様にし
て固形分１５％のワニス會調製し、ＭＯ８型ＬＳＩに塗
布した。この半導体装置の８０Ｃ５９０％での耐湿性は
良好でおった。
実施例３
４３．６部のビス（４−（４−ヒドロキシフェノキシ）
フェニル〕スルホン、８部の水酸化ナトリウムを５０部
の水に溶解したＮａＯＨ水溶液、３０部のジメチルスル
ホキシド及び１００部のベンゼンからなる混合物を攪拌
しながら加熱し、水分をベンゼンと共沸することにより
除去した。次に４５．８部の１，３−ジ〔４−ニトロフ
タルイミノ〕ベンゼン及び３００部のジメチルスルホキ
シドを加えた。１２０Ｃで２時間反応させた後、反応混
合物をメタノールに注ぎ、重合体を沈でんさせた。
フェニル〕スルホン、８部の水酸化ナトリウムを５０部
の水に溶解したＮａＯＨ水溶液、３０部のジメチルスル
ホキシド及び１００部のベンゼンからなる混合物を攪拌
しながら加熱し、水分をベンゼンと共沸することにより
除去した。次に４５．８部の１，３−ジ〔４−ニトロフ
タルイミノ〕ベンゼン及び３００部のジメチルスルホキ
シドを加えた。１２０Ｃで２時間反応させた後、反応混
合物をメタノールに注ぎ、重合体を沈でんさせた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、樹脂封上屋半導体装置において、素子表面が一般式
ＣＩ） 。〕で表わされるくシ返し単位を有する芳香族ポリエー
テルイミド重合体でコートされていることを特徴とする
半導体装置。 ２ 芳香族ポリエーテルイミド重合体が、式（］Ｉ）よ
シなる群から選択した基を示し、Ｘｌ；ｔ、ｓｃｈ 。 またはＣＨ−を示す〕で表わされるくり返し単位を有す
る重合体である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。 ３、芳香族ポリエーテルイミド重合体が、式（ＩＩＩ）
〔但シ、式中、Ｒは、メタフェニレン、パラ７エＯまた
はＣＨ＊ｔ−示す）からなる群から選択され、Ｘは０．
８Ｃｈまたは℃０である〕で表わされるくシ返し単位を
有する重合体である特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置。 ４、・ 芳香族ポリエーテルイミド重合体層の厚さが１
〜３００μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項または第３項記載の半導体装置。 ５、半導体装置がメモリであシ、芳香族ポリエーテルイ
ミド重合体層の厚さが３０〜１００μｍであることを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204677A JPS6097647A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204677A JPS6097647A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097647A true JPS6097647A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0117262B2 JPH0117262B2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=16494465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204677A Granted JPS6097647A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097647A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185715A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 無色ポリイミドフイルム |
| JP2007106891A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
| JP2007112890A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5069197A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-06-09 | ||
| JPS57114257A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204677A patent/JPS6097647A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5069197A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-06-09 | ||
| JPS57114257A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185715A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 無色ポリイミドフイルム |
| JP2007106891A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
| JP2007112890A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117262B2 (ja) | 1989-03-29 |
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