JPS60930U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60930U
JPS60930U JP9189183U JP9189183U JPS60930U JP S60930 U JPS60930 U JP S60930U JP 9189183 U JP9189183 U JP 9189183U JP 9189183 U JP9189183 U JP 9189183U JP S60930 U JPS60930 U JP S60930U
Authority
JP
Japan
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substrate
thick film
conductor
semiconductor equipment
lid
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Pending
Application number
JP9189183U
Other languages
English (en)
Inventor
吉岡　公男
稲越　雄司
Original Assignee
富士電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP9189183U priority Critical patent/JPS60930U/ja
Publication of JPS60930U publication Critical patent/JPS60930U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の厚膜を用いた半導体装置の基板の平面図
、第２図はその蓋体を示し、ａが平面図、ｂが側断面図
、第３図はその蓋体接着後の断面図、第４図は本考案の
一実施例における基板の平面図、第５図はその蓋体接着
後の断面図である。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・導体厚
膜、３・・・・・・ガラス層、４・・・・・・蓋体、４
１・・・・・・蓋体の周辺部端面、５・・・・・・接着
剤。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上に固着された半導体素子が該基板上に形成された
    導体厚膜と電気的に接続され、さらに素子を覆う蓋体を
    基板に固定することにより素子が気密封止されるものに
    おりて、基板上に導体厚膜の各側辺の一部に密に隣接し
    、導体厚膜とほぼ等しい厚さを有する絶縁厚膜が設けら
    れ、蓋体の周辺部端面が導体および絶縁厚膜の表面に密
    に接着されたことを特徴とする半導体装置。
JP9189183U 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置 Pending JPS60930U (ja)

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JP9189183U JPS60930U (ja) 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置

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JP9189183U JPS60930U (ja) 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置

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JPS60930U true JPS60930U (ja) 1985-01-07

Family

ID=30221991

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JP9189183U Pending JPS60930U (ja) 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置

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