JPS6097355A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JPS6097355A JPS6097355A JP58205236A JP20523683A JPS6097355A JP S6097355 A JPS6097355 A JP S6097355A JP 58205236 A JP58205236 A JP 58205236A JP 20523683 A JP20523683 A JP 20523683A JP S6097355 A JPS6097355 A JP S6097355A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法、特ＫＸ線吸収体
パターンの形成方法に関するものである。
パターンの形成方法に関するものである。
０．３〜１緬のようにきわめて厚いため、パターン欠陥
が発生した場合に、その修復が非常にむずかしいという
問題があった。又従来、Ｘ線吸収体パターン形成に用い
られていたリフトオフプロセスやエツチングプロセスに
よれば、吸収体パターン形成前のレジストパターン状態
では、検査も修復も事実上不可能であり、どうしても吸
収体パターン形成後に時間をかけ、かつ精度を落しても
厚いＸ線吸収体パターンのパターン検査及び修復を行う
必要があり、これがＸ線露光実用化の上で一つの大きな
課題となっていた。
が発生した場合に、その修復が非常にむずかしいという
問題があった。又従来、Ｘ線吸収体パターン形成に用い
られていたリフトオフプロセスやエツチングプロセスに
よれば、吸収体パターン形成前のレジストパターン状態
では、検査も修復も事実上不可能であり、どうしても吸
収体パターン形成後に時間をかけ、かつ精度を落しても
厚いＸ線吸収体パターンのパターン検査及び修復を行う
必要があり、これがＸ線露光実用化の上で一つの大きな
課題となっていた。
本発明の目的はＸ線吸収体パターンの基礎となる薄い遮
光パターンを予じめ作成し、従来の光学マスク修正技術
を用いて、きわめて欠陥の少ないＸ線露光マスクを提供
することにある。
光パターンを予じめ作成し、従来の光学マスク修正技術
を用いて、きわめて欠陥の少ないＸ線露光マスクを提供
することにある。
すなわち、本発明社軟Ｘ線及び紫外光を透過するＸ線透
過膜を支持構造体に固定する工程と、該膜上に紫外光を
遮光する所望パターンあるいは所望パターンと相補のパ
ターンを形成する工程と、該パターン上に感光樹脂を堆
積する工程と、Ｘ線透過膜の前記遮光層のない面から紫
外光を一括照射し、現像プロセスにより感光樹脂パター
ンを形成する工程と、感光樹脂にポジ型を用いた場合−
全面に軟Ｘ線吸収素材を堆積し、リフトオフ工程により
所望の厚膜Ｘ線吸収層を形成する工程、又は感光樹脂に
ネガ型レジストを用いた場合に、リフトオフ若しくは連
続した紫外遮光層を電導層′として選択メツΦにより厚
膜Ｘ線吸収層を形成する工程とからなることを特徴とす
るＸ線露光用マスクの製造方法である。
過膜を支持構造体に固定する工程と、該膜上に紫外光を
遮光する所望パターンあるいは所望パターンと相補のパ
ターンを形成する工程と、該パターン上に感光樹脂を堆
積する工程と、Ｘ線透過膜の前記遮光層のない面から紫
外光を一括照射し、現像プロセスにより感光樹脂パター
ンを形成する工程と、感光樹脂にポジ型を用いた場合−
全面に軟Ｘ線吸収素材を堆積し、リフトオフ工程により
所望の厚膜Ｘ線吸収層を形成する工程、又は感光樹脂に
ネガ型レジストを用いた場合に、リフトオフ若しくは連
続した紫外遮光層を電導層′として選択メツΦにより厚
膜Ｘ線吸収層を形成する工程とからなることを特徴とす
るＸ線露光用マスクの製造方法である。
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
ｆｌｃ１図に示すようにＸ線透過膜、例えば膜厚５μｍ
マイラー膜１０２を支持構造、例えばパイレックスリン
グ１０１に引張して固定治具１０３で固定し、その上面
にレジスト１０４を膜厚的０．２＃−０，５μｍ塗布す
る。
マイラー膜１０２を支持構造、例えばパイレックスリン
グ１０１に引張して固定治具１０３で固定し、その上面
にレジスト１０４を膜厚的０．２＃−０，５μｍ塗布す
る。
ついて第２図に示すように紫外線露光により、所望パタ
ーン形状のレジストを形成し、全面に膜厚的０．１尾の
クロム等の遮光材料２０１を真空蒸着法等で堆積する。
ーン形状のレジストを形成し、全面に膜厚的０．１尾の
クロム等の遮光材料２０１を真空蒸着法等で堆積する。
さらにレジスト剥離液に全体を浸漬し、リフトオフ法に
よシ第３図に示すように所望形状の遮光層３０１を形成
する。この時点で従来の光学マスク検査及びレーザー等
を用いたパターン修正技術により完全なパターンを形成
する。
よシ第３図に示すように所望形状の遮光層３０１を形成
する。この時点で従来の光学マスク検査及びレーザー等
を用いたパターン修正技術により完全なパターンを形成
する。
第４図において、再びレジスト膜４０１を堆積するが、
この際、膜厚が０．５〜２μｍの厚さに塗布し、その後
、紫外光をＸ線ならびに紫外光透過膜１０２の裏面より
一括照射すると遮光層３０１とレジスト膜４０１とが完
全に密着した状態でエネルギー照射を行うことができる
。レジストが、例えばポジ型であれば第５図に示すよう
なレジストパターン５０１が得られる。その後、全面Ｖ
ＣＸ線吸収層素材となる膜厚０．３１ｍ−０，８μｍｆ
）重金属素材、例えばＡｕ ＨＡｇ ＋Ｗ等の６０１を
堆積する（第６図）。
この際、膜厚が０．５〜２μｍの厚さに塗布し、その後
、紫外光をＸ線ならびに紫外光透過膜１０２の裏面より
一括照射すると遮光層３０１とレジスト膜４０１とが完
全に密着した状態でエネルギー照射を行うことができる
。レジストが、例えばポジ型であれば第５図に示すよう
なレジストパターン５０１が得られる。その後、全面Ｖ
ＣＸ線吸収層素材となる膜厚０．３１ｍ−０，８μｍｆ
）重金属素材、例えばＡｕ ＨＡｇ ＋Ｗ等の６０１を
堆積する（第６図）。
ライで、リフトオフ工程と呼ばれるレジスト及びレジス
ト上の不用の金属をレジスト剥離液による除去を行い、
所望のＸ線吸収体パターン７０１を形成する（第７図）
。紫外線遮光層３０１はウェットエツチング等によシ除
去してもよいが、膜厚が薄いうえ、Ｘ線吸収率の低い素
材を用いることができるためそのまま残存させておいて
もよい。
ト上の不用の金属をレジスト剥離液による除去を行い、
所望のＸ線吸収体パターン７０１を形成する（第７図）
。紫外線遮光層３０１はウェットエツチング等によシ除
去してもよいが、膜厚が薄いうえ、Ｘ線吸収率の低い素
材を用いることができるためそのまま残存させておいて
もよい。
次Ｋ、紫外線露光用レジストにネガ型レジストを用いる
場合の実施例を以下に示す・ 第８図はＸ線及び紫外光透過膜８０２を支持構造、例え
ばＳｉリング８０１に固定するとともにその周囲を治具
８０３で保護固定し、透過膜８０２上にメッキ電導層と
なる膜厚的０．１μｍの金層８０４及び膜厚０．２〜０
．５μｍのレジスト８０５を堆積した状態を示す。
場合の実施例を以下に示す・ 第８図はＸ線及び紫外光透過膜８０２を支持構造、例え
ばＳｉリング８０１に固定するとともにその周囲を治具
８０３で保護固定し、透過膜８０２上にメッキ電導層と
なる膜厚的０．１μｍの金層８０４及び膜厚０．２〜０
．５μｍのレジスト８０５を堆積した状態を示す。
第９図において、まず、１「子線露光等にょシレジスト
ハターン９０１を形成し、さらに該レジスト膜をマスク
に下地のメッキ電導層をイオンミリング等（よシエッチ
ング除去する。この時点で、パターン検査を行い、必要
に応じてパターン修正を行う。第１０図にレジストを剥
離した状態を示す。
ハターン９０１を形成し、さらに該レジスト膜をマスク
に下地のメッキ電導層をイオンミリング等（よシエッチ
ング除去する。この時点で、パターン検査を行い、必要
に応じてパターン修正を行う。第１０図にレジストを剥
離した状態を示す。
１ｏｏｉはパターン化したメッキ下地層兼紫外光遮光パ
ターンを示している。ついで第１１図に示すように紫外
線ネガレジス） １１０１を膜厚０．５μｍ−２μｔａ
ｊｊ’ｉ積し、基板裏面から紫外光を一括照射する。
ターンを示している。ついで第１１図に示すように紫外
線ネガレジス） １１０１を膜厚０．５μｍ−２μｔａ
ｊｊ’ｉ積し、基板裏面から紫外光を一括照射する。
これを現像し、第１２図に示すごとくメッキ下地層を除
去して紫外光の透過してきた部分だけレジスト１２０１
が残存する。さらに、メッキ液に浸漬メッキ、例えば膜
厚０．３〜１μｍに金メッキを行うと、第１３図に示す
ようなＸ線吸収体パターン１３０１が得られる。金メッ
キをする必要のない部分はメッキ電導層がなく、しかも
厚く急峻なレジストでおおわれているため、良好な選択
メッキを行うことができる。
去して紫外光の透過してきた部分だけレジスト１２０１
が残存する。さらに、メッキ液に浸漬メッキ、例えば膜
厚０．３〜１μｍに金メッキを行うと、第１３図に示す
ようなＸ線吸収体パターン１３０１が得られる。金メッ
キをする必要のない部分はメッキ電導層がなく、しかも
厚く急峻なレジストでおおわれているため、良好な選択
メッキを行うことができる。
ついて゛、不用になったレジストを除去すると、第１４
図に示すような所望のＸ蝕露光用マスク１４０１が得ら
れる。
図に示すような所望のＸ蝕露光用マスク１４０１が得ら
れる。
本発明は、Ｘ腺透過基板に紫外光透過膜料を用するため
、レジストと金属パターンと全完全に密着した状態で裏
面から紫外線照射を行い、厚いＸ線吸収体パターン形成
に必要な矩形性のよいレジストパターンを得ることがで
きる。
、レジストと金属パターンと全完全に密着した状態で裏
面から紫外線照射を行い、厚いＸ線吸収体パターン形成
に必要な矩形性のよいレジストパターンを得ることがで
きる。
また、Ｘ線吸収体パターン形状又はそれと相補の形状の
紫外光遮光層を形成した段階でパターン形成及び修正を
行うことができ、しかも、従来の光学検査手法ならびに
修正方法を採用できる。
紫外光遮光層を形成した段階でパターン形成及び修正を
行うことができ、しかも、従来の光学検査手法ならびに
修正方法を採用できる。
さらに、精度を要する工程が紫外線遮光層の形成工程と
なるため、きわめて薄い膜の加工で足り、きわめて高精
度に加工できる。例えば、Ｓｉ等の軽元素を用いること
もできるのはもとより、膜厚も５００Ａ程度ですむため
、堆積及び加工工程がきわめて簡単となる。
なるため、きわめて薄い膜の加工で足り、きわめて高精
度に加工できる。例えば、Ｓｉ等の軽元素を用いること
もできるのはもとより、膜厚も５００Ａ程度ですむため
、堆積及び加工工程がきわめて簡単となる。
以上のように本発明によれば、パターン修正を薄い金属
膜状態で行なえるため、従来の光学用マスク修正技術を
用いることができ、しかもそれ以後の工程はきわめて簡
単となり、欠陥密度を増やすことなく厚膜Ｘ線吸収体パ
ターンが形成でき、きわめて高品質のＸ線マスクを簡単
にうろことができる効果を有する。
膜状態で行なえるため、従来の光学用マスク修正技術を
用いることができ、しかもそれ以後の工程はきわめて簡
単となり、欠陥密度を増やすことなく厚膜Ｘ線吸収体パ
ターンが形成でき、きわめて高品質のＸ線マスクを簡単
にうろことができる効果を有する。
第１図〜第７図は本発明の第１の実施例の工程の説明図
、第８図〜第１４図は本発明の第２の実施例の工程の説
明図である。 １０１・・・支持構造、１０２・−・Ｘ線及び紫外光透
過膜、１０３・・・固定及び保護治具、１０４・・・レ
ジスト、２０１・・・紫外光遮光材、３０１・・・紫外
光遮光マスクパターン、４０１−・・紫外線露光用レジ
スト、５０１・・・紫外線露光用レジストのパターン、
６０１・・・Ｘ＃Ｄ吸収素材、７０１・−・Ｘ線吸収体
パターン、８０１・・・支持構造、８０２・・・Ｘ線及
び紫外光透過膜、８０３・・・固定及び保護治具、８０
４・・・メッキ下地層、８０５・・・レジスト、９０ル
ジストパターン、１００１・−・パターン化したメッキ
下地層兼紫外光遮光パターン、１１０１・・・紫外線露
光用レジスト、１２０１・・・紫外線露光用レジストの
パターン、 １３０１・・・Ｘ線吸収体パターン、１４
０１・・・Ｘ線露光用マスク 特許出願人 日本電気株式会社
、第８図〜第１４図は本発明の第２の実施例の工程の説
明図である。 １０１・・・支持構造、１０２・−・Ｘ線及び紫外光透
過膜、１０３・・・固定及び保護治具、１０４・・・レ
ジスト、２０１・・・紫外光遮光材、３０１・・・紫外
光遮光マスクパターン、４０１−・・紫外線露光用レジ
スト、５０１・・・紫外線露光用レジストのパターン、
６０１・・・Ｘ＃Ｄ吸収素材、７０１・−・Ｘ線吸収体
パターン、８０１・・・支持構造、８０２・・・Ｘ線及
び紫外光透過膜、８０３・・・固定及び保護治具、８０
４・・・メッキ下地層、８０５・・・レジスト、９０ル
ジストパターン、１００１・−・パターン化したメッキ
下地層兼紫外光遮光パターン、１１０１・・・紫外線露
光用レジスト、１２０１・・・紫外線露光用レジストの
パターン、 １３０１・・・Ｘ線吸収体パターン、１４
０１・・・Ｘ線露光用マスク 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- （１）軟Ｘ線及び紫外光を透過するＸ線透過膜を支持構
造体に固定する工程と、該膜上に紫外光を遮光する所望
パターンあるいは所望パターンと相補のパターンを形成
する工程と、該パターン上に感光樹脂を堆積する工程と
、Ｘ線透過膜の前記遮光層のない面から紫外光を一括照
射し、現像プロセスにより感光樹脂パターンを形成する
工程と、感光樹脂にポジ凰を用いた場合に全面に軟Ｘ線
吸収素材を堆積し、リフトオフ工程によシ所望の厚膜Ｘ
線吸収層を形成する工程、又は感光樹脂にネガ型レジス
トを用いた場合にリフトオフ若しくは連続した紫外透光
層を電導層として選択メツＩｃより厚膜Ｘ線吸収層を形
成する工程とからなる仁とを特徴とするＸ線露光用マス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205236A JPS6097355A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205236A JPS6097355A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097355A true JPS6097355A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0464170B2 JPH0464170B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=16503657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205236A Granted JPS6097355A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097355A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139926A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-30 | Ibm | Method of producing x-ray lighographic mask |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58205236A patent/JPS6097355A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139926A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-30 | Ibm | Method of producing x-ray lighographic mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0464170B2 (ja) | 1992-10-14 |
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