JPS6096584A - セラミツクと金属の接合方法 - Google Patents
セラミツクと金属の接合方法Info
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- JPS6096584A JPS6096584A JP20007383A JP20007383A JPS6096584A JP S6096584 A JPS6096584 A JP S6096584A JP 20007383 A JP20007383 A JP 20007383A JP 20007383 A JP20007383 A JP 20007383A JP S6096584 A JPS6096584 A JP S6096584A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミックと金属の接合法に関し、特にセラ
ミックの割れを防止して金属と接合することのできる方
法に関する。
ミックの割れを防止して金属と接合することのできる方
法に関する。
従来、セラミックと金属の接合方法として、（１）接着
剤法、（２）メタライジング法、（３）溶射法等が知ら
れているが、それぞれ次のような欠点がめった。
剤法、（２）メタライジング法、（３）溶射法等が知ら
れているが、それぞれ次のような欠点がめった。
（１） 接着剤法は最も簡便な方法であるが、高温にお
ける接着強度が低い。
ける接着強度が低い。
（２） メタライジング法はＭｏ 、 Ｍｏ−Ｍｎ 等
の金属粉末をセラミック上にメタライジングし、その上
にＮ１ メッキを施した後、ろう付で金属と接合すると
いった方法であるが、セラミックの種類によって適用が
難しい欠点がある。
の金属粉末をセラミック上にメタライジングし、その上
にＮ１ メッキを施した後、ろう付で金属と接合すると
いった方法であるが、セラミックの種類によって適用が
難しい欠点がある。
（３） 溶射法はセラミック粉末を溶融し、金属に吹き
つけて接着させるが、接合強度が低く、セラミックが多
孔質になるという欠点がおる。
つけて接着させるが、接合強度が低く、セラミックが多
孔質になるという欠点がおる。
この様に従来法では接合強度が低く、適用セラミック材
質に制約がめる等の欠点があった。
質に制約がめる等の欠点があった。
本発明は、斯る欠点を排除するためになされたもので、
（１） ＥＩｉｓＮ４． ８１（３系セラミツクと金属
の接合方法において、インサート材として（Ｕ又は０ｕ
５ｃ５０％以上含有する合金を用い、該インサート材の
融点の偽以上の温度に加熱することを特徴とするセラミ
ックと金属の接合方法、（２１Ｓｌ、Ｎ４． ｓｉａ系
セラミックと金属の一接合方法において、インサートｕ
としてＯｕ又はＯｕケ５０％以上含有する合金を用い、
該インサート材と前記金属との間に熱膨張係数が前記セ
ラミックとほぼ同じＦｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎ１−Ｃ。
の接合方法において、インサート材として（Ｕ又は０ｕ
５ｃ５０％以上含有する合金を用い、該インサート材の
融点の偽以上の温度に加熱することを特徴とするセラミ
ックと金属の接合方法、（２１Ｓｌ、Ｎ４． ｓｉａ系
セラミックと金属の一接合方法において、インサートｕ
としてＯｕ又はＯｕケ５０％以上含有する合金を用い、
該インサート材と前記金属との間に熱膨張係数が前記セ
ラミックとほぼ同じＦｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎ１−Ｃ。
合金全挿入し、前記インサート材の融点の偽以上の温度
に加熱することを特徴とするセラミックと金属の接合方
法、 に関するものである。
に加熱することを特徴とするセラミックと金属の接合方
法、 に関するものである。
また、本発明においては、必要に応じて、上記のセラミ
ックと上記のインサート材とを上記の温度で加熱接合し
てサブアセンブリを作り、該サブアセンブリのインサー
ト月面と金属とをインサートｌの融点よシ低融点の〕１
ンダ、Ａｔろう、Ｃｕ ろう、Ａｇ ろう、Ｎ１ ろう
等のろう材を用いてろう付けするξともできるし、ある
いはこのサブアセンブリのインサート材面と金属とをろ
う付する際に、この両者の間に上記のＦａ−Ｎｉ又はＦ
ｓ−Ｎｉ−Ｏｏ 合金を挿入しておくこともできる。
ックと上記のインサート材とを上記の温度で加熱接合し
てサブアセンブリを作り、該サブアセンブリのインサー
ト月面と金属とをインサートｌの融点よシ低融点の〕１
ンダ、Ａｔろう、Ｃｕ ろう、Ａｇ ろう、Ｎ１ ろう
等のろう材を用いてろう付けするξともできるし、ある
いはこのサブアセンブリのインサート材面と金属とをろ
う付する際に、この両者の間に上記のＦａ−Ｎｉ又はＦ
ｓ−Ｎｉ−Ｏｏ 合金を挿入しておくこともできる。
以上のような本発明方法により、セラミックと金属を良
好に接合し、且つセラミックの接合で常に問題となるセ
ラミックの割れを防止する浴接を可能にする。
好に接合し、且つセラミックの接合で常に問題となるセ
ラミックの割れを防止する浴接を可能にする。
本発明はガスタービン部品、抄紙機、その他各種のもの
に適用できる。
に適用できる。
第１図（４）〜（ロ）は本発明方法の実施態様例を示す
図である。図中、１Ｆｉθ１ｓＮ４． ８１０系セラミ
ツク、２ｔ′ｉ０ｕ又はＯｕ ｆ ５０％以上含有する
Ｏｕ金合金 Ｃ！ｕ−Ｐ 、Ｃｕ−Ａｇ 、 ０ｕ−Ａ
Ｉ−、０ｕ−Ｚｎ 。
図である。図中、１Ｆｉθ１ｓＮ４． ８１０系セラミ
ツク、２ｔ′ｉ０ｕ又はＯｕ ｆ ５０％以上含有する
Ｏｕ金合金 Ｃ！ｕ−Ｐ 、Ｃｕ−Ａｇ 、 ０ｕ−Ａ
Ｉ−、０ｕ−Ｚｎ 。
０ｕ−８ｉ 、０ｕ−Ｎｉ等）のインサート材、３は接
合金属、４は熱膨張係数がＥ１１３Ｎ４． ８ｉ０とは
ソ同じＦｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ−０ｏ 合金の中間挿
入材（熱膨張係数８１．Ｎ４ ・・・３Ｘ１０−６ｉ℃
、ＳｉＣ・・・４ｘ１ｏ−６／ｌ：、Ｐｅ−４２％封１
・・・５Ｘ１０−６／’Ｃ１Ｆｅ −２９％ｆｌｉ −
１７％Ｏｏ ”−４，５Ｘ １ Ｇ−’／℃）である。
合金属、４は熱膨張係数がＥ１１３Ｎ４． ８ｉ０とは
ソ同じＦｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ−０ｏ 合金の中間挿
入材（熱膨張係数８１．Ｎ４ ・・・３Ｘ１０−６ｉ℃
、ＳｉＣ・・・４ｘ１ｏ−６／ｌ：、Ｐｅ−４２％封１
・・・５Ｘ１０−６／’Ｃ１Ｆｅ −２９％ｆｌｉ −
１７％Ｏｏ ”−４，５Ｘ １ Ｇ−’／℃）である。
第１図（４）の方法ＩＪ］、セラミック１と接合金４３
の間にインサート材２を挿入し、インサート材の一点の
楯以上の温゛度（上限はセラミック１および接合金属６
の低い方の融点）ｌこ加熱し、ＪＩＳ、空、不活性ガス
又は大気中で拡散溶接ケ行う。
の間にインサート材２を挿入し、インサート材の一点の
楯以上の温゛度（上限はセラミック１および接合金属６
の低い方の融点）ｌこ加熱し、ＪＩＳ、空、不活性ガス
又は大気中で拡散溶接ケ行う。
この場合、インサート材２を浴融させる時は無加圧、イ
ンサート材２を溶改させない時は５〜０、０１ ｋｇ／
ｌｒｍ”の加圧全負荷する。接合時間け５ｕ以内とする
。
ンサート材２を溶改させない時は５〜０、０１ ｋｇ／
ｌｒｍ”の加圧全負荷する。接合時間け５ｕ以内とする
。
第１図（Ｂ）の方法ｔ１：、第１図（Ａ）の方法におい
て、接合金属５のセラミックＩＫ対向接合する面に熱膨
張係数がセラミック１とはソ同じＦｅ−Ｎｉ 。
て、接合金属５のセラミックＩＫ対向接合する面に熱膨
張係数がセラミック１とはソ同じＦｅ−Ｎｉ 。
Ｆｅ−Ｎ１−Ｃｏ 合金の中間挿入材４ｆｔ：あらかじ
めロール圧延、拡散溶接、爆着等でクラッドしておく場
合である。
めロール圧延、拡散溶接、爆着等でクラッドしておく場
合である。
第１図（０）の方法は、セラミック１にインサート材２
をインサート材の融点の１４以上の温度（上限はセラミ
ックの融点）ＶＣ加熱し、真空、不活性ガス又Ｇ１大気
中で拡散溶接を行ったあと（加圧はインサート材を落融
させる時は無加圧、インサート材を溶融嘔せない時は５
〜ｏ、 ｏ １ｋｇ／■２の加圧を負荷する。接合時間
け５ｕ以内とする）、このサブアセンブリを接合金属５
とろう付（インサート材の融点より低融点のろう材、例
えばハンダ、Ａｔろう、Ｌｕろう、Ａｇろう、 Ｎｉ
ろう等を用いる）で接合する。
をインサート材の融点の１４以上の温度（上限はセラミ
ックの融点）ＶＣ加熱し、真空、不活性ガス又Ｇ１大気
中で拡散溶接を行ったあと（加圧はインサート材を落融
させる時は無加圧、インサート材を溶融嘔せない時は５
〜ｏ、 ｏ １ｋｇ／■２の加圧を負荷する。接合時間
け５ｕ以内とする）、このサブアセンブリを接合金属５
とろう付（インサート材の融点より低融点のろう材、例
えばハンダ、Ａｔろう、Ｌｕろう、Ａｇろう、 Ｎｉ
ろう等を用いる）で接合する。
第１図（ロ）の方法は、第１図（０）の方法において、
ｙＩＬ１図（Ｂ）の方法と同様に接合金属５のセラミッ
クに対向接合する面にＦｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金の中間挿入材４をクラッドしておく場合である。
ｙＩＬ１図（Ｂ）の方法と同様に接合金属５のセラミッ
クに対向接合する面にＦｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金の中間挿入材４をクラッドしておく場合である。
尚、本発明方法において、インサート材２け箔、粉末で
使用することを原則とするが、溶射、蒸着、イオンブレ
ーティング等でセラミック１、又は接合金属３、又はＦ
ｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ−０ｏ 合金の中間挿入材４に
接着せしめても良い。
使用することを原則とするが、溶射、蒸着、イオンブレ
ーティング等でセラミック１、又は接合金属３、又はＦ
ｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ−０ｏ 合金の中間挿入材４に
接着せしめても良い。
また、本発明方法において、インサート材のＯｕ金合金
、０ｕｉ５０％以上含有するものに限定するのは、 Ｏ
ｕ 含有量が５０％以下になると、後述するＯｕ の効
果がうすれるためでろる。
、０ｕｉ５０％以上含有するものに限定するのは、 Ｏ
ｕ 含有量が５０％以下になると、後述するＯｕ の効
果がうすれるためでろる。
接合温度をインサート材の融点のμ以上とするのは、こ
れ以下の温度では拡散爵接時に溶接時間と加圧力を過大
なものとしなければならず、工業的に成り立たないため
である。
れ以下の温度では拡散爵接時に溶接時間と加圧力を過大
なものとしなければならず、工業的に成り立たないため
である。
加圧力の上限ｋ ５ ｋｌｌ／ｗｍ”とするのは、これ
以上の圧力を負荷すると一次元加圧のため、偏加圧が発
生しやすく、脆いセラミックに割れが発生しやすいため
である。下限ｉ１接合温度が高い時は上側になる材料の
０暇で足シるため外力は零でよいが、接合温度が低い時
Ｆｉ０．０１ｋｐ／■２程度の加圧は必要である。
以上の圧力を負荷すると一次元加圧のため、偏加圧が発
生しやすく、脆いセラミックに割れが発生しやすいため
である。下限ｉ１接合温度が高い時は上側になる材料の
０暇で足シるため外力は零でよいが、接合温度が低い時
Ｆｉ０．０１ｋｐ／■２程度の加圧は必要である。
接合時間を５Ｈ以内としたのけ、接合は当該時間内で完
了するので、これ以上では経済面をはじめとして工業的
に好ましくないためである。
了するので、これ以上では経済面をはじめとして工業的
に好ましくないためである。
なお、上記方法の第１図（Ａ）、ＣＢ）においてインサ
ート材を浴融させる時、および第１図（Ｃり、 ＣＤ）
においてＯｕ ろう付を行う場合で、相手側金属が鋼、
ステンレス鋼（接合金属６）、Ｆｅ−！Ｊ１゜ｒｅ−Ｎ
ｔ−ｃｏ ／？ｒ ＆ （中間挿入相４）の場合には、
該金属３．４にしんちゅう割れを発生しゃすいため、該
金属３，４にＮ１ メッキや拡散溶接又は爆着にてＮ１
コーティングしておけば、仁れｆｔｍ止することがで
きる。
ート材を浴融させる時、および第１図（Ｃり、 ＣＤ）
においてＯｕ ろう付を行う場合で、相手側金属が鋼、
ステンレス鋼（接合金属６）、Ｆｅ−！Ｊ１゜ｒｅ−Ｎ
ｔ−ｃｏ ／？ｒ ＆ （中間挿入相４）の場合には、
該金属３．４にしんちゅう割れを発生しゃすいため、該
金属３，４にＮ１ メッキや拡散溶接又は爆着にてＮ１
コーティングしておけば、仁れｆｔｍ止することがで
きる。
以上詳述した本発明方法による作用効果をまとめると次
の通シでらる。
の通シでらる。
（１） ５ｉｓＮ４． ＳｉＯと金属は物質構造が異な
るため（８１，Ｎ、、８１０は共有結合、金属は金属結
合）、その接合は極めて困難を伴う。
るため（８１，Ｎ、、８１０は共有結合、金属は金属結
合）、その接合は極めて困難を伴う。
本発明はインサート材としてＣｕ又はＯｕ金合金用いる
ことにより、 Ｓｉ、ｌ＋４． １３１０ と本インサ
ート材がすぐれた冶金的接合性を示し、良好な継手を得
ることができる。
ことにより、 Ｓｉ、ｌ＋４． １３１０ と本インサ
ート材がすぐれた冶金的接合性を示し、良好な継手を得
ることができる。
即ち、５ｔｓｎ４． ｓｔｃには遊離８１ が存在する
が（８１ｓＮ４では約１０００℃以上の加熱で、一部分
解が始１！７８１ｔ−生成するが、これも利用）、その
日１とＯｕ、Ｏｕ 合金が高温加熱下で必要に応じ加圧
を加えることにより、互いに拡散すると共に、８１ は
Ｏｕ、Ｏｕ金合金中固溶しく Ｃｕ中の８１の固溶度は
常温において約ｓ ｗｔ％ ６る）、脆化層を生成せず
、良好な継手を生成する。一方、インサート材のＯｕ又
はＯｕ金合金接合金属もしくは中間挿入材はいずれも金
属であシ、その接合性は基本的に極めてすぐれてお勺、
良好な継手を形成する（接合金属もしくけ中間挿入材に
Ｎ１ メッキ、１１１ コーティングした時も同じ）。
が（８１ｓＮ４では約１０００℃以上の加熱で、一部分
解が始１！７８１ｔ−生成するが、これも利用）、その
日１とＯｕ、Ｏｕ 合金が高温加熱下で必要に応じ加圧
を加えることにより、互いに拡散すると共に、８１ は
Ｏｕ、Ｏｕ金合金中固溶しく Ｃｕ中の８１の固溶度は
常温において約ｓ ｗｔ％ ６る）、脆化層を生成せず
、良好な継手を生成する。一方、インサート材のＯｕ又
はＯｕ金合金接合金属もしくは中間挿入材はいずれも金
属であシ、その接合性は基本的に極めてすぐれてお勺、
良好な継手を形成する（接合金属もしくけ中間挿入材に
Ｎ１ メッキ、１１１ コーティングした時も同じ）。
（２） 第１図Ｃｓ）、 （Ｄ）の方法は、接合金属５
のセラミックに対向する面にＦｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ 合金の中間挿入材をクラッドするもので、これ
によシ延性の極めて低いセラミックに接合後発生する熱
応力（セラミックと接合金属の熱膨張係数差によシ、接
合後の冷却過桿で発生する熱応力）を低減せしめ、セラ
ミックの割れ防止により有効である。
のセラミックに対向する面にＦｅ−Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ 合金の中間挿入材をクラッドするもので、これ
によシ延性の極めて低いセラミックに接合後発生する熱
応力（セラミックと接合金属の熱膨張係数差によシ、接
合後の冷却過桿で発生する熱応力）を低減せしめ、セラ
ミックの割れ防止により有効である。
即ち、８１３ Ｎ４の熱膨張係数は３Ｘ１０−’／℃、
ＳｉＯのそれけ４ Ｘ １０−’ ／ ℃であり、主要
接合金属のうち、熱膨張係数の大きいものとして、鋼が
１２ Ｘ １０−’ ／ Ｃ，オーステナイトステンレ
ス鋼が１７×１０−６／℃、Ｏｕが１７ｘ１ｏ−６／ｃ
、Ｎ１ が１５×１０−６／℃、Ｔ１ がａｓｘｌｏ−
’／℃でｓる。コレラを高温下で接合したあと冷却する
と大きな熱応力を発生する。
ＳｉＯのそれけ４ Ｘ １０−’ ／ ℃であり、主要
接合金属のうち、熱膨張係数の大きいものとして、鋼が
１２ Ｘ １０−’ ／ Ｃ，オーステナイトステンレ
ス鋼が１７×１０−６／℃、Ｏｕが１７ｘ１ｏ−６／ｃ
、Ｎ１ が１５×１０−６／℃、Ｔ１ がａｓｘｌｏ−
’／℃でｓる。コレラを高温下で接合したあと冷却する
と大きな熱応力を発生する。
これに対し、熱膨張係数が４．５〜ａＯＸ１ Ｇ−’
／ ℃のＦａ−Ｎｉ 、 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ 合金を８
１ｍ１１４． ８１０と接合金属間に挿入しておけば、
Ｓｉ３Ｎ４． ＳｉＯに発生する熱応力はＦｅ−Ｎｉ
、 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ 合金との熱膨張係数差に依存し
、その差が極めて小さくなるため、応力値が減少し、ｆ
ｌｉ３Ｎ４． ８１０の割れ感受性を低下せしめうる。
／ ℃のＦａ−Ｎｉ 、 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ 合金を８
１ｍ１１４． ８１０と接合金属間に挿入しておけば、
Ｓｉ３Ｎ４． ＳｉＯに発生する熱応力はＦｅ−Ｎｉ
、 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ 合金との熱膨張係数差に依存し
、その差が極めて小さくなるため、応力値が減少し、ｆ
ｌｉ３Ｎ４． ８１０の割れ感受性を低下せしめうる。
（３） 第１図（０）、 ＠の方法は、８１３Ｎ４．
８１０にインサート材のＣｕ又けＯｕ金合金接合して、
サブアセンブリを作り、金属との接合はインサート材よ
り低融点のろう材を用いたろう付によシ行うもので、金
属との接合温度が第１図（４）、（Ｂ）の方法よシ低く
なシ、 ８１．Ｎ４． ８１０に発生する前記熱応力が
減少し、８１１Ｎ４． ８１０の割れ感受性を低下せし
めうる。
８１０にインサート材のＣｕ又けＯｕ金合金接合して、
サブアセンブリを作り、金属との接合はインサート材よ
り低融点のろう材を用いたろう付によシ行うもので、金
属との接合温度が第１図（４）、（Ｂ）の方法よシ低く
なシ、 ８１．Ｎ４． ８１０に発生する前記熱応力が
減少し、８１１Ｎ４． ８１０の割れ感受性を低下せし
めうる。
なお、インサート材としてＯｕ 合金を用いると、Ｏｕ
に比べ合金元素添加で融点がさがシ、接合温度を低下せ
しめうるが、これは上述した如くセラミックに発生する
熱応力を低下させ、セラミックの割れ防止によシ有効で
るる。
に比べ合金元素添加で融点がさがシ、接合温度を低下せ
しめうるが、これは上述した如くセラミックに発生する
熱応力を低下させ、セラミックの割れ防止によシ有効で
るる。
実施例１
厚さ２目のＢ ｉ、Ｎ４と厚さ２簡の８８４１の接合に
おいて、インサート材として０ｕ（５０μ箔）を用い、
接合温１Ｂ“１０５０℃、加圧力３す〜冨、接合時間５
０分、接合雰囲気１０ ’ Ｔｏｒｒ で拡散溶接した
。
おいて、インサート材として０ｕ（５０μ箔）を用い、
接合温１Ｂ“１０５０℃、加圧力３す〜冨、接合時間５
０分、接合雰囲気１０ ’ Ｔｏｒｒ で拡散溶接した
。
その結果、Ｓｉ３Ｎ４に割れ発生がなく、全面に亘って
非接合部のない良好な継手が得られた。
非接合部のない良好な継手が得られた。
実施例２
厚さ２ＩＩＩＩＩのＳｉＯと厚さ５ＩＩＷＩの８８４１
の接合において、ＳＳ４１に厚さ３輯のＦｅ−２９％［
−１７％Ｃｏ ｆ予じめに−６常の拡散溶接で接合した
あと、ＥＴｌｏとＦｅ−２９％１ｉｊ−１７％Ｃｏとの
間ｒｃイｙ−ｔ−ト材として０ｕ（５０ｐ箔）全挿入し
、実施例１と同条件で拡散溶接した。
の接合において、ＳＳ４１に厚さ３輯のＦｅ−２９％［
−１７％Ｃｏ ｆ予じめに−６常の拡散溶接で接合した
あと、ＥＴｌｏとＦｅ−２９％１ｉｊ−１７％Ｃｏとの
間ｒｃイｙ−ｔ−ト材として０ｕ（５０ｐ箔）全挿入し
、実施例１と同条件で拡散溶接した。
その結果、ｓｉａに割れ発生がなく、全面に亘つて非接
合部のない良好な継手が得られた。
合部のない良好な継手が得られた。
実施例３
厚さ２ｍのＳｉ３Ｎ４ と厚さ５■のｉＥ＋ ５０４の
接合において、ＳＵＢ ５０４に厚さ３ｍｍのＦｅ−４
２％Ｎ１を予じめ通常の拡散浴接で接合したあと、Ｆｅ
−４２チＮ１にＮ１メッキ（１０μ）し、次いで５ｉｓ
Ｎ４とＮｉ メッキしたＦｅ−４２％Ｎｉ間にインサー
ト材としてペースト状の０ｕ−４０％ｚｎｃｍ点９００
℃）を塗布挿入したあと、接合温度９５０℃、接合時間
３分、雰囲気Ａｒ で接合した。
接合において、ＳＵＢ ５０４に厚さ３ｍｍのＦｅ−４
２％Ｎ１を予じめ通常の拡散浴接で接合したあと、Ｆｅ
−４２チＮ１にＮ１メッキ（１０μ）し、次いで５ｉｓ
Ｎ４とＮｉ メッキしたＦｅ−４２％Ｎｉ間にインサー
ト材としてペースト状の０ｕ−４０％ｚｎｃｍ点９００
℃）を塗布挿入したあと、接合温度９５０℃、接合時間
３分、雰囲気Ａｒ で接合した。
その結果、８１３１１４ と５Ｕｉ９３０４ け５ Ｘ
１０−’／℃、１７×１０−６／℃と熱膨張係数が大
きく異なるため、８１３Ｎ４の割れ発生が大きく懸念さ
れたが、Ｆｅ−４２％Ｎ１が緩衝となシ、割れの発生を
防止できたと共に全面に亘って非接合部のない良好な継
手が得られた。
１０−’／℃、１７×１０−６／℃と熱膨張係数が大
きく異なるため、８１３Ｎ４の割れ発生が大きく懸念さ
れたが、Ｆｅ−４２％Ｎ１が緩衝となシ、割れの発生を
防止できたと共に全面に亘って非接合部のない良好な継
手が得られた。
実施例４
厚さ２ｍのＳｉＯと厚さ２ｗのＳＵＢ ３０４の接合に
おいて、ＳｉＯにＯｕ （５０ｐｆｈ） ｋＷｉ、合温
度１０５０℃、加圧力２ゆ／■２、接合時間ＩＨ。
おいて、ＳｉＯにＯｕ （５０ｐｆｈ） ｋＷｉ、合温
度１０５０℃、加圧力２ゆ／■２、接合時間ＩＨ。
接合雰囲気Ａｒ で拡散溶接したあと、ｃｕ 而とＳＵ
Ｂ ５０４を対向きせ、その間にＡｇ ろうをはさみ、
ろう付温１８００℃、ろう何時間５分、雰囲気Ａｒ で
ろう刊した。
Ｂ ５０４を対向きせ、その間にＡｇ ろうをはさみ、
ろう付温１８００℃、ろう何時間５分、雰囲気Ａｒ で
ろう刊した。
その結果、ろう付温度が低いため、５ｉＯＫ＠生ずる熱
応力が減少し、ＳｉＯの割れ発生が防止できたと共に、
全面に亘って非接合部のない良 ４好な継手が得られた
。
応力が減少し、ＳｉＯの割れ発生が防止できたと共に、
全面に亘って非接合部のない良 ４好な継手が得られた
。
実施例５
厚さ２ ＋＋ＩＩ＋＋ （Ｄ Ｓｉ３Ｎ４ と厚す１０
ｍ（Ｄ ＥＩＵＳ ３０４の接合において、Ｓｉ３Ｎ
、に厚さ１ｗ＋の９０％Ｏｕ−１゜チェ を接合温度１
０００’Ｃ１加圧力４ Ｋｇ／■２、接合時間２Ｈ，接
合雰囲気１０−’ Ｔｏｒｒ で拡散接合した。一方、
５Ｕｓ３０４に通常の拡散溶接で厚’３５ ｗ＋＋のＦ
ｅ−２９％Ｎｉ−１７係ｃｏ を接合したあと、このＦ
ｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ と上記の９０％Ｃ！ｕ−
１０％Ｎ１ 面を対向させ、その間にＡｇ ろうをはさ
み、ろう付温度７００℃、ろう何時間５分、ｄ囲気Ａｒ
でろうイ」した。
ｍ（Ｄ ＥＩＵＳ ３０４の接合において、Ｓｉ３Ｎ
、に厚さ１ｗ＋の９０％Ｏｕ−１゜チェ を接合温度１
０００’Ｃ１加圧力４ Ｋｇ／■２、接合時間２Ｈ，接
合雰囲気１０−’ Ｔｏｒｒ で拡散接合した。一方、
５Ｕｓ３０４に通常の拡散溶接で厚’３５ ｗ＋＋のＦ
ｅ−２９％Ｎｉ−１７係ｃｏ を接合したあと、このＦ
ｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ と上記の９０％Ｃ！ｕ−
１０％Ｎ１ 面を対向させ、その間にＡｇ ろうをはさ
み、ろう付温度７００℃、ろう何時間５分、ｄ囲気Ａｒ
でろうイ」した。
その結果、全面に亘って非接合部のない良好な継手が得
られた。またＳ ｉ３Ｎ４ と５Ｕｓ５０４ は３ Ｘ
Ｉ Ｑ−＠／Ｈ１１７Ｘ１０−６／℃と熱膨張係数が
大きく異なり、加えてＳＵＢ ３０４が１０簡と厚肉の
ため、５ｉｓＮ、の割れ発生が大きく懸念はれたが、Ｆ
ｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｊｏ が緩衝となシ、割れの
発生を防止できた。
られた。またＳ ｉ３Ｎ４ と５Ｕｓ５０４ は３ Ｘ
Ｉ Ｑ−＠／Ｈ１１７Ｘ１０−６／℃と熱膨張係数が
大きく異なり、加えてＳＵＢ ３０４が１０簡と厚肉の
ため、５ｉｓＮ、の割れ発生が大きく懸念はれたが、Ｆ
ｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｊｏ が緩衝となシ、割れの
発生を防止できた。
第１図（４）〜＠は本発明方法の実施態様例を示す図で
ある。 徨代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 −
ある。 徨代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 −
Claims (2)
- （１） Ｓｉ３Ｎ４． ８１０系セラミツクと金属の接
合方法において、インサート材としてＯｕ又は０ｕ２５
０％以上含有する合金を用い、該インサート材の融点の
偽以上の温度に加熱することを特徴とするセラミックと
金属の接合方法。 - （２） ５ｉｓＮ４． ８１０系セラミツクと金属の接
合方法において、インサート材としてＯｕ又はＣｕｔ−
５０％以上含有する合金を用い、該インサート材と前記
金属との間に熱膨張係数が前記セラミックとはぽ同じＦ
ｅ −Ｎ ｉ又はｒｅ−Ｎｉ−Ｃ。 合金を挿入し、前記インサート材の融点の偽以上の温度
に加熱することを特徴とするセラミックと金属の接合方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20007383A JPS6096584A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | セラミツクと金属の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20007383A JPS6096584A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | セラミツクと金属の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6096584A true JPS6096584A (ja) | 1985-05-30 |
Family
ID=16418391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20007383A Pending JPS6096584A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | セラミツクと金属の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6096584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121983A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-30 | 工業技術院長 | 非酸化物系セラミックス―金属複合材料の製造方法 |
| JPH01290567A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Toru Yoshida | 炭素材の接合方法、この方法で接合された接合体及びその応用部材 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP20007383A patent/JPS6096584A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121983A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-30 | 工業技術院長 | 非酸化物系セラミックス―金属複合材料の製造方法 |
| JPH0223498B2 (ja) * | 1984-07-07 | 1990-05-24 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPH01290567A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Toru Yoshida | 炭素材の接合方法、この方法で接合された接合体及びその応用部材 |
| JPH0521870B2 (ja) * | 1988-05-16 | 1993-03-25 | Tooru Yoshida |
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